一种高效多晶硅截断切片装置的制作方法

本实用新型涉及一种切割装置，特别涉及一种高效多晶硅截断切片装置。

背景技术：

目前，多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用，但是行业内多晶硅的切片还面临着很多问题。为此，我们提出一种高效多晶硅截断切片装置。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的在于提供一种高效多晶硅截断切片装置，通过设置的加热轮和张紧轮能够使多晶硅的切片更加高效，避免由于张力不足而产生的跳线情况，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：

一种高效多晶硅截断切片装置，包括切割室、加热室、放线轮、砂浆喷头、升降杆、液压升降装置、切割线和砂浆输送管，所述切割室一侧设置有加热室，所述加热室一侧设置有放线轮，所述切割室下端设置有砂浆池，所述砂浆池内部设置有砂浆输送管，所述砂浆输送管顶端连接有砂浆喷头，所述放线轮上侧设置有液压升降装置，所述液压升降装置上端连接有升降杆，所述升降杆下侧设置有树脂垫条，所述液压升降装置一侧设置有加热轮，所述加热轮上侧设置有切割线所述加热轮一侧设置有收线轮，所述所述加热轮之间设置有收料盒，所述收料盒下侧设置有张紧轮。

进一步地，所述升降杆上侧设置有顶盖。

进一步地，所述切割室底端设置有支腿。

进一步地，所述切割室另一侧设置有控制柜。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：通过设置的加热轮够使多晶硅的切片更加高效，通过设置的张紧轮能够避免由于张力不足而产生的跳线情况，通过设置的加热室可以对切割线进行预热，通过设置的液压升降装置能够很好的对升降杆进行升降操作，使加工过程能够平稳进行，通过设置的砂浆喷头能够在切割过程中起到增大切割摩擦力的效果，通过设置的顶盖能够避免外界杂物对加工过程的干扰，通过设置的支腿能够提高装置的稳定性，通过设置的控制柜能够对切割过程进行监控和操作。

【附图说明】

图1为本实用新型高效多晶硅截断切片装置的整体结构示意图。

图2为本实用新型高效多晶硅截断切片装置的切割线结构示意图。

图中：1、切割室；2、加热室；3、放线轮；4、顶盖；5、砂浆喷头；6、树脂垫条；7、升降杆；8、加热轮；9、液压升降装置；10、收线轮；11、支腿；12、控制柜；13、切割线；14、收料盒；15、张紧轮；16、砂浆池；17、砂浆输送管。

【具体实施方式】

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

如图1-2所示，一种高效多晶硅截断切片装置，包括切割室1、加热室2、放线轮3、砂浆喷头5、升降杆7、液压升降装置9、切割线13和砂浆输送管17，所述切割室1一侧设置有加热室2，所述加热室2一侧设置有放线轮3，所述切割室1下端设置有砂浆池16，所述砂浆池16内部设置有砂浆输送管17，所述砂浆输送管17顶端连接有砂浆喷头5，所述放线轮3上侧设置有液压升降装置9，所述液压升降装置9上端连接有升降杆7，所述升降杆7下侧设置有树脂垫条6，所述液压升降装置9一侧设置有加热轮8，所述加热轮8上侧设置有切割线13，所述加热轮8一侧设置有收线轮10，所述所述加热轮8之间设置有收料盒14，所述收料盒14下侧设置有张紧轮15。

本实用新型高效多晶硅截断切片装置，通过设置的加热轮8够使多晶硅的切片更加高效，通过设置的张紧轮15能够避免由于张力不足而产生的跳线情况，通过设置的加热室2可以对切割线13进行预热，通过设置的液压升降装置9能够很好的对升降杆7进行升降操作，使加工过程能够平稳进行，通过设置的砂浆喷头5能够在切割过程中起到增大切割摩擦力的效果，通过设置的顶盖4能够避免外界杂物对加工过程的干扰，通过设置的支腿11能够提高装置的稳定性，通过设置的控制柜12能够对切割过程进行监控和操作。

其中，所述升降杆7上侧设置有顶盖4，能够避免外界杂物对加工过程的干扰。

其中，所述切割室1底端设置有支腿11，能够提高装置的稳定性。

其中，所述切割室1另一侧设置有控制柜12，能够对切割过程进行监控和操作。

需要说明的是，本实用新型为一种高效多晶硅截断切片装置，工作时，通过设置的加热轮8够使多晶硅的切片更加高效，通过设置的张紧轮15能够避免由于张力不足而产生的跳线情况，通过设置的加热室2可以对切割线13进行预热，通过设置的液压升降装置9能够很好的对升降杆7进行升降操作，使加工过程能够平稳进行，通过设置的砂浆喷头5能够在切割过程中起到增大切割摩擦力的效果。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。