一种苗圃改良土壤结构的制作方法

文档序号:12601976阅读:484来源:国知局

本实用新型涉及一种苗圃改良土壤结构。



背景技术:

随着林木资源保护的实施及全国环保绿化的大力建设,使苗圃种植的需求日益增大,而苗圃土壤质量是决定苗木生长状况的首要因素,但由于苗圃中的土壤常是用于多轮种植的,会导致土壤中肥力迅速流失,不利于苗圃中苗木的正常生长。



技术实现要素:

针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的是提供一种苗圃改良土壤结构,该土壤结构具有较强的供肥能力。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:

一种苗圃改良土壤结构,由下到上依次包括底肥层、沸石层、黑土层及松针层,所述沸石层中铺设有若干表面带有滴孔的支管,支管两端各连接有植物营养液罐。

采用上述结构,苗圃种植时将苗木根系种植在黑土层中,黑土是指有机物质平均含量在3%至10%之间,土壤中的有机质的积累量大于分解量,可使得土壤中的肥料缓慢释放,特别适用于苗木植物的生长,其自身就具有较强的供肥能力;

同时在黑土层及底肥层之间设置有沸石层,沸石层中的沸石有多孔的结构,可使得底肥层的养分通过沸石层缓慢向黑土层扩散,使得黑土层内始终有较好的肥力供苗木植物生长,同时沸石有较强的阳离子交换能力,而土壤的阳离子交换量是衡量土壤供肥能力的一个重要指标,阳离子交换量高的土壤,供肥能力就强,反之则弱,由于沸石具有较强的阳离子交换能力,因而可以提高土壤的阳离子交换量,增加土壤的供肥能力;

沸石层中铺设有若干表面带有滴孔的支管,支管一端连接有植物营养液罐,如此可通过营养液罐向沸石层补充植物养料,进一步保证植物生长所需的养分,确保肥力;

此外松针层内松针之间具有空隙,使其具有较强的蓄水性,可遮挡阳光防止土壤表面温度升高造成水分蒸发,使松针层内保持较低的温度,该温度达不到杂草种子的萌芽温度故可防止杂草种子的萌发生长。

进一步设置为所述支管外部包裹有一层纱布。

采用上述结构,纱布的设置使得营养液罐中的营养液通过滴孔后通过纱布渗透到沸石层中,从而可有效防止支管上的滴孔被堵塞。

进一步设置为所述松针层与黑土层之间设置有一层PE膜。

采用上述结构,PE膜具有较强的隔水性能,可进一步减少黑土层及以下结构层中水分向上渗透蒸发,增强该土壤结构的保水能力。

进一步设置为所述底肥层中的底肥为堆肥。

采用上述结构,堆肥是利用各种植物残体(作物秸杆、杂草、树叶、泥炭、垃圾以及其它废弃物等)为主要原料,混合人畜粪尿经堆制腐解而成的有机肥料,所含营养物质比较丰富,且肥效长而稳定,同时有利于促进土壤固粒结构的形成,能增加土壤保水、保温、透气、保肥的能力,而且与化肥混合使用又可弥补化肥所含养分单一,长期单一使用化肥使土壤板结,保水、保肥性能减退的缺陷,进一步确保底肥层中的肥力。

进一步设置为所述沸石层中添加有苦皮藤素。

采用上述结构,苦皮藤的根皮和茎皮均含有多种强力杀虫成分,目前已从根皮或种子中分离鉴定出数十个新化合物 ,特别是从种油中获得4个结晶,即苦皮藤酯I-Ⅳ、从根皮中获得5个纯天然产物,即苦皮藤素I-V,这些苦皮藤的杀虫活性成分均简称为苦皮藤素,苦皮藤素对害虫具有麻醉、拒食、胃毒和触杀作用,并且不产生抗药性、不杀伤天敌、对人无毒无害,沸石层中的苦皮藤素向黑土层扩散,故其可防止苗圃中苗木的根部生虫,减少苗木虫害。

综上所述,本实用新型具有以下有益效果:

1.具有较强的供肥、保水能力,能满足苗圃中林木多轮种植所需要的养料;

2.具有一定防杂草生长及防虫害能力,确保苗圃中苗木的健康生长。

附图说明

图1为本实施例的结构图。

附图标记:1.底肥层;2.沸石层;3.黑土层;4.松针层;5.支管;6.植物营养液罐;7.PE膜。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

一种苗圃改良土壤结构,如图1所示:由下到上依次包括肥层1、沸石层2、黑土层3、PE膜7及松针层4,底肥层1中的底肥为堆肥,沸石层2中添加有苦皮藤素;

同时沸石层2中铺设有若干表面带有滴孔的支管5,支管5两端各连接有植物营养液罐6,支管5外部包裹有一层纱布。

工作原理:黑土层3的设置使得该苗圃土壤自身就具有较好的肥力,同时通过设置沸石层2并在沸石层2下部设置底肥层1,可使得底肥层1的肥料缓慢透过沸石层2向黑土层3扩散以补充黑土层3中的肥力,同时还可通过植物营养液罐6通过支管5向沸石层2补充植物生长所需营养,使得该苗圃土壤具有较强的供肥能力以供应苗圃中林木的多轮种植所需肥力;同时松针层4及PE膜7的设置使得该苗圃土壤层结构有较强的保水能力,沸石层2中苦皮藤素的添加使得该苗圃土壤层结构具有一定的防虫害能力。

本具体实施例仅仅是对本实用新型的解释,其并不是对本实用新型的限制,本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改,但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到专利法的保护。

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