专利名称：导电基板及其制备方法
技术领域：
本公开内容涉及ー种具有形成于 浮法玻璃上的导电图形的导电基板及其制备方法，且更具体而言，涉及ー种导电基板及其制备方法，该方法可以在烧制导电基板的过程中防止在浮法玻璃中出现的变黄现象。
背景技术：
一般而言，广泛用作导电基板的平板玻璃由浮法エ艺制备。由浮法エ艺制得的玻璃通常称为浮法玻璃。图I是显示以典型浮法エ艺制备浮法玻璃的常规方法的示意图。參照图1，使用熔窑10、浮抛窑20和退火窑30进行用于制备浮法玻璃的常规方法。根据该常规方法，玻璃原材料进料到熔窑10中以形成熔融玻璃G。所形成的熔融玻璃G注入到浮抛窑20中。此时，在浮抛窑20中容纳有600 1，050° C的熔融金属M，例如熔融锡(Sn)或熔融锡合金。在熔融金属M上产生包括氢气和/或氮气的还原性气氛，以防止该熔融金属M的氧化。当所述熔融玻璃G连续进料到浮抛窑20中容纳的熔融金属M上吋，比熔融金属M的粘度和重量低的熔融玻璃G漂浮和铺展在该熔融金属M上并流向浮抛窑20的下游。在这ー过程中，所述熔融玻璃G根据其自身的表面张カ和重力而达到一平衡厚度，并形成了固化至一定程度的玻璃条或玻璃帯。该熔融的玻璃带通过邻近浮抛窑20出口的辊被拉向退火窑。在退火窑中冷却的玻璃被切成合适的尺寸，完成了浮法玻璃产品100。同样地，为了通过浮法エ艺制备玻璃，使用容纳有熔融金属M特别是熔融锡的浮抛窑20，因此锡成分存在于浮法玻璃100中。S卩，在浮抛窑20中，浮法玻璃100的下表面直接与熔融锡接触，因此锡成分可能通过所述下表面渗入浮法玻璃100。另外，通过浮抛窑20中的气氛，熔融锡的锡成分也可能通过浮法玻璃100的上表面渗入浮法玻璃100。渗入浮法玻璃100的锡成分可能扩散，因此该浮法玻璃100中可能含有I 1，OOOppm或更多的锡成分。然而，在锡成分扩散到浮法玻璃100中的情形中，如果将导电浆料(例如银浆料)印刷在浮法玻璃100的表面上，然后烧制，则在该浮法玻璃100中可能出现变黄现象。更具体地，在熔融锡上制备浮法玻璃100的过程中，锡(Sn°)被以非常少的量存在的氧气氧化，并通过与玻璃中Na+的离子交換反应以Sn2+的形式渗入该玻璃。此处，Sn2+的渗入速率要比Sn°或Sn4+高得多。然而，像以上那样开始渗入的Sn2+可能通过与玻璃中存在的Fe3+发生氧化还原反应而转变成 Sn4+(Journal of Non-Crystalline Solids, 2001，282，188)。
像这样，所述浮法玻璃100表面上的锡成分基本上以Sn2+的形式存在，而非常少量的锡成分以Sn°或Sn4+的形式存在。此处，在钠钙玻璃的情形中，基于和熔融锡接触的玻璃表面，Sn2+ 的扩散深度可以达到约 20um。(J. Noncryst. Solids, 2000, 265，133-142)。当在其上扩散有Sn2+的玻璃表面上由导电浆料形成导电图形，并进行高温烧制以固定该导电图形时，扩散到玻璃表面上的Sn2+和在烧制过程中产生的导电浆料中金属粉末的离子发生反应。例如，在通过使用(Ag)粉作为金属粉末Ag+是该金属粉末的离子的情形中，Sn2和Ag+根据下面反应式(I)进行反应。反应式(I)Sn2++2Ag+— Sn4++2Ag°; nAg° <-^· (Ag0)11通过上述反应，Ag+被还原成Ag°胶体粒子且变成黄棕色，这也称为变黄现象。
变黄现象不仅出现在银粉中而且也发生在含有另外的金属粉末的导电浆料中。用作导电浆料的另外的金属粉末的代表性例子可以包括铜粉。在由含有铜粉的导电浆料形成导电图形的情形中，铜可以与熔融锡的锡成分根据下面反应式(2)进行反应且可能具有红宝石色。反应式(2)Sn2.+2Cu. — Sn4++2Cu°; nCu° ^ (Cu0)n在光谱上红宝石色显示由游离铜离子产生的约450nm处的吸收光谱和由(Cu°)n_米晶体产生的约 570nm 处的吸收光谱(ref. J. Noncryst. Solids, 2006, 35, 534)。像这样，在导电基板的制备过程中，由于包含在所述浮法玻璃100中的锡成分而可能出现变黄现象，且这种变黄现象可能导致浮法玻璃100的透光率减小。结果，浮法玻璃100的质量和使用该浮法玻璃100的导电基板可能劣化。
发明内容
技术问题本公开内容的目的是解决现有技术的问题，因此本公开内容的ー个目的是提供一种导电基板及其制备方法，在该方法中即使当首先在由浮法エ艺制得的浮法玻璃上形成导电图形，然后进行烧制エ序时，在浮法玻璃中也不会出现变黄现象。本公开内容的其它目的和优点将通过下面的描述被理解，且从在此阐明的本公开内容的实施方案将变得更显而易见。也将显而易见的是，本公开内容的目的和优点可以通过权利要求所限定的方式及其组合而易于表现出来。技术方案在ー个方面中，根据本公开内容的用于制备导电基板的方法包括通过将熔融玻璃注入到浮抛窑中容纳的熔融锡上来制备浮法玻璃；将不接触所述熔融锡的浮法玻璃的上表面除去预定厚度；和在除去了预定厚度的浮法玻璃的上表面上形成导电图形。优选地，在所述浮法玻璃的上表面的除去中，将浮法玻璃的上表面除去5um或小于5um的厚度。还优选地,所述浮法玻璃的上表面的除去通过研磨(grinding)、磨光(lapping)、抛光、复合抛光(compounding polishing)、等离子蚀刻或离子束蚀刻进行。另外优选地，所述浮法玻璃的上表面的除去通过湿法蚀刻或干法蚀刻进行。
进ー步优选地，所述湿法蚀刻使用包含选自氢氟酸、盐酸、硫酸和硝酸中的至少ー种的蚀刻溶液来进行。还优选地，在所述导电图形的形成中，通过使用胶版印刷、喷墨印刷、丝网印刷或凹版印刷来印刷导电浆料而形成导电图形。进ー步优选地，所述导电浆料包含选自铜、银、金、鉄、镍和铝中的至少ー种。另外优选地，所述方法还包括在形成导电图形后对浮法玻璃进行烧制。在另一方面中，根据本公开内容的制备浮法玻璃的方法包括通过将熔融玻璃注入到浮抛窑中容纳的熔融锡上而形成玻璃带；在所述浮抛窑外冷却上述玻璃带；和将在形成玻璃带的过程中不接触熔融锡的冷却的玻璃带的上表面除去预定厚度。优选地，在所述上表面的除去中，将冷却的玻璃带的上表面除去5um或小于5um的厚度。 在另一方面中，根据本公开内容的导电基板包括浮法玻璃，该浮法玻璃是通过将熔融玻璃注入到浮抛窑中容纳的熔融锡上而制得的，并且具有除去了预定厚度的不接触熔融锡的上表面；和导电图形，该导电图形形成于所述浮法玻璃的上表面上。优选地,将所述浮法玻璃的上表面除去5um或小于5um的厚度。在另一方面中，根据本公开内容的显示装置包括上述导电基板。在又一方面中，根据本公开内容的浮法玻璃是通过将熔融玻璃注入到浮抛窑中容纳的熔融锡上而制得，并且具有除去了预定厚度的不接触熔融锡的上表面。优选地,所述预定厚度为5um或小于5um。有益效果根据本公开内容，通过切掉扩散有所述锡成分的区域，从由浮法エ艺制备的浮法玻璃中除去了该锡成分。从而，当首先在浮法玻璃上形成导电图形井随后烧制时，可以防止浮法玻璃中出现变黄现象。特别地，根据本公开内容，所述浮法玻璃分成下表面，该下表面直接接触浮抛窑中的熔融锡；和上表面，该上表面不直接接触所述熔融锡，使得该浮法玻璃的上表面被除去预定厚度。扩散到浮法玻璃的上表面中的锡成分的量比直接接触熔融锡的下表面中的锡成分的量少。因此，当切割所述浮法玻璃的上表面吋，即使当将浮法玻璃的上表面除去较小的厚度(例如5um或小于5um的厚度)吋，仍可以基本上除去导致变黄现象的锡成分。而且，仅将浮法玻璃除去较小的厚度就足够了，从而使得可以显著减少为了除去锡成分而切割浮法玻璃所需要的成本和时间。像这样，当从扩散有锡成分的浮法玻璃的整个上表面中将该浮法玻璃的上表面除去预定厚度时，在得到的浮法玻璃的上表面上形成导电图形，即使当所述浮法玻璃在高温下和低温下进行烧制エ序时，也可以有效地防止变黄现象出现。结果，可以防止由于变黄现象而导致的浮法玻璃的透光率降低，从而可以显著改善浮法玻璃和使用该浮法玻璃的导电基板的产率和质量。
本公开内容的其它目的和方面将从下面參照附图的实施方案的描述中变得显而易见，其中
图I是显示通过典型浮法エ艺制备浮法玻璃的常规方法的示意图；图2是显示根据本公开内容的优选实施方案的导电基板的结构的示意图；图3是显示由浮法エ艺制备的浮法玻璃中含有锡成分的情形的示意图；图4是显示根据本公开内容的优选实施方案制备导电基板的方法的示意流程图；图5是显示根据本公开内容的优选实施方案制备浮法玻璃的方法的示意流程图；以及图6是显示根据本公开内容的优选实施方案的实施例中和对比例中的导电基板的透光率的图。
具体实施方式
在下文中，将參照附图详细描述本公开内容的优选实施方案。在描述之前，应该理解在说明书和所附权利要求中使用的术语不应解释为限于一般含义和字典含义，而应当根据允许发明人为了最好地说明而适当地定义术语的原则，基干与本公开内容的技术方面相应的含义和概念来解释。因此，此处给出的描述仅是用于说明目的的优选实施例，而不是用来限制本公开内容的范围，因此应该理解，在不背离本公开内容的精神和范围的情况下，可以进行其它等同和修改。根据本公开内容的导电基板包括浮法玻璃，该浮法玻璃通过浮法エ艺制得且具有除去了预定厚度的上表面；和导电图形，该导电图形设置在上述浮法玻璃的上表面上。图2是显示根据本公开内容的优选实施方案的导电基板的结构的示意图。像典型的浮法玻璃一祥，浮法玻璃100由如图I所示的浮法エ艺制得。由该浮法エ艺制得的浮法玻璃100是ー种平板玻璃，它的横截面可以如图2(a)所示。所述平板玻璃100的厚度可以为O. 5 5mm，但本公开内容不特别限于此厚度。而且，所述浮法玻璃100的组成可以改变。在所述浮法玻璃100以上述方式通过浮法エ艺制得后，将该浮法玻璃100的上表面T除去如由图2(b)中的虚线所示的预定厚度D。此处，当由浮法エ艺制备浮法玻璃100时，该浮法玻璃100的上表面T是不直接接触浮抛窑中容纳的熔融锡的表面。S卩，所述浮法玻璃100是通过使熔融玻璃漂浮在浮抛窑中容纳的熔融锡上制得的。此处，所述浮法玻璃100的下表面B直接接触熔融錫，而所述上表面T不宣接接触熔融錫。因此，根据本公开内容，将不直接接触熔融锡的浮法玻璃100的上表面T除去预定厚度D。在本公开内容中，所述浮法玻璃100的上表面T而不是下表面D被除去预定厚度D的原因是，因为在该浮法玻璃100的下表面B和上表面T之间的锡成分的量存在差异。
图3是显示由浮法エ艺制备的浮法玻璃100中包含锡成分的情形的示意图。如上所述，在由浮法エ艺制备的玻璃中可能包含Snc^P Sn4+形式的锡成分，但由于主要被包含的锡成分是Sn2+，所以在图3中仅显示Sn2+。參照图3，由于浮法玻璃100的下表面B直接接触浮抛窑中的熔融锡，所以该下表面B包含较大量的锡成分。相反，浮法玻璃100的上表面T不宣接接触熔融锡，锡成分仅可以通过浮抛窑中的气氛渗入上表面T。結果，该上表面T包含较少量的锡成分。在根据本公开内容在导电基板中包括的浮法玻璃100中，扩散有较大量锡成分的浮法玻璃100的下表面B没有被除去，但如图2中的虚线所示，扩散有少量锡成分的上表面T被除去。因此，当在浮法玻璃100的上表面上形成导电图形200时，即使切掉相当小的厚度，也可以达到基本上除去可能导致变黄现象的锡成分的效果。优选地，将所述浮法玻璃100的上表面T除去5um或小于5um的厚度。当由浮法工艺制备所述浮法玻璃100时，所述锡成分可以在该浮法玻璃100的下表面B中扩散至20um或大于20um的深度，而所述锡成分在该浮法玻璃100的上表面T中仅扩散至5um或小于5um的深度。根据本公开内容的导电基板的浮法玻璃100的上表面T以上述方式被除去，因此即使当该上表面T被除去了 5um或小于5um的厚度时，也可以防止变黄现象。像这样，根据本公开内容，仅通过切掉小厚度来对所述浮法玻璃100进行除去，从而，可以显著降低为防止发黄现象而除去锡成分所需的成本和时间。
如图2(c)中所示，所述导电图形200形成于除去了预定厚度的浮法玻璃100的上表面T上。此处，所述导电图形200可以由包含选自铜、银、金、铁、镍和铝中的至少一种作为导电材料的导电浆料来形成。根据本公开内容的导电基板可以用作加热部件或电磁波屏蔽滤波器。因此，所述导电图形200可以是导电加热图形或电磁波屏蔽导电图形200。然而，本公开内容对于导电图形200的类型没有特别限制。此处，所述加热部件可以用作用于建筑物或汽车的玻璃。例如，所述加热部件可以用作用于建筑物或汽车的窗户，当对该加热部件施加电力时该导电图形产生热量。当所述加热部件用作用于建筑物或汽车的玻璃时，还可以包括单独的玻璃基板。所述电磁波屏蔽滤波器还可以包括接地。此处，所述接地可以设置在浮法玻璃100的上表面T上，该浮法玻璃100的上表面T为除去锡成分而被切去了预定厚度，且所述接地可以被设置成环绕导电图形的周围。而且，所述电磁波屏蔽滤波器可以包括在滤光器中。此处，所述滤光器可以还包括功能膜。所述滤光器的例子可以包括防反射膜、近红外线屏蔽膜和色彩补偿膜。像这样，当还包括所述功能膜时，所述滤光器可以包括选自电磁波屏蔽滤波器、防反射膜、近红外线屏蔽膜和色彩补偿膜中的至少一种。而且，除了上述功能膜之外，根据设计规格，所述滤光器可以还包括其它类型的功能膜。根据本公开内容的显示装置可以包括上述导电基板。具体地，根据本公开内容的显示装置可以包括导电屏蔽滤波器作为导电基板。此处，电磁波屏蔽滤波器可以独立地附着于显示装置，或者包括电磁波屏蔽滤波器的滤光器可以附着于显示装置。像这样，根据本公开内容的导电基板可以包括在各种类型的显示装置中，例如等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、阴极射线管(CRT)等。同时，所述等离子体显示面板可以包括两块面板。在此种情形下，根据本公开内容的电磁波屏蔽滤波器可以附着在面板的一面上。而且，除了电磁波屏蔽滤波器之外，所述等离子体显示面板可以还包括至少一种功能膜。图4是显示根据本公开内容的优选实施方案制备导电基板的方法的示意流程图。参照图4，根据本公开内容的制备所述导电基板的方法，浮法玻璃100由典型的浮法制得(SllO)。即，如图I所示，所述浮法玻璃100是通过将熔融玻璃注入到浮抛窑中容纳的熔融锡上以漂浮在其上而制得。在该浮法玻璃100的上表面T和下表面B中含有锡成分。接下来，该浮法玻璃100的上表面T不直接接触浮抛窑中的熔融锡，该上表面T被除去预定厚度D(S120)。此处，在步骤S120中浮法玻璃100的上表面T而不是直接接触浮抛窑中的熔融锡的下表面B被除去，其原因已经在上文作了描述。此处，在所述步骤S120中，优选浮法玻璃100的上表面T被除去5um或小于5um的厚度。在根据本公开内容制备导电基板的方法中，切割和除去其中扩散有较少量锡成分的浮法玻璃100的上表面T，因此，即使该上表面T被除去了 5um或小于5um的厚度，也可以有效地除去导致变黄现象的锡成分。相反，如果浮法玻璃100的下表面B被切去，则为了基本上除去导致变黄现象的锡成分，该浮法玻璃100的下表面B必须被除去较大的厚度(例如，30um或大于30um的厚度)。在此种情形下，不仅需要更多的成本和时间以切割浮法玻璃100，而且该浮法玻璃100的厚度也减小。
同时，所述步骤S120可以通过使用研磨机研磨、磨光、抛光、复合抛光、等离子蚀刻或离子束蚀刻来进行。而且，在所述步骤S120中，可以通过化学方法或物理方法除去其中扩散有锡成分的浮法玻璃100的上表面T。一般地，在步骤S120中，上表面T可以通过湿法蚀刻工艺或干法蚀刻工艺来除去。此处，所述湿法蚀刻工艺可以使用含有选自氢氟酸、盐酸、硫酸和硝酸中的至少一种的蚀刻溶液来进行。例如，所述蚀刻溶液可以通过混合50%酸溶液和50%去离子水来制备，所述酸溶液含有95%HCL和5%HF。而且，当使用含有HF的蚀刻溶液时，例如在HF = H2O中和在HF:HC1:H20中，该蚀刻溶液可以含有I 90wt%HF。在浮法玻璃100的上表面T被除去预定厚度之后，在该浮法玻璃100的上表面T上形成导电图形200(S130)。优选地，在所述步骤S130中，导电图形200可以通过采用胶版印刷、喷墨印刷、丝网印刷或凹版印刷来印刷导电浆料而形成导电图形200。更优选地，所述导电浆料可以包含选自铜、银、金、铁、镍和铝中的至少一种金属粉末作为导电材料。而且，除了上述导电材料之外，所述导电浆料可以还包含有机粘合剂和/或玻璃粉。优选地，所述有机粘合剂可以在烧制过程中挥发。当所述导电浆料中包含这样的有机粘合剂时，可以更有利于该导电浆料的印刷过程。此处，有机粘合剂的例子可以包括聚丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂、聚烯烃树脂、聚碳酸酯树脂、纤维素树脂、聚酰亚胺树月旨、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂(polyethylene naphthalate resin)和改性环氧树脂,但本公开内容不限于此。当所述导电浆料还包含玻璃粉时，可以增强该导电浆料和浮法玻璃100之间的粘合。此处，所述玻璃粉可以是本领域中熟知的任何一种玻璃粉，且本公开内容没有特别限制该玻璃粉的类型。而且，所述导电浆料可以还包含溶剂。该溶剂的例子可以包括二甘醇一丁醚乙酸酯、二甘醇一乙醚乙酸酯、环己酮、乙酸溶纤剂和松油醇，但本公开内容没有特别限制该溶剂的类型。例如，所述导电浆料可以通过将导电材料、有机粘合剂和玻璃粉分散在溶剂中而制得。更具体地，通过将有机粘合剂溶解在溶剂中而制得有机粘合剂树脂溶液，将玻璃粉加入到得到的混合物中，将金属粉末(例如铜、银、金、铁、镍或铝粉末)作为导电材料加入到得到的混合物中并对其进行混合，然后通过三辊研磨机对得到的金属粉末和玻璃粉的混合物进行均匀分散，从而制得所述导电浆料。在本公开内容中，当使用包含导电材料、有机粘合剂、玻璃粉和溶剂的导电浆料时，该导电浆料可以包含50 90wt%导电材料、I 20wt%有机粘合剂、O. I 10wt%玻璃粉和I 20wt%溶剂。同时，如图4所示，所述制备导电基板的方法可以还包括对形成于浮法玻璃100的上表面T上的导电图形200进行烧制(S140)。
此处，烧制温度可以是400 700° C。特别是，当所述导电浆料中含有玻璃粉且在400 700° C的温度下进行烧制时，所述玻璃粉被软化，从而增强了导电图形200和该浮法玻璃100之间的粘合。否则，如果烧制在400° C或低于400° C的温度下进行，例如，导电浆料中含有的金属粉末(例如银成分)可能熔融并融合到浮法玻璃100上，这是有问题的。而且，当导电浆料中含有玻璃粉时，该玻璃粉可能不会完全熔融，且可能除不掉有机物质，从而降低银和玻璃之间的粘合。当烧制在700° C或高于700° C的温度下进行时，由于浮法玻璃100表面的弯曲或不均匀性，该浮法玻璃100可能出现例如应变点的变形，因此，变形的浮法玻璃100可能不适合于显示装置。根据本公开内容的制备导电基板的方法可以还包括使形成于浮法玻璃100的上表面T上的导电图形200黑化。当包含金属粉末的导电浆料在高温下烧制时，由于光的反射而显示出金属光泽，从而降低了能见度。然而，当使导电图形200黑化时，上述问题可以得到解决。为了使导电图形200黑化，可以在用于形成图形的导电浆料中加入黑化材料，或者可以在印刷和烧制之后使导电浆料黑化。加入到导电浆料中的黑化材料的例子可以包括金属氧化物、炭黑、碳纳米管、黑色颜料和有色玻璃粉等。此处，所述导电浆料可以优选包含50 90wt%导电加热材料、I 20wt%有机粘合剂、I 10wt%黑化材料、O. I 10wt%玻璃粉和I 20wt%溶剂。当在烧制工序之后进行黑化处理时，所述导电浆料可以优选包含50 90wt%导电材料、I 20wt%有机粘合剂、O. I 10被％玻璃粉和I 20wt%溶剂。在烧制工序之后的黑化处理可以通过如下来进行将导电图形浸溃在氧化溶液(例如，含有Fe或Cu离子的溶液)中，将导电图形浸溃在含有卤素离子(例如氯离子)的溶液中，将导电图形浸溃在过氧化氢或硝酸中，或者使用卤素气体处理导电图形。同时，根据本公开内容，在制得浮法玻璃100之后，在制备导电基板的过程中浮法玻璃100的上表面T可以被除去。或者，在制备浮法玻璃100的过程中浮法玻璃100的上表面T可以被除去。即，根据本公开内容，浮法玻璃100的成品可以被切割并用于制备导电基板，或者上表面T被除去的浮法玻璃100的成品可以用于制备导电基板。根据本公开内容的浮法玻璃100由浮法工艺制备，其中将熔融玻璃注入到浮抛窑中容纳的熔融锡上，和将不直接接触熔融锡的浮法玻璃100的上表面T除去预定厚度D。此处，所述浮法玻璃100的上表面T可以被除去5um或小于5um的厚度。图5是显示根据本公开内容的优选实施方案制备浮法玻璃的方法的示意流程图。参照图5，根据本公开内容的制备浮法玻璃的方法，通过将熔融玻璃注入到浮抛窑中容纳的熔融锡上来形成玻璃带(S210)。接着，在上述浮抛窑外冷却在该浮抛窑中形成的玻璃带(S220)。然后将该冷却的玻璃带的上表面T除去预定厚度，所述上表面T不直接接
此处,在所述步骤S230中，玻璃带的上表面T可以被除去5um或小于5um的厚度。而且，所述步骤S230可以通过研磨、磨光、抛光、复合抛光、等离子蚀刻或离子束蚀刻来进行。另外，所述步骤S230可以通过湿法蚀刻或干法蚀刻来进行。下文，将参考实施例和对比例更详细地描述本公开内容。即，当使用其上表面T被除去预定厚度D的浮法玻璃100来制备导电基板时，防止变黄现象的效果将通过实施例和对比例来检测。然而，本公开内容的实施例可以以许多不同的形式来具体化，而不应该解释为限于此处列举的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开内容全面和完整，并且这些实施例会将本公开内容的概念充分地传达给本领域技术人员。实施例作为根据本公开内容的实施例，制备四片相同尺寸的浮法玻璃。使用含有重量比为1:10的HF和H2O的蚀刻溶液对每片浮法玻璃的上表面进行蚀刻，从而切去该浮法玻璃的上表面约4. 2um的厚度。接着，使用网状图形的掩膜和Ag浆料在除去上表面的每块浮法玻璃上形成导电图形，然后分别在620° C、650° C、680° C和700° C下对四片浮法玻璃进行烧制。此后，由这四片浮法玻璃测量420nm波长处的透光率，其结果示于图6。对比例作为用于和上述实施例对比的对比例，制备四片和上述实施例尺寸相同的浮法玻璃，而在这些浮法玻璃上不进行蚀刻。像上述实施例一样，使用网状图形的掩膜和Ag浆料，在每片浮法玻璃上形成导电图形，然后分别在620° C、650° C、680° C和700° C下对四片浮法玻璃进行烧制。此后，由这四片浮法玻璃测量420nm波长处的透光率，其结果示于图6。参照图6，在根据本公开内容实施例的导电基板的情形中，由在620° C，、650° C、680° C和700° C下烧制后的所有导电基板测得的420nm波长处的透光率是60%或高于60%。相反，在根据对比例的导电基板的情形中，与本公开内容的实施例相比，在620° C的烧制温度下透光率没有显著改变，但当烧制温度升高时透光率显著降低。当烧制温度升高时对比例的导电基板的透光率显著降低的原因是，当烧制温度逐渐从620° C升高到650° C、680° C和700° C时，在对比例的导电基板中包括的浮法玻璃中变黄现象增加。相反，在根据本公开内容的实施例的导电基板的情形中，在浮法玻璃中几乎没有出现变黄现象，因此即使当烧制温度升高时透光率也没有显著差异。因此，从实施例和对比例的对比可以看出，当根据本公开内容的方法制备浮法玻璃和导电基材时，可以有效地防止变黄现象。已经对本公开内容作了详细描述。然而，应该理解，由于在本公开内容的精神和范围内的各种改变和修改对于本领域技术人员来说从该详细描述中将变得显而易见的，所以在说明本公开内容的优选实施方案时上述详细描述和具体实施例仅通过举例说明的方式
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口 ED ο权利要求
1.ー种制备导电基板的方法，所述方法包括 通过将熔融玻璃注入到浮抛窑中容纳的熔融锡上来制备浮法玻璃； 将不接触所述熔融锡的浮法玻璃的上表面除去预定厚度；和 在除去了预定厚度的浮法玻璃的上表面上形成导电图形。
2.根据权利要求I所述的方法，其中，在所述浮法玻璃的上表面的除去中，将所述浮法玻璃的上表面除去5um或小于5um的厚度。
3.根据权利要求I所述的方法，其中，所述浮法玻璃的上表面的除去通过研磨、磨光、抛光、复合抛光、等离子蚀刻或离子束蚀刻进行。
4.根据权利要求I所述的方法，其中，所述浮法玻璃的上表面的除去通过湿法蚀刻或干法蚀刻进行。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述湿法蚀刻使用包含选自氢氟酸、盐酸、硫酸和硝酸中的至少ー种的蚀刻溶液来进行。
6.根据权利要求I所述的方法，其中，在所述导电图形的形成中，通过使用胶版印刷、喷墨印刷、丝网印刷或凹版印刷来印刷导电浆料而形成所述导电图形。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述导电浆料包含选自铜、银、金、鉄、镍和铝中的至少ー种。
8.根据权利要求I所述的方法，还包括在所述导电图形形成之后对浮法玻璃进行烧制。
9.一种制备浮法玻璃的方法，所述方法包括 通过将熔融玻璃注入到浮抛窑中容纳的熔融锡上来形成玻璃带； 在所述浮抛窑外冷却上述玻璃带；和 将冷却的玻璃带的上表面除去预定厚度，该上表面在形成玻璃带的过程中不接触熔融锡。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述上表面的除去中，将冷却的玻璃带的上表面除去5um或小于5um的厚度。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述上表面的除去通过研磨、磨光、抛光、复合抛光、等离子蚀刻或离子束蚀刻进行。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述上表面的除去通过湿法蚀刻或干法蚀刻进行。
13.—种导电基板,包括 浮法玻璃，该浮法玻璃是通过将熔融玻璃注入到浮抛窑中容纳的熔融锡上而制得的，并且具有除去了预定厚度的不接触所述熔融锡的上表面；和导电图形，该导电图形形成于所述浮法玻璃的上表面上。
14.根据权利要求13所述的导电基板，其中，所述浮法玻璃的上表面被除去5um或小于5um的厚度。
15.根据权利要求14所述的导电基板，其中，所述导电图形是由包含选自铜、银、金、铁、镍和铝中的至少ー种的导电浆料形成的。
16.一种显示装置，该显示装置包括权利要求13所述的导电基板。
17.—种浮法玻璃，该浮法玻璃是通过将熔融玻璃注入到浮抛窑中容纳的熔融锡上而制得的，并且具有除去了预定厚度的不接触所述熔融锡的上表面。
18.根据权利要求17所述的浮法玻璃，其中，所述预定厚度为5um或小于5um。
全文摘要
本发明公开了一种具有形成于浮法玻璃上的导电图形的导电基板及其制备方法，该制备方法可以防止在烧制导电基板的过程中浮法玻璃中出现变黄现象。根据本发明的制备导电基板的方法包括通过将熔融玻璃注入到浮抛窑中容纳的熔融锡上来制备浮法玻璃，将不接触所述熔融锡的浮法玻璃的上表面除去预定厚度，和在除去了预定厚度的浮法玻璃的上表面上形成导电图形。
文档编号C03B18/02GK102686523SQ201080044418
公开日2012年9月19日 申请日期2010年7月20日 优先权日2009年8月7日
发明者全相起, 崔贤, 朴钟昱, 金昭沅, 金相澔 申请人:Lg化学株式会社