具有介电表面波陷波器的导体装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种导体装置，该导体装置具有导体(3)，该导体(3)沿导体轴线(4)延伸。此外，导体装置具有表面波陷波器(9)，导体(3)与表面波陷波器(9)耦连用于衰减在导体装置外部由高频激励场(F)激励的表面波。表面波陷波器(9)设计成介电振荡装置。
【专利说明】具有介电表面波陷波器的导体装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种导体装置，
[0002]-其中，导体装置具有导体，该导体沿导体轴线延伸，
[0003]-其中，导体装置具有表面波陷波器(Mantelwellensperre),导体与该表面波陷波器耦连以便衰减在导体装置外部由高频激励场激励的表面波。
【背景技术】
[0004]表面波陷波器是在所有磁共振设备中不可缺少的用于高频线圈和其他高频元件的可靠且无干扰的运行的元件。部分金属的机械伸展的结构一般用于实现表面波陷波器，该表面波陷波器在大多情况下需要与导体电接触，在该表面陷波器上表面波应当衰减。但金属的结构在磁共振设备中容易产生的问题是，在其中形成梯度感应的涡流。
[0005]从DE10211535A1 (与之对应美国专利文献:US6822846B2)和DE102006009040A1 (与之对应的美国专利文献:US7608778B2)中已知表面波陷波器，其中，不需要与导体的电接触。但这些表面波陷波器也由金属结构组成。
[0006]从微波技术中已知通常实现为陶瓷柱体的介电振荡装置(Resonatoreinrichtung)。
【发明内容】
[0007]本发明所要解决的技术问题是，改进一种开头所述类型的导体装置，使得表面波陷波器可以不必用金属结构实现。
[0008]该技术问题通过一种导体装置解决，其中，导体装置具有沿导体轴线延伸的导体，其中，导体装置具有表面波陷波器，导体与表面波陷波器耦连用于衰减由在导体装置外部由高频激励场激励的表面波，按本发明，表面波陷波器设计成介电振荡装置。
[0009]在本发明的优选的结构方案中，从围绕导体轴线的切向观察介电振荡装置设计成闭合的结构。在该结构方案中，在导体上感应的表面波与介电谐振装置的所谓的EOlO模式耦合。
[0010]在本发明备选的优选的结构方案，从围绕导体轴线的切向观察介电振荡装置覆盖了关于导体的最大180°的覆盖角。在该结构方案中，在导体上感应的表面波与介电振荡装置的所谓的HOll模式耦合。当围绕介电振荡装置观察覆盖了关于介电振荡装置的至少180°，尤其是至少360°的覆盖角时，在HOll模式上的耦合是非常好的。
[0011]通常表面波陷波器的调准是比较麻烦的。为了实现按本发明的导体装置的表面波陷波器的简单的调准，介电振荡装置具有优选至少两个相互耦合的介电振荡元件。在这种情况下，为了使介电振荡装置与高频激励场的频率协调，介电振荡元件彼此相对的布置(和进而耦合度)是可调节的。
[0012]介电振荡元件彼此相对的布置的方式和方法可以按需求确定。例如可行的是，调节介电振荡元件彼此相对的侧向移动。作为补充或备选可行的是，调节介电振荡元件彼此相对的转动位置。作为补充或备选，可行的是，可调节介电振荡器元件相互间的距离。
[0013]在本发明特别优选的结构方案中，所述介电振荡元件中的一个介电振荡元件能够借助具有螺纹轴线的螺纹通过围绕螺纹轴线的转动轴向地沿螺纹轴线定位。在这种情况下，所述介电振荡元件相互间的距离取决于这一个介电振荡元件沿螺纹轴线的轴向定位。由此可以以简单的方式实现介电振荡装置非常精确的调整。
[0014]导体装置的导体可以按需求构造。一般，导体设计成具有至少一个内部导体的同轴电缆的屏蔽层。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]结合参照附图进一步阐述的实施例的下列说明，如所实现那样，更清晰和明确地理解本发明的上述特性、特征和优点以及方式和方法。在此简略示出:
[0016]图1是具有导体装置的磁共振设备，
[0017]图2是导体装置的立体图，
[0018]图3是图2的导体装置的横截面，
[0019]图4是另一个导体装置的侧视图，
[0020]图5是图4的导体装置的截面图，
[0021 ] 图6是介电振荡装置以及
[0022]图7是另一个介电振荡装置。
【具体实施方式】
[0023]按图1，磁共振设备的元件I (例如局部线圈)通过电缆2与另一个，在图1中未示出的装置连接。电缆2按图2至5具有导体3，该导体沿导体轴线4延伸。按图1，电缆2设计成同轴电缆。同轴电缆2具有内部导体5。导体3设计成同轴电缆2的屏蔽层。在内部导体5和导体3之间设有绝缘装置6。外部围绕屏蔽层3地设有电缆套7。该结构方案，其中电缆2设计成同轴电缆，是一般情况。但在个别情况下，导体3可能是“正常的”导体，该导体仅被电缆套7或仅被芯线绝缘装置包围。
[0024]导体3暴露在外部的高频激励场F中，其例如是磁共振设备的整体发射天线8的激励场。高频激励场F具有频率f。不用进一步的措施，高频激励场F在导体3中就能激发表面波。为了衰减这种表面波，除了导体3外还存在表面波陷波器9。导体3与表面波陷波器9耦连。
[0025]对于表面波陷波器9的结构方案，原则上不同的构造是可行的。按本发明，表面波陷波器9设计成介电振荡装置。它可以尤其由(本身已知的)陶瓷材料组成。按本发明可能的、表面波陷波器9的结构方案下列结合其他的附图进一步阐述。
[0026]按图2和3，介电谐振装置9切向地围绕导体轴线4看设计成闭合的结构。介电振荡装置9例如可以设计成圆柱体或其他旋转对称的结构。该振荡装置9具有被电缆2穿过的中心空隙10。
[0027]作为备选，介电振荡装置9按图4和5就导体轴线4而言可以仅一侧与导体3邻接。在这种情况下，围绕导体轴线4看，介电振荡装置9关于导体覆盖了一个最大为180°的覆盖角α。[0028]可行的是，导体3和介电振荡装置9仅沿一条基本上直的线相互邻接。但在图4和5的结构方案中，导体3优选形成围绕介电振荡装置9的一圈的一部分。也可行的是，导体3与图4和5中的图示相应地形成围绕介电振荡装置9的完整一圈或甚至多于一个完整的圈(例如一个半圈)。一般，导体3形成至少半个圈。相应地，导体3围绕介电振荡装置9看优选覆盖至少180°的，关于装置的覆盖角β。
[0029]可行的是，介电振荡装置9由单独的介电有效的元件组成。介电振荡装置9按图6优先具有至少两个相互耦合的介电振荡元件9a，9b。两个介电振荡元件9a，9b彼此的相对布置体可调节。这既适用于按图2和3的结构方案也适用于按图4和5的结构方案。如在图6中简略示意，可调节尤其是距离a (参见双箭头11)，侧向移动(参见双箭头12)和/或转动位置(参见双箭头13)。仅当介电振荡元件9a，9b相对旋转轴线(旋转位置可以关于该旋转轴线调节)是非旋转对称的，转动位置的调节才是有意义的。通过调节两个介电振荡振荡器元件9a，9b彼此相对的布置可调节耦合度。由此可以将介电振荡装置9调整到高频激励场F的频率f。
[0030]在很多情况下，需要精确地调节尤其是振荡元件9a，9b相互间的距离a。在这种情况下，按图7优选介电振荡元件9a，9b之一(例如振荡元件9a)具有螺纹14。螺纹14与配合螺纹15共同作用。螺纹14和配合螺纹15具有共同的螺纹轴线16。通过围绕螺纹轴线16转动介电振荡元件9a可以轴向地沿螺纹轴线16定位介电振荡元件9a。螺纹轴线16优选定向为，使得它指向另一个介电振荡元件％。由此，介电振荡元件9a，9b相互间的距离a取决于介电振荡元件9a沿螺纹轴线16的轴向定位。
[0031]通过所述一个介电振荡元件9a围绕螺纹轴线16的转动调节介电振荡元件9a，9b彼此相对的距离a可以是唯一的方式和方法，借助该方式和方法可调节介电振荡元件9a，9b相互间的距离a。在这种情况下，配合螺纹15 —般是另一个介电振荡元件9b的组成部分。作为备选可行的是，配合螺纹15是独立的部分，该独立的部分例如通过略微的夹紧，固定在该另一个介电振荡元件9b上，因此它可以通过花费足够大的力移动到介电振荡元件9b上。在这种情况下，首先可以通过配合螺纹15的移动进行距离a的粗调，然后通过所述一个介电振荡元件9a的转动进行距离a的微调。
[0032]本发明具有很多优点。尤其借助按本发明的导体装置可行的是，给导体3设有表面波陷波器9，而不需要附加的导电的元件。此外，不需要表面波陷波器9与导体3的电连接装置。由此可行的是，表面波陷波器9相对于导体3的相对位置可变化。在按图2和3的结构方案中，表面波陷波器9例如可以可移动地布置在电缆2上。在按图4和5的结构方案中，例如可以改变电缆2贴靠在表面波陷波器9上的位置。
[0033]虽然详细地通过优选的实施例进一步说明并且描述本发明，但本发明不限于所公开的实施例，本领域技术人员还可以从中推导出其他的变型，只要不超出本发明的保护范围。
[0034]附图标记列表
[0035]I磁共振设备的元件
[0036]2 电缆
[0037]3 导体
[0038]4导体轴线[0039]5内部导体
[0040]6绝缘装置
[0041]7电缆套
[0042]8整体发射天线
[0043]9表面波陷波器/介电振荡装置
[0044]9a,9b介电振荡元件
[0045]10中心空隙
[0046]11至13双箭头
[0047]14螺纹
[0048]15配合螺纹
[0049]16螺纹轴线 [0050]a距离
[0051]f频率
[0052]F高频激励场
[0053]α 关于导体的覆盖角
[0054]β 关于装置的覆盖角
【权利要求】
1.一种导体装置， -其中，所述导体装置具有沿导体轴线(4)延伸的导体(3)， -其中，所述导体装置具有表面波陷波器(9)，所述导体(3)与所述表面波陷波器(9)耦连以便衰减由在所述导体装置外部由高频激励场(F)激发的表面波， 其特征在于，所述表面波陷波器(9)设计成介电振荡装置。
2.按权利要求1所述的导体装置， 其特征在于，从围绕导体轴线(4)的切向观察所述介电振荡装置(9)设计成闭合的结构。
3.按权利要求1所述的导体装置， 其特征在于，从围绕导体轴线(4)的切向观察，介电振荡装置(9)覆盖了关于导体的最大180°的覆盖角(α)。
4.按权利要求3所述的导体装置，其特征在于，围绕介电振荡装置(9)观察，导体(3)覆盖了关于介电振荡装置的至少180°的覆盖角(β)。
5.按前述权利要求之一所述的导体装置， 其特征在于，所述介电振荡装置(9)具有至少两个相互耦合的介电振荡元件(9a，9b)，并且能调节所述介电振荡元件(9a，9b)彼此相对的布置以便将所述介电振荡装置(9)与所述高频激励场(F)的频率(f)相协调。
6.按权利要求5所述的导体装置， 其特征在于，能调节所述介电振荡元件(9a，9b)彼此相对的侧向移动。
7.按权利要求6所述的导体装置， 其特征在于，能调节所述介电振荡元件(9a，9b)彼此相对的转动位置(C)。
8.按权利要求5，6或7所述的导体装置， 其特征在于，所述介电振荡元件(9a，9b)的距离(a)能相互调节。
9.按权利要求8所述的导体装置， 其特征在于，所述介电振荡元件(9a，9b)中的一个介电振荡元件(9a)能借助具有螺纹轴线(16)的螺纹(14)通过围绕所述螺纹轴线(16)的转动轴向地沿螺纹轴线(16)定位，所述介电振荡元件(9a，9b)彼此间的距离(a)取决于这一个介电振荡元件(9a)沿螺纹轴线(16)轴向的定位。
10.按前述权利要求之一所述的导体装置， 其特征在于，所述导体(3)设计成具有至少一个内部导体(5)的同轴电缆(2)的屏蔽层。
【文档编号】A61B5/055GK103972627SQ201410025153
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年1月20日 优先权日:2013年2月1日
【发明者】S.马蒂厄斯, W.伦兹 申请人:西门子公司