硅芯切割机晶座的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种硅芯切割机晶座，属于多晶硅生产技术领域。
【背景技术】
[0002]目前，目前国内生产多晶硅的工艺大部分都是常规三氯氢硅氢还原法，即改良西门子法，改良西门子法或其他类似方法生产大直径多晶硅的主要设备是多晶硅还原炉，多晶硅还原炉在细长的硅芯上通上电源，使硅芯加热发红，直至表面温度达到1100摄氏度，通入高纯的三氯氢硅和氢气，使其在高温下发生氢还原反应，使三氯氢硅中的硅分子堆积在硅芯上，使其的直径不断地增大，通常，硅芯的直径在7-10毫米，可以是圆形也可以是方型，或是其他形状，最终通过氢还原反应使直径不断地增大到120-200毫米，生产出高纯太阳能级6N或电子级IlN的多晶硅。
[0003]现硅芯的制备方法有二种，传统的方法是用CZ法(区熔提拉法)，即把直径在20-50毫米的硅棒在充满惰性气体的真空炉膛内用高频感应加热，使其顶部局部熔化，从上部放入I根直径在5-10毫米的籽晶，然后慢慢向上提拉，使其成为直径在7-10毫米，长度在1900-3000毫米之间的细长硅芯，其缺点是提拉速度慢，一般为8-12毫米/分钟，拉制I根2米的硅芯需要4小时，生产效率低，电力消耗大，设备投资大。
[0004]另一种是用金刚石工具切割法，美国Diamond Wire Technology公司研制出采用金刚石线的数控多晶硅细长硅芯多线切割机床，用于硅芯的制备。通过利用电镀上金刚石微粒的细钢丝线在被加工工件上高速地往复运动或单向移动，将硅棒压在该机床用金刚石线交叉组成的方形线网上，从而将该硅棒切割成细长的硅芯。其优点十分明显，10-12小时可以切割出200根左右2米长的7X7或8X8毫米的方形硅芯，电力消耗小，加工效率高。
[0005]硅芯切割时需要将硅棒悬挂至切割机上，由于硅棒重量较重，因此悬挂过程十分不便，大大制约了生产效率的提高。
【发明内容】
[0006]本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种硅芯切割机晶座，它大大方便了硅棒的悬挂过程，提高了硅芯切割的生产效率。
[0007]本实用新型的目的是这样实现的:一种硅芯切割机晶座，它包括依次连接的第一连接段、第二连接段和第三连接段，所述第一连接段顶部设置有吊装圆台，所述第一连接段与第二连接段连接处以及第二连接段与第三连接段连接处设置有限位圆台，所述第三连接段底部设置有粘棒柱体。
[0008]与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果:
[0009]本实用新型一种硅芯切割机晶座，它大大方便了硅棒的悬挂过程，提高了硅芯切割的生产效率。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型一种娃芯切割机晶座的结构不意图。
[0011]其中:
[0012]第一连接段I
[0013]第二连接段2
[0014]第三连接段3
[0015]吊装圆台4
[0016]限位圆台5
[0017]粘棒柱体6
[0018]娃棒7。
【具体实施方式】
[0019]参见图1，本实用新型一种硅芯切割机晶座，它包括依次连接的第一连接段1、第二连接段2和第三连接段3，所述第一连接段I顶部设置有吊装圆台4，所述第一连接段I与第二连接段2连接处以及第二连接段2与第三连接段3连接处设置有限位圆台5，所述第三连接段3底部设置有粘棒柱体6。
【主权项】
1.一种硅芯切割机晶座，其特征在于:它包括依次连接的第一连接段(I)、第二连接段(2)和第三连接段(3)，所述第一连接段(I)顶部设置有吊装圆台(4)，所述第一连接段(I)与第二连接段(2)连接处以及第二连接段(2)与第三连接段(3)连接处设置有限位圆台(5 )，所述第三连接段(3 )底部设置有粘棒柱体(6 )。
【专利摘要】本实用新型涉及一种硅芯切割机晶座，属于多晶硅生产技术领域。它包括依次连接的第一连接段（1）、第二连接段（2）和第三连接段（3），所述第一连接段（1）顶部设置有吊装圆台（4），所述第一连接段（1）与第二连接段（2）连接处以及第二连接段（2）与第三连接段（3）连接处设置有限位圆台（5），所述第三连接段（3）底部设置有粘棒柱体（6）。本实用新型一种硅芯切割机晶座，它大大方便了硅棒的悬挂过程，提高了硅芯切割的生产效率。
【IPC分类】B28D7-04, B28D5-04
【公开号】CN204566430
【申请号】CN201520242766
【发明人】陈大春, 袁郑堂, 薛荣国, 孙勇
【申请人】江阴东升新能源有限公司
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年4月21日