专利名称：提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法
技术领域：
本发明属于生物工程技术领域，具体涉及一种提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法。
背景技术：
铁皮石斛的形态特征铁皮石斛力i腫Candidum Wall, ex Zi/ i/7)俗称铁皮枫斗，兰科附生，茎直立、丛生圆柱形，绿色或铁灰色；高几厘米至几十厘米不等，多节，节间膨大，黑褐色具明显光泽。叶少数，互生于茎上部，无柄，叶片长圆状披针型；叶鞘膜质，紧抱节间，灰白色。总状花序，花2 5朵，淡黄绿色或淡黄色。果实为蒴果，长卵状，暗绿至青绿色；种子小而多，种皮是一层透明的薄壁细胞，有加厚的环纹，种皮含大量空气；种内胚发育不全或不成熟，无胚乳。根附生于岩石上，为无分枝的气生根，扁圆，白色，绿色或灰白色、灰袍色，粗1 mm左右，长度与株高一般。铁皮石斛的生长特性野生的铁皮石斛多生长于海拔900 1500 m之间、年平均气温12 18°C、相对湿度60% 75%、透光度60%左右、生长季节温度20 、冬季气温 9 12°C、无霜多雾、年降雨量500 1000 mm的常绿阔叶林中。铁皮石斛自然结实率很低，以异花授粉为主，其自花授粉成功率极低、仅30%左右，而异花授粉率达100%成功。铁皮石斛野生种子的成活率很低。铁皮石斛的药用价值铁皮石斛作为我国传统中药，分为铁皮、黄草、金钗、霍山、 等数十个品种，其中铁皮石斛最为珍贵，居“中华九大仙草”之首，是石斛中的极品。古语云 “北有人参，南有枫斗”，民间也有“救命仙草”、“中华仙草”、“药中黄金”之美称。主产于我国云南、贵州、浙江、安徽等地，且十分娇嫩，遇强光、暴雨或雪冻即会死亡，水分过多也会使其根部腐烂，甚至整株死亡。由于铁皮石斛具有很高的药用价值，导致长期无节制的采摘，致使野生资源濒临枯竭。而且，其自然繁殖力又极低，常规繁殖也较困难，野生铁皮石斛已濒临绝迹。1987年国家已将铁皮石斛列为重点保护野生珍稀药材品种，国家第一批《中国珍稀濒危保护植物名录》也将其列入其中。为了更好地保护铁皮石斛的野生资源，变野生为家种，应大力发展规模化人工栽培，切实保障铁皮石斛资源的可持续利用。从20世纪70年代起，国内外有关机构便开始了铁皮石斛人工栽培的研发工作，尤其在铁皮石斛的组织培养与快速繁殖技术、人工栽培技术方面进行了大量研究。在铁皮石斛组织培养与快速繁殖技术中，原球茎的增殖倍数是限制种苗发展的关键。中国发明专利授权公告号CN1275513C推荐了铁皮石斛芽簇及其制备方法和用途，该专利方案能够体现说明书第4页归纳的三点技术效果，但是不具有高的增殖效果 (增殖1-2倍)。又，CNlOl 180949B和CN200710066480. 1均介绍了一种铁皮石斛茎尖组培快速繁殖的育苗方法，该两专利方案的积极意义在于可缩短铁皮石斛苗的培养周期， 使从圆环茎至生根苗的培养周期缩短至5-6个月；遗传性状稳定。但CN101180949B和 CN200710066480. 1仅仅描述了铁皮石斛快速繁殖的一种普通育苗方法，除了用培养基之外，未披露铁皮石斛增重的具体措施。及，CN101258835B披露的铁皮石斛优质种苗快速繁殖方法，同样仅描述了铁皮石斛快速繁殖的一种普通方法，并未教导铁皮石斛增重的具体措施。如业界所知之理，铁皮石斛组织培养与繁殖的关键取决于原球茎的增殖倍数，而在并不限于由上述公开的专利文献中均未给出相应的技术启示，为此，本申请人作了有益的尝试，下面将要介绍的技术方案便是在这种背景下产生的。
发明内容
本发明的任务在于提供一种组织培养与繁殖过程中保障优异的增殖效果的提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法。本发明的任务是这样来完成的，一种提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，包括以下步骤
A)配制培养基，在培养容器中配制培养基，并且将该培养基高温灭菌，得到盛有培养基的培养容器；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g或者将由铁皮石斛原球茎继代培养后得到的原球茎0. 5g接种于盛有培养基的培养容器内，得到培养基接种培养容器；
C)磁处理，将培养基接种培养容器置于磁场中磁处理，控制磁处理时间和磁感应强度， 得到磁处理的培养基接种培养容器；
D)增殖培养，将磁处理的培养基接种培养容器置于培养室中增殖培养，并且控制培养室的培养温度、光照度和光照时间，得到重量增殖倍数为3-9倍的铁皮石斛原球茎。在本发明的一个具体的实施例中，步骤A)中所述的培养基为1/2 MS+NAA (萘乙酸)0. 2-0. %ig/L+6-BA (6-苄基腺嘌呤)0.8-1 mg/L +KT (激动素)0.8-1 mg/L+蔗糖 20-40g/L+琼脂7-9g/L+粉末活性碳l_3g/L，pH5. 6-5. 8 ；所述的高温灭菌是将所述培养基放在高压灭菌锅内将温度升至115-125°C，压力为0. 07-0. 135MPa，并且维持20_25min后冷却至室温。在本发明的另一个具体的实施例中，步骤B)中所述的母瓶铁皮石斛原球茎是取铁皮石斛没开裂的蒴果，先用质量百分比浓度为75%乙醇擦拭表面，再放入质量百分比浓度为0. 1%-0. 2%的氯化汞(HgCl2)溶液中浸泡7-12min，然后用灭菌水清洗，而后剖开蒴果，取其种胚并将种胚接种在改良的MS培养基上培养直至长出的原球茎；改良的MS培养基是指在MS培养基中将NH4NO3减半使用；所述的灭菌水是指将蒸馏水或普通自来水置于高压灭菌锅内升温至115-125°C，压力为0. 07-0. i;35MPa，并且维持20-25min，再经冷却至室温所得到的水；所述的清洗的次数为3次、4次或5次。在本发明的又一个具体的实施例中，步骤C)中所述的控制磁处理时间是将磁处理时间控制为60-900min，所述的控制磁感应强度是将磁感应强度控制为6_25mT(毫特斯拉)。在本发明的再一个具体的实施例中，步骤D)中所述的的培养室中增殖培养的时间为30-60天；所述的控制培养室的培养温度是将温度控制为20-25°C，所述的控制光照度是将光照度控制为1000-2000LUX，所述的控制光照时间是将光照时间控制为12h/天。一种提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，包括以下步骤
A)配制培养基，在培养容器中配制培养基，并且将该培养基高温灭菌，得到盛有含四氧化三铁的培养基的培养容器；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g或者将由铁皮石斛原球茎继代培养后得到的原球茎0. 5g接种于盛有含四氧化三铁的培养基的培养容器内，得到含四氧化三铁的培养基接种培养容器；
C)磁处理，将含四氧化三铁的培养基接种培养容器置于磁场中磁处理，控制磁处理时间和磁感应强度，得到磁处理的含四氧化三铁的培养基接种培养容器；
D)增殖培养，将磁处理的含四氧化三铁的培养基接种培养容器置于培养室中增殖培养，并且控制培养室的培养温度、光照度和光照时间，得到重量增殖倍数为3-8. 5倍的铁皮石斛原球茎。在本发明的还有一个具体的实施例中，步骤A)中所述的培养基为1/2 MS+NAA(萘乙酸)0. 2-0. %ig/L+6-BA(6-苄基腺嘌呤)0.8-1 mg/L +KT (激动素)0.8-1 mg/L+四氧化三铁(Fe3O4》-6g/L +蔗糖20-40g/L+琼脂7-9g/L，pH5. 6-5. 8 ；所述的高温灭菌是将所述培养基放在高压灭菌锅内将温度升至115-125°C，压力为0. 07-0. 135MPa，并且维持20-25min
后冷却至室温。在本发明的更而一个具体的实施例中，步骤B)中所述的母瓶铁皮石斛原球茎是取铁皮石斛没开裂的蒴果，先用质量百分比浓度为75%乙醇擦拭表面，再放入质量百分比浓度为0. 1%-0. 2%的氯化汞(HgCl2)溶液中浸泡7-12min，然后用灭菌水清洗，而后剖开蒴果， 取其种胚并将种胚接种在改良的MS培养基上培养直至长出的原球茎；改良的MS培养基是指在MS培养基中将NH4NO3减半使用；所述的灭菌水是指将蒸馏水或普通自来水置于高压灭菌锅内升温至115-125°C，压力为0. 07-0. i:35MPa，并且维持20-25min，再经冷却至室温所得到的水；所述的清洗的次数为3次、4次或5次。在本发明的进而一个具体的实施例中，步骤C)中所述的控制磁处理时间是将磁处理时间控制为60-900min，所述的控制磁感应强度是将磁感应强度控制为6_25mT (毫特斯拉)。在本发明的又更而一个具体的实施例中，步骤D)中所述的培养室中增殖培养的时间为30-50天；所述的控制培养室的培养温度是将温度控制为20-25°C，所述的控制光照度是将光照度控制为1000-2000LUX，所述的控制光照时间是将光照时间控制为12h/天。本发明提供的技术方案弥补了已有技术中的铁皮石斛原球茎增殖效果差的缺陷， 利用磁场处理而使增殖倍数达到3-9倍。
具体实施例方式下面的实施例中提及的MS为一种通用的基础培养基，其配方由大量元素、微量元素、铁盐和有机物质共四类物质组成，各物质的具体用量如下(单位mg/L):
一、大量元素 硝酸铵(NH4NO3) 1650 硝酸钾(KNO3) 1900 氯化钙(CaCl2 · 2H20) 440 硫酸镁(MgSO4 · 7H20) 370 磷酸二氢甲(KH2PO4) 170二、微量元素 碘化钾(KI) 0.83 硼酸(H3BO3) 6.2
硫酸锰(MnSO4 · 4H20) 22. 3 硫酸锌(ZnSO4 · 7H20) 8.6 钼酸钠(Na2MoO4 · 2Η20) 0. 25 硫酸铜(CuSO4 · 5 H2O) 0. 025 氯化钴(CoCl2 · 6 H2O) 0. 025
三、铁盐
硫酸亚铁(FeSO4 · 7 H2O) 27. 8 乙二胺四乙酸二钠(Na2EDTA) 37. 3
四、有机物质 肌醇1
烟酸0.5
盐酸吡哆醇(维生素B6) 0.5 盐酸硫胺素(维生素Bi) 0. 1 甘氨酸2. 0
1/2MS是指前述的MS培养基中硝酸铵、硝酸钾、氯化钙、硫酸镁、磷酸二氢甲这五种物质的用量减半，即分别为825、950、220、185、85 mg/L ；改良的MS培养基是对前述的MS培养基中的NH4NO3的使用量减半即825mg/L。说明MS培养基作仅为基础培养基，使用时还要添加6-BA、蔗糖、琼脂等成分之后，才把PH调节到5. 6-5. 8。实施例1
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ang/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+蔗糖20 g/L+琼脂8g/L+粉末活性碳 2g/L，pH值为5. 6，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至125°C，压力为0. 135MPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后， 得到盛有培养基的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎是指取铁皮石斛没开裂的蒴果，先用质量百分比浓度为75%乙醇擦拭表面，再放入质量百分比浓度为 0. 1%-0.洲的氯化汞(HgCl2)溶液中浸泡7-12min，然后用灭菌水(灭菌水是指将蒸馏水或普通自来水放在高压灭菌锅内将温度升至115-125°C，与此对应的压力为0. 07-0. 135MPa), 并且维持20-25min后冷却至室温清洗3次、4次或5次，剖开蒴果，取其种胚并将种胚接种在改良的MS培养基上，培养1-2个月长出的原球茎；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 900min，磁感应强度为12mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天25°C，夜间20°C，光照度为1100LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为3. 1倍的铁皮石斛原球茎。实施例2
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ;3mg/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)0. 8mg/L+蔗糖30 g/L+琼脂9g/L+粉末活性碳lg/L，pH值为5. 8，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至115°C，压力为0. 07MPa，并且在该温度和压力下维持25min，待冷却至室温后，得到盛有培养基的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎是指将铁皮石斛原球茎继代培养后得到的铁皮石斛原球茎，继代培养是指将铁皮石斛原球茎从一个培养瓶转移至另一个培养瓶内连续培养；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 60min，磁感应强度为12mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天M°C，夜间20°C，光照度为1200LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为3. 3倍的铁皮石斛原球茎。实施例3
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ang/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)0.8mg/L + KT (激动素)lmg/L+蔗糖40g/L+琼脂7. 5g/L+粉末活性碳1. 5g/L，pH值为5. 7，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C (压力为0. IMPa)，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例1 的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 300min，磁感应强度为6mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天M°C，夜间21°C，光照度为1300LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为5. 8倍的铁皮石斛原球茎。实施例4
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ;3mg/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+蔗糖40 g/L+琼脂8. 5g/L+粉末活性碳3g/L，pH值为5. 7，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C，压力为0. 07MPa，并且在该温度和压力下维持22min，待冷却至室温后，得到盛有培养基的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例1 的描述；C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 300min，磁感应强度为17mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天M°C，夜间21°C，光照度为1000LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为4. 9倍的铁皮石斛原球茎。实施例5
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ;3mg/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+蔗糖30g/L+琼脂8. 5g/L+粉末活性碳1. 8g/L，pH值为5. 7，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至121°C，压力为0. llMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例1 的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 300min，磁感应强度为25mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天25°C，夜间22°C，光照度为1500LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为6. 0倍的铁皮石斛原球茎。实施例6
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ang/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)0. 8mg/L+蔗糖35 g/L+琼脂8g/L+粉末活性碳2. 5g/L，pH值为5. 7，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C，压力为0. IMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例1 的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 600min，磁感应强度为25mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天25°C，夜间22°C，光照度为1900LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为7. 2倍的铁皮石斛原球茎。实施例7
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2 MS+ NAA (奈乙酸)0. ;3mg/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)0.9mg/L + KT (激动素)lmg/L+蔗糖35 g/L+琼脂8g/L+粉末活性碳3g/L，pH值为5. 7，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至121°C，压力为0. llMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基的培养瓶；B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例1 的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 900min，磁感应强度为12mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天，夜间20°C，光照度为2000LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为7. 5倍的铁皮石斛原球茎。实施例8
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ;3mg/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+蔗糖30 g/L+琼脂7. 5g/L+粉末活性碳2g/L，pH值为5. 7，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至121°C，压力为0. llMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例1 的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 900min，磁感应强度为17mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天25°C，夜间21°C，光照度为1800LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为6. 1倍的铁皮石斛原球茎。实施例9
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ;3mg/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)0.9mg/L + KT (激动素)lmg/L+蔗糖35 g/L+琼脂8g/L+粉末活性碳2g/L，pH值为5. 7，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C，压力为0. IMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后， 得到盛有培养基的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例1 的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 900min，磁感应强度为25mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天25°C，夜间22°C，光照度为2000LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为9. 1倍的铁皮石斛原球茎。实施例10
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2 MS+ NAA (奈乙酸)0. ang/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)0. 8mg/L+蔗糖35 g/L+琼脂8g/L+粉末活性碳2g/L，pH值为5. 7，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至121°C (压力为0. IlMPa)，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例1 的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 600min，磁感应强度为25mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天M°C，夜间21°C，光照度为1700LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为7. 2倍的铁皮石斛原球茎。实施例11
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ang/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)0. 8mg/L+四氧化三铁(Fe304》g/L +蔗糖25g/ L +琼脂8g/L，pH值为5. 7，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C，压力为0. IMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎是指取铁皮石斛没开裂的蒴果，先用质量百分比浓度为75%的乙醇擦拭表面，再放入质量百分比浓度为0. 1%-0. 2%的氯化汞溶(HgCl2)液中浸泡7-12min，然后用灭菌水(灭菌水是指将蒸馏水或普通自来水放在高压灭菌锅内将温度升至115-125°C，压力为 0. 07-0. 135MPa),并且维持20-25min后冷却至室温)清洗3次、4次或5次，剖开蒴果，取其种胚并将种胚接种在改良的MS培养基上，培养1-2个月长出的原球茎；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 60min，磁感应强度为12 mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天M°C，夜间20°C，光照度为1000LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为4. 9倍的铁皮石斛原球茎。实施例12
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ang/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)0.9mg/L + KT (激动素)lmg/L+四氧化三铁(Fe304》g/L +蔗糖30g/ L +琼脂8g/L，pH值为5. 7，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C (压力为0. IMPa)，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例11的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为300min，磁感应强度为6mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天25°C，夜间22°C，光照度为2000LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为7. 3倍的铁皮石斛原球茎。实施例13
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ang/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+四氧化三铁(Fe3O4) 2g/L +蔗糖30g/ L +琼脂8. 5g/L，pH值为5. 8，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C，压力为0. 1MP，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例11的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 300min，磁感应强度为12mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天，夜间20°C，光照度为1300LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为5. 6倍的铁皮石斛原球茎。实施例14
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ;3mg/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+四氧化三铁(Fe3O4) 2g/L +蔗糖40g/ L +琼脂8. 5g/L，pH值为5. 8，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至121°C，压力为0. llMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤Α)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例11的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 300min，磁感应强度为17mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天M°C，夜间21°C，光照度为1600LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为6. 1倍的铁皮石斛原球茎。实施例14
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ;3mg/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+四氧化三铁(Fe3O4) 2g/L +蔗糖40g/ L +琼脂8. 5g/L，pH值为5. 8，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C，压力为0. IMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例11的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 600min，磁感应强度为12mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天M°C，夜间22°C，光照度为1700LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为5. 9倍的铁皮石斛原球茎。实施例15
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ang/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+四氧化三铁(Fe3O4) 4g/L +蔗糖20g/ L +琼脂8. 5g/L，pH值为5. 8，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C，压力为0. IMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例11的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 60min，磁感应强度为25mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天25°C，夜间22°C，光照度为2000LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为3. 5倍的铁皮石斛原球茎。实施例16
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ang/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+四氧化三铁(Fe3O4) 4g/L +蔗糖20g/ L +琼脂8. 5g/L，pH值为5. 8，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至121°C，压力为0. llMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤Α)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例11的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 300min，磁感应强度为25mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天M°C，夜间22°C，光照度为1750LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为4. O倍的铁皮石斛原球茎。实施例17
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2 MS+ NAA (奈乙酸)0. ang/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+四氧化三铁(Fe3O4) 4g/L +蔗糖20g/ L +琼脂8. 5g/L，pH值为5. 8，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C，压力为0. IMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例11的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 600min，磁感应强度为17mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天，夜间20°C，光照度为1250LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为4. 5倍的铁皮石斛原球茎。实施例18
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ang/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)0. 9mg/L+四氧化三铁(Fe304)6g/L +蔗糖40g/ L +琼脂8. 5g/L，pH值为5. 8，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C，压力为0. IMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例11的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 60min，磁感应强度为6mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天M°C，夜间21°C，光照度为1850LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为4. 2倍的铁皮石斛原球茎。实施例19
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ;3mg/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+四氧化三铁(Fe3O4) 6g/L +蔗糖30g/ L +琼脂9g/L，pH值为5. 8，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至125°C，压力为0. 135MPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤Α)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例11的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 60min，磁感应强度为12mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天25°C，夜间22°C，光照度为2000LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为8. 5倍的铁皮石斛原球茎。实施例20 A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ;3mg/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+四氧化三铁(Fe3O4) 6g/L +蔗糖30g/ L +琼脂8. 5g/L，pH值为5. 8，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至121°C，压力为0. llMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤Α)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例11的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 60min，磁感应强度为17mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天25°C，夜间23°C，光照度为2000LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为5. 6倍的铁皮石斛原球茎。实施例21
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ;3mg/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+四氧化三铁(Fe3O4) 6g/L +蔗糖30g/ L +琼脂8. 5g/L，pH值为5. 8，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C，压力为0. IMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例11的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 300min，磁感应强度为6mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养， 培养室温度为白天，夜间21°C，光照度为2000LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为6. 4倍的铁皮石斛原球茎。实施例22
A)配制培养基，在培养瓶中配制培养基，培养基为1/2MS+ NAA (奈乙酸)0. ;3mg/L+ 6-BA (6-苄基腺嘌呤)lmg/L + KT (激动素)lmg/L+四氧化三铁(Fe3O4) 6g/L +蔗糖30g/ L +琼脂8. 5g/L，pH值为5. 8，将该培养基高温灭菌，高温灭菌的具体方法是将培养基放在高压灭菌锅内升温至120°C，压力为0. IMPa，并且在该温度和压力下维持20min，待冷却至室温后，得到盛有培养基含四氧化三铁的培养瓶；
B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g接种于由步骤A)得到的盛有培养基含四氧化三铁的培养容器即培养瓶内，得到培养基接种培养瓶，本步骤中所述的母瓶铁皮石斛原球茎同对实施例11的描述；
C)磁处理，将由步骤B)得到的培养基接种培养瓶置于磁场中磁处理，磁处理时间为 600min，磁感应强度为17mT (毫特斯拉)，得到磁处理的培养基接种培养瓶；
D)增殖培养，将由步骤C)得到的磁处理的培养基接种培养瓶置于培养室中增殖培养，培养室温度为白天，夜间20°C，光照度为1950LUX，光照时间为12h/天，得到重量增殖倍数为4. 3倍的铁皮石斛原球茎。上述实施例1-22所述的重量增殖倍数的计算公式是重量增殖倍数=现重量 (g) +原植入重量(g)，现重量是采用本发明方法所得到的重量，原植入重量为0. 5g。上述实施例11-22也可使用由铁皮石斛原球茎继代培养后得到的原球茎，获得的增殖倍数与母瓶铁皮石斛原球茎的增殖倍数相同。
权利要求
1.一种提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，其特征在于包括以下步骤A)配制培养基，在培养容器中配制培养基，并且将该培养基高温灭菌，得到盛有培养基的培养容器；B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g或者将由铁皮石斛原球茎继代培养后得到的原球茎0. 5g接种于盛有培养基的培养容器内，得到培养基接种培养容器；C)磁处理，将培养基接种培养容器置于磁场中磁处理，控制磁处理时间和磁感应强度， 得到磁处理的培养基接种培养容器；D)增殖培养，将磁处理的培养基接种培养容器置于培养室中增殖培养，并且控制培养室的培养温度、光照度和光照时间，得到重量增殖倍数为3-9倍的铁皮石斛原球茎。
2.根据权利要求1所述的提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，其特征在于步骤A) 中所述的培养基为1/2 MS+NAA0. 2-0. 4mg/L+6-BA 0.8-1 mg/L +KT 0.8-1 mg/L+蔗糖 20-40g/L+琼脂7-9g/L+粉末活性碳l_3g/L，pH5. 6-5. 8 ；所述的高温灭菌是将所述培养基放在高压灭菌锅内将温度升至115-125°C，压力为0. 07-0. 135MPa，并且维持20_25min后冷却至室温。
3.根据权利要求1所述的提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，其特征在于步骤B) 中所述的母瓶铁皮石斛原球茎是取铁皮石斛没开裂的蒴果，先用质量百分比浓度为75% 乙醇擦拭表面，再放入质量百分比浓度为0. 1%-0. 2%的氯化汞溶液中浸泡7-12min，然后用灭菌水清洗，而后剖开蒴果，取其种胚并将种胚接种在改良的MS培养基上培养直至长出的原球茎；改良的MS培养基是指在MS培养基中将NH4NO3减半使用；所述的灭菌水是指将蒸馏水或普通自来水置于高压灭菌锅内升温至115-125°C，压力为0. 07-0. 135MPa，并且维持 20-25min，再经冷却至室温所得到的水；所述的清洗的次数为3次、4次或5次。
4.根据权利要求1所述的提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，其特征在于步骤C)中所述的控制磁处理时间是将磁处理时间控制为60-900min，所述的控制磁感应强度是将磁感应强度控制为6-25mT。
5.根据权利要求1所述的提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，其特征在于步骤D)中所述的的培养室中增殖培养的时间为30-60天；所述的控制培养室的培养温度是将温度控制为20-25°C，所述的控制光照度是将光照度控制为1000-2000LUX，所述的控制光照时间是将光照时间控制为12h/天。
6.一种提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，其特征在于包括以下步骤A)配制培养基，在培养容器中配制培养基，并且将该培养基高温灭菌，得到盛有含四氧化三铁的培养基的培养容器；B)接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g或者将由铁皮石斛原球茎继代培养后得到的原球茎0. 5g接种于盛有含四氧化三铁的培养基的培养容器内，得到含四氧化三铁的培养基接种培养容器；C)磁处理，将含四氧化三铁的培养基接种培养容器置于磁场中磁处理，控制磁处理时间和磁感应强度，得到磁处理的含四氧化三铁的培养基接种培养容器；D)增殖培养，将磁处理的含四氧化三铁的培养基接种培养容器置于培养室中增殖培养，并且控制培养室的培养温度、光照度和光照时间，得到重量增殖倍数为3-8. 5倍的铁皮石斛原球茎。
7.根据权利要求6所述的提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，其特征在于步骤A)中所述的培养基为1/2 MS+NAA0. 2-0. 4mg/L+6-BA 0.8-1 mg/L +KT 0.8-1 mg/L+四氧化三铁(Fe3O4) 2-6g/L +蔗糖20_40g/L+琼脂7_9g/L，pH5. 6-5. 8 ；所述的高温灭菌是将所述培养基放在高压灭菌锅内将温度升至115-125°C，压力为0. 07-0. 135MPa，并且维持20-25min后冷却至室温。
8.根据权利要求6所述的提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，其特征在于步骤B) 中所述的母瓶铁皮石斛原球茎是取铁皮石斛没开裂的蒴果，先用质量百分比浓度为75% 乙醇擦拭表面，再放入质量百分比浓度为0. 1%-0. 2%的氯化汞溶液中浸泡7-12min，然后用灭菌水清洗，而后剖开蒴果，取其种胚并将种胚接种在改良的MS培养基上培养直至长出的原球茎；改良的MS培养基是指在MS培养基中将NH4NO3减半使用；所述的灭菌水是指将蒸馏水或普通自来水置于高压灭菌锅内升温至115-125°C，压力为0. 07-0. 135MPa，并且维持 20-25min，再经冷却至室温所得到的水；所述的清洗的次数为3次、4次或5次。
9.根据权利要求6所述的提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，其特征在于步骤C)中所述的控制磁处理时间是将磁处理时间控制为60-900min，所述的控制磁感应强度是将磁感应强度控制为6-25mT。
10.根据权利要求6所述的提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，其特征在于步骤D) 中所述的培养室中增殖培养的时间为30-50天；所述的控制培养室的培养温度是将温度控制为20-25°C，所述的控制光照度是将光照度控制为1000-2000LUX，所述的控制光照时间是将光照时间控制为12h/天。
全文摘要
一种提高铁皮石斛原球茎增殖倍数的方法，属于生物工程技术领域。包括的步骤配制培养基，在培养容器中配制培养基，且将该培养基高温灭菌，得到盛有培养基的培养容器；接种，将母瓶铁皮石斛原球茎0.5g或者将由铁皮石斛原球茎继代培养后得到的原球茎0.5g接种于盛有培养基的培养容器内，得到培养基接种培养容器；磁处理，将培养基接种培养容器置于磁场中磁处理，控制磁处理时间和磁感应强度，得到磁处理的培养基接种培养容器；增殖培养，将磁处理的培养基接种培养容器置于培养室中增殖培养，控制培养室的培养温度、光照度和光照时间，得到重量增殖倍数为3-9倍的铁皮石斛原球茎。优点利用磁场处理而使增殖倍数达到3-9倍。
文档编号A01H4/00GK102265788SQ201110200498
公开日2011年12月7日 申请日期2011年7月18日 优先权日2011年7月18日
发明者徐忠传, 沈宗根, 郁达 申请人:常熟理工学院