专利名称：改良的硅片收集装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种收集装置，特别涉及一种硅片的收集装置，属于硅片加工设备的技术领域。
背景技术：
硅片加工过程中，通过线切割将硅棒加工成硅片。切割后的硅片通过收集装置收集。现有技术中的收集装置包括收集槽，收集过程中，硅片下落时会相互挤压重叠，拾取时容易使娃片表面受:损，从而影响娃片加工质量。近来出现了一种收集装置，包括收集槽，其中收集槽上设有出风装置，当硅片落下来时可以吹出气体，对硅片进行缓冲。但是其出风装置的出风口端头位于收集装置内，也会对下落中的娃片造成损坏。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对以上弊端提供一种新型的硅片收集装置。为解决上述技术问题，本发明的技术方案是一种改良的硅片收集装置，包括收集槽，其中，所述收集槽两壁中各设有一空腔，所述空腔外壁上设有出风装置，内壁均匀设有若干纵向通孔。上述一种改良的硅片收集装置，其中，所述的出风装置内置一定时控制阀。本发明的有益效果为当硅片落下来时，可通过出风装置喷出气体，从各纵向通孔中均匀吹出，对硅片进行缓冲，使硅片可缓慢下降，又不会对硅片造成损坏，从而保证了硅片的质量，节省了人工。两臂的出风装置通过设定定时控制阀分时段分别出风，可以使硅片较为均匀的落在收集槽中，避免了空间浪费，节省了人工。
图1为本发明的结构示意图
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步说明。如图所示，本发明包括收集槽1，其中，所述收集槽I两壁中各设有一空腔3，所述空腔3外壁上设有出风装置41、42，内壁均匀设有若干纵向通孔2。当硅片落下来时，可通过出风装置41、42喷出气体，从各纵向通孔2中均匀吹出，对硅片进行缓冲，使硅片可缓慢下降，又不会对硅片造成损坏，从而保证了硅片的质量，节省了人工。同时，出风装置41、42内置一定时控制阀51、52，通过设定定时控制阀51、52实现分时段分别出风，可以使硅片较为均匀的落在收集槽中，避免了空间浪费，节省了人工。
权利要求
1.一种改良的硅片收集装置，包括收集槽，其特征为，所述收集槽两壁中各设有一空腔，所述空腔外壁上设有出风装置，内壁均匀设有若干纵向通孔。
2.如权利要求1所述的一种改良的硅片收集装置，其特征为，所述的出风装置内置一定时控制阀。
全文摘要
本发明涉及一种新型的硅片收集装置，包括收集槽，其中，所述收集槽两壁中各设有一空腔，所述空腔外壁上设有出风装置，内壁均匀设有若干纵向通孔，且所述的出风装置内置一定时控制阀。两壁的出风装置通过设定定时控制阀分时段分别出风，可以使硅片较为均匀的落在收集槽中，避免了空间浪费，当硅片落下来时，可通过出风装置喷出气体，从各纵向通孔中均匀吹出，对硅片进行缓冲，使硅片可缓慢下降，又不会对硅片造成损坏，从而保证了硅片的质量，节省了人工。
文档编号B28D5/04GK103042615SQ20121057248
公开日2013年4月17日 申请日期2012年12月26日 优先权日2012年12月26日
发明者聂金根 申请人:镇江市港南电子有限公司