剥离膜的制作方法

文档序号:2430994阅读:183来源:国知局
专利名称:剥离膜的制作方法
技术领域
本发明涉及剥离膜(release film),且更具体地涉及可以用作用于在层压陶瓷电容器中使用的生片的底膜(carrier film)的剥离膜。
背景技术
剥离膜用作例如用于在层压陶瓷电容器中所使用的生片的底膜。
近年来,多层型陶瓷电容器中的陶瓷层变得越来越薄。在这种情况下,如果提供在剥离膜基材上的脱模剂层的表面粗糙度高,那么当将陶瓷浆料涂覆到该剥离膜的脱模剂层上时,有可能发生诸如浆料排斥或形成小孔的缺陷。
为了解决此类问题,可以采用由基材和提供在基材上的具有低表面粗糙度(即具有高平滑度)的脱模剂层形成的剥离膜。然而当以卷的形式卷绕剥离膜时,这样的剥离膜可导致诸如粘连(blocking)、皱纹形成等问题。
考虑到此类问题,已经尝试通过将其上不提供脱模剂层的基材表面的表面粗糙度设置成相对高的值来防止粘连等的发生(例如可参见JP-A No.10-229027)。
然而,在使用描述于JP-A No.10-22927中的剥离膜的情况下,当展开卷绕的剥离膜时,可能产生静电。当产生这种静电时,展开卷绕的剥离膜变得困难。另外,诸如尘土或灰尘的杂质可能粘附到剥离膜上,由此导致当涂覆陶瓷浆料到剥离膜之上时,产生诸如浆料排斥或形成小孔的缺陷。

发明内容
考虑到以上问题,本发明的目的是提供剥离膜,当该剥离膜为了储藏以卷的形式卷绕时能够防止发生粘连,且在当展开卷绕的剥离膜时可防止产生静电。
为了实现以上目的,本发明涉及剥离膜,其包括具有两个主表面的基材、设置于基材一个主表面上的脱模剂层和设置于基材另一个主表面上的抗静电层,其中脱模剂层和抗静电层主要由相同的材料构成,并且当脱模剂层外表面的表面粗糙度定义为Ra1[nm]和抗静电层外表面的表面粗糙度定义为Ra2[nm]时,满足Ra1≤15且Ra1<Ra2的关系。
根据本发明的剥离膜,当其为了储存以卷的形式卷绕时可防止发生粘连,并且当展开卷绕的剥离膜时可以防止产生静电。
在根据本发明的剥离膜中,抗静电层的外表面的表面粗糙度Ra2优选为10-50nm。
这使得当为了储存剥离膜以卷的形式卷绕时,可有效防止脱模剂层和抗静电层之间出现粘连以及充分保持脱模剂层外表面的平滑度。
在根据本发明的剥离膜中,抗静电层的平均厚度优选为0.01-0.3μm。
这使抗静电层能充分地体现其防静电功能,以及具有在所需范围之内的表面粗糙度,从而可有效地防止脱模剂层和抗静电层之间出现粘连。
在根据本发明的剥离膜中,脱模剂层的平均厚度也优选为0.01-0.3μm。
这使得剥离膜具有足够的可剥离性,以及有效地防止在脱模剂层和抗静电层之间发生粘连。
在根据本发明的剥离膜中,还优选基材主要由聚酯树脂组成。
由于当基材主要由聚酯树脂组成时,粉尘等不太可能在制造过程和使用中产生,由此使得可有效防止诸如在陶瓷浆料涂覆中由粉尘等引起的小孔的缺陷。
在根据本发明的剥离膜中,该基材还优选由具有多个层的层压体组成,并且多个层中与抗静电层接触的一层中含有填料。
这样的填料使得可增强在基材和抗静电层之间的粘合性。此外,可使抗静电层表面的平滑度相对低,由此使得可有效防止脱模剂层和抗静电层之间发生粘连。


图1是展示本发明的剥离膜的横截面图。
具体实施例方式
下文中,根据本发明的剥离膜将根据优选实施方案详细说明。
图1是展示本发明的剥离膜的横截面图。在以下描述中,在图1上端表示“顶部”或“上端”,图1的下端表示“底部”或“下端”。
剥离膜1包括具有两个主表面的基材13、提供在基材13的一个主表面上的脱模剂层11、以及提供在基材13另一个主表面上的抗静电层12。
脱模剂层11具有给予剥离膜1可脱离性的功能。
脱模剂层11主要由脱模剂组成,并且其不面对基材的外表面具有高的平滑性。特别地,脱模剂层11外表面的表面粗糙度(即轮廓(profile)的算术平均偏差)Ra是15nm或更小。如果剥离膜1用作用于层压陶瓷电容器中使用的生片的底膜,通过设定脱模剂层外表面的表面粗糙度Ra在这样范围内的值,在涂覆陶瓷浆料到剥离膜1上时,可防止浆料排斥、形成小孔等。
构成脱模剂层11的脱模剂的例子包括基于硅氧烷的树脂、基于长链烷基的树脂、基于氟的树脂、氟硅氧烷树脂和基于醇酸树脂的树脂如长链烷基改性的醇酸树脂和硅氧烷改性的醇酸树脂等。
在上述树脂中,由于主要由基于硅氧烷的树脂组成的脱模剂层11可以显示出更大的可脱离性,因此优选使用基于硅的树脂。
基于硅的树脂的例子包括加成型、缩合型、紫外线固化型、电子辐射固化型和无溶剂型的硅树酯等。
脱模剂层11的平均厚度并没有特别限制,但优选0.01至0.3μm、更优选0.05至0.2μm。如果脱模剂层11的平均厚度低于上述下限值,取决于其组成材料的种类,脱模剂层11可无法充分体现其功能。另一方面,如果脱模剂层11的平均厚度超过了上述上限值,当剥离膜1以卷的形式卷绕时可发生粘连,由此导致展开卷绕的剥离膜1时的问题。
抗静电层12具有当展开卷绕的剥离膜1时防止产生静电的功能。
抗静电层12主要由具有与脱模剂层11的主要组分的基本相同水平的摩擦电序的材料组成。
在现有技术的剥离膜中,有这样的问题当展开卷绕的剥离膜时可能产生静电。由此产生的静电造成使用剥离膜时,卷绕的剥离膜展开困难。此外,当产生这种静电时,诸如尘土或灰尘的杂质可能粘附到剥离膜上,由此导致当涂覆陶瓷浆料到剥离膜之上时,诸如浆料排斥或形成小孔的缺陷。另外,还有另一问题在制造层压陶瓷电容器过程中当使用诸如有机溶剂的易燃材料时,由这种静电引起的放电可能成为火灾隐患。
然而,因为本发明的剥离膜1具有抗静电层12,该抗静电层12由与脱模剂层11的主要组分相同种类的材料制成并提供在其上未提供脱模剂层11的基材13的另一主表面上,所以当展开卷绕的剥离膜1时,可以防止静电的产生,由此可防止上述各类问题。
例如,在脱模剂层11主要由基于硅氧烷的树脂构成的情况下,抗静电层12也主要由基于硅氧烷的树脂构成,尽管它们没有必要由完全相同种类的基于硅的树脂形成。另一方面,在脱模剂层11主要由硅氧烷改性醇酸树脂构成的情况下,抗静电层12也主要由硅氧烷改性醇酸树脂构成。
抗静电层12的外表面与脱模剂层11的外表面相比具有降低的平滑性。
也就是说,当脱模剂层11外表面的表面粗糙度Ra定义为Ra1[nm]并且抗静电层12外表面的表面粗糙度Ra定义为Ra2[nm]时,脱模剂层11和抗静电层12满足Ra1<Ra2的关系。这确保了当剥离膜1为了储存以卷的形式卷绕时,可有效地防止脱模剂层11和抗静电层12之间粘连的发生。
此外,脱模剂层11和抗静电层12更优选满足Ra1<2×Ra2的关系。根据这样,可以更加有效地防止在脱模剂层11和抗静电层12之间发生粘连。
特别地,抗静电层12外表面的表面粗糙度Ra2优选为10至15nm,更优选15至30nm。如果表面粗糙度Ra2小于上述下限值,取决于脱模剂层11和抗静电层12的组成材料,可能使充分防止脱模剂层11和抗静电层12之间的粘连可变得困难。另一方面,如果表面粗糙度Ra2大于上述上限值,取决于脱模剂层11和抗静电层12的组成材料,当以卷的形式卷绕剥离膜1时,可能抗静电层12的表面形状(即,细小的粗糙或不规整)转移到脱模剂层11的表面,由此使充分维持脱模剂层11外表面的平滑性变得困难。另外,在表面粗糙度Ra2大于上述上限值的情况下,当通过涂覆浆料于脱模剂层11上形成的生片以卷的形式卷绕时,抗静电层12的表面形状(即,细小的粗糙或不规整)也有可转移到生片表面,因此使保持生片表面的平滑度变得困难。
应注意到可以可通过调节其上设置有抗静电层12的基材13的表面的表面粗糙度Ra,使抗静电层12外表面的表面粗糙度Ra2在需要的范围之内。
抗静电层12的平均厚度并没有特别限制,但优选为0.01至0.3μm、更优选0.02至0.2μm。如果抗静电层12的平均厚度低于上述下限值,取决于其组成材料,抗静电层12可无法体现其功能。另一方面,若抗静电层12的厚度超出了上述上限值,与抗静电层12相接触的基材13的表面形状不能够反映(reflect)到抗静电层12的外表面,由此使设定抗静电层12外表面的表面粗糙度Ra2在所需范围之内变得困难。
基材13由聚酯如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚烯烃如聚丙烯和聚甲基戊烯、塑料如聚碳酸酯等制成。在这些材料中,特别优选PET,由于当基材13由PET构成时,在制造过程中和使用时灰尘等不太可能产生,由此使得有效地防止在陶瓷浆料涂覆中由于灰尘等引起的诸如产生小孔的缺陷。
基材13由包括第一基材层131和第二基材层132的层压体形成。
设置第一基材层131以与脱模剂层11相接触。第一基材层131主要由树脂材料构成且具有支撑脱模剂层11的作用。
与脱模剂层11接触的第一基材层131的表面具有高的平滑性。特别地,其表面粗糙度Ra设定成15nm或更小。与第一基材层131表面的平滑度相适应,脱模层11的外表面也具有高的平滑性。
此外,与脱模剂层11相接触的第一基材层131表面的表面粗糙度Ra优选为10nm或更小。根据这样,可使脱模剂层11的外表面具有更高的平滑性,由此来增强如上所述防止浆料排斥或小孔形成的效果。
第一基材层131的平均厚度并没有特别限制,但是优选为1至30μm、更优选2至20μm。
设置第二基材层132以与抗静电层12相接触,且其具有支撑抗静电层12的作用。
第二基材层132主要由树脂材料和填料制成。
特别地,优选第一基材层131和第二基材层132由相同种类树脂材料组成。这使得可增强第一基材层131和第二基材层132之间的粘合性。
如上所述,第二基材层132包含填料。通过包含这种填料,在与抗静电层12接触的第二基材层132的表面上,形成细小的不规整,因此降低了它的平滑性。这些细小的不规整反映到抗静电层12的外表面,由此也使抗静电层12的外表面的平滑性相对低。此外,因为细小的不规整形成在与抗静电层12接触的第二基材层132的表面上,第二基材层132和抗静电层12之间的粘合性由于它们之间的固着效果而得到增强。
与抗静电层12接触的第二基材层132表面的表面粗糙度Ra优选10至50nm,更优选15至30nm。这使得抗静电层12的外表面具有所需范围的表面粗糙度Ra。
第二基材层132中含有的填料的例子包括无机颗粒如二氧化硅、碳酸钙、高岭土、二氧化钛、氧化铝、硫酸钡和沸石,和有机颗粒如有机硅树脂、交联的聚苯乙烯和丙烯酸酯树脂。可以单独或以其两种或多种的组合使用这些材料。
此外,填料的平均粒度还优选为0.1到4.0μm。这使得可在与抗静电层12接触的第二基材层132的表面上形成细小的不规整。
而且,第二基材层132含有的填料的量优选为约0.01到3.0%重量。这使得与抗静电层12接触的第二基材层132表面的表面粗糙度Ra在所需范围内。
第二基材层132的平均厚度并没有特别限制,但是优选为5至125μm,更优选10至100μm。
包括第一基材层131和第二基材层132的层压体形式的基材13的平均厚度并无特别限制,但优选10-150μm,更优选12-100μm。
上述剥离膜1可以下列方法制得。
首先制备包括第一基材层131和第二基材层132的层压体形式的基材13。
该基材13可以由任何方法形成。形成基材13的方法的例子包括其中将构成第一基材层131的树脂材料和构成第二基材层132的含有填料的树脂材料共挤压而形成基材13的共挤压方法以及其中第一基材层131和第二基材层132各自独立地形成且然后用粘合剂结合在一起的方法。
接下来,将含有脱模剂的脱模剂层形成材料施涂于基材13的第一基材层131的上表面上,然后干燥以形成脱模剂层11。
另一方面,将抗静电层形成材料施涂在第二基材层132的下表面上,然后干燥而形成抗静电层12。
脱模剂层形成材料和抗静电层形成材料可以通过在任何溶剂或分散液体中溶解或分散第一基材层和第二基材层的相应的组成材料而获得。
各种方法可用于涂覆脱模剂层形成材料和抗静电层形成材料到基材13上。这种方法的例子包括凹版涂布、棒涂(bar coating)、喷涂、旋涂、刮涂法、辊涂、和口模式涂布(die coating)等等。
如上所述,制造剥离膜1.
这种剥离膜1可以用作例如用于在层压陶瓷电容器中使用的生片的底膜或用作在LCD或PDP偏振板(polarization plate)制造过程中使用的铸膜。
尽管已经描述了根据本发明的剥离膜的优选实施方案,但是本发明并不限于上述方案。
例如,在上述实施方案中,基材由具有双层的层压体形成。但是,本发明并不限于此。基材可以是单层形式或具有三层或多层的层压体的形式。在基材由单层形成的情况下,其上将形成抗静电层的基材表面可以通过任意方法进行粗糙表面处理,然后在其上形成抗静电层。或者,可以在基材上形成由用于形成抗静电层的材料制成的膜,然后膜的外表面可进行粗糙表面处理以形成抗静电层。
以下将描述根据本发明剥离膜的实际例子。
(1)剥离膜的制备(实施例1)首先,通过共挤压方法形成由均由聚对苯二甲酸乙二酯(PET)制成的第一基材层和第二基材层构成的基材。第一基材层外表面的表面粗糙度Ra是5nm并且第一基材层的厚度是6μm。另一方面,第二基材层外表面的表面粗糙度Ra是20nm并且第二基材层的厚度是32μm。
此外,用甲苯稀释100重量份的有机硅树脂(“KS847H”,由Shin-EtsuChemical Co.,Ltd.制造)和1重量份的固化剂(“CAT-PL5OT”,由Shin-EtsuChemical Co.,Ltd.制造)从而制得具有1重量%固含量的涂覆液体。
然后使用迈尔棒(mayer bar)#4将如此获得的涂覆液体施涂在第一基材层的上表面上,且然后通过在140℃温度下加热干燥60秒钟以形成具有0.1μm平均厚度的脱模剂层。
此外,使用迈尔棒#4将如此获得的涂覆液体施涂在第二基材层的下表面上且通过在140℃温度下加热干燥60秒钟以形成具有0.1μm平均厚度的抗静电层。
如上所述制备剥离膜。在这点上,脱模剂层外表面的表面粗糙度Ra1是6nm,而抗静电层外表面的表面粗糙度Ra2是20nm。表面粗糙度Ra1和Ra2均是使用表面粗糙度测量装置(“SV3000S4”,由Mitutoyo Corporation制造,指针型标准或圆棒)在如下条件下测量测量长度10mm测量速率1.0mm/秒过滤类型(filter type)高斯型(Gaussian)
λc0.25mm。
相同的测量重复进行10次,且以其平均值确定每个表面粗糙度Ra1和Ra2。
(实施例2)首先,制备与实施例1中使用的相同的基材。
另一方面,用甲苯稀释100重量份的硅氧烷改性醇酸树脂和氨基树脂(“KS-882”,由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd制造)的混合物和1重量份的对甲苯磺酸(固化剂)从而制备2重量%固含量的涂覆液体。
然后使用迈尔棒#4将如此获得的涂覆液体施涂在第一基材层的上表面上,且然后通过在140℃温度下加热干燥60秒钟以形成具有0.2μm平均厚度的脱模剂层。
此外,使用迈尔棒#4将如此获得的涂覆液体施涂在第二基材层的下表面上且然后通过在140℃温度下加热干燥60秒钟以形成具有0.2μm平均厚度的抗静电层。
如上所述制得剥离膜。在这点上,脱模剂层外表面的表面粗糙度Ra1是5nm,而抗静电层外表面的表面粗糙度Ra2是20nm。
(实施例3)采用与实施例1同样的方法制造剥离膜,除了形成基材使得第一基材层外表面的表面粗糙度Ra是5nm,第一基材层的厚度是6μm,第二基材层外表面的表面粗糙度Ra是15nm,且第二基材层的厚度是32μm以外。
(实施例4)除了使用与实施例3制备的相同的基材以外,采用和实施例2同样的方法制造剥离膜。
(比较例1)除了不形成抗静电层之外,采用和实施例1同样的方法制造剥离膜。
(比较例2)除了不形成抗静电层之外,采用和实施例2同样的方法制造剥离膜。
(比较例3)采用与比较例1同样的方法制造剥离膜,除了形成基材使得第一基材层外表面的表面粗糙度Ra是7nm,第一基材层的厚度是6μm,第二基材层外表面的表面粗糙度Ra是8nm,且第二基材层的厚度是32μm以外。
(比较例4)除了使用与比较例3制备的相同基材以外,采用和实施例1同样的方法制造剥离膜。
(比较例5)除了使用与比较例3制备的相同基材以外,采用和比较例2同样的方法制造剥离膜。
(比较例6)除了使用与比较例3制备的相同基材以外,采用和实施例2同样的方法制造剥离膜。
各实施例和比较例中测量的每个基材的第一基材层和第二基材层的外表面的表面粗糙度Ra和每个剥离膜的抗静电层和脱模剂层的表面粗糙度Ra列在下表1中。
表1

(2)评估[粘连评估]将在各实施例和比较例中制造的剥离膜以卷的形式卷绕且在23℃和50%RH的条件下储藏30天。然后在展开时通过肉眼观察剥离膜确认是否已经发生粘连。
将在各实施例和比较例中制造的剥离膜以卷的形式卷绕且在23℃和50%RH的条件下储藏30天。然后,在使用纵断器(slitter)以100m/分钟展开时采用静电测量装置(“FMX-002”,由The Simco Company,Inc.制造)测量剥离膜静电荷的量。
该测量结果也示于表1中。
如表1所示,在根据本发明实施例的剥离膜中没有观察到粘连。除此之外,本发明的剥离膜在展开时可以充分防止产生静电。另一方面,在比较例1和2的各剥离膜中,尽管没有观察到粘连但是静电荷的量大。此外,在比较例3到6的各剥离膜中,观察到显著的粘连。
最后,还应该理解,本申请公开的内容涉及在日本专利申请No.2005-103841(2005年3月31日提交)中包含的主题,在此特别地将其全部引入作为参考。
权利要求
1.一种剥离膜,其包括具有两个主表面的基材;设置于该基材一个主表面上的脱模剂层;和设置于该基材另一个主表面上的抗静电层,其中该脱模剂层和该抗静电层主要由相同的材料构成,并且当该脱模剂层外表面的表面粗糙度定义为Ra1[nm]且该抗静电层外表面的表面粗糙度定义为Ra2[nm]时,满足Ra1≤15和Ra1<Ra2的关系。
2.如权利要求1所述的剥离膜,其中该抗静电层外表面的表面粗糙度Ra2为10到50nm。
3.如权利要求1所述的剥离膜,其中该抗静电层的平均厚度为0.01到0.3μm。
4.如权利要求1所述的剥离膜,其中该脱模剂层的平均厚度为0.01到0.3μm。
5.如权利要求1所述的剥离膜,其中该基材主要由聚酯树脂组成。
6.如权利要求1所述的剥离膜,其中该基材由具有多层的层压体形成,并且该多层中与抗静电层接触的一层其中含有填料。
全文摘要
提供用作用于在层压陶瓷电容器中使用的生片的底膜的剥离膜。该剥离膜包括具有两个主表面的基材、设置于基材一个主表面上的脱模剂层、和设置于基材另一个主表面上的抗静电层,其中脱模剂层和抗静电层主要由相同的材料组成,并且当脱模剂层外表面的表面粗糙度定义为Ra
文档编号B32B27/36GK1841595SQ200610071588
公开日2006年10月4日 申请日期2006年3月30日 优先权日2005年3月31日
发明者高桥亮, 深谷知巳, 杉崎俊夫 申请人:琳得科株式会社
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