Dlc离子渗入纳米涂层钢领的制作方法

文档序号:10205020
Dlc离子渗入纳米涂层钢领的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种钢领,尤其涉及一种DLC离子渗入纳米涂层钢领。
【背景技术】
[0002]钢领是环锭纺纱机上卷绕部分的重要部件,在高速纺织状态下,钢领表面会加剧粘着磨损和疲劳磨损发生、内跑道产生不规则波浪纹和点状剥落、纺纱张力不稳定、千锭时断头、毛羽严重等缺陷,因此钢领材质、表面处理方法、硬度、耐腐蚀性、摩擦特性、直接影响成纱毛羽、断头等质量指标。
[0003]目前,国内许多企业采用20号低碳钢的板材加工钢领,经电镀铬提高表面硬度,但表面粗糙,走熟期比较长,或采用Crl5轴承钢钢领,热处理后,能够得到更高的硬度,但在使用过程中锈蚀问题比较突出。随着科技的发展,出现了各种涂层钢领,比如镀氟纲领,具有良好的减磨性,可直接开快挡车速,但表面硬度低,使用寿命短等现象。

【发明内容】

[0004]为了克服上述缺陷,本实用新型提供了一种DLC离子渗入纳米涂层钢领,在传统的纲领表面上,制备出具有多层复合结构和自润滑功能发纳米涂层,该涂层具有性质稳定,硬度高,附着力好和耐腐蚀。
[0005]本实用新型为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种DLC离子渗入纳米涂层钢领,包括钢领基体,所述钢领基体表面依次涂覆有基础层、抗氧层、导热层和表层。
[0006]作为本实用新型的进一步改进,所述基础层为氮碳化铝层,抗氧层为钛铝合金层、导热层为氮化钛层、表层为金刚石镀膜层。
[0007]作为本实用新型的进一步改进,所述基础层的厚度为100_200nm,所述抗氧层的厚度为200-300nm,所述导热层的厚度为100-300nm,所述表层的厚度为500-800nmo
[0008]本实用新型的有益效果是:该DLC离子渗入纳米涂层钢领在纲领表面制备出附着力好,摩擦系数低,硬度高,耐温性好的四层DLC离子渗入纳米涂层,可保证在纲领使用过程中,纺纱张力稳定,千锭时断头,毛羽指标都能控制的比较好。同时该DLC离子渗入纳米涂层具有性质稳定,硬度尚,附着力好和耐腐蚀等优良性能,大大提尚钢领使用寿命。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型结构示意图。
[0010]结合附图,作以下说明:
[0011]I 基础层2 抗氧层
[0012]3一一导热层4一一表层
[0013]10——钢领基体
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图,对本实用新型的一个较佳实施例作详细说明。但本实用新型的保护范围不限于下述实施例,即但凡以本实用新型申请专利范围及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰,皆仍属本实用新型专利涵盖范围之内。
[0015]参见图1,一种DLC离子渗入纳米涂层钢领,包括钢领基体10,所述钢领基体表面依次涂覆有基础层1、抗氧层2、导热层3和表层4。其中,基础层为氮碳化铝层,厚度为100-200nm;抗氧层为钛招合金层,厚度为100-200nm;导热层为氮化钛层,厚度为100-300nm;表层为金刚石镀膜层,厚度为500-800nmo
[0016]基础层起提高涂层附着力的作用、抗氧层层起润滑抗氧作用、导热层起热传导作用、表面具有低摩擦系数(<0.1),高硬度(50GPa)、高热传导力、化学稳定性高等特性。
[0017]本发明钢领在纲领表面制备出附着力好,摩擦系数低,硬度高,耐温性好的四层DLC离子渗入纳米涂层,可保证在纲领使用过程中,纺纱张力稳定,千锭时断头,毛羽指标都能控制的比较好。同时该DLC离子渗入纳米涂层具有性质稳定,硬度高,附着力好和耐腐蚀等优良性能,大大提尚钢领使用寿命。
【主权项】
1.一种DLC离子渗入纳米涂层钢领,包括钢领基体(10),其特征在于:所述钢领基体表面依次涂覆有基础层(I)、抗氧层(2)、导热层(3)和表层(4);所述基础层为氮碳化铝层,抗氧层为钛铝合金层、导热层为氮化钛层、表层为金刚石镀膜层。2.根据权利要求1所述的DLC离子渗入纳米涂层钢领,其特征在于:所述基础层的厚度为100-200nm,所述抗氧层的厚度为200-300nm,所述导热层的厚度为100-300nm,所述表层的厚度为500-800nmo
【专利摘要】本实用新型公开了一种DLC离子渗入纳米涂层钢领,包括钢领基体,该钢领基体表面依次涂覆有基础层、抗氧层、导热层和表层。该DLC离子渗入纳米涂层钢领在纲领表面制备出附着力好,摩擦系数低,硬度高,耐温性好的四层DLC离子渗入纳米涂层,可保证在纲领使用过程中,纺纱张力稳定,千锭时断头,毛羽指标都能控制的比较好。同时该DLC离子渗入纳米涂层具有性质稳定,硬度高,附着力好和耐腐蚀等优良性能,大大提高钢领使用寿命。
【IPC分类】D01H7/60
【公开号】CN205115714
【申请号】CN201520820189
【发明人】周树法
【申请人】昆山立特纳米电子科技有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年10月21日
再多了解一些
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