器壁清洗装置的制作方法

文档序号:1328500阅读:187来源:国知局
专利名称:器壁清洗装置的制作方法
技术领域
本发明是利用一种器壁清洗装置来喷洒洗剂(如去离子水),以防止半导体的显影液及光阻剂或蚀刻液所形成的结晶物残留在器壁上,并去除该结晶物掉落在晶圆上所产生的缺陷,该器壁清洗装置可使用于半导体蚀刻及显影的制程中。
背景技术
现有半导体的显影及蚀刻的步骤皆置于一中空体1a内进行,其中显影的步骤是在半导体经曝光的制程后,再将未经光化学反应的光阻剂用显影液清洗掉,而留住显影的线路图,之后藉由蚀刻的步骤将非线路的部分蚀刻掉而保留蚀刻的线路,但上述显影的步骤中常会有显影液和光阻剂的混合物飞溅在器壁11a上,时间一长会有结晶物2a沉积于该器壁11a上的情形发生,当该结晶物2a沉积饱和后或不寻常的震荡皆会掉落于晶圆3a上,之后如继续蚀刻的程序,该结晶物2a掉落处将会造成蚀刻不全,进而造成该晶圆3a的缺陷。
缘是,本发明人有感上述缺点的可改善,乃特潜心研究并配合学理的运用,提出一种设计合理且有效改善上述缺点的本发明。

发明内容
本发明的目的在于提供一种器壁清洗装置,可防止结晶物沉积在器壁上,及解决结晶物掉落于晶圆上而产生的缺陷,进而提高晶圆的生产良率。
本发明提供的一种器壁清洗装置,包括一连接管,设置于一中空体内腔,其上设有数个喷头;数个支架,其一端连接于所述的连接管;及一中空体的一器壁连接于该支架的另一端。
本发明通过喷头喷洗剂在中空体的器壁上产生一洗剂膜,可有效防止飞溅的显影液及光阻剂的混合物吸附于器壁上而产生结晶物,并能解决结晶物掉落于晶圆上而产生的缺陷,提高生产晶圆的良率。
为使贵审查委员能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细内容与附图,兹举一较佳可行的实施例并配合图式详细说明如后,相信对本发明的目的、特征与优点,当可由此得一深入且具体的了解。


图1为习知晶圆置于中空体内显影及蚀刻示意图。
图2为习知结晶物沉积在中空体的器壁示意图。
图3为本发明器壁清洗装置的立体图。
符号说明〔习知〕1a中空体2a 晶圆11a 器壁 3a 结晶物〔本发明〕1 中空体41 喷头11器壁 42 支架2 晶圆 5接地装置4 连接管具体实施方式
本发明的器壁清洗装置,包括一连接管4,该连接管4根据一中空体1内部的形状而设计(本实施例的中空体1为圆形,故该连接管4设计为一圆形的连接管),以方便使所述的中空体1的一器壁11产生一层致密的洗剂薄膜;该连接管4上设有数个喷头41,该喷头41可快速拆装,并用以喷洒加压的洗剂(于本实施例中的洗剂为去离子水);数个支架42的一端连接于所述的连接管4,另一端则连接于该中空体1的该器壁11,使所述的连接管4固定于所述的中空体1的上方,让喷洒的洗剂能有效的清洗器壁的结晶物2,此外为防止洗剂和喷头41磨擦而产生静电,故在所述的器壁清洗装置上设有一接地装置5,以防止静电对晶圆2造成的损害。
在此简述本发明的构造一连接管4其上设有数个喷头41;及数个支架42的一端连接于所述的连接管4,具有足够强度支承该连接管4;其中一中空体1的器壁内面连接于该数个支架42的另一端;其中该连接管4由该中空体的外部引入洗剂,以由该喷头41喷出。
综上所述,本发明以数个喷头41喷洗剂于中空体1的器壁11上产生一洗剂膜,可有效防止飞溅的显影液及光阻剂的混合物吸附于器壁上而产生结晶物,并能解决结晶物掉落于晶圆上而产生的缺陷,提高生产晶圆的良率。
权利要求
1.一种器壁清洗装置,包括一连接管,设置于一中空体内腔,其上设有数个喷头;及数个支架,其一端连接于该连接管,具有足够强度支承该连接管;一中空体的器壁内面连接于所述的数个支架的另一端;所述的连接管由该中空体的外部引入洗剂,以由所述的喷头喷出。
2.如权利要求1所述的器壁清洗装置,其特征在于,所述的连接管的形状和所述的器壁的形状一致。
3.如权利要求2所述的器壁清洗装置,其特征在于,所述的连接管的形状为圆形。
4.如权利要求1所述的器壁清洗装置,其特征在于,所述的喷头为一洗剂喷头。
5.如权利要求4所述的器壁清洗装置,其特征在于,所述的洗剂喷头为一去离子水喷头。
6.如权利要求1所述的器壁清洗装置,其特征在于,所述的数个喷头喷洗剂于所述的器壁形成一致密的洗剂膜。
7.如权利要求1所述的器壁清洗装置,其特征在于,所述的喷头为一快速拆装喷头。
8.如权利要求1所述的器壁清洗装置,其特征在于,所述的器壁清洗装置设有一接地装置。
全文摘要
本发明提供一种器壁清洗装置,包括一连接管,其上设有数个喷头;数个支架的一端连接于该连接管;及一中空体的一器壁连接于该支架的另一端。如此,可防止结晶物沉积在器壁上,及消除该结晶物掉落于晶圆上而产生缺陷的现象。
文档编号B08B9/08GK1634670SQ20031010986
公开日2005年7月6日 申请日期2003年12月30日 优先权日2003年12月30日
发明者吴锦亮, 赵主巨, 酆黎明 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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