专利名称：使用不同温度的液体通过湿法加工制造电子元件的方法
技术领域：
本发明涉及湿法加工制造电子元件和电子元件前体，如集成电路中使用的半导体晶片的方法。更具体地说，本发明涉及使用不同温度的液体制造电子元件前体。
典型的湿法加工技术中，电子元件前体可以在全流容器(一种与环境隔离的容器)、单个的槽、小型湿式工作台、传统湿式工作台，或池中进行处理。典型的湿法加工技术中，电子元件前体与反应性化学加工液体接触以除去(如净化)电子元件前体上的污染物，或浸蚀部分表面。净化或浸蚀后，化学物质会附着在电子元件前体的表面。在下一步反应性化学加工液体与电子元件前体接触之前一般需除去附着的化学物质，使得残余化学物质不污染下一步反应性化学物质的加工过程。通常采用去离子水淋洗去除附着的化学物质。
化学处理步骤完成之后，晶片一般要干燥。电子元件前体的干燥一般有多种方法，目标是干燥过程中不产生污染物。晶片干燥的方法包括蒸发，旋转式干燥器的离心力，蒸汽或化学干燥，也包括如USP4,778,532和4,911,761提供的方法和设备。
有效的湿法加工方法最重要的事项之一是加工生产的晶片需要超净(也就是说最少的颗粒污染和最少的化学残余物)。有些技术在每一化学处理步骤之后使用去离子水除去颗粒物质和化学品残余物。
通常电子元件前体从含化学物质的反应容器转移到含去离子水的淋洗池中。或者，电子元件前体可留在含化学物质的反应容器中，化学物质被引入反应容器的去离子水从容器中替换出去。去离子水可以从反应容器的顶部或底部引入反应容器。参见，如USP4,778,532和4,984,597，于此全部引入作参考。在这样的反应容器中，电子元件前体是静态的，化学物质被去离子水替换，通常去离子水从容器底部引入，和化学物质从顶部排出。但也可以去离子水从容器顶部引入，和化学物质从底部排出。
通常，反应容器中的化学物质和替换用的去离子水具有相同的温度，因而会引起化学物质与去离子水的直接混合。这会引起化学物质被水不断的稀释，这是不希望看到的现象，因为出于环境友好和有效利用成本考虑希望化学液体循环使用。此外，相对于没有混合现象发生时，混合发生时淋洗需花更长的时间。如果最少量的混合发生，则化学液体很快从容器中替换出去，如柱塞流技术。如果连续发生混合，则淋洗需花更长的时间，理论上接近连续搅拌釜式反应器CSTR的模式。Verhaverbeke，S.，McConnell，C.，Parker，J.W.，Bay，S.，大规模和小规模的科学淋洗和干燥(SPWCC，1996年3月4-7日)，有关半导体的纯水和化学物质会议1996(Balazs分析实验室，Santa Clara，CA)。全部引用于此作参考。
因此，现有技术需要一种简单有效的方法用于有效地淋洗电子元件前体，而同时也是一种环境友好且经济的方法。
研究发现在湿法加工中选择性控制加工液体的温度，可以在淋洗过程中使去离子水对化学物质的稀释减少到最低程度。由于混合减少，淋洗的效率提高了。因此，控制温度可以节省时间、金钱并提高生产能力。
特别是，根据本发明，将电子元件前体放在反应容器中；将反应性化学加工液体引入反应容器；电子元件前体和反应性化学加工液体接触一段特定的时间；非反应性化学加工液体或淋洗液体随后引入反应容器替换反应性化学加工液体，其中非反应性化学加工液体和/或淋洗液体与反应性化学加工液体温度不同。
研究发现，当使用密闭的和/或液压全流反应器(如USP4778532披露的)，而去离子水从底部引入，如果去离子水的温度比用于替换的化学物质低5℃，则替换的效率更好；一般水应在不明显减缓流速的情况下尽可能地冷。从容器的底部引入温度较低的水，当所述水与温度较高的电子元件前体和加工液体接触时，可以将替换用的淋洗液体与化学物质的混合减少至最低，因此使得替换更有效。
此外，如果去离子水(最常见的淋洗液体)从容器的顶部引入，则去离子水的温度比要被替换的化学物质高5℃，则替换的效率更好；一般水应在不明显减缓流速的情况下尽可能地热。在本发明方法的实施中，电子元件前体一般用大约2-3倍容器体积的淋洗液体淋洗，根据淋洗液体是从反应器的顶部还是底部引入而如以上解释决定淋洗液体的温度高5℃还是低5℃。例如，加工用容器体积为5加仑，则优选用在特定温度的淋洗液体10-15加仑淋洗。
在湿法加工过程中，电子元件前体可以与各种反应性或非反应性化学加工液体接触。加工液体的种类和数量取决于所期望得到的特定目的(也就是说是否净化、浸蚀和/或剥离)。最后一步结束后，液体从反应容器中移去，电子元件前体进行干燥。
图2图示说明使用标准淋洗技术或本发明以下实施例1提出的淋洗技术，在晶片加工中引入的固体颗粒。
本发明的详述术语“反应性加工液体”、“反应性化学加工液体”、“加工液体”、“化学液体”、“活性化学物质”和于此使用的“反应性化学加工液体”，指在湿法加工过程中与电子元件前体接触并对电子元件表面起一定作用的液体。例如，所述液体具有除去污染物，例如电子元件表面的颗粒、金属和有机物质的作用，或所述液体具有浸蚀电子元件表面的作用，或液体具有在电子元件表面生长一层氧化物的作用。这样的反应性化学加工液体的一个实例是氟化氢的水溶液，其浓度高于1000∶1(H2O∶HF)。这些术语可以互换使用。
于此使用的术语“淋洗液体”指去离子水或相对用于处理电子元件的活性化学物质或反应性化学加工液体的用于淋洗的其它液体。淋洗液体可以是，例如去离子水或者非常稀的活性或反应性化学物质(如盐酸或乙酸)的水溶液，用于防止例如金属沉积在电子元件的表面。可用于淋洗液体的其它添加剂可以是表面活性剂、抗腐蚀剂和/或臭氧。淋洗液体中的添加剂浓度一般很小。例如，以淋洗液体的总重量为基础，添加剂浓度优选不超过1000ppm(以重量计)，更优选不超过100ppm(以重量计)。如使用臭氧，优选在淋洗液体中的浓度为5ppm或更少。一般，淋洗液体的目的是为了除去电子元件表面上及反应容器中的化学物质、颗粒或反应产物，并且抑制颗粒的再次沉积。
这里也使用术语“非反应性化学加工液体”或“惰性”液体。
于此使用的术语“化学处理步骤”指电子元件前体与一系列加工溶液接触，例如净化或浸蚀电子元件前体的表面。
于此使用的术语“反应器”指容器、全流容器或单釜体系、槽、湿式工作台或其它适于湿法加工工艺的容器。
于此使用与反应器有关的术语“容器体积”指一个反应器可以容纳的液体体积。
于此使用的术语“全流容器”指与环境隔离的容器或“全流法”所使用的容器，一种单槽体系的实例。
于此使用的术语“单容器”指在湿法加工工艺中电子元件前体始终放置在一个容器中的任何湿法加工体系。
于此使用的术语“电子元件前体”，没有任何限制，包括半导体晶片、平板和其它用于制造电子元件(如集成电路)的元件。
本发明的方法一般可用于任何湿法加工设备，其中化学处理步骤和任何淋洗步骤在相同的容器中进行，包括，但不限于，全流容器、单槽体系和小型湿式工作台。参见，Werner Kern，第一章半导体水污染和净化技术的概况与进展，和Don C.Burkman，Donald Deal，Donald C.Grant和Charlie A.Peterson，第三章，水溶液的净化过程，“半导体晶片净化技术手册”(Werner Kern编，Noyes PublicationParkridge，新泽西，1993)。Hiroyuki Horiki和Takao Nakazawa，湿法浸蚀的净化，“超净技术手册”，第一卷，(Tadahiro Ohmi编，MarcelDekker出版)，在此全部引入作为参考。
P.Gise等在“半导体和集成电路制造技术”中描述了半导体制造，引用于此作参考。
适合实施本发明的反应性化学加工液体包括，但不限于，盐酸的水溶液及含有其的缓冲溶液、氢氧化铵及含有其的缓冲溶液、过氧化氢、硫酸及含有其的缓冲溶液、硫酸和臭氧的混合物、氢氟酸及含有其的缓冲溶液、乙酸及含有其的缓冲溶液、磷酸及含有其的缓冲溶液、氟化铵-氢氟酸缓冲溶液及其结合物。使用的特定加工液体、设备、接触时间与实验条件(如温度、浓度和加工液体的流速)将根据特定的湿法加工过程的特定目的变换。
适合实施本发明的非反应性化学加工液体包括，但不限于，去离子水或者活性化学物质或有机溶剂与离子水的非常稀的溶液。淋洗液体中的这些化学物质的实例包括，但不限于盐酸、氢氟酸、过氧化氢、臭氧和表面活性剂。有机溶剂的实例包括，但不限于，乙酸、异丙醇(IPA)和碳氟化合物。
化学处理之后，电子元件前体可以用相关专业人士已知的任何方法干燥。
用于处理电子元件前体的典型加工场所需要有化学试剂的储存罐，包括如氨水或氢氟酸(HF)等试剂。这些试剂通常以浓缩状态储存，其中双氧水(31％)，氨水(28％)，盐酸(HCl)(37％)和HF(49％)(百分比代表水溶液的重量百分比)。用于处理电子元件前体的反应容器与储存罐之间液体可以互相传递。在反应容器与储存罐之间可以使用控制阀和泵作为加工设备。
根据本发明的方法，电子元件前体的处理优选在密闭容器中进行(如，“全流”容器或单釜体系)，优选如USP 4,778,532；4,984,597；4,911,761；4,633,893；4,917,123；4,738,272和4,577,650提供的容器，引用于此作参考。之所以优选“全流”容器或单釜体系是因为其处理电子元件前体更均一、效率更高。此外，由于用于处理电子元件前体的化学物质是强酸、强碱或挥发性溶剂，因而非常危险。使用全流容器避免环境污染和人体与化学物质的接触，因而减少了与这些加工液体相关的危害，使得化学物质的操作更安全。尽管优选以上美国专利提供的容器，但是使用现有技术中专业人士熟知的反应容器并不违背本发明的本质。
一般在实施本发明的优选的实施方案中，电子元件前体放在单个容器中，加工(反应性和非反应性)液体通过阀或进料口引入容器。例如，发明的一个特征是电子元件前体在整个湿法化学处理过程(如净化，淋洗和干燥)中始终放在单个反应器内，而加工液体(反应性和非反应性)被引入反应器。在本发明的这个特征中，电子元件前体放在反应容器中，电子元件前体的表面与一种或多种加工液体接触一定的时间，但并不从反应容器移出。通常反应性化学加工液体被引入容器，与电子元件前体加工液体接触一定的时间后，在不首先移去反应性化学加工液体的情况下向反应容器引入淋洗液体。淋洗液体直接从电子元件前体的表面替换反应性化学加工液体，非反应性化学加工液体和/或淋洗液体与反应性化学加工液体的温度不同。例如，从底部引入去离子水，若去离子水的温度比被替换的化学物质的温度至少低5℃则替换的效率更高。如果从顶部引入去离子水，若去离子水的温度比被替换的化学物质的温度至少高5℃则替换的效率更高。
加工液体包括氨水(NH4OH)、双氧水(H2O2)、盐酸(HCl)和氢氟酸(HF)，储存在反应容器外的罐中。用于处理电子元件前体的反应容器与储存罐之间通过液体管线可以互相传递液体。使用控制阀和泵把加工液体从储存罐通过液体管线传递到反应容器。通常使用如个人电脑等加工控制系统用于监测反应条件(如流速、混合速度、接触时间和温度)。例如，加工控制系统用于程控流速和进料速度，以保证反应性化学加工液体(或非反应性化学加工液体)中化学物质的浓度适当。
在一步化学处理步骤中，经常会有多种“活性化学物质”加工液体引入反应容器。例如，净化过程的第一步可以是标准净化1(SC1)。通常SC1的浓度按照浓缩溶液的体积计可以从大约5∶1∶1(水∶过氧化氢∶氢氧化铵)到大约1000∶1∶1，其中浓缩溶液实际是31重量％的过氧化氢和28重量％的氢氧化铵。SC1的每一组分保存储存在各自的储存容器中，一定量的加工液体通过加工控制系统加入向反应容器传递液体的管道(液体管线)，使得每一组分的比例合适。
使用本发明的方法，电子元件前体可以用任意数量的加工液体处理。
例如，电子元件前体可以用三种加工液体处理，其中第一种加工液体可以是水、过氧化氢和氢氧化铵的溶液(大约80∶3∶1)(SC1)；第二种加工液体可以是水，过氧化氢和盐酸的溶液(大约80∶1∶1)(SC2)(实际为31重量％H2O2和37重量％HCl的水溶液)；和第三种加工液体可以是氢氟酸HF(大约4∶1到1000∶1(水∶氟氢酸))(实际上为49重量％的水溶液)。这顺序可以用不同的顺序操作(如，HF，SC1，SC2)。这一方法尤其适用于净化和浸蚀(如从晶片表面除去氧化物)。每一加工液体处理后，容器需要淋洗。淋洗液体的温度取决于加工液体的温度和容器的构造。在前述实例的体系中，替换从底部进行(仅用于说明)SC1 45℃则淋洗液优选等于或低于40℃；SC2 45℃则淋洗液优选等于或低于40℃；HF35℃则淋洗液优选等于或低于30℃。
已知温度的改变会改变各种液体的流速，尽管如此，根据淋洗液体从顶部还是底部引入(如上解释)优选淋洗液体的温度是比化学处理液体高还是低5℃。较热或较冷的淋洗流体引入容器，这样电子元件前体在一些实施方案中与1-5倍容器体积的淋洗液体接触。接触之后，调节淋洗液体的温度使得流速最大。
例如在优选的本发明的实施方案中，淋洗液体(如去离子水)从反应容器的底部引入且温度较反应性化学加工液体至少低5℃(一般，不减缓流速的情况下尽可能的冷)，电子元件前体与1-5倍容器体积的较冷的淋洗液体接触，优选2-3倍容器体积的较冷的淋洗液体。在电子元件前体与较冷的淋洗液体接触后，调节淋洗液体的温度使得流速最大。例如，在CFM全流体系中，35℃达到最大流速。最优选的方法是淋洗液体比反应性化学加工液体低5℃而在此较冷温度下达到最大流速。
本领域的专业人士可以容易地确定任一湿法加工技术中最大流速时的温度。如果确定最大流速时的温度在讨论的温度范围之外，这时电子元件前体用1-5倍容器体积的淋洗液体淋洗，优选2-3倍容器体积的淋洗液体，随后淋洗液体要调节到最大流速时的温度。
在其它一些实施方案中，淋洗液体从顶部引入反应容器，且比被替换的化学加工液体温度至少高5℃(一般，不减缓流速的情况下尽可能的热)。优选的从顶部引入体系的实施方案与以上讨论的比化学加工液体冷5℃的淋洗的有关内容类似，除了初始温度较热之外。
本发明的其它实施方案中，电子元件前体可以进一步被一系列加工溶液处理，例如用臭氧饱和的硫酸溶液，随后过氧化氢和氢氧化铵的混合溶液，再用过氧化氢、盐酸和水的溶液。该方法尤其适用于有机物的去除和一般的净化(如以最少的金属沉积去除颗粒)，得到亲水表面。以上确定的温度和浓度适用于这些实施方案。
本发明的方法也适用于半导体晶片的浸蚀，用于从硅表面除去不需要的氧化物层。本发明也适用于可控制的氧化物浸蚀。通常用于氧化硅的浸蚀剂包括，但不限于，氢氟酸、氟化铵-氢氟酸的缓冲溶液。以上确定的温度和浓度也适用于这些实施方案。
当电子元件前体按照以上描述用最后一步的反应性化学加工液体处理和淋洗后，使用任何本领域专业人士已知的干燥方法并不违背本发明的本质。当电子元件前体干燥后，可以从反应容器中移出。
替换1分钟之后(或接近2-4容器体积(本例中容器体积是大约6.2加仑))，淋洗液体的温度降低到在全流容器能达到最大流速时的温度。在淋洗过程中以一分钟一循环在高低流速之间循环淋洗。例如，在45℃SC1加工后，以每分钟18加仑在45℃淋洗一分钟。随后在35℃在每分钟25加仑和12加仑之间以一分钟一循环前后循环淋洗。整个淋洗过程中在这两点之间前后循环淋洗(大约5分钟)。HF步骤之后，初始化学物质(反应性加工液体)被淋洗液体在35℃替换一分钟(2-3容器体积)。由于绝大多数全流设备在35℃左右达到最大流速，淋洗温度无需再降低，但可以保持恒定。可以在35℃在每分钟25加仑和12加仑之间以一分钟一循环前后循环淋洗。整个淋洗过程中在这两点之间前后循环淋洗(大约5分钟)。
26批每批次中检测一片晶片，净化前后测定颗粒的数目，加工过程中加到晶片上的颗粒如表3记录。用于净化前26批次晶片的过程如表1所总结。
表1.标准SC1-HF净化的加工参数
第二回26批次晶片除淋洗的初始部分(替换步骤)不同之外，用相同的条件加工第二回26批次晶片。晶片替换淋洗初始时温度就明显比先前化学处理步骤时冷。或者说，化学物质(反应性加工液体)被明显比化学物质处理步骤冷的去离子水(淋洗液体)替换出容器。流速与化学物质注入步骤的相同。替换步骤之后，淋洗再于能达到最大流速的温度下进行，如在约35℃。在剩余的淋洗步骤中，流速以一分钟一循环，但温度不变。测定一片晶片在净化过程前后颗粒数目，得到加工中引入的颗粒数，结果如表3记录。用于第二回26批次晶片净化的方法如表2所示。替换步骤是一分钟18加仑水，而容器体积大约6.2加仑。因此，替换用体积在2-3倍容器体积。
表2.标准SC1-HF净化的加工参数
两种加工晶片的方法每一批次检测晶片在加工中引入的颗粒数如表3所示。同时给出平均变化和标准偏差。引入的颗粒数目如图2绘制。这些结果说明冷淋洗减少加工过程中引入的颗粒数，因为使用冷淋洗的净化过程在晶片上引入的颗粒的平均数较小。其次，通过标准偏差显示使用冷淋洗的晶片净化过程净化效果更稳定。采用标准淋洗方法的晶片净化引入的颗粒数变化较大。
表3.冷淋洗研究的结果
尽管参考优选的实施方案对本发明进行了描述，但本领域的专业人士可以认识到任何形式与细节的改变并不背离本发明的本质与范围。此外，此处所用实施例用于例证，并不打算限制发明所要求的范围，本领域的专业人士可以认识到实施例的改动并不背离本发明的本质。
权利要求
1.用于制造电子元件前体的方法，该方法包括a)把电子元件前体放在有顶和底的反应容器中；b)在反应容器中引入反应性化学加工液体；c)使所说电子元件前体与反应性化学加工液体接触一定时间；d)向反应容器中引入非反应性加工液体直接替换反应性化学加工液体，其中所说的非反应性加工液体从反应容器的底部引入，且温度较反应性化学加工液体至少低5℃；和e)从反应容器中除去所说非反应性加工液体；其中步骤b)到d)可以反复进行。
2.权利权利要求1的方法，其中所说的反应性加工液体是一种或多种液体，选自盐酸的水溶液及含有其的缓冲溶液、氢氧化铵及含有其的缓冲溶液、过氧化氢、硫酸及含有其的缓冲溶液、硫酸和臭氧的混合物、氢氟酸及含有其的缓冲溶液、铬酸及含有其的缓冲溶液、磷酸及含有其的缓冲溶液、乙酸及含有其的缓冲溶液、硝酸及含有其的缓冲溶液、氟化铵-氢氟酸缓冲溶液及其结合物。
3.权利要求1的方法，其中所说的非反应性加工液体是一种或多种液体，选自去离子水和去离子水或有机溶剂的稀溶液。
4.权利要求1的方法，其中所述反应容器是单釜体系。
5.用于制造电子元件前体的方法，该方法包括a)把电子元件前体放在有顶和底的反应容器中；b)在反应容器中引入反应性化学加工液体；c)使所说电子元件前体与反应性化学加工液体接触一定时间；d)向反应容器中引入非反应性加工液体直接替换反应性化学加工液体，其中所说的非反应性加工液体从反应容器的顶部引入，且温度较反应性化学加工液体至少高5℃；和e)从反应容器中除去所说非反应性加工液体；其中步骤b)到d)可以反复进行。
6.权利要求5的方法，其中所说的反应性加工液体是一种或多种液体，选自盐酸的水溶液及含有其的缓冲溶液、氢氧化铵及含有其的缓冲溶液、过氧化氢、硫酸及含有其的缓冲溶液、硫酸和臭氧的混合物、氢氟酸及含有其的缓冲溶液、铬酸及含有其的缓冲溶液、磷酸及含有其的缓冲溶液、乙酸及含有其的缓冲溶液、硝酸及含有其的缓冲溶液、氟化铵-氢氟酸缓冲溶液及其结合物。
7.权利要求5的方法，其中所说的非反应性加工液体是一种或多种液体，选自去离子水和去离子水与有机溶剂的稀溶液。
8.权利要求5的方法，其中所述反应容器是单釜体系。
9.用于制造电子元件前体的方法，该方法包括a)把电子元件前体放在有顶和底的反应容器中；b)在反应容器中引入反应性化学加工液体；c)使所说电子元件前体与反应性化学加工液体接触一定时间；d)向反应容器中引入非反应性加工液体直接替换反应性化学加工液体，其中所说的非反应性加工液体从反应容器的低部引入，且温度较反应性化学加工液体至少低5℃；e)使所说的电子元件前体与温度比反应性化学加工液体至少低5℃的非反应性加工液体接触，使得所说的电子元件前体与1-5倍容器体积的这样的非反应性加工液体接触；f)使电子元件前体与额外体积的非反应性加工液体连续接触；g)从反应容器中除去所说非反应性加工液体；其中步骤b)到g)可以反复进行。
10.权利要求9的方法，其中所说的反应性加工液体是一种或多种液体，选自盐酸的水溶液及含有其的缓冲溶液、氢氧化铵及含有其的缓冲溶液、过氧化氢、硫酸及含有其的缓冲溶液、硫酸和臭氧的混合物、氢氟酸及含有其的缓冲溶液、铬酸及含有其的缓冲溶液、磷酸及含有其的缓冲溶液、乙酸及含有其的缓冲溶液、硝酸及含有其的缓冲溶液、氟化铵-氢氟酸缓冲溶液及其结合物。
11.权利要求9的方法，其中所说的非反应性加工液体是一种或多种液体，选自去离子水和去离子水与有机溶剂的稀溶液。
12.权利要求9的方法，其中所说的反应容器是单釜体系。
13.权利要求9的方法，该方法还包括从步骤e)到O改变非反应性加工液体温度的步骤。
14.用于制造电子元件前体的方法，该方法包括a)把电子元件前体放在有顶和底的反应容器中；b)在反应容器中引入反应性化学加工液体；c)使所说电子元件前体与反应性化学加工液体接触一定时间；d)向反应容器中引入非反应性加工液体直接替换反应性化学加工液体，其中所说的非反应性加工液体从反应容器的顶部引入，且温度较反应性化学加工液体至少高5℃；e) 使所说的电子元件前体与温度比反应性化学加工液体至少高5℃的非反应性加工液体接触，使得所说的电子元件前体与1-5倍容器体积的这样的非反应性加工液体接触；f)使电子元件前体与额外体积的非反应性加工液体连续接触；g)从反应容器中除去所说非反应性加工液体；其中步骤b)到g)可以反复进行。
15.权利要求14的方法，其中所说的反应性加工液体是一种或多种液体，选自盐酸的水溶液及含有其的缓冲溶液、氢氧化铵及含有其的缓冲溶液、过氧化氢、硫酸及含有其的缓冲溶液、硫酸和臭氧的混合物、氢氟酸及含有其的缓冲溶液、铬酸及含有其的缓冲溶液、磷酸及含有其的缓冲溶液、乙酸及含有其的缓冲溶液、硝酸及含有其的缓冲溶液、氟化铵-氢氟酸缓冲溶液及其结合物。
16.权利要求14的方法，其中所说的非反应性加工液体是一种或多种液体，选自去离子水和去离子水与有机溶剂的稀溶液。
17.权利要求14的方法，其中所说的反应容器是单釜体系。
18.权利要求14的方法，该方法还包括从步骤e)到f)改变非反应性加工液体温度的步骤。
全文摘要
本发明涉及湿法加工制造电子元件前体,如集成电路中使用的半导体晶片的方法。更具体地说,本发明涉及使用不同温度的液体制造电子元件前体。
文档编号C03C23/00GK1307545SQ99806667
公开日2001年8月8日 申请日期1999年6月2日 优先权日1998年6月2日
发明者史蒂文·维哈弗贝克 申请人:Cfmt公司