碳化硅接合体以及碳化硅构件的接合方法

专利名称：碳化硅接合体以及碳化硅构件的接合方法
技术领域：
本发明涉及一种利用碳化硅接合层使碳化硅构件彼此接着而成的碳化硅接合体及该接合体的制造方法。
背景技术：
碳化硅陶瓷由于在常温及高温下化学稳定，并且高温下的机械强度也优良，因此被用作高温材料。近年来，在半导体制造领域中，逐渐将耐热性、耐蠕变性优良的高纯度的碳化硅陶瓷烧结体用于对半导体晶片进行热处理、或者使微量元素热扩散到半导体晶片中的工序中的舟皿或工艺管等。另外，近年来由于碳化硅单晶元件的高温退火处理是在1600°C 1700°C的温度下进行，因此需求相当高的耐热性。但是，具有一定形状的碳化硅材料是将碳化硅粉末成形、煅烧而以烧结体的形式制造，然而由于碳化硅为难烧结性，因此虽然能成形为简单的形状，但是难以成形为复杂的形状。所以，通常通过烧结而制造两个以上的形状相对较简单的碳化硅构件后，获得将这些构件接合而形成的具有所需形状的产品。以前，将碳化硅构件接合的方法已知悉使用无机接着剂利用热压制进行加压烧结而接合的方法(专利文献1)、以及使硅插入到碳化硅构件彼此的接合面间并进行热处理的方法(专利文献i)。但是，专利文献ι所记载的方法中使用的无机接着剂会导致产生在半导体装置的领域中有害的游离碳或来源于铁成分的杂质元素。专利文献2中记载的方法存在以下问题被用作接着剂的硅在1600°C 1700°c下熔解，因此接合而成的构件无法耐受所述退火处理。[先行技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2002-338334号公报[专利文献2]日本专利特开2001-163680号公报

发明内容
[发明所欲解决的问题]因此，本发明的课题在于解决所述以前技术的问题，提供一种不产生对半导体有害的杂质元素、具有可耐受所述高温退火处理的耐热性的高纯度碳化硅接合体及该接合体的制造方法。[解决问题的技术手段]本发明人等为了解决所述课题而反复研究，结果发现，通过将碳化硅用作接合层， 并且利用硬化性硅酮组合物的由热分解所引起的无机化而形成该碳化硅接合层，可以解决所述课题。S卩，第一，本发明提供一种碳化硅接合体，
其是含有第1碳化硅构件、第2碳化硅构件、以及插入到第1与第2碳化硅构件之间的碳化硅接合层而形成。第二，本发明提供所述碳化硅接合体的制造方法，其包含以下工序使硬化性硅酮组合物以层状而插入到第1碳化硅构件与第2碳化硅构件之间；使该层状的硬化性硅酮组合物硬化；以及在非氧化性环境下对所得的硬化物进行加热分解，使其转化成碳化硅，形成将第1 与第2碳化硅构件接合的碳化硅接合层。[发明的效果]本发明的碳化硅接合体由于接合部的碳化硅为高纯度，因此即使在半导体装置的领域中也不会受到杂质元素的不良影响，并且耐热性高，因此可靠性较高。根据本发明的碳化硅接合体的制造方法，由于起始原料为硅酮组合物，因此在硅酮组合物的阶段可以实现高纯度化，仅通过使具有碳-硅键的硅酮组合物硬化、热分解便使接合部位也成为高纯度碳化硅，因此可以容易地制造具有高耐热性的高纯度碳化硅接合体。因此，本发明特别在半导体领域中有用。以下，对本发明进行详细说明。此外，本说明书中，“室温”是指周围温度，通常可以在10 35°C的范围内变化。


具体实施例方式-碳化硅接合体-本发明的碳化硅接合体由于承担接合作用的接合层包含与作为被接着体的碳化硅构件同质的碳化硅，而且为高纯度，因此即使在高温下机械强度也较高。构成该碳化硅接合体的碳化硅构件包含碳化硅烧结体，碳化硅所含的杂质元素的含量优选Ippm以下，更优选0. 5ppm以下，进一步优选0. Ippm以下。该碳化硅接合体中，接合层也包含碳化硅烧结体，碳化硅所含的杂质元素的合计含量优选Ippm以下，更优选0. 5ppm以下，进一步优选0. Ippm以下。这里，碳化硅构件及接合层中所含的杂质元素特别可以举出Fe、Cr、Ni、Al、Ti、Cu、 Na、Si、Ca、&、Mg及B，可以含有这些元素的一种或两种以上。它们的合计含量优选所述上限值以下。-碳化硅接合体的制造方法-本发明的制造方法包含以下工序(1)使硬化性硅酮组合物以层状而插入到第1碳化硅构件与第2碳化硅构件之间；(2)使所得的层状的硬化性硅酮组合物硬化；以及(3)在非氧化性环境下对所得的硬化物进行加热分解，使其转化成碳化硅，形成将第1与第2碳化硅构件接合的碳化硅接合层。工序(1)
使硬化性硅酮组合物以层状而插入到第1碳化硅构件与第2碳化硅构件之间的方法并无限定。例如可以将液状的硬化性硅酮组合物涂布在其中一个碳化硅构件的表面上， 并使另一碳化硅构件密接于所得的涂膜。或者用两个碳化硅构件夹着片或膜状的硬化性硅酮组合物。工序(2)使所得的层状硬化性硅酮组合物硬化，硬化的方法及条件可以根据所使用的硬化性硅酮组合物的种类而适当选择。工序(3)在非氧化性环境下对所得的硬化物进行加热分解而接合，转化成碳化硅。〈硬化性硅酮组合物〉本发明的方法中所用的硬化性硅酮组合物也可以含有碳化硅粉末。碳化硅粉末优选的是利用激光衍射散射式粒径粒度分布测定装置进行测定而平均粒径为0. 1 μ m 100 μ m的粉末，更优选1 μ m 50 μ m的粉末。这里所谓“平均粒径”是指中径，是以某粒径为界将粉体一分为二时，较大一侧的粉末量与较小一侧的粉末量在质量上达到等量的粒径。碳化硅粉末也可以使用市售的高纯度碳化硅粉末。另外，也可以通过以下方式而获得在非氧化性环境下对硅酮粉末、特别是放射线硬化性或者过氧化物硬化性的硅酮组合物的硬化物在400°C 1500°C下进行加热，使其转变成实质上包含碳、硅及氧的无机陶瓷，进而在相同环境下用超过1500°C且为 2200°C以下的温度进行加热分解。碳化硅粉末在组合物中的含量只要可为5 90体积％的范围，优选10 80体积％的范围，更优选20 70体积％的范围。工序(1)、(2)中使用的硬化性硅酮组合物可以使用众所周知的物品。其具体例可以举出有机过氧化物硬化性、放射线硬化性、加成硬化性、缩合硬化性的有机聚硅氧烷组合物等。它们中，在可以获得更高纯度的接合层的方面，优选有机过氧化物硬化性以及放射线硬化性的硅酮组合物，可以将所述杂质元素的合计含量抑制为Ippm以下，优选0. 5ppm以下，进一步优选0. Ippm以下。有机过氧化物硬化性硅酮组合物例如可以举出将在分子链非末端部分(单末端或两末端)及分子链末端部分的任一部分或此两部分具有乙烯基等烯基的直链状有机聚硅氧烷在有机过氧化物的存在下进行自由基聚合，由此进行硬化的硅酮组合物。放射线硬化性硅酮组合物可以举出紫外线硬化性硅酮组合物以及电子束硬化性硅酮组合物。紫外线硬化性硅酮组合物例如可以举出利用波长为200 400nm的紫外线的能量而硬化的硅酮组合物。此时，硬化机制并无特别限制。其具体例可以举出含有具有丙烯酰基或甲基丙烯酰基的有机聚硅氧烷及光聚合起始剂的丙烯酸系硅酮系硅酮组合物、含有含巯基的有机聚硅氧烷及具有乙烯基等烯基的有机聚硅氧烷以及光聚合起始剂的巯基-乙烯基加成聚合系硅酮组合物、与热硬化性的加成反应型同样地使用钼族金属系催化剂的加成反应系硅酮组合物、含有含环氧基的有机聚硅氧烷及鐺盐催化剂的阳离子聚合系硅酮组合物等，均可以用作紫外线硬化性硅酮组合物。关于电子束硬化性硅酮组合物，利用通过对具有自由基聚合性基的有机聚硅氧烷照射电子束而引发的自由基聚合进行硬化的任意的硅酮组合物均可以使用。加成硬化性硅酮组合物例如可以举出使所述具有烯基的直链状有机聚硅氧烷与有机氢化聚硅氧烷在钼族金属系催化剂的存在下反应(硅氢化加成反应)，由此进行硬化的硅酮组合物。缩合硬化性硅酮组合物例如可以举出使两末端硅烷醇封链有机聚硅氧烷与有机氢化聚硅氧烷或四烷氧基硅烷、有机三烷氧基硅烷等水解性硅烷及/或其部分水解缩合物在有机锡系催化剂等缩合反应催化剂的存在下反应，由此进行硬化的硅酮组合物；或者使以三烷氧基、二烷氧基有机基、三烷氧基硅烷氧基乙基、二烷氧基有机硅烷氧基乙基等将两末端封链而成的有机聚硅氧烷在有机锡催化剂等的缩合反应存在下反应，由此进行硬化的硅酮组合物等。其中，从尽力避免杂质混入的观点来看，理想的是放射线硬化性硅酮组合物以及有机过氧化物硬化性硅酮组合物。以下，对各反应性硅酮组合物加以详细描述。·有机过氧化物硬化反应型硅酮组合物关于有机过氧化物硬化反应型硅酮组合物，具体来说，例如可以举出含有以下成分的有机过氧化物硬化反应型硅酮组合物(a)含有至少两个键合于硅原子的烯基的有机聚硅氧烷；以及(b)有机过氧化物；以及作为任意成分的(c)含有至少两个键合于硅原子的氢原子(即SiH基)的有机氢化聚硅氧烷相对于硬化性硅酮组合物总体中的烯基每1摩尔，该(c)成分中的键合于硅原子的氢原子的量达到0. 1 2摩尔的量。· · (a)成分(a)成分的有机聚硅氧烷为有机过氧化物硬化反应型硅酮组合物的基质聚合物。 (a)成分的有机聚硅氧烷的聚合度并无特别限定，(a)成分可以使用在25°C下为液状的有机聚硅氧烷至生胶状的有机聚硅氧烷，可以合适地使用平均聚合度优选50 20，000、更优选100 10，000、进一步优选100 2，000左右的有机聚硅氧烷。另外，从易于获取原料的观点来看，(a)成分的有机聚硅氧烷基本上具有分子链包含二有机硅氧烷单元(R12SiOy2 单元)的重复、分子链两末端被三有机硅烷氧基(R13SiCV2)或羟基二有机硅烷氧基((HO) R12SiOl72单元)封链、并且不具有分支的直链结构，或者分子链包含该二有机硅氧烷单元的重复、并且不具有分支的环状结构，也可以局部地含有三官能性硅氧烷单元或SiO2单元等分支状结构。这里，R1如以下将说明的式(1)中所定义。(a)成分例如可以使用下述平均组成式(1)所表示、一分子中具有至少两个烯基的有机聚硅氧烷。R1aSiOi4^72 (1)(式中，R1表示相同或不同种类的未经取代或经取代的碳原子数为1 10、更优选 1 8的一价烃基，R1的50 99摩尔％为烯基，a为1. 5 2. 8、更优选1. 8 2. 5、进一步优选1. 95 2. 05的范围的正数)所述R1的具体例可以举出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；环戊基、环己基等环烷基；乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基等烯基；以氟、溴、氯等卤素原子或氰基等将这些烃基的一部分或全部的氢原子取代而成的基，例如氯甲基、氯丙基、溴乙基、三氟丙基、氰基乙基等，从高纯度的观点来看，优选的是仅以烃基构成。此时，R1中至少两个为烯基(特别是碳原子优选2 8、更优选2 6的烯基)。 此外，烯基的含量在键合于硅原子的所有的有机基中(即，所述平均组成式(1)中R1所表示的未经取代或经取代的所有一价烃基中)优选50 99摩尔％，特别优选75 95摩尔％。 在(a)成分的有机聚硅氧烷具有直链状结构的情况下，该烯基可以仅在分子链末端及非分子链末端的部分的任一部分键合于硅原子，也可以在此两部分键合于硅原子。· · (b)成分(b)成分为在有机过氧化物硬化反应型有机聚硅氧烷组合物中作为用来促进(a) 成分的交联反应的催化剂而使用的有机过氧化物。(b)成分只要可以促进(a)成分的交联反应，则可以使用以前众所周知的有机过氧化物。其具体例可以举出过氧化苯甲酰、过氧化-2，4-二氯苯甲酰、过氧化对甲基苯甲酰、过氧化邻甲基苯甲酰、过氧化-2，4-二异丙苯、 2，5_ 二甲基-双(2，5_叔丁基过氧化)己烷、过氧化-二-叔丁基、过氧苯甲酸第三丁酯、 1，1_双(叔丁基过氧化羧基)己烷等，但不特别限定于这些化合物。(b)成分的添加量是作为用来促进(a)成分的交联反应的催化剂的有效量。可以设定为相对于(a)成分100质量份而优选0. 1 10质量份、更优选0.2 2质量份的范围。 若该添加量为相对于(a)成分100质量份而少于0. 1质量份的量，则直到硬化为止要耗费较长时间，在经济方面不利。另外，若该添加量为相对于(a)成分100质量份而多于10质量份的量，则会产生来源于(b)成分的发泡，进而该硬化反应物的强度及耐热性受到不良影响。· · (c)成分作为任意成分的(C)成分的有机氢化聚硅氧烷含有至少两个(通常为2 200 个)、优选3个以上(通常为3 100个)的键合于硅原子的氢原子(SiH基)。即使单独为(a)成分，也可以通过添加(b)成分并进行加热而硬化，但通过添加(c)成分，与(a)成分单独的情况相比，更易与(a)成分反应，因此能以更低的温度且更短的时间硬化。(c)成分的分子结构并无特别限定，例如线状、环状、分支状、三维网状(树脂状)等以前制造的任意的有机氢化聚硅氧烷均可以用作(c)成分。在(c)成分具有线状结构的情况下，SiH基可以仅在分子链末端及非分子链末端的部分的任一部分键合于硅原子，也可以在此两部分键合于硅原子。另外，一分子中的硅原子的个数(或聚合度)通常为2 300个，优选4 150个左右，在室温(25°C )下为液状的有机氢化聚硅氧烷可以较好地用作(c)成分。(c)成分例如可以使用下述平均组成式( 所表示的有机氢化聚硅氧烷。R2bHcSiO(4_b_c)/2 (2)(式中，R2为相同或不同种类的未经取代或经取代的不含脂肪族不饱和键的碳原子数为1 10、更优选1 8的一价烃基，b及c优选满足0. 7≤b≤2. 1、0. 001≤c≤1. 0 且0. 8≤b+c≤3. 0，更优选满足1. 0≤b≤2. 0、0. 01≤c≤1. 0且1. 5≤b+c≤2. 5的正数)所述R2例如可以举出与所述平均组成式(1)中的R1相同的基(其中烯基除外)。所述平均组成式( 所表示的有机氢化聚硅氧烷的具体例可以举出1，1,3,3-四甲基二硅氧烷、1，3，5，7_四甲基环四硅氧烷、三(氢化二甲基硅烷氧基)甲基硅烷、三(氢化二甲基硅烷氧基)苯基硅烷、甲基氢化环聚硅氧烷、甲基氢化硅氧烷-二甲基硅氧烷环状共聚物、两末端三甲基硅烷氧基封链甲基氢化聚硅氧烷、两末端三甲基硅烷氧基封链甲基氢化硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、两末端甲基氢化硅烷氧基封链二甲基聚硅氧烷、两末端甲基氢化硅烷氧基封链甲基氢化硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、两末端三甲基硅烷氧基封链甲基氢化硅氧烷-二苯基硅氧烷共聚物、两末端三甲基硅烷氧基封链甲基氢化硅氧烷-二苯基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、两末端三甲基硅烷氧基封链甲基氢化硅氧烷-甲基苯基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、两末端甲基氢化硅烷氧基封链甲基氢化硅氧烷-二苯基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、两末端甲基氢化硅烷氧基封链甲基氢化硅氧烷-甲基苯基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、包含(CH3)2HSiCV2单元及(CH3)2SiO272单元以及Si04/2单元的共聚物、包含(CH3)2HSiCV2单元及Si04/2单元的共聚物、包含(CH3)2HSiOl72 单元及Si04/2单元以及(C6H5)3SiOv2单元的共聚物等。(c)成分的添加量为任意的量，可以设定为相对于(a)成分100质量份而优选0 100质量份、更优选0 50质量份的范围。若该添加量为相对于(a)成分100质量份而多于100质量份的量，则会产生来源于(C)成分的发泡，进而该硬化反应物的强度及耐热性受到不良影响。·紫外线硬化性硅酮组合物关于紫外线硬化性硅酮组合物，具体来说，例如可以举出含有以下成分的紫外线硬化性硅酮组合物(d)紫外线反应性有机聚硅氧烷、以及(e)光聚合起始剂。· · (d)成分(d)成分的紫外线反应性有机聚硅氧烷通常在紫外线硬化性硅酮组合物中作为基质聚合物而发挥作用。(d)成分并无特别限定，优选一分子中具有至少两个、更优选2 20 个、特别优选2 10个紫外线反应性基的有机聚硅氧烷。存在于该有机聚硅氧烷中的多个所述紫外线硬化性基可以全部相同，也可以不同。从容易获取原料的观点来看，(d)成分的有机聚硅氧烷基本上具有分子链(主链)包含二有机硅氧烷单元(R12SiO272单元)的重复、分子链两末端被三有机硅烷氧基 (R13SiOl72)封链、并且不具有分支的直链状结构，或者分子链包含该二有机硅氧烷单元的重复、并且不具有分支的环状结构，也可以局部地含有三官能性硅氧烷单元或SiO2单元等分支状结构。这里，R1如对式⑴所述。在⑷成分的有机聚硅氧烷具有直链状结构的情况下，可以仅在分子链末端及非分子链末端的部分的任一部分具有紫外线反应性基，也可以在此两部分具有紫外线反应性基，优选的是至少在分子链两末端具有紫外线反应性基。该紫外线反应性基例如可以举出乙烯基、烯丙基、丙烯基等烯基；乙烯氧基、烯丙氧基、丙烯氧基、异丙烯氧基等烯氧基；丙烯酰基、甲基丙烯酰基等烯基以外的脂肪族不饱和基；环氧基；氢硅烷基等，优选的是举出丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、环氧基以及氢硅烷基，更优选的是举出丙烯酰基以及甲基丙烯酰基。所述有机聚硅氧烷的粘度并无特别限定，在25 °C下优选IOOmPa. s 1，000，OOOmPa. s，更优选 200 500，OOOmPa. s，特别优选 200 100，OOOmPa. S。
(d)成分的一个优选的形态例如可以举出下述通式(3a)或下述通式(3b)所表示
的具有至少两个紫外线反应性基的有机聚硅氧烷。
权利要求
1.一种碳化硅接合体，其特征在于其是含有第1碳化硅构件、第2碳化硅构件、以及插入到第1与第2碳化硅构件之间的碳化硅接合层而形成。
2.根据权利要求1所述的碳化硅接合体，其特征在于构成所述碳化硅接合层的碳化硅的杂质元素的合计含量为Ippm以下。
3.根据权利要求2所述的碳化硅接合体，其特征在于所述杂质元素为i^、Cr、Ni、Al、 Ti、Cu、Na、Zn、Ca、Zr、Mg、B或它们的两种以上的组合。
4.根据权利要求1所述的碳化硅接合体，其特征在于其是通过以下方式而获得使硬化性硅酮组合物以层状而插入到第1碳化硅构件与第2碳化硅构件之间；使该层状的硬化性硅酮组合物硬化；以及在非氧化性环境下对所得的硬化物进行加热分解，使其转化成碳化硅，形成将第1与第2碳化硅构件接合的碳化硅接合层。
5.根据权利要求4所述的碳化硅接合体，其特征在于所述硬化性硅酮组合物为有机过氧化物硬化性硅酮组合物、放射线硬化性硅酮组合物、加成硬化性硅酮组合物或者缩合硬化性硅酮组合物。
6.根据权利要求4所述的碳化硅接合体，其特征在于所述硬化性硅酮组合物为有机过氧化物硬化性硅酮组合物或者放射线硬化性硅酮组合物，构成所述碳化硅接合层的碳化硅的杂质元素为Ippm以下。
7.根据权利要求4所述的碳化硅接合体，其特征在于所述加热分解的温度在超过 1500°C且为2200°C以下的范围内。
8.一种碳化硅接合体的制造方法，其制造权利要求1所述的碳化硅接合体，其特征在于包含使硬化性硅酮组合物以层状而插入到第1碳化硅构件与第2碳化硅构件之间；使该层状的硬化性硅酮组合物硬化；以及在非氧化性环境下对所得的硬化物进行加热分解，使其转化成碳化硅，形成将1与第2 碳化硅构件接合的碳化硅接合层。
9.根据权利要求8所述的碳化硅接合体的制造方法，其特征在于所述硬化性硅酮组合物为有机过氧化物硬化性硅酮组合物、放射线硬化性硅酮组合物、加成硬化性硅酮组合物或者缩合硬化性硅酮组合物。
10.根据权利要求8所述的碳化硅接合体的制造方法，其特征在于所述硬化性硅酮组合物为有机过氧化物硬化性硅酮组合物或者放射线硬化性硅酮组合物。
11.根据权利要求8所述的碳化硅接合体的制造方法，其特征在于所述加热分解的温度在超过1500°C且为2200°C以下的范围内。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于所述硬化性硅酮组合物为含有以下成分的有机过氧化物硬化性硅酮组合物(a)含有至少两个键合于硅原子的烯基的有机聚硅氧烷；以及(b)有机过氧化物；以及(c)作为任意成分的含有至少两个键合于硅原子的氢原子的有机氢化聚硅氧烷相对于硬化性硅酮组合物总体中的烯基每1摩尔，该(c)成分中的键合于硅原子的氢原子的量达到0. 1 2摩尔的量。
13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于所述硬化性硅酮组合物为含有以下成分的紫外线硬化性硅酮组合物(d)紫外线反应性有机聚硅氧烷、以及(e)光聚合起始剂。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述(d)成分的紫外线反应性有机聚硅氧烷为下述通式(3a)所表示的具有至少两个紫外线反应性基的聚有机硅氧烷
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于所述紫外线反应性基为烯基、烯氧基、 丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、环氧基或者氢硅烷基。
16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于所述(d)成分的紫外线反应性有机聚硅氧烷为下述通式(3b)所表示的具有至少两个紫外线反应性基的有机聚硅氧烷，
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于所述紫外线反应性基为烯基、烯氧基、 丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、环氧基或者氢硅烷基。
18.根据权利要求13所述的方法，其特征在于相对于(d)成分100质量份而含有 0.01 10质量份的(e)成分。
19.根据权利要求8所述的方法，其特征在于所述硬化性硅酮组合物为含有以下成分的加成硬化性硅酮组合物(f)含有至少两个键合于硅原子的烯基的有机聚硅氧烷；(g)含有至少两个键合于硅原子的氢原子的有机氢化聚硅氧烷，相对于硬化性硅酮组合物总体中的烯基每1摩尔，该(g)成分中的键合于硅原子的氢原子的量达到0. 1 5摩尔的量；以及(h)钼族金属系催化剂，有效量。
20.根据权利要求8所述的方法，其特征在于所述硬化性硅酮组合物为含有以下成分的缩合硬化性硅酮组合物(i)含有至少两个硅烷醇基或硅原子键合水解性基的有机聚硅氧烷； (j)作为任意成分的水解性硅烷、其部分水解缩合物或它们的组合；以及 (k)作为任意成分的缩合反应催化剂。
全文摘要
本发明提供一种耐热性优良的高纯度的碳化硅接合体及其制造方法。本发明的碳化硅接合体包含设置在碳化硅构件与另一碳化硅构件之间的高纯度碳化硅接合层。该接合体是通过以下方式而获得对使硬化性硅酮组合物插入到两个碳化硅构件之间并硬化而获得的硬化物层在非氧化性环境下进行加热分解，使其添加为碳化硅而予以接合。该接合体的耐热性优良，纯度高。
文档编号C04B35/573GK102574745SQ20108004508
公开日2012年7月11日 申请日期2010年10月7日 优先权日2009年10月9日
发明者青木　良隆 申请人:信越化学工业株式会社