230，形成第一面中的开口和第二面中的开口之间的导电路径。在一个实施例中，通过下列方式执行该步骤，即，将第一线型导电构件插入第一线型管道，和将第二线型导电构件插入第二线型管道。该方法的其他实施例和变体也可以使用。
[0057]在一个替代实施例中，第一线仅被插入至交叉点。在另一实施例中，第一线被插入至交叉点和与第一开口818相对的开口之间的一点(参见图8A)。在另一实施例中，推动所述线完全穿过绝缘体。在其中管道不完全穿过绝缘体而是终止于绝缘体内的另一实施例中，插入所述线，直到其到达该管道的终点。在另一实施例中，第二管道完全穿过绝缘体，并且回填步骤还包括回填第二管道中的空白空间。
[0058]在另一实施例中，导电路径能够由第一线、铜焊材料或导电膏和第二线形成。在该实施例中，铜焊材料或导电膏起的作用是提高第一和第二线之间的电连接的可靠性。在已经插入第一线后，铜焊料被熔化，或者插入铜膏，或者将导电膏插入(或倒入)第二管道中。然后插入第二线，并且加热铜焊料，并允许铜焊料凝固，或者允许导电膏硬化或凝固。作为替换方式，能够首先将铜焊材料或膏插入管道，然后插入每根线，并且加热铜焊料或者允许膏状体硬化。
[0059]也可扩展这些方法，以提供具有一系列复杂形状或者具有不同于90度的角度的馈通。例如，能够通过钻出下列三个管道产生图4A中例示的馈通布置，即垂直管道、水平管道和以45度倾斜的第三管道，该第三管道与第一和第二管道交叉。作为替换方式，第二面能够关于第一面倾斜(或成一定角度)，或者管道能够关于它们所钻入的表面倾斜(或成一定角度)。能够以其他技术形成管道，诸如使用激光或化学制品，以烧蚀和蚀刻或者以其他方式形成合适的管道。在插入导体时能够通过机械压制产生密闭密封，或者能够执行进一步化学处理，以在导体和绝缘主体之间形成化学粘结。在机械密封的情况下，管道的尺寸匹配导体的尺寸。
[0060]在另一实施例中，馈通由多层绝缘体和导体形成，其使用类似于制作印刷电路板和集成电路时使用的沉积和蚀刻技术的组合。馈通能够由多层陶瓷材料(诸如陶瓷生坯板)形成，一系列开口或沟道能够在这些层中形成，导电材料被布置在这些开口或沟道中。在一个实施例中，通过沉积在衬底上形成绝缘层，诸如使用铝氧化物的离子增强蒸发溅射。
[0061]然后，使用本领域技术人员已知的传统沉积技术，将金属化走线(trace)沉积在绝缘层的上表面上。该走线能够开始于绝缘层的一个边缘，并且结束于绝缘层的中部。然后，使用传统的沉积技术，将具有上表面和下表面的第二绝缘层沉积在导电材料和第一绝缘层上。因而，导电材料被夹在第二绝缘层的下表面和第一绝缘层的上表面之间，由此将导电材料走线封装在绝缘材料内。
[0062]然后，形成穿过第二绝缘层的开口，以暴露导电材料走线的末端。能够使用传统的半导体处理工艺形成该第二层。例如，在将第二绝缘层溅射(或者以其他方式沉积)至第一绝缘层和导电材料上时，可以遮蔽部分第一绝缘层和/或导电材料的走线。取决于所需厚度，能够增加具有对齐的开口(以便形成垂直管)的另外顶部绝缘层。然后以适当的导电金属填充所述开口，诸如铂或钨，以形成具有90度方向改变的馈通(例如，图3A中所示)。如果需要，能够将线或引线插入到开口中，或者连接至处于馈通边缘处的导电走线。
[0063]沉积的绝缘层起封装和密闭密封导电走线的作用。通过产生穿过该馈通的蜿蜒或旋绕路径，能够提高馈通的密闭性。这能够通过使用多层、开口和走线的组合实现，其中一些开口仅穿过一些层，并且能够布置导电走线，以联接这些开口。
[0064]在另一实施例中，通过以绝缘材料封装一部分非线型导体形成馈通。在图13中例示该方法的流程图1300。在方框1310，形成一个或更多非线型导体。在特定实施例中，每个非线型导体都可形成结合上述实施例所述的任何一个导体的形状。在方框1320，用绝缘材料封装每个该一个或更多非线型导体的一部分，以形成相连的绝缘主体(或绝缘体)，其周向地覆盖每个该一个或更多非线型导体的所述部分。在本发明的特定实施例中，能够绕导体涂加、模塑或粘结绝缘材料，以形成相连的绝缘主体。另外，在一些实施例中，以绝缘材料封装导体的非线型部分。
[0065]在特定实施例中，可在绝缘主体上执行形成步骤，以形成或塑造绝缘主体的形状。能够将绝缘材料成形或模塑为具有限定形状的绝缘主体，诸如柱体、立方体、块状体，或者其能够为不规则形状。在一个实施例中，引出面基本垂直于进入面。在另一实施例中，引出面是不同于进入面的相对面的面。在另一实施例中，非线型导体以不同于进入角度和方向的角度和方向从绝缘主体引出。在一些实施例中，可在方框1320的以绝缘材料封装非线型导体的同时，执行所述形成步骤。
[0066]在方框1330，通过所述相连的绝缘主体，绕每个该一个或更多非线型导体的封装部分形成密闭密封。在特定实施例中，每个该非线型导体的封装部分都被密闭地密封在绝缘体中。在一些实施例中，通过烧结导体和绝缘主体形成该密闭密封。同样地，在一些实施例中，导体是一元导体。在其他实施例中，导体由适合彼此集成的导电元件、诸如通过密封工艺(诸如，烧结)集成的导电元件形成。
[0067]在一个实施例中，通过首先获得具有期望的非线型形状的导体来形成馈通。在一个实施例中，铂线的直线段被弯曲成期望的非直线形状(例如，假设90度弯曲)。在另一实施例中，通过从铂(或其他合适的金属或合金)片或膜清除材料形成该期望形状。能够使用冲出技术、放电加工(EDM)、微切和/或激光切割执行该清除步骤。在一个实施例中，使用模塑技术形成该导体。一种这样的模塑技术是金属注塑(ΜΠΟ，其中将金属粉末和粘合剂混合和均质化，以产生给料。然后，该给料被模塑为期望结构。粘合剂的存在用于使给料充分流动，以在注塑工艺中使用。一旦模塑，就允许该结构凝固，并且然后经历脱粘(debind)和烧结，以绕导体密闭地密封所述绝缘体。能够使用该工艺形成复杂的三维形状。
[0068]在特定实施例中，导体由牺牲组件和非牺牲组件形成。在特定实施例中，至少一部分非牺牲组件被绝缘材料封装，诸如涂覆该部分或使用模具。不接触该牺牲组件，然后清除至少一部分该牺牲组件。绝缘体的生坯主体可经历脱粘和烧结，这导致陶瓷收缩，并且绕导体形成密闭密封。然后，能够将该陶瓷馈通安装到医疗植入体内。在其中要求馈通具有多条独立路径的情况下，该实施例特别有用，因为最初能够通过公共牺牲组件联接多条一元导体。例如，能够获得和蚀刻或切除导电材料片，以便通过位于非牺牲组件任一端的一个或两个牺牲组件联接多个期望形状的非牺牲组件。封装、清除和烧结后，就获得具有多条独立的导电路径的馈通。
[0069]在特定实施例中，使用模塑工艺形成绝缘主体，诸如类似于上述MM的粉末注塑(pno。在该实施例中，合适的精细陶瓷粉末与粘合剂混合，并且绕导体的期望部分模塑。允许该模型至少部分凝固，以形成生坯主体。一旦生坯主体凝固，就能够清除牺牲组件，诸如使用激光切割清除。然后，生坯主体能够经过脱粘和烧结，以使绝缘体绕导体密闭地密封。
[0070]能够通过叠模法产生复杂布置或形状。例如，在螺旋形的情况下，能够绕螺钉状螺旋线支撑结构缠绕导体，并且能够绕其外部来模塑绝缘材料，并且允许其凝固，然后能够清除(例如，拧下)支撑结构，并且用允许凝固的另外的绝缘材料填充腔体。然后，烧结将使绝缘材料形成单一的一元绝缘主体。
[0071]图9是根据本发明特定实施例的用于医疗植入体900的基本盘状密闭罩的横截面示意图，所述植入体包括馈通，该馈通具有包括180度弯曲的至少一个导体。包括功能性组件920的密闭罩910由基座930和顶部940形成，基座930和顶部940被密封至环状馈通300，以向基本盘状植入体提供旋转轴960。该馈通包括多个导体320、320’，其每个都被连接至位于密闭罩内的功能性组件。如图9中所示，布置在馈通的绝缘体310内的导体3 20和3 20 ’的各自部分每个都包括多个弯曲，所述弯曲穿过绝缘体310，方向总共改变180度。如图所示，每个导体320和320’都正好在顶部940的上表面上方从绝缘体310引出。密闭罩的侧壁由馈通300形成。在特定实施例中，包括导体320和320’(其每个都包括180度方向改变)的馈通300允许植入体的堆叠高度降低。在一些实施例中，底座930和顶部940为钛，使用标准生产技术，在表面912、914、916和918处将馈通300铜焊至底座930和顶部940以形成密闭密封。为了帮助馈通300与顶部表面920的配合和对齐，馈通300包括突起956。该特征也帮助将顶部940组装到导体320、320’上，在装配期间，所述导体能够临时向上弯曲。
[0072]图10是根据本发明特定实施例的医疗植入体1000的横截面图，该医疗植入体包括馈通300和300’，其每个都具有包括90度弯曲的至少一个导体。包括功能性组件1020的密闭罩1010由基座1030和顶部1060形成，基座1030和顶部1060被密闭地密封至馈通300和300’。盖1070接合至每个馈通300和300’的外部顶角，以形成