将详细地描述使用上述的超声探头100发射超声波的过程、接收超声波并将接收到的超声波转换成电信号的过程以及将电信号发送到主体200的过程。
[0235]图23A是示出将控制信号发送到安装到超声探头的第一处理器的过程的概念图。图23B是示出将控制信号发送到安装到超声探头的第一处理器的过程的概念图。图23C是示出将控制信号发送到超声元件单元的过程的概念图。图24是示出使用超声元件单元发射超声波的过程的概念图。
[0236]参照图23A，如果主体200的控制器220输出控制信号，则控制信号可通过连接线缆93和导线147被施加到包含在第二电子电路140中的电路149 (S I)。参照图23B，通过导线147接收到的控制信号可通过连接到电路149的第二基板连接单元143以及电连接到第二基板连接单元143的第四连接单元被施加到包含在第一电子电路150中的第一处理器130 (S2)ο
[0237]参照图23C，包含在第一电子电路150中的第一处理器130可将与超声发射相关的控制命令输出为电信号格式。电信号可以是具有预定频率的脉冲。输出的控制命令可通过第一电子电路150的电路被施加到一个或至少两个第三连接单元153。
[0238]参照图23C，通过第三连接单元153接收到的电信号可通过附着到第三连接单元153的基板连接单元141 (例如，通过第一基板连接单元142)而穿过第二电子电路140。在电信号穿过第二电子电路140之后，电信号可被施加到设置在声音吸收单元120上的第一连接单元121。施加到第一连接单元121的电信号可沿着第一连接单元121被发送到超声元件单元110 (S3)。
[0239]参照图24，如果电信号被施加到超声元件单元110，则超声元件单元110的超声换能器113(例如，压电元件)可根据接收到的电信号而振动，从而产生超声波(S4)。产生的超声波发射到外部。产生的超声波可沿着对象99的方向发射。同时，产生的超声波也可沿声音吸收单元120的方向发射。在这种情况下，声音吸收单元120可吸收沿声音吸收单元120的方向发射的超声波。
[0240]图25和图26是示出使用超声元件单元接收超声波的过程的概念图。
[0241]参照图25和图26，超声元件单元110可从外部部件接收超声波(S5)。当从超声元件单元110产生的超声波被在对象99中的目标部位98反射时，可获得从外部部件接收到的超声波。根据实施例，从外部部件接收到的超声波可通过向目标部位98发射激光等从目标部位98产生。
[0242]超声元件单元110的超声换能器113可按照与接收到的超声波的频率对应的频率振动，从而输出交流(AC)电信号。所述电信号可沿着超声发射实例的相反路径发送到第一处理器130(S6)。更详细地讲，从超声元件单元110产生的电信号可通过设置在声音吸收单元120上的第一连接单元121、第一基板连接单元142、第三连接单元153和包含在第一电子电路150中的电路被施加到第一处理器130。
[0243]第一处理器130可放大接收到的电信号、执行放大后的信号的模拟数字转换(ADC)并执行用于使从各个超声元件单元110产生的多信道电信号聚焦的波束形成。波束形成的信号可暂时存储在用于协助第一处理器130的存储单元(例如，RAM)中。
[0244]图27和图28是示出将处理的信号发送到主体的过程的概念图。
[0245]第一处理器130可输出波束形成的信号，波束形成的信号可沿着设置在第一电子电路150中的电路被施加到第四连接单元154。施加到第四连接单元154的波束形成的信号可被发送到与第四连接单元154接触的第二基板连接单元143 (S7)。波束形成的信号可通过结合到第二基板连接单元143的电路149被施加到输出单元146。
[0246]波束形成的信号通过输出单元146输出并可通过连接到输出单元146的导线147和连接线缆93施加到主体200 (S8)。主体200可执行接收到的波束形成的信号的信号处理和图像处理，可产生对应于波束形成的信号的超声图像，并可将超声图像显示在显示单元280上，用于用户识别。
[0247]在下文中将参照图29和图30描述制造声音吸收单元的过程。
[0248]图29和图30是示出制造声音吸收单元的过程的概念图。图29是示出其中插入有导体11的声音吸收材料10的俯视图。图30是示出其中插入有导体11的声音吸收材料10的侧视截面图。为了便于描述和更好地理解本发明，从图30的下部到上部的方向将被称作向上的方向，从图30的上部到下部的方向将被称作竖直方向。此外，在下文中与竖直方向垂直的特定方向将被称作水平方向。
[0249]从图29可看出，导体11可插入到声音吸收材料10中，需要时可将导体11切割。插入的导体11可被用作上述的第一连接单元121。
[0250]从向上的方向的视角，导体12可被切割为具有正方形形状。导体12的宽度(wl)或高度(hi)可根据系统设计者的选择而按照各种方法设计。例如，导体12的宽度(wl)可以是50微米(μπι)，导体12的高度(hi)可以是50微米(μπι)。此外，导体13可被切割为具有矩形形状。在这种情况下，导体13可根据系统设计者的选择而具有各种宽度m和高度(h2)。例如，导体13的宽度(w2)可以是60微米(μπι)，导体13的高度(h2)可以是50 微米(μ m) ο
[0251]如果导体11插入到声音吸收材料10中，则沿水平方向将声音吸收材料10切断，以使导体11的两端暴露于外部，如图30所示。更详细地讲，沿着图30中示出的第一截面表面(Cl)和第二截面表面(c2)切割声音吸收材料10。结果，可获得当导体11暴露于上部和下部时形成的声音吸收材料10。获得的声音吸收材料10可用作上述的声音吸收单元120。
[0252]从上面的描述中显而易见的是，根据本实施例的超声探头设备和超声成像设备能够有效地吸收沿从超声元件单元到超声探头的方向发射的超声波，从而实现声音吞吐量的改善。
[0253]根据超声探头设备和超声成像设备，超声探头设备的处理器可连接到超声探头设备的主体而不将导线暴露于外部，从而可改善产品耐用性(例如，机械稳定性、电老化、腐蚀性和抗热性)，从而提高产品可靠性。
[0254]根据超声探头设备和超声成像设备，半导体的低容量传播系统(a low volumedisseminat1n system)的信号线的阻抗匹配的准确度提高，并且用于构建一对图案所需的两个信号之间的时间误差缩短，使得信号损耗降低。
[0255]根据超声探头设备和超声成像设备，从包含在超声探头中的处理器和处理器设置在其上的基板产生的热能够容易并快速地散发到外部。
[0256]根据超声探头设备和超声成像设备，减小了超声探头的重量，从而更便利。
[0257]虽然已示出并描述了本发明的一些实施例，但本领域的技术人员将理解的是，在不脱离其范围由权利要求及其等同物所限定的本发明的原理和精神的情况下，可对这些实施例做出各种改变。
【主权项】
1.一种超声探头设备，所述超声探头设备包括: 超声换能器，被构造为在接收到超声波时输出电信号； 声音吸收单元，所述声音吸收单元的一个表面是所述超声换能器的安装表面，所述声音吸收单元电连接到所述超声换能器； 第一电子电路，电连接到所述声音吸收单元； 第二电子电路，设置在所述声音吸收单元与所述第一电子电路之间并被构造为将所述第一电子电路和所述声音吸收单元电互连。2.根据权利要求1所述的超声探头设备，其中，所述第二电子电路包括电连接到所述第一电子电路的基板连接单元。3.根据权利要求2所述的超声探头设备，其中，所述基板连接单元包括被构造为将所述声音吸收单元和所述第一电子电路电互连的第一基板连接单元。4.根据权利要求3所述的超声探头设备，其中，所述声音吸收单元包括电连接到所述超声换能器的至少一个第一连接单元， 其中，所述第一基板连接单元接触所述第一连接单元。5.根据权利要求2所述的超声探头设备，其中，所述第二电子电路包括被构造为输出通过所述第一电子电路处理的信号的至少一个输出单元， 其中，所述基板连接单元包括被构造为将所述第一电子电路和所述至少一个输出单元电互连的第二基板连接单元。6.根据权利要求2所述的超声探头设备，其中，所述基板连接单元包括: 第一开口，被构造为从所述第二电子电路的一个表面到另一表面的区间穿过； 导体，安装在所述第一开口的内侧表面上并电结合到所述第一电子电路。7.根据权利要求1所述的超声探头设备，其中，所述第二电子电路包括刚柔结合印刷电路板。8.根据权利要求7所述的超声探头设备，其中，所述第二电子电路包括不弯曲的第一区域和柔性地弯曲的第二区域中的至少一个。9.根据权利要求8所述的超声探头设备，其中，所述第二电子电路包括电连接到所述第一电子电路并形成在所述第一区域中的基板连接单元。10.根据权利要求1所述的超声探头设备，其中，所述第一电子电路安装有第二连接单元，所述第二连接单元附着到所述第二电子电路的所述基板连接单元。11.根据权利要求1所述的超声探头设备，所述超声探头设备还包括: 分隔单元，设置在所述第二电子电路与所述第一电子电路之间，并由防止所述第二电子电路直接接触所述第一电子电路的非导电材料形成； 热传导单元，安装到所述第一电子电路的另一表面，并执行所述第一电子电路的热传递；和/或 声学增强器，设置在所述超声换能器与所述声音吸收单元之间，并被构造为放大从所述超声换能器产生的电信号。12.根据权利要求11所述的超声探头设备，其中，所述第二连接单元安装到所述第一电子电路，以穿过所述分隔单元。13.根据权利要求1所述的超声探头设备，其中，所述声音吸收单元包括: 声音吸收材料，用于吸收声音； 第一连接单元，被构造为穿过所述声音吸收材料，以将所述超声换能器和所述第一电子电路电互连。14.根据权利要求1所述的超声探头设备，其中， 安置有超声换能器或声学增强器的安置表面形成在所述声音吸收单元的一个表面上， 其中，所述声学增强器结合到所述超声换能器，以放大从所述超声换能器产生的电信号。15.根据权利要求1所述的超声探头设备，其中，所述第一电子电路包括被构造为使从所述超声换能器产生的信号聚焦的处理器。
【专利摘要】公开了一种超声探头设备。所述超声探头设备包括：超声换能器，被构造为在接收到超声波时输出电信号；声音吸收单元，所述声音吸收单元的一个表面是所述超声换能器的安装表面，所述声音吸收单元电连接到所述超声换能器；第一电子电路，电连接到所述声音吸收单元；基板连接单元，设置在所述声音吸收单元与所述第一电子电路之间，并被构造为将所述第一电子电路和所述声音吸收单元电互连。
【IPC分类】A61B8/00
【公开号】CN105726060
【申请号】CN201510706654
【发明人】具真浩
【申请人】三星麦迪森株式会社
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2015年10月27日
【公告号】EP3037179A2, US20160187301