玻璃以及使用该玻璃的导电膏的制作方法

专利名称：玻璃以及使用该玻璃的导电膏的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种适合形成电子部件的电极和薄膜电路的导体的导电膏以及其中使用的玻璃。本发明具体涉及即使在非氧化性气氛中也能烧制的导电膏，其适合于利用诸如镍或铜的贱金属形成多层陶瓷部件内电极的端电极，本发明还涉及其中使用的玻璃。
背景技术：
一般按照以下方式制造诸如多层电容器、多层电感器等的多层陶瓷部件。例如，将由介电材料或磁性材料制成的未烧制(生的)陶瓷片与多个内电极膏层交替叠置，获得未烧制层叠品。然后切割该层叠品，在高温下烧制，获得陶瓷体(下面称之为“陶瓷体”)。然后，通过诸如浸渍、刷涂、丝网印刷等各种方法中的任意一种在陶瓷体暴露出的内电极端面上涂覆导电膏，在该导电膏的载体内分散了导电粉末和诸如玻璃等的无机粘结剂粉末，如果需要，里面还加有其它添加剂，然后进行干燥处理。接着进行高温烧制，形成与内电极电连接的端电极。然后，如果需要，还要在端电极上设置镍镀层或锡镀层，或者它们的合金镀层。
已经将诸如钯、银-钯、铂等贵金属用作内电极材料。但是近年来，为了节约自然资源，开始渐渐使用诸如镍、铜等的贱金属，由此可以降低成本并防止由于钯的氧化和膨胀而引起的分层和断裂。结果，诸如镍、钴、铜等的贱金属导电膏也用于形成端电极，这些导电膏容易与上述内电极材料形成良好的电连接。由于这些贱金属电极在烧制过程中容易氧化，因此烧制就要在非氧化性气氛、例如诸如氮或氮-氢等的惰性气体气氛或还原气氛中、最高温度约为700-900℃的条件下进行。
不可还原玻璃即使在非氧化性气氛的烧制过程中也能保持稳定，因此必需将该玻璃用作要在非氧化性气氛下烧制的导电膏的无机粘结剂。目前已广泛用于导电膏的含铅玻璃粉中所含的PbO成分容易被还原。另外，铅有害于人体，且会引起环境污染，因此需要不含铅玻璃。
此外，在对端电极进行电镀时，由于酸性电镀溶液能改变、溶解玻璃成分并破坏玻璃结构，因此有时会在很大程度上降低陶瓷体的粘接强度。于是，所需的玻璃不仅要具有很高的粘结强度，而且还要有很好的耐酸性，这样玻璃才不容易受酸性电镀溶液腐蚀。
另一个问题是，因为要在含氧量低的气氛下烧制，因此用作载体的诸如溶剂和粘结树脂的有机成分很难氧化分解。如果燃烧不充分，就不能完成分解、清除(下面称之为“粘结剂的去除”)，载体(vehicle)的分解产物就会封闭在薄膜内和/或局部变成碳残留在薄膜内。这些含碳残留引起各种问题，例如由于在高温下发生氧化和气化而形成小孔，这将妨碍烧结、降低所得烧制膜的密度，并将降低构成陶瓷体的诸如钛酸钡之类陶瓷的强度。在解决有关粘接剂去除这类的问题方面，选择无机粘接剂也是很重要的。
于是，将含钡玻璃和含锌玻璃作为耐还原玻璃已经得到综合性研究，该玻璃与基底有高的粘结强度，这能让其提供出性能优良的导体。
例如，多层陶瓷电容器的碱金属端电极是公知的，它们利用了诸如硼酸钡玻璃、硼酸钡锌玻璃、硼硅酸钡锌玻璃之类的耐还原玻璃(见US专利第3902102号)。另外，还已知的是，将含有硼硅酸钡玻璃的铜膏用于端电极(见日本专利公开第5-234415号)，将含有特定成分的硼硅酸锌玻璃的铜膏用于端电极，其中所述特定成分包括碱金属成分和碱土金属成分(见日本专利公开第59-184511号)，将硼硅酸铝锶玻璃用于端电极(见日本专利公开第9-55118)。
此外，人们已经建议将使用了硼硅酸锌玻璃的铜膏用于端电极(见日本已审专利公开第1-51003号)，将使用了对电镀液具有较强耐腐蚀性的硼硅酸锌玻璃的铜膏用于端电极(见日本专利公开第5-342907号)。
然而，近年来仍然非常渴求对端电极性能的改进。于是，那些现有的玻璃总是不能完全满足端电极要求。特别是，尽管含钡玻璃具有软化温度低的优点，由此即使其中不含铅，它也能在低温下进行烧制，但是它对电镀液没有足够的耐蚀性，电镀过程中会使电镀液渗入，这降低了与陶瓷体的粘接强度，引起陶瓷体产生裂纹并断裂，于是减小了绝缘强度，降低了所得多层产品的可靠性。另一问题是电极表面局部出现玻璃块或玻璃点(此后称之为“玻璃点”)，这将阻碍形成均匀的电镀膜，并将妨碍焊接。
另一方面，一般公知的是，用含锌可结晶玻璃构成反应层，由此该玻璃牢牢地粘到陶瓷上，该玻璃具有极好的强度、耐热冲击性、对电镀液的耐蚀性、以及耐水性。但是该玻璃的软化点一般较高。与低软化点的硼酸锌玻璃或硼硅酸锌玻璃的特定组成有关的问题是难于由这些玻璃获得均匀的玻璃膜，这是因为它们的玻璃化范围窄，易发生相分离。另外，因为它们是可结晶玻璃，因此在烧制过程中，它的流动特性和结晶行为很难控制。再有一问题是，能进行烧制的温度范围因要取决于工艺条件，特别是由于与烧制气氛、烧制温度等有关的性能变化显著，因此该温度范围很窄。
另外，还知道某些陶瓷体能降低电极强度。具体而言，在陶瓷体由具有JIS(日本工业标准)C6429和C6422所规定的F特性曲线的钛酸钡陶瓷介质制成时，其中所述陶瓷介质的介电常数很高，端电极的含锌可结晶玻璃与陶瓷体在它们之间的接界区域内反应，形成均匀反应层，其牢牢地粘到基底上，表现为几乎不深入地渗入陶瓷体。然而，在使用具有JIS所规定的B特征曲线、即平坦的电容-温度特性曲线的钛酸钡陶瓷介质的情况下，烧制过程中熔融的端电极中出现的玻璃成分将深深地渗入陶瓷体，这降低了陶瓷体强度。当向电容器施加能使电极薄膜剥离的应力时，例如在端电极的剥离强度测试实验中，这样被退化了的陶瓷体会产生裂纹或断裂。结果，电路基底等部件上安装的电容器的可靠性很差。这显然是由于陶瓷之间的显微结构差异造成的；具有F特性曲线的陶瓷的结构相对均匀，具有B特性曲线的陶瓷的结构不均匀，其中其晶界部分的反应活性高于结晶部分的反应活性。现有技术中，利用这些具有B特性曲线的钛酸钡陶瓷得不到剥离强度极好的端电极。
于是，迄今为止已开发出的各种玻璃都具有各自的优点，但还没有得到一种能满足所有要求的玻璃。

发明内容
本发明的目的是提供一种具有全部所需性能的导电膏，即它不含诸如铅之类的有害成分，具有良好的粘结剂去除能力，以及即使在非氧化性气氛中约700～900℃的温度范围下烧制，也具有良好可烧结性，这能使其形成在密度、对电镀液的耐蚀性、粘接强度、耐热冲击性等方面具有极好性能的导体，其对烧制工艺条件的依赖性很小，能在很宽的温度范围内进行烧制，本发明还提供了一种该导电膏中使用的玻璃。本发明的另一目的是提供一种特别适合形成多层陶瓷电容器的端电极的优良导电膏。本发明的再一目的是提供一种不会引起陶瓷体退化的导电膏，其展现出对各种介电陶瓷体的极好粘接强度，特别是当其用于多层陶瓷电容器时更是如此。
本发明提供了一种不含铅玻璃，按氧化物计算，其包含40-60wt％的ZnO，15-35wt％的B2O3，1-16wt％的SiO2，1-10wt％的Al2O3，2-15wt％的MnO2，以及总量为0.5-10wt％的从以下氧化物组成的组中选出的至少一种Li2O，Na2O，K2O。本发明还提供了一种不含铅玻璃(后面称之为“本发明的第二玻璃”)，按氧化物计算，其包括40-60 wt％的ZnO，15-35wt％的B2O3，1-16wt％的SiO2，1-10wt％的Al2O3，2-15wt％的MnO2，总量为0-5wt％的从以下氧化物组成的组中选出的至少一种Li2O，Na2O，K2O，以及总量为0.1-5wt％的从以下氧化物组成的组中选出的至少一种MgO，CaO，TiO2，Cr2O3，ZrO2，Ta2O5，SnO2，Fe2O3。本发明还提供了一种包含上面指出的玻璃的导电膏和用于形成多层陶瓷部件的端电极的导电膏。
优选实施例的详细描述依照本发明的玻璃是锌硼硅酸盐可结晶玻璃，其具有范围为500-700摄氏度的较低软化点，特征在于，它形成了烧制时几乎不会产生相分离的匀质玻璃，特征还在于，在烧制含这种玻璃的导电膏过程中，其表现出适当的结晶行为和流动特性。依照本发明，利用这种玻璃作为导电膏的无机粘结剂不仅可以获得性能极好的烧制膜，而且能够降低对烧制温度的依赖性，从而允许在很宽的温度范围内进行烧制。
于是，不管它的低软化温度，导电膏烧制过程中还能获得在低温度范围内的良好的粘结剂去除能力。结果，能够在不降低玻璃的流动性、不妨碍金属粉末烧结、或者不因为残留碳等物引起性能退化的情况下，形成具有优良强度、耐热冲击、耐电镀液腐蚀和耐水性优良的致密薄膜。另外，因为淀析出的晶体抑制了玻璃粘度突然下降，因此即使在高温范围内，玻璃也不会因过度流动而移到导电薄膜的表面上，这就能避免产生玻璃点。假设主要的析出晶体是Zn3B2O6，该晶体主要以针状结晶的形式明显地淀析出来，它们在薄膜中相互缠结，形成网状结构，这就产生了适当抑制玻璃流动的效果。
上述玻璃成分在与例如为电容器的陶瓷体相互接触时与某些陶瓷体组分反应，反应产物渗入电介质中。该反应层的出现提高了电极的粘结强度，并能避免电镀过程中或热冲击实验中在陶瓷体内产生裂纹。
另外，本发明的第二玻璃包括至少一种选自以下化合物中的成分MgO，CaO，TiO2，Cr2O3，ZrO2，Ta2O5，SnO2和Fe2O3。在将含第二玻璃的导电膏应用到具有F特性曲线的陶瓷上时，玻璃与陶瓷体形成均匀反应层，而当将该导电膏应用到具有高反应活性部分的陶瓷体上、诸如由具有B特性曲线的陶瓷制成的陶瓷体上时，也可以形成粘结强度高的端电极，同时还不会使陶瓷体强度变差。显然，这是因为含特定量这些成分的玻璃的结晶度和活性比不含这些成分的玻璃的低，其与陶瓷体晶界部分的反应以及后来渗入陶瓷体中都得到适当抑制。因此，不管介电陶瓷体的类型如何，都能获得粘结强度和剥离强度高的端电极。
下面描述依照本发明的玻璃的成分范围。在下面的描述中，除非另有说明，都用符号％表示重量百分比。
ZnO结合B2O3一起构成玻璃网络，所述ZnO还成为淀析晶体的组成成分。另外，它还改善了与基底的粘结强度。含量落在40-60％的范围之外是不理想的，这是因为此时玻璃的软化点温度将变得太高。如果在非氧化性气氛中于高温下烧制该导电膏，ZnO在残留碳的作用下通常容易被升华烧蚀和/或被还原。但是，依照本发明，因为粘结剂的去除能力非常好，因此尽管ZnO的含量很高，也不会出现这种问题。
B2O3是网络形成氧化物，它还用作助熔剂。如果它的含量低于15％，就会使玻璃脱玻化，如果含量高于35％，玻璃的耐化学腐蚀性就会显著降低。优选的是将ZnO与B2O3混合，使其混合摩尔比为55∶45-65∶35。
SiO2是网络形成氧化物，其能产生扩展玻璃化范围的效果和改善耐化学腐蚀的效果。其含量高于16％是不理想的，这是因为软化点将变得太高。优选含量是不高于13％。理想的是B2O3与SiO2的总含量不超过40wt％。
具有上述组成成分的ZnO-B2O3-SiO2玻璃的缺点是其中容易发生相分离。Al2O3能避免这种相分离，由此可以形成匀质玻璃。结果，减少了工艺依赖性。另外，与SiO2类似的是，Al2O3可以改善耐化学腐蚀性。如果Al2O3的含量高于10％，软化点就变得太高，玻璃就脱玻。Al2O3的优选含量是不高于8％。
玻璃中可存在化合价为2或3的Mn，其明显具有以下效果。在非氧化性气氛中，化合价变化，释放出氧，然后氧与源自导电膏内存在的载体的残留碳键和，并以CO2的形式被驱离到薄膜外部。另外，Mn成分还具有提高玻璃与金属铜的反应性的作用。如果按MnO2计算它的混合量低于2％，则所述效果很小，而如果它高于15％，则在生产过程中会使玻璃脱玻，也就不能获得稳定的玻璃。它的优选含量为2～10％。
选自Li2O、Na2O、K2O中的至少一种碱金属氧化物是网络改性氧化物，它能降低玻璃的软化温度。如果它的含量超过10％，玻璃的耐化学腐蚀性就会显著降低。该成分还会影响晶体淀析，如果含量很小，晶体就不能充分淀析出来。另外，通过选择碱金属氧化物的类型可以改变淀析晶体的形式。单独使用Li2O时，不能淀析出针状晶体。因此，优选的是，将Na2O和/或K2O与其一起使用。由于将某种介电组合物用于陶瓷体，存在着Na2O使电容器性能退化的风险。该情况下应当避免使用Na2O。然而，单独使用K2O时不能实现足够的耐水性。因此，优选的是将0.1-3％的Li2O与1-8％的K2O结合使用。在本发明的第二玻璃中，其包含至少一种选自以下氧化物的成分MgO，CaO，TiO2，Cr2O3，ZrO2，Ta2O5，SnO2，Fe2O3，此时经常不需要加入上述碱金属氧化物。即使在加入这些碱金属氧化物的情况下，其总含量也优选在5％以下的范围内。
在包含上述成分的玻璃中引入少量选自MgO、CaO、TiO2、Cr2O3、ZrO2、Ta2O5、SnO2和Fe2O3中的成分，就具有按上述方式改变玻璃的结晶行为和反应性的效果，这在用于具有B特性曲线的陶瓷体时特别有效。如果这些成分的总含量落在0.1-5％范围之外，就不能获得理想效果。
依照本发明的玻璃可另外还包含少量的其它氧化物，其含量范围应不会影响玻璃性能。
依照本发明的玻璃可通过普通方法来制造，该方法包括混合各成分的原始材料化合物，熔融，迅速冷却，然后研磨，也可以通过其它方法制造该玻璃，例如溶胶凝胶法、喷射热解法、喷雾法等等。特别优选的是通过喷射热解法制造本发明的玻璃，这是因为这样能获得尺寸均匀的小球形玻璃粒，在将该玻璃用于导电膏时，不必进行研磨。
对依照本发明的导电膏中使用的导电粉末没有任何特别限制。于是，就能使用诸如铜、镍、钴、铁等需要在非氧化性气氛中进行烧制的贱金属粉末，或者含一种或多种这些金属的合金或组合物粉末，以及可使用诸如银、钯和合金的贵金属导电粉末或者含一种或多种这些金属的合金或组合物导电粉末。上述导电粉末可单独使用，或者两种或多种结合使用。对导电粉末和玻璃粉末的混合比不作任何特别限制，该混合比可根据使用目的和预定用途在通常使用的范围内适当调整。
对载体不作特别限制。可根据目的和预定用途适当地选择使用任何通常采用的载体，该载体是通过在水或有机溶剂中溶解或分散例如丙烯酸树脂、纤维素等的通常使用的树脂粘结剂制备而得的。如果需要，可加入增塑剂、分散剂、表面活性剂、氧化剂、有机金属化合物等。对载体的混合比也不作任何限制，适当的载体用量以将无机成分保留在导电膏内为准，这取决于预定用途或涂覆方法。
如果需要，可以将通常使用的金属氧化物、陶瓷等作为其它无机粘结剂或添加剂加入其中。
依照本发明的导电膏特别适合形成多层陶瓷部件的端电极，这些多层陶瓷部件例如多层电容器、多层电感器等，但是该导电膏也可以用于形成其它电子部件上的电极，形成多层陶瓷基底上的导体层，或者形成例如由氧化铝等制成的陶瓷基底上的厚膜导体。
下面将依据本发明的例子详细描述本发明。
例1制备起始材料，获得表1所示的氧化物组成，在铂金坩锅中约1150度(摄氏)的温度下熔融，将它们倒到石墨上，空气冷却，得到玻璃，然后用氧化铝球细细研磨，得到玻璃粉A-K，X和Y。粉末X和Y不在本发明的范围之内。用热分析仪测量每种玻璃粉的玻璃转化温度(Tg)、软化点(Ts)和结晶温度(Tc)。结果示于表1中。
按照以下方式评价每种玻璃粉的耐水性。将通过在萜品醇中溶解丙烯酸树脂而制得的载体与每种玻璃粉相混合，制备出要涂覆到氧化铝基底上的玻璃膏，然后在氧浓度不超过5ppm的氮气氛中于850度的温度下烧制，形成玻璃薄膜。将所得样品浸在100度下沸腾过的纯水中2小时，然后从中取出，用水彻底冲洗，同时用刷子洗擦，干燥，接着测量薄膜重量。将薄膜残值比率示于表1中。
表1

*不在本发明范围内例2按以下方式利用例1中制得的玻璃粉制备导电膏。将12重量份的玻璃粉和40重量份的在萜品醇中溶解有丙烯酸树脂的载体与100重量份的铜粉末混合，在三辊磨中混合这些成分，从而制得每种导电膏。然后通过浸渍法在由多层陶瓷电容器的烧制陶瓷体中暴露出来的内电极端面上敷涂导电膏，由此获得烧制后厚度约为120μm的薄膜，所述陶瓷电容器的平面尺寸为3.2mm×1.6mm，其利用含钛酸钡作为主要成分并具有JIS规定的F特性曲线的陶瓷作为电介质、并利用镍作为内电极制备而成。然后通过在热空气干燥器内于150℃的温度下将每个陶瓷体干燥10分钟，然后利用带式马弗炉在氧含量不超过5ppm的氮气氛中于表2所示的峰值温度下总共烧制1小时，其中峰值温度保留时间为10分钟，由此制得样品号为1到12的多层陶瓷体电容器。号码为11和12的样品不在本发明的范围之内。
通过扫描电子显微镜观察端电极的抛光横截面，以此研究所得样品的薄膜密度。将结果示于表2中。用以下标准评价○-无孔的致密烧制薄膜，△-可观察到少量小孔的薄膜，×-其它。
此外，通过电镀在端电极表面上连续形成镀镍薄膜和镀锡薄膜，按以下方式进行耐热冲击测试、粘接强度和剥离强度测量。结果示于表2中。
耐热冲击测试迅速将每块电镀样品浸到300度温度下钎料浴中，在其中保留7秒后取出，自然空气冷却。如果30个样品中不超过一个的陶瓷表面上出现裂纹，就用○符号表示，如果出现裂纹的样品不少于2个，就用符号×表示。
粘结强度在两个对置端电极上焊接引线，引线垂直于电极表面，用强度测试装置沿相反方向拉动两根电极引线，测定电极部分断裂时的值。
剥离强度将引线焊接到两个相对的端电极上，使引线与电极表面平行，利用强度测试装置施加垂直于电极表面的力，分别向左和右方拉动两根引线，测定电极部分断裂时的值。
表2

*不在本发明范围内表2清楚地表明，利用了依照本发明的玻璃的导电膏具有极好的薄膜密度，很高的耐热冲击性，以及很高的粘结强度，该表还特别显示出没有任何因烧制温度引起的性能变化。
例3利用例1中制得的玻璃粉末E-K、A、X按照与例2相同的方式制备导电膏。然后通过浸渍法在由多层电容器陶瓷体的烧制陶瓷体暴露出的内电极端面上涂覆每种导电膏，以获得在烧制后厚度约为120微米的薄膜，其中所述电容器陶瓷体的平面尺寸为2.0mm×1.25mm，它是利用含钛酸钡为主成分且具有JIS标准规定的B特性曲线的陶瓷作为电介质、以镍作为内电极而制得的。然后将每个陶瓷体置于热空气干燥器中，在150℃的温度下干燥10分钟，接着利用带式马弗炉在氧浓度不超过5ppm的氮气氛中峰值温度为800℃的条件下一共烧制1小时，其中峰值温度的保留时间为10分钟，制备样品号为13-21的多层陶瓷电容器。号码为21的样品不在本发明的范围之内。
针对每个所得样品，按例2中那样的方式研究端电极的薄膜密度、耐热冲击性、粘结强度、以及剥离强度。将结果示于表3中。所有样品中，剥离强度测试的断裂模式为陶瓷体出现裂纹或破裂。
表3

*不在本发明范围内如表3所示，即使相对于具有B特性曲线的陶瓷介质的陶瓷体来说，使用了本发明第二玻璃的导电膏也表现出极好的粘结强度和剥离强度。
依照本发明的玻璃具有很低的软化点，其不含诸如铅等的有害成分，在烧制过程中显示出适当的粘度性能和结晶行为。对于利用了这种玻璃作为无机粘接剂的导电膏，能够完全去掉有机成分，并且即使在无氧气氛中进行烧制，也能制造出耐电镀液性能、粘结强度、耐热冲击性能和可靠性极好的致密导体。另外，导电膏几乎不表现出对烧制工艺条件的依赖性，即使在很宽的温度范围内烧制，它也能形成性能优良且均一的电极。另外，当将该导电膏用于构成多层陶瓷部件的端电极时，不管陶瓷体的类型如何，都能实现很高的粘接强度和剥离强度，同时也能获得可靠性很高的陶瓷部件。
权利要求
1.一种不含铅玻璃，按氧化物计算，其包括其包含40-60wt％的ZnO，15-35wt％的B2O3，1-16wt％的SiO2，1-10wt％的Al2O3，2-15wt％的MnO2，以及总量为0.5-10wt％的从以下氧化物组成的组中选出的至少一种氧化物Li2O，Na2O，K2O。
2.一种不含铅的玻璃，按氧化物计算，其包括40-60wt％的ZnO，15-35wt％的B2O3，1-16wt％的SiO2，1-10wt％的Al2O3，2-15wt％的MnO2，总量为0-5wt％的从以下氧化物组成的组中选出的至少一种氧化物Li2O，Na2O，K2O，以及总量为0.1-5wt％的从以下氧化物组成的组中选出的至少一种氧化物MgO，CaO，TiO2，Cr2O3，ZrO2，Ta2O5，SnO2，Fe2O3。
3.一种导电膏，其包括导电粉末、载体、以及权利要求1所述的玻璃粉末。
4.一种导电膏，其包括导电粉末、载体、以及权利要求2所述的玻璃粉末。
5.根据权利要求3所述的导电膏，其中导电粉末包括选自由以下金属粉末组成的组中的至少一种粉末铜，镍，钴，或至少含一种上述金属的合金或复合物。
6.根据权利要求4所述的导电膏，其中导电粉末至少包括选自由以下金属粉末组成的组中的一种粉末铜，镍，钴，或至少含一种上述金属的合金或复合物。
7.根据权利要求3所述的导电膏，其中导电粉末至少包括选自由以下金属粉末组成的组中的一种粉末银，钯，或者至少含一种上述金属的合金或复合物。
8.根据权利要求4所述的导电膏，其中导电粉末至少包括选自由以下物质粉末组成的组中的一种粉末银，钯，或者至少含一种上述金属的合金或复合物。
9.一种用于形成多层陶瓷部件的端电极的导电膏，其中导电膏是如权利要求3所述的导电膏。
10.一种用于形成多层陶瓷部件的端电极的导电膏，其中导电膏是如权利要求4所述的导电膏。
11.根据权利要求9所述的导电膏，其中导电粉末至少包括选自由以下金属粉末组成的组中的一种粉末铜，镍，钴，或至少含一种上述金属的合金或复合物。
12.根据权利要求10所述的导电膏，其中导电粉末至少包括选自由以下金属粉末组成的组中的一种粉末铜，镍，钴，或至少含一种上述金属的合金或复合物。
13.根据权利要求9所述的导电膏，其中导电粉末至少包括选自由以下金属粉末组成的组中的一种粉末银，钯，或者至少含一种上述金属的合金或复合物。
14.根据权利要求10所述的导电膏，其中导电粉末至少包括选自由以下金属粉末组成的组中的一种粉末银，钯，或者至少含一种上述金属的合金或复合物。
全文摘要
一种不含铅的玻璃，按氧化物计算，其包含40－60wt％的ZnO，15－35wt％的B
文档编号C03C3/062GK1427421SQ02157050
公开日2003年7月2日 申请日期2002年12月20日 优先权日2001年12月21日
发明者田中哲也, 森永健次, 山添幹夫, 河原惠 申请人:昭荣化学工业株式会社