一种硅原料的清洗方法
【专利摘要】本发明公开了一种硅原料的清洗方法，包括以下步骤：将硅原料进行预冲洗，并在冲洗后对硅原料的表面进行检测；根据检测：将表面无杂质的硅原料进行超声清洗后即可完成清洗，将表面有杂质但并不多的硅原料进行普通酸洗，将硅表面杂质很多的原料进行酸液泡洗；将经过酸液洗的硅原料进行冲洗，冲洗后对硅原料表面进行观察；根据观察：将表面没有杂质残留的硅原料进行超声清洗后即可完成，将表面仍有杂质残留的硅原料进行碱洗；将经过碱洗的硅原料进行冲洗，之后再对硅原料进行超声清洗，超声清洗后即可完成。从上述工作过程可知，用本发明进行硅原料的清洗，既能够进行实时监控，又能保证硅原料的清洗质量，还能减少硅原料的损耗，节省成本、提高效率。
【专利说明】一种硅原料的清洗方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电领域，具体涉及一种硅原料的清洗方法。
【背景技术】
[0002]光电领域中，硅是非常重要和常用的半导体原料，是太阳能电池最理想的原材料。制备硅片的原料表面一般都会有杂质和一些氧化物，必须要经过清洗后才能进入后续工序使用。但是目前生产操作中，由于很多硅料的清洗设备采用酸洗、碱洗、水冲洗和超声清洗为一体的封闭式操作，所以无法实施监控，必须要等硅原料清洗程序结束后，才能观察到硅料的清洗情况。清洗后的硅原料中有些未能清洗干净，就必须再次进行一系列的清洗；有些表面无附着物的硅原料，原本只需进行冲洗和超声清洗，但仍然要经过上述的酸洗、碱洗、水洗和超声清洗等过程，可见，现有技术不仅生产效率低，而且浪费了资源、能源，增加了企业的生产成本。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于:克服现有技术的不足，提供一种能够灵活清洗硅原料的方法，使得硅原料在清洗过程中，可以进行实时监控，还可根据需要进行不同的清洗。
[0004]本发明所采取的技术方案是:
一种硅原料的清洗方法，其特征在于包括以下步骤:
1)将硅原料放入清水池内预冲洗，并在冲洗后对硅原料的表面进行检测；
2)根据检测:将表面无附着物的硅原料送入超声设备中清洗，将表面有少许杂质的硅原料放入酸液池酸洗，将表面杂质较多的硅原料放入浓酸液池内浸泡1-3小时；
3)将经过酸液洗或酸液浸泡的硅原料放入清水池中进行冲洗，冲洗后对硅原料表面进行观察；
4)根据观察:将表面没有残留污垢的硅原料进行超声清洗，将表面仍有残留污垢的硅原料放入碱液池内进行碱洗；
5)将经过碱洗的硅原料放入清水池中进行冲洗，之后再将硅原料送入超声设备中清洗。
[0005]本发明进一步改进方案是，清洗和浓酸液浸泡池依次排序为:碱液池、清水池、浓酸液池、酸液池、超声设备。
[0006]本发明的有益效果在于:
用本发明进行硅原料的清洗时，实时监控硅原料的清洗状况，并且根据硅原料的表面状况的不同，进行不同的清洗流程。从上述工作过程可知，用本发明进行硅原料的清洗，既能够进行实时监控，又能保证硅原料的清洗质量，还能减少硅原料的损耗，节省成本、提高效率。
[0007]【专利附图】
【附图说明】:
图1为本发明的流程示意图。[0008]【具体实施方式】:
如图1所示，本发明包括以下步骤:先将硅原料放入清水池内预冲洗，并在冲洗后对硅原料的表面进行检测；根据检测:将表面无附着物的硅原料送入超声设备中清洗，将表面有少许杂质的娃原料放入酸液池酸洗，将表面杂质较多的娃原料放入浓酸液池内浸泡1-3小时；将经过酸液洗或酸液浸泡的硅原料放入清水池中进行冲洗，冲洗后对硅原料表面进行观察；根据观察:将表面没有残留污垢的硅原料进行超声清洗，将表面仍有残留污垢的硅原料放入碱液池内进行碱洗；将经过碱洗的硅原料放入清水池中进行冲洗，之后再将硅原料送入超声设备中清洗。
[0009]本发明中清洗和浓酸液浸泡池依次排序为:碱液池、清水池、浓酸液池、酸液池、超
声设备。
【权利要求】
1.一种硅原料的清洗方法，其特征在于包括以下步骤: 1)将硅原料放入清水池内预冲洗，并在冲洗后对硅原料的表面进行检测； 2)根据检测:将表面无附着物的硅原料送入超声设备中清洗，将表面有少许杂质的硅原料放入酸液池酸洗，将表面杂质较多的硅原料放入浓酸液池内浸泡1-3小时； 3)将经过酸液洗或酸液浸泡的硅原料放入清水池中进行冲洗，冲洗后对硅原料表面进行观察； 4)根据观察:将表面没有残留污垢的硅原料进行超声清洗，将表面仍有残留污垢的硅原料放入碱液池内进行碱洗； 5)将经过碱洗的硅原料放入清水池中进行冲洗，之后再将硅原料送入超声设备中清洗。
2.如权利要求1所述的一种硅原料的清洗方法，其特征在于:清洗和浓酸液浸泡池依次排序为:碱液池、清水池、浓酸液池、酸液池、超声设备。
【文档编号】B08B3/12GK103769383SQ201210405111
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2012年10月23日 优先权日:2012年10月23日
【发明者】张凌松 申请人:宿迁宇龙光电科技有限公司