专利名称：优质抗水化型高纯高钙镁钙砖的生产工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种应用于冶金工业炉外精炼炉的优质抗水化型高纯高钙镁钙砖的生产工艺。
背景技术：
目前国内生产的镁钙砖，一般CaO含量在20％～30％，大于40％的合成镁钙砖很少有工业生产，CaO含量越高生产越困难，成品率越低，但对冶炼洁净钢而言，希望使用高钙镁钙砖，因此，开发抗水化型高纯高钙镁钙砖，对冶炼洁净钢具有重要实际意义和应用前景。
发明内容
本发明的目的是提供一种优质抗水化型高纯高钙镁钙砖的生产工艺，该工艺采用复合离子制剂对高钙(CaO＝50～70％)镁钙砂及高钙镁钙砖(CaO≥50％)，进行防水化处理，生产出CaO≥50％的优质抗水化型高纯高钙镁钙砖。
为实现上述目的，本发明通过如下技术方案实现优质抗水化型高纯高钙镁钙砖的生产工艺，其特征在于该工艺包括如下步骤1)原料选择；高钙镁钙砂，其CaO含量50～70％；低钙镁钙砂，其20％≤CaO≤30％；将原料破粉碎，按如下粒度等级及质量组成构成①高钙镁钙砂5-3mm20-30％3-1mm20-30％1-0mm10-20％＜0.088mm10-20％②低钙镁钙砂＜0.088mm10-20％③高纯镁粉5-10％④结合剂3-4％2)将上述的高钙镁钙砂进行防水化处理，用复合离子(Cl--PO43-)制剂进行表面化学覆盖的方法进行防水化处理；将颗粒料加热50～60℃后，加入结合剂石蜡，混3～5min，再加入细粉，混练15～20min，混练温度控制在40～50℃，成型物料温度控制在20～30℃，坯体密度2.95～3.05g/cm3，烧成温度1550～1580℃，烧好的砖再用复合离子(Cl--PO43-)制剂进行防水化处理，然后包装，入库。
技术指标高钙镁钙砖化学成分(％)CaO≥50％MgO≥42％SiO≤1.0％杂质(S+A+F)≤2.0％高钙镁钙砖物理指标气孔率≤10％常温耐压强度(MPa)≥50荷重软化温度(℃)≥1700保存期6个月以上本发明的有益效果是(1)采用优质高纯镁钙原料，高温合成高钙(CaO＝50～70％)镁钙砂；(2)高钙镁钙砂和高钙镁钙砖用复合离子(Cl--PO43-)制剂进行表面化学覆盖的方法提高其抗水化性能；高温烧成高钙镁钙砖；(3)利用砖中游离CaO可吸附钢中有害夹杂物的特点，高钙镁钙砖应用于炉外精炼VOD、AOD炉衬以提高优质钢、洁净钢质量；(4) 高钙镁钙砖保存期达到180天不水化，便于国内及出口国外使用。
具体实施例方式
优质抗水化型高纯高钙镁钙砖的生产工艺，该工艺包括如下步骤1)原料选择；高钙镁钙砂，其CaO含量50～70％；低钙镁钙砂，其20％≤CaO≤30％将原料破粉碎，按如下粒度等级及质量组成构成①高钙镁钙砂5-3mm20-30％3-1mm20-30％1-0mm10-20％＜0.088mm10-20％
②低钙镁钙砂＜0.088mm10-20％③高纯镁粉5-10％④结合剂3-4％2)将上述的高钙镁钙砂进行防水化处理，用复合离子(Cl--PO43-)制剂进行表面化学覆盖的方法进行防水化处理；将颗粒料加热50～60℃后，加入结合剂石蜡，混3～5min，再加入细粉，混练15～20min，混练温度控制在40～50℃，成型物料温度控制在20～30℃，坯体密度2.95～3.05g/cm3，烧成温度1550～1580℃，烧好的砖再用复合离子(Cl--PO43-)制剂进行防水化处理，然后包装，入库。
经过多次试验，原料配比在上述范围内均可达到较好的效果。
权利要求
1.优质抗水化型高纯高钙镁钙砖的生产工艺，其特征在于该工艺包括如下步骤1)原料选择；高钙镁钙砂，其CaO＝50～70％；低钙镁钙砂，其20％≤CaO≤30％；将原料破粉碎，按如下粒度等级及质量组成构成①高钙镁钙砂5-3mm20-30％3-1mm20-30％1-0mm10-20％＜0.088mm10-20％②低钙镁钙砂＜0.088mm10-20％③高纯镁粉5-10％④结合剂3-4％2)将上述的高钙镁钙砂进行防水化处理，用复合离子(Cl--PO43-)制剂进行表面化学覆盖的方法进行防水化处理；将颗粒料加热50～60℃后，加入结合剂石蜡，混3～5min，再加入细粉，混练15～20min，混练温度控制在40～50℃，成型物料温度控制在20～30℃，坯体密度2.95～3.05g/cm3，烧成温度1550～1580℃，烧好的砖再用复合离子(Cl--PO43-)制剂进行防水化处理，然后包装，入库。
全文摘要
本发明涉及一种优质抗水化型高纯高钙镁钙砖的生产工艺，该工艺采用复合离子制剂对高钙(CaO＝50～70％)镁钙砂及高钙镁钙砖(CaO≥50％)，进行防水化处理，生产出CaO≥50％的优质抗水化型高纯高钙镁钙砖。优点是高钙镁钙砂和高钙镁钙砖用复合离子(Cl
文档编号C04B35/04GK1986489SQ20061013489
公开日2007年6月27日 申请日期2006年12月20日 优先权日2006年12月20日
发明者陈树江, 高光阳, 李国华, 张国栋, 田琳, 高岩树, 曾永慧, 林宏霞 申请人:辽宁科技大学, 海城三岩矿业有限公司