利用光实现灵芝高产优质栽培的方法与流程

文档序号:11667156阅读:528来源:国知局

本发明涉及药用真菌栽培技术领域,具体涉及一种灵芝的栽培方法。



背景技术:

光是一种重要环境因子。通过调节光质来改善植物的形态建成、生长发育、有效成分积累等已成为设施栽培领域的一项成熟技术。与植物不同的是,光主要作为一种环境信号而非能量因子,影响真菌的形态建成、个体和群落分布、膜电位变化、生理周期、基因表达和有性生殖等方面。灵芝是传统的名贵中药,在我国灵芝药用已有2000多年的历史,一直被人们视为延年益寿的珍品.其子实体、孢子粉、菌丝体均有药用价值。灵芝含有多糖类、三萜类、氨基酸类、生物碱类、核苷类、甾醇类等多种化学成分,其中多糖和三萜是主要有效成分,具有调节免疫系统、抗肿瘤、抗病毒、抗衰老、降血脂、降血糖等作用。自二十世纪五十年代以来,灵芝已实现了人工栽培。目前,我国的灵芝栽培多数在大棚栽培,一般比较重视在温度和湿度方面的控制,而在光方面没有讲究。

我们平时能看见的光大多数都是复合光,如太阳光、白炽灯光和荧光灯光都是复合光。本发明是在多年研究和实践基础上提出的,通过几种单色光的控制实现灵芝的高产优质栽培。



技术实现要素:

本发明目的是提供一种利用光实现灵芝高产优质栽培的方法,在灵芝整个栽培过程通过不同波长光的控制,改变灵芝菌丝体生长发育状态,一方面提高了灵芝生长速度,另一方面提高灵芝有效成分(灵芝多糖和灵芝酸)的含量,从而缩短灵芝生长周期、提高灵芝品质。

实现本发明目的技术方案如下:

一种利用光实现灵芝高产优质栽培的方法,在灵芝整个栽培过程通过不同波长光的控制,改变灵芝菌丝体生长发育状态,利用光的过程包括以下步骤:

(1)菌丝体生长期分别采用红光、蓝光照射;

(2)原基期采用红光照射;

(3)现蕾期采用蓝光照射;

(4)开伞期采用黄光照射;

(5)子实体成熟期采用蓝光照射;孢子粉开始弹射后,停止使用光照。

其中,步骤(1)菌丝体生长期分别采用红光、蓝光照射是指在菌丝体转接时开始采用红光照射,光照强度为800-1000lux;培养至第4天-7天采用蓝光照射,光照强度为800-1200lux,然后转接到原种培养基;在原种和栽培种培养阶段采用蓝光照射,光照强度为1000-1500lux。

步骤(2)原基期红光光照强度为800-1200lux。

步骤(3)现蕾期蓝光光照强度为2000-4000lux。

步骤(4)开伞期黄光光照强度为3500-7000lux。

步骤(5)子实体成熟期蓝光光照强度为3000-6000lux。

本发明所用光源为不同颜色led灯;或通过在普通光源或自然光下、培养物上方放置滤光膜获得不同光质的光源。

其中,led光源均匀分布于培养架顶部,调节培养架高度,使光源与培养材料保持适当距离(优选30-50cm)。或在大棚顶部安装相应的led灯。滤光膜的摆放是在栽培灵芝大棚里面搭建小棚,在小棚上方铺接不同颜色的滤光膜得到不同光质,滤光膜的太阳光透过率为40-60%。

本发明所述几种光的波长范围分别是红光:630-700纳米;黄光: 570-590纳米;蓝光:450-470纳米。

具体地,上述利用光实现灵芝高产优质栽培的方法,其利用光的过程包括以下步骤:

(1)菌丝体生长期分别采用红光、蓝光照射;即在菌丝体转接时开始采用红光照射,光照强度为800-1000lux;培养至第4天-7天采用蓝光照射,光照强度为800-1200lux,然后转接到原种培养基;在原种和栽培种培养阶段采用蓝光照射,光照强度为1000-1500lux。

所述光源为led光源;或通过在普通光源上遮盖滤光膜获得光源;所述光源与培养材料保持距离为30-50cm;其中,夜间为黑暗培养;

栽培种下地前,在栽培灵芝大棚里面搭建小棚,在棚上方遮盖有太阳光透过率为40-60%的不同颜色的滤光膜得到不同光质。或在大棚顶部安装相应的led灯,通过白天开启,晚上断电实现光质的控制。

(2)原基期(刚长出的白色球状子实体)采用红光照射,光照强度为800-1200lux;

(3)现蕾期采用蓝光照射,光照强度为2000-4000lux;

(4)开伞期(灵芝为肾形,有淡黄色边缘)采用黄光照射,光照强度为3500-7000lux,待到灵芝菌盖白边消失;

(5)子实体成熟期(灵芝菌盖不再长大,一直到孢子粉弹射完毕)采用蓝光照射,光照强度为3000-6000lux;孢子粉开始弹射后,停止使用光照。

本发明在灵芝整个栽培过程中除进行不同波长光的控制外,其余栽培方法与现有灵芝栽培方法相同。在本发明中,将灵芝生长时期分成菌丝体生长期、原基期、菌蕾期、开伞期、子实体成熟期5个时期;菌丝体生长期又分成:菌种活化阶段、原种培养阶段和栽培种培养阶段。上述5个时期的划分标准与现有文献相同。

本发明还包括按上述方法栽培得到的灵芝。

传统上灵芝菌丝体是在黑暗条件下培养的,本发明选用具有光质纯、光效高、发热低、耗能少、寿命长、波长固定等优点的新型半导体光学材料发光二级管led作为光源对培养中的灵芝菌丝体进行培养。led灯具有体积小、耗电量低、使用寿命长等特点,采用的滤光膜具有经久耐用的特点,因此不会大幅增加电费及材料费的开支,通过本发明的实施,可以提高灵芝产量和有效成分含量,缩短灵芝生长周期。本发明一方面提高了灵芝生长速度,另一方面提高灵芝有效成分(灵芝多糖和灵芝酸)的含量,从而缩短灵芝生长周期、提高灵芝品质。本发明方法简单,成本低,通过本方法栽培的灵芝商品价值较高,从而可以获得显著的经济效益。

具体实施方式:

以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件者,按照本领域内的文献所描述的技术或条件,或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可通过正规渠道商购买得到的常规产品。以下实施例led光源购自山东省淄博市曙光科技有限公司,功率24w;滤光膜购自上海伟康有色薄膜厂。

实施例1

一种利用光实现灵芝高产优质栽培的方法,在灵芝整个栽培过程通过不同波长光的控制,改变灵芝菌丝体生长发育状态,在灵芝整个栽培过程中除进行不同波长光的控制外,其余栽培方法与现有灵芝栽培方法相同。本实施例采用灵芝s3号菌株,来自中国医学科学院药用植物研究所生物技术中心。该灵芝菌盖较大,孢子粉产量适中,栽培场地选在北京昌平灵芝基地采用小段木栽培。其中利用光的过程包括以下步骤:

(1)将不同光质处理的led光源均匀分布于培养架顶部,调节培养架高度,使光源与培养材料保持50cm距离,外层由黑色遮光材 料覆盖。菌丝活化阶段在红光led光源下培养3天,光照强度为800-1000lux;第4天转移到蓝光led光源照射处理,光照强度为800-1200lux,第7天后菌丝活化长满培养皿,转接于原种培养基。原种和栽培种培养阶段采用led蓝光照射培养,光照强度为1000-1500lux。

在灵芝段木未下地之前,大棚里面搭建小棚,在小棚上方遮盖有太阳光透过率为40-60%的不同颜色的滤光膜得到不同光质。

(2)原基期(刚长出的白色球状子实体)采用红光照射,光照强度为800-1200lux;

(3)现蕾期采用蓝光照射,光照强度为2000-4000lux;

(4)开伞期(灵芝为肾形,有淡黄色边缘)采用黄光照射,光照强度为3500-7000lux,待到灵芝菌盖白边消失;

(5)子实体成熟期(灵芝菌盖不再长大,一直到孢子粉弹射完毕)采用蓝光照射,光照强度为3000-6000lux;孢子粉开始弹射后,停止使用光照。

与不经过上述光处理的段木栽培灵芝(s3号菌株)相比,采用本方法后,提前8天收获,所获得灵芝的灵芝多糖含量提高22.5%,灵芝总三萜提高33.6%,灵芝产量提高7.6%,孢子粉产量提高5.2%。

实施例2

本实施例利用光实现灵芝高产优质栽培的方法与实施例1相同。本实施例采用泰山灵芝菌株,在山东冠县灵芝基地采用代料栽培。

与不经过上述光处理的代料栽培灵芝(泰山灵芝菌株)相比,采用本方法后,提前10天收获,所获得灵芝的灵芝多糖含量提高17.6%,灵芝总三萜提高23.3%,灵芝产量提高8.1%,孢子粉产量提高7.2%。

实施例3

一种利用光实现灵芝高产优质栽培的方法,在灵芝整个栽培过程通过不同波长光的控制,改变灵芝菌丝体生长发育状态,在灵芝整个 栽培过程中除进行不同波长光的控制外,其余栽培方法与现有灵芝栽培方法相同。本实施例采用沪灵芝1号菌株,购自上海农业科学院食用菌研究所,该菌株具有孢子粉产量高的特性,在浙江龙泉灵芝基地采用大段木栽培。其中利用光的过程包括以下步骤:

(1)将不同光质处理的led光源均匀分布于培养架顶部,调节培养架高度,使光源与培养材料保持50cm距离,外层由黑色遮光材料覆盖。菌丝活化阶段在红光led光源下培养3天,第4天转移到蓝光led光源处理,第7天后菌丝活化长满培养皿,转接于原种培养基。原种和栽培种培养阶段采用led蓝光培养。在灵芝段木未下地之前,在大棚顶部安装相应的led灯,通过白天开启,晚上断电实现光质的控制(下同)。

(2)原基期采用led红光照射;

(3)现蕾期采用led蓝光照射;

(4)开伞期采用led黄光照射,待到灵芝菌盖白边消失;

(5)子实体成熟期:led蓝光照射,等到孢子粉弹射开始后,停止led光源照射。

与不经过上述光处理的大段木栽培灵芝(沪灵芝1号菌株)相比,采用本方法后,提前6天收获,获得灵芝的灵芝多糖含量提高19.7%,灵芝总三萜提高25.1%,灵芝产量提高9.3%,孢子粉产量提高5.8%。

虽然,上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明作了详尽的描述,但在本发明基础上,可以对之作一些修改或改进,这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本发明要求保护的范围。

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