一种主板防静电保护电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种静电保护电路，尤其涉及一种主板防静电保护电路。
【背景技术】
[0002]现在很多硬件产品都有防静电设计，主要是IC内部集成简单的ESD元件，主要作用是防止IC内部的ESD产生以及外部轻微的ESD等级的干扰，而采用简单的ESD元件，如TVS 二极管，构建反向偏置击穿电压在几百伏到仅几伏之间的二极管，其本质上为单向器件，保护方式为电压箝位；这种在IC内部集成的方式，ESD防护等级低，因为IC在设计之初只考虑IC本身和主要的运用领域设计，考虑IC本身就只针对于信号发生接受期间的敏感程度做一个保护；对于运用领域而言，就只会考虑IC设计之初的大的应用范围，在设计上本来就不全面。比如军用、工业和民用等的差别就很大，在工作环境、操作结构、基材和辅料等的变化所产生的影响等都考虑不全，保护效果不明显。
【发明内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是需要提供一种能够大大提升防止主板PCB被烧坏的机率，同时也有效降低1芯片被烧毁的机率，进而起到多重防护作用的主板防静电保护电路。
[0004]对此，本实用新型提供一种主板防静电保护电路，包括:输出接口、静电保护模块和1芯片；所述1芯片的两根信号线分别通过差分线对与静电保护模块相连接，所述静电保护模块接地；所述1芯片通过连接器电缆与所述输出接口相连接。
[0005]本实用新型的进一步改进在于，还包括电容Cl、电容C2、电阻R3和电阻R4，所述1芯片的一根信号线与电阻R3的一端相连接，所述电阻R3的另一端与所述电容Cl的一端相连接，所述电容Cl的另一端与静电保护模块相连接；所述1芯片的另一根信号线与电阻R4的一端相连接，所述电阻R4的另一端与所述电容C2的一端相连接，所述电容C2的另一端与静电保护模块相连接。
[0006]本实用新型的进一步改进在于，还包括电阻Rl和电阻R2，所述电容Cl与所述静电保护模块相连接的一端连接至所述电阻Rl的一端，所述电阻Rl的另一端与输出接口相连接；所述电容C2与所述静电保护模块相连接的一端连接至所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端与输出接口相连接。
[0007]本实用新型的进一步改进在于，所述静电保护模块包括能量泄放器。
[0008]本实用新型的进一步改进在于，所述静电保护模块包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第七二极管和第八二极管；所述第一二极管的阳极接地，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阳极相连接，所述第二二极管的阴极与电源相连接；所述第三二极管的阳极接地，所述第三二极管的阴极与所述第四二极管的阳极相连接，所述第四二极管的阴极与电源相连接；所述第五二极管的阳极接地，所述第五二极管的阴极与所述第六二极管的阳极相连接，所述第六二极管的阴极与电源相连接；所述第七二极管的阳极接地，所述第七二极管的阴极与所述第八二极管的阳极相连接，所述第八二极管的阴极与电源相连接。
[0009]本实用新型的进一步改进在于，所述1芯片的一根信号线分别与所述第三二极管的阴极和所述第四二极管的阳极相连接。
[0010]本实用新型的进一步改进在于，所述1芯片的另一根信号线分别与所述第五二极管的阴极和所述第六二极管的阳极相连接。
[0011]本实用新型的进一步改进在于，所述静电保护模块还包括稳压二极管，所述稳压二极管的阳极接地，所述稳压二极管的阴极与电源相连接。
[0012]与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于:所述1芯片的两根信号线分别通过差分线对与静电保护模块相连接，所述静电保护模块接地，所述1芯片通过连接器电缆与所述输出接口相连接，进而在ESD或浪涌引入线路时，能够将ESD或浪涌的能量通过所述静电保护模块泄放到工作地，从而起到保护后级1芯片的作用，在此基础上，加上1芯片内部集成的ESD保护便能够形成双重防静电保护，大大提升了防止主板被烧坏的机率，同时也能够有效降低1芯片被烧毁的机率。
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型一种实施例的电路结构示意图；
[0014]图2是本实用新型一种实施例的电路原理图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图，对本实用新型的较优的实施例作进一步的详细说明。
[0016]如图1所示，本例提供一种主板防静电保护电路，包括:输出接口 J1、静电保护模块Dl和1芯片Ul ;所述1芯片Ul的两根信号线分别通过差分线对与静电保护模块Dl相连接，所述静电保护模块Dl接地；所述1芯片Ul通过连接器电缆与所述输出接口 Jl相连接。
[0017]所述差分线对的工作原理是使接收到的信号等于两个互补并且彼此互为参考的信号之间的差值，因此可以极大地降低信号的电气噪声效应；所述差分线对为对称的差分线，在差分线对中，正负两边都必须始终在相同的环境下沿着传输路径传送信号。connector电缆是连接器电缆。
[0018]如图1和图2所示，本例还包括电容Cl、电容C2、电阻R3、电阻R4、电阻Rl和电阻R2，所述1芯片Ul的一根信号线SI与电阻R3的一端相连接，所述电阻R3的另一端与所述电容Cl的一端相连接，所述电容Cl的另一端与静电保护模块Dl相连接；所述1芯片Ul的另一根信号线S2与电阻R4的一端相连接，所述电阻R4的另一端与所述电容C2的一端相连接，所述电容C2的另一端与静电保护模块Dl相连接；所述电容Cl与所述静电保护模块Dl相连接的一端连接至所述电阻Rl的一端，所述电阻Rl的另一端与输出接口 Jl相连接；所述电容C2与所述静电保护模块Dl相连接的一端连接至所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端与输出接口 Jl相连接。
[0019]本例所述静电保护模块Dl包括能量泄放器。如图2所示，所述静电保护模块Dl包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第七二极管和第八二极管；所述第一二极管的阳极接地，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阳极相连接