专利名称：镭射烫金用三聚氰胺离型剂的制作方法
技术领域：
本发明涉及薄膜涂层产品技术领域，具体涉及镭射烫金用三聚氰胺离型剂。
背景技术：
镭射烫金箔， 一般是以PET薄膜作载体膜，在该载体膜上依次涂布有离型层、 镭射信息层、铝层、胶粘层，其中离型层的作用是使镭射烫金箔与载体膜分离。
目前镭射烫金箔离型剂主要以蜡系列涂层为主，虽然可给客户提供5000车/小 时的烫印速度，但因蜡系列涂层表面较滑，达因值偏低，所以后段工序的印刷效果很 差，会出现蜡斑的现象，而对于需要烫印速度为6000车/小时至7000车/小时的客户， 只能通过两次涂布来降低离型，成本增加且效率降低。 除了蜡系列离型剂，专利号为CN200610116782的中国发明介绍了一种电化铝 涂料的离型剂，该离型剂包括以下配方(重量份)醋酸纤维素IOO，甲基溶纤剂120 160，溶剂720 S00，但其产品稳定性不够好，后段工序的印刷效果差，直接影响了产 品的推广。
发明内容
本发明的目的是提供一种可克服蜡离型剂使用中易出现蜡斑的问题，并且能提 高后段工序的印刷效果的镭射烫金用三聚氰胺离型剂。 本发明的目的是这样实现的
一种镭射烫金用三聚氰胺离型剂，按重量百分比计，由以下原料组成 三聚氰胺树脂 33 45% 对甲苯磺酸0.1 1% 丁酮 8 10% 醋酸乙酯 10 15% 甲苯 20 35% 正丁醛 10 25%。
镭射烫金用三聚氰胺离型剂，按重量百分比计，由以下原料组成 三聚氰胺树脂 34 42% 对甲苯磺酸0.1 0.6% 丁酮 8 10% 醋酸乙酯 10 15% 甲苯 20 32% 正丁醛 10 15%。
镭射烫金用三聚氰胺离型剂，按重量百分比计，由以下原料组成 三聚氰胺树脂 34% 对甲苯磺酸 0.5%
丁酮 10%
醋酸乙酯 15%
甲苯 30.5%
正丁醛 10%。 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，其制备方法包括以下步骤 (l)将上述配方量的丁酮、醋酸乙酯、甲苯、正丁醛依次加入搅拌桶中，恒温25°C 30°C，搅拌5 lOmin ; (2)将上述配方量的三聚氰胺树脂加入搅拌桶中，恒温25。C 3(TC，搅拌5 10min，得到混合溶液备用； (3)再将上述配方量的对甲苯磺酸加入搅拌桶的混合溶液中，边加入边搅拌，加完后再持续搅拌约10 15min，得到的镭射烫金用三聚氰胺离型剂，即可上机使用。
镭射烫金用三聚氰胺离型剂，制备步骤和上机使用时环境湿度应控制在40% 60%。 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，在制备步骤(3)中，加入对甲苯磺酸的时间是需上机使用镭射烫金用三聚氰胺离型剂时。 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，使用完后的镭射烫金用三聚氰胺离型剂应完全密封，保存于室温阴凉处并保持良好通风的环境下，超过三天不使用即报废。
本发明的有益效果为 一种镭射烫金用三聚氰胺离型剂，按重量百分比计，包括以下组成三聚氰胺树脂33 45%，对甲苯磺酸0.1 1%， 丁酮8 10%，醋酸乙酯10 15%，甲苯20 35%，正丁醛10 25%，该镭射烫金用三聚氰胺离型剂涂布于PET膜表面上，比蜡离型剂的涂布更清澈透明，没有涂布纹路，不会产生蜡斑的现象，可提高后段工序的印刷效果，只需一次涂布，成本低，针对平压平，圆压平或是圆压圆等机台皆可使用，有广泛的操作适用性。
具体实施例方式
实施例1 —种镭射烫金用三聚氰胺离型剂，按重量百分比计，由以下原料组成 三聚氰胺树脂 34% 对甲苯磺酸 0.5% 丁酮 10% 醋酸乙酯 15% 甲苯 30.5% 正丁醛 10% 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，其制备方法包括以下步骤 (1)将10g丁酮、15g醋酸乙酯、30.5g甲苯、10g正丁醛依次加入搅拌桶中，恒温25"，搅拌5min; (2)将34g三聚氰胺树脂加入搅拌桶中，恒温25t:，搅拌5min，得到混合溶液备用； (3)再将0.5g对甲苯磺酸加入搅拌桶的混合溶液中，边加入边搅拌，加完后再持续搅拌约10min，得到的镭射烫金用三聚氰胺离型剂，即可上机使用。 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，制备步骤和上机使用时环境湿度应控制在40%。 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，在制备步骤(3)中，加入对甲苯磺酸的时间是需上
机使用镭射烫金用三聚氰胺离型剂时。 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，使用完后的镭射烫金用三聚氰胺离型剂应完全密
封，保存于室温阴凉处并保持良好通风的环境下，超过三天不使用即报废。 经涂布在PET光膜后，连机接着涂布雷射信息层，并以拉力试验机检测离型力
约4 6g，达到客户产品所需求的离型范围。 实施例2 —种镭射烫金用三聚氰胺离型剂，按重量百分比计，由以下原料组成 三聚氰胺树脂 38% 对甲苯磺酸 0.2% 丁酮 10% 醋酸乙酯 15% 甲苯 26.8% 正丁醛 10% 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，其制备方法包括以下步骤 (1)将10g丁酮、15g醋酸乙酯、26.8g甲苯、10g正丁醛依次加入搅拌桶中，恒温28"，搅拌8min; (2)将38g三聚氰胺树脂加入搅拌桶中，恒温28t:，搅拌8min，得到混合溶液备用； (3)再将0.2g对甲苯磺酸加入搅拌桶的混合溶液中，边加入边搅拌，加完后再持
续搅拌约12min，得到的镭射烫金用三聚氰胺离型剂，即可上机使用。 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，制备步骤和上机使用时环境湿度应控制在50%。 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，在制备步骤(3)中，加入对甲苯磺酸的时间是需上
机使用镭射烫金用三聚氰胺离型剂时。 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，使用完后的镭射烫金用三聚氰胺离型剂应完全密
封，保存于室温阴凉处并保持良好通风的环境下，超过三天不使用即报废。 经涂布在PET光膜后，连机接着涂布雷射信息层，并以拉力试验机检测离型力
约8 10g，达到客户产品所需求的离型范围。 实施例3 —种镭射烫金用三聚氰胺离型剂，按重量百分比计，由以下组原料成 三聚氰胺树脂 42% 对甲苯磺酸 0.4% 丁酮 10% 醋酸乙酯 15% 甲苯 21.6% 正丁醛 11% 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，其制备方法包括以下步骤
(1)将10g丁酮、15g醋酸乙酯、21.6g甲苯、llg正丁醛依次加入搅拌桶中，恒温30。C，搅拌10min ; (2)将42g三聚氰胺树脂加入搅拌桶中，恒温3(TC，搅拌10min，得到混合溶液备用； (3)再将0.4g对甲苯磺酸加入搅拌桶的混合液中，边加入边搅拌，加完后再持续
搅拌约15min，得到的镭射烫金用三聚氰胺离型剂，即可上机使用。 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，制备步骤和上机使用时环境湿度应控制在60%。 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，在制备步骤(3)中，加入对甲苯磺酸的时间是需上
机使用镭射烫金用三聚氰胺离型剂时。 镭射烫金用三聚氰胺离型剂，使用完后的镭射烫金用三聚氰胺离型剂应完全密封，保存于室温阴凉处并保持良好通风的环境下，超过三天不使用即报废。
经涂布在PET光膜后，连机接着涂布雷射信息层，并以拉力试验机检测离型力约5 8g，达到客户产品所需求的离型范围。 以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
权利要求
一种镭射烫金用三聚氰胺离型剂，其特征在于按重量百分比计，由以下原料组成三聚氰胺树脂33～45％对甲苯磺酸 0.1～1％丁酮8～10％醋酸乙酯10～15％甲苯20～35％正丁醛 10～25％。
2. 根据权利要求1所述的镭射烫金用三聚氰胺离型剂，其特征在于按重量百分比计，由以下原料组成三聚氰胺树脂 34 42% 对甲苯磺酸0.1 0.6% 丁酮 8 10% 醋酸乙酯 10 15% 甲苯 20 32% 正丁醛 10 15%。
3. 根据权利要求1所述的镭射烫金用三聚氰胺离型剂，其特征在于按重量百分比计，由以下原料组成三聚氰胺树脂 34% 对甲苯磺酸 0.5% 丁酮 10% 醋酸乙酯 15% 甲苯 30.5% 正丁醛 10%。
4. 根据权利要求1 3任意一项所述的镭射烫金用三聚氰胺离型剂，其特征在于其制备方法包括以下步骤(1) 将上述配方量的丁酮、醋酸乙酯、甲苯、正丁醛依次加入搅拌桶中，恒温25t: 30°C，搅拌5 10min ;(2) 将上述配方量的三聚氰胺树脂加入搅拌桶中，恒温25t: 3(rC，搅拌5 10min，得到混合溶液备用；(3) 再将上述配方量的对甲苯磺酸加入搅拌桶的混合溶液中，边加入边搅拌，加完后 再持续搅拌约10 15min，得到的镭射烫金用三聚氰胺离型剂，即可上机使用。
5. 根据权利要求4所述的镭射烫金用三聚氰胺离型剂，其特征在于制备步骤和上 机使用时环境湿度应控制在40 % 60 % 。
6. 根据权利要求4所述的镭射烫金用三聚氰胺离型剂，其特征在于在制备步骤(3) 中，加入对甲苯磺酸的时间是需上机使用镭射烫金用三聚氰胺离型剂时。
7. 根据权利要求1所述的镭射烫金用三聚氰胺离型剂，其特征在于使用完后的镭 射烫金用三聚氰胺离型剂应完全密封，保存于室温阴凉处并保持良好通风的环境下，超 过三天不使用即报废。
全文摘要
本发明涉及薄膜涂层产品技术领域，具体涉及镭射烫金用三聚氰胺离型剂，按重量百分比计，由以下原料组成三聚氰胺树脂33～45％，对甲苯磺酸0.1～1％，丁酮8～10％，醋酸乙酯10～15％，甲苯20～35％，正丁醛10～25％，该镭射烫金用三聚氰胺离型剂涂布于PET膜表面上，比蜡离型剂的涂布更清澈透明，没有涂布纹路，不会产生蜡斑的现象，可提高后段工序的印刷效果，只需一次涂布，成本低，针对平压平、圆压平或是圆压圆等机台皆可，有广泛的操作适用性。
文档编号B41M5/26GK101691472SQ200910192558
公开日2010年4月7日 申请日期2009年9月22日 优先权日2009年9月22日
发明者三德·沙达西文, 吴俊德 申请人:东莞光群雷射科技有限公司