专利名称：防静电膜及其制备方法
技术领域：
本发明涉及薄膜场效应晶体管领域，尤其涉及一种防静电膜及其制备方法。
背景技术：
传统的大部分TFT (薄膜场效应晶体管)镀膜产品所镀的防静电膜为Si02+IT0膜层。该镀膜产品，在550nm处透过率约为90%，镀膜前后透过率的比值为97%左右，视觉效果较差，大部分TFT镀膜厂家都可以做到这种质量的触摸屏产品。由于技术指标较低，薄膜透射率较低，在日益激烈的触摸屏行业竞争处于越来越不利的地位，随着人们对视觉品质的不断追求，有必要生产出具有更高透射率的触摸屏产品
发明内容
基于此，有必要提供一种透射率较高的防静电膜及其制备方法。—种防静电膜，包括玻璃基底、置于所述玻璃基底上的第一 Nb2O5层、置于所述第
一Nb2O5层上的第一 SiO2层、置于所述第一 SiO2层上的第二 Nb2O5层、置于所述第二 Nb2O5层上的第二 SiO2层及置于所述第二 SiO2层上的ITO层。在其中一个实施例中，所述第一 Nb2O5层的厚度为14 16nm,所述第二 Nb2O5层的厚度为123 127nm。在其中一个实施例中，所述第一 SiO2层的厚度为32 35nm，所述第二 SiO2层的厚度为59 62nm。在其中一个实施例中，所述ITO层的厚度为12 16nm。一种防静电膜的制备方法，包括如下步骤使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底上镀制第一 Nb2O5层；使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第一 Nb2O5层上镀制第一 SiO2层；使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在所述第一 SiO2层上镀制第二 Nb2O5层；使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第二 Nb2O5层上镀制第二 SiO2层；使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在所述第二 SiO2层上镀制ITO层，得到所述防静电膜。在其中一个实施例中，所述使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底上镀制第一Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。在其中一个实施例中，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第一 Nb2O5层上镀制第一 SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ。在其中一个实施例中，所述使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在第一 SiO2层上镀制第
二Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。在其中一个实施例中，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第二 Nb2O5层上镀制第二 SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ。在其中一个实施例中，所述使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜过程中，磁控溅射频率为40KHz。上述防静电膜的制备方法利用先进的光学薄膜技术，经过精心仔细的光学膜系设计，利用光的衍射原理，结合材料的折射率关系，采用AR (anti-reglection,减反射)配合ITO技术，将TFT镀膜玻璃在550nm处的折射率提高到93. 5 %，玻璃的镀膜前后透过率的比值由97%提高到102. 5%，极大地提高了 TFT镀膜玻璃的光学性能。
图I为一实施方式的防静电膜的结构示意图；图2为图I中防静电膜与传统TFT玻璃透射率的对比图。
具体实施方式
下面主要结合附图及具体实施方式
对防静电膜及其制备方法和应用作进一步详细的说明。如图I所不,一实施方式的防静电膜100包括玻璃基底110、第一 Nb2O5层120、第一 SiO2 层 130、第二 Nb2O5 层 140、第二 SiO2 层 150 及 ITO 层 160。其中，第一 Nb2O5层120位于玻璃基底110上；第一 SiO2层130位于第一 Nb2O5层120上；第二 Nb2O5层140位于第一 SiO2层130上；第二 SiO2层150位于第二 Nb2O5层140上；ITO层160位于SiO2层150上。在本实施方式中，第一 Nb2O5层120的厚度可以为14 16nm，第二 Nb2O5层140的厚度可以为123 127nm。第一 SiO2层130的厚度可以为32 35nm，第二SiO2层150的厚度可以为59 62nm。ITO层160的厚度可以为12 16nm。此外，本实施方式还提供了一种防静电膜的制备方法，包括如下步骤使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底上镀制第一 Nb2O5层；使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在第一 Nb2O5层上镀制第一 SiO2层；使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在第一 SiO2层上镀制第二 Nb2O5层；使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在第二 Nb2O5层上镀制第二 SiO2层；使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在第二 SiO2层上镀制ITO层，得到防静电膜。在本实施方式中，使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底上镀制第一 Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在第一 Nb2O5层上镀制第一 SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在第一 SiO2层上镀制第二 Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在第二 Nb2O5层上镀制第二 SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜过程中，磁控溅射频率为40KHz。上述防静电膜的制备方法利用先进的光学薄膜技术，经过精心仔细的光学膜系设计，利用光的衍射原理，结合材料的折射率关系，采用AR (anti-reflection,减反射)配合ITO技术，将TFT镀膜玻璃在550nm处的折射率提高到93. 5%，如图2所示，玻璃的镀膜前后透过率的比值由97%提高到102. 5%，极大地提高了 TFT镀膜玻璃的光学性能。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种防静电膜，其特征在于，包括玻璃基底、置于所述玻璃基底上的第一 Nb2O5层、置于所述第一 Nb2O5层上的第一 SiO2层、置于所述第一 SiO2层上的第二 Nb2O5层、置于所述第二 Nb2O5层上的第二 SiO2层及置于所述第二 SiO2层上的ITO层。
2.如权利要求I所述的防静电膜，其特征在于，所述第一Nb2O5层的厚度为 Γ 6ηπι，所述第二 Nb2O5层的厚度为123 127nm。
3.如权利要求I所述的防静电膜，其特征在于，所述第一SiO2层的厚度为32 35nm，所述第二 SiO2层的厚度为59 62nm。
4.如权利要求I所述的防静电膜，其特征在于，所述ITO层的厚度为12 16nm。
5.一种防静电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底上镀制第一 Nb2O5层； 使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第一 Nb2O5层上镀制第一 SiO2层； 使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在所述第一 SiO2层上镀制第二 Nb2O5层； 使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第二 Nb2O5层上镀制第二 SiO2层； 使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在所述第二 SiO2层上镀制ITO层，得到所述防静电膜。
6.如权利要求5所述的防静电膜的制备方法，其特征在于，所述使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底上镀制第一 Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。
7.如权利要求5所述的防静电膜的制备方法，其特征在于，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第一 Nb2O5层上镀制第一 SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。
8.如权利要求5所述的防静电膜的制备方法，其特征在于，所述使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在第一 SiO2层上镀制第二 Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。
9.如权利要求5所述的防静电膜的制备方法，其特征在于，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述第二 Nb2O5层上镀制第二 SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHz。
10.如权利要求5所述的防静电膜的制备方法，其特征在于，所述使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜过程中，磁控溅射频率为40KHz。
全文摘要
本发明涉及一种防静电膜及其制备方法和应用。该防静电膜包括玻璃基底、置于所述玻璃基底上的第一Nb2O5层、置于所述第一Nb2O5层上的第一SiO2层、置于所述第一SiO2层上的第二Nb2O5层、置于所述第二Nb2O5层上的第二SiO2层及置于所述第二SiO2层上的ITO层。该防静电膜的制备方法利用先进的光学薄膜技术，经过精心仔细的光学膜系设计，利用光的波动性和干涉原理，结合材料的折射率关系，采用AR配合ITO技术，将TFT镀膜玻璃在550nm处的折射率提高到93.5％，玻璃的镀膜前后透过率的比值由97%提高到102.5%，极大地提高了TFT镀膜玻璃的光学性能。
文档编号B32B17/06GK102848655SQ2012103660
公开日2013年1月2日 申请日期2012年9月27日 优先权日2012年9月27日
发明者郑芳平, 张迅 申请人:江西沃格光电科技有限公司