像素电路、具备其的显示装置和该显示装置的驱动方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及像素电路，更加详细而言，涉及包含有机EL(Electro Luminescence:电致发光)元件等的电光学元件的像素电路、具备其的显示装置和该显示装置的驱动方法。
【背景技术】
[0002]作为薄型、高画质、低耗电的显示装置，已知有机EL显示装置。在有机EL显示装置中呈矩阵状配置有多个像素电路，该多个像素电路包含用电流驱动的自发光型的电光学元件即有机EL元件和驱动晶体管等。
[0003]图17是表示现有的像素电路91的结构的电路图。像素电路91在例如专利文献I等中被公开。以下，为了方便有时将图17所示的像素电路91称为“参考现有例”。像素电路91与数据线Dj (j为自然数)和扫描线Si (i为自然数)的交叉点对应地配置，具备I个有机EL元件OLED、2个晶体管Tl、T2和I个电容器Cl。晶体管Tl是驱动晶体管，晶体管T2是输入晶体管。晶体管Tl?T4是η沟道型薄膜晶体管(Thin Film Transistor ;以下简写成“TFT”。)。
[0004]晶体管Tl与有机EL元件OLED串联设置，漏极端子与供给高电平电源电压ELVDD的电源线(以下称为“高电平电源线”，与高电平电源电压同样地由附图标记ELVDD表示。)连接，源极端子与有机EL元件OLED的阳极端子连接。晶体管T2的栅极端子与扫描线Si连接，晶体管T2设置于数据线Dj与晶体管Tl的栅极端子之间。电容器Cl的一端与晶体管Tl的栅极端子连接，另一端与晶体管Tl的源极端子连接。有机EL元件OLED的阴极端子与供给低电平电源电压ELVSS的电源线(以下称为“低电平电源线”，与低电平电源电压同样地由附图标记ELVSS表示。)连接。以下，在有关参考现有例的说明中，为了方便，将晶体管Tl的栅极端子、电容器的一端和位于晶体管Tl的栅极端子侧的晶体管T2的导通端子的连接点称为“栅极节点VG”。
[0005]图18是用于说明图17所示的像素电路91的动作的时序图。在时刻tl以前，晶体管T2为截止状态，栅极节点VG的电位维持初始电平(例如，与前一帧期间的写入相应的电平)。当时刻tl时，扫描线Si被选择而晶体管T2接通，经数据线Dj和晶体管T2，与第i行的像素电路91形成的像素(子像素)的亮度对应的数据电压(以下称为“第i行的数据电压”，用附图标记Vdatai表示。)被供给至栅极节点VG。然后，在至时刻t2为止的期间，栅极节点VG的电位根据数据电压Vdatai变化。此时，电容器Cl被充电至栅极节点VG的电位与晶体管Tl的源极电位之差即栅极-源极间电压Vgs。当时刻t2时，晶体管T2关断，电容器Cl所保持的栅极-源极间电压Vgs确定。晶体管Tl根据电容器Cl保持的栅极-源极间电压Vgs向有机EL元件OLED供给驱动电流。其结果，有机EL元件OLED以与驱动电流相应的亮度发光。此外，与本申请发明相关的像素电路和有机EL显示装置公开于专利文献2、3中。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特开2003-271095号公报
[0009]专利文献2:日本特开2005-31630号公报
[0010]专利文献3:日本特许4637070号公报
【发明内容】
[0011]发明要解决的技术问题
[0012]图 19 是表示与 HD(High Definit1n(高清):1280X720)、FHD(Full HighDefinit1n(全高清):1920X 1080)和2K4K(4096X2160)各自的分辨率对应的I水平期间(1H期间)的长度的图。另外，2K4K也被称为4K2K或4K等。当以60Hz驱动时(是指以刷新频率为60Hz的方式驱动显示装置的情况，即驱动频率为60Hz的情况。)的FHD为基准时，如图19所示，在60Hz驱动时的2K4K中，IH期间变为约1/2，在120Hz驱动时(以刷新频率成为120Hz的方式驱动显示装置的情况，即驱动频率为120Hz的情况。)的2K4K中，IH期间变为约1/4。像这样，分辨率和驱动频率分别越高，IH期间越短，S卩，各扫描线的选择期间变短。在无法确保各扫描线的选择期间的情况下，在各扫描线的选择期间中，不能充分地进行数据电压的写入。因此，如图18所示，使栅极节点VG的电位到达目标电平变得困难。栅极节点VG的电位没有到达目标电平，即无法将电容器Cl充电至期望的电压。其结果，显示品质降低。
[0013]另外，作为低温多晶娃TFT的一种的CGS(Continuous Grain silicon:连续粒界结晶硅)-TFT的一般迀移率为约10cmVV *s。与此相对，非晶硅TFT (由非晶硅形成沟道层的TFT)的一般迀移率为约0.5cm2/V.s，微晶硅TFT (由微晶硅TFT形成沟道层的TFT)的一般迀移率为约2cm2/V*s，利用以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)为主成分的氧化物半导体即InGaZnOx(以下称为“IGZ0”。)形成沟道层的IGZO-TFT的一般迀移率为约1cm2/V-So作为上述的晶体管T2，在使用与CGS-TFT相比迀移率大幅低的非晶硅TFT、微晶硅TFT或IGZO-TFT等的情况下，在各扫描线的选择期间中的晶体管T2维持导通状态的期间，无法向栅极节点VG供给足够的电荷。即，在各扫描线的选择期间中，无法充分进行数据电压的写入。因此，与无法充分确保各扫描线的选择期间的情况同样地，使栅极节点VG的电位到达目标电平变得困难。此外，在作为晶体管T2使用非晶硅TFT、微晶硅TFT或IGZO-TFT等并且无法充分地确保各扫描线的选择期间的情况下，使栅极节点VG的电位到达目标电平进一步变得困难。
[0014]于是，本发明的目的在于，提供一种即使在输入晶体管的迀移率低的情况下或无法确保各扫描线的选择期间的情况下也能够维持显示品质的像素电路、具备其的显示装置和该显示装置的驱动方法。
[0015]解决技术问题的技术手段
[0016]本发明的第一方面是在有源矩阵型的显示装置内，与多个数据线中的任一个数据线和被依次选择的多个扫描线中的任一个扫描线对应地配置的像素电路，其特征在于，包括:
[0017]用电流驱动的电光学元件；
[0018]与上述电光学元件串联地设置，对要供给至上述电光学元件的驱动电流进行控制的驱动晶体管；
[0019]保持用于对上述驱动晶体管进行控制的电压的驱动电容元件；
[0020]设置于对应的数据线与上述驱动电容元件之间的第一输入晶体管，上述第一输入晶体管的控制端子与对应的扫描线连接；和
[0021]设置于上述对应的数据线与上述驱动电容元件之间的第二输入晶体管，上述第二输入晶体管的控制端子与上述对应的扫描线之前的扫描线连接。
[0022]本发明的第二方面在本发明的第一方面的基础上，特征在于:上述第二输入晶体管的上述控制端子与对应于上述像素电路的扫描线的前一个扫描线连接。
[0023]本发明的第三方面在本发明的第一方面的基础上，特征在于，上述像素电路还包括设置于上述对应的数据线与上述驱动电容元件之间的第三输入晶体管，上述第三输入晶体管的控制端子与上述对应的扫描线之前的、与上述第二输入晶体管的上述控制端子所连接的扫描线不同的扫描线连接。
[0024]本发明的第四方面在本发明的第一方面的基础上，特征在于:上述像素电路还包括与上述电光学元件串联地设置的发光控制晶体管，在与上述第一输入晶体管的上述控制端子和上述第二输入晶体管的上述控制端子中的任一个控制端子连接的扫描线被选择时，上述发光控制晶体管成为截止状态。
[0025]本发明的第五方面在本发明的第一方面的基础上，特征在于:上述第一输入晶体管是由氧化物半导体、微晶硅或非晶硅形成沟道层的薄膜晶体管。
[0026]本发明的第六方面是有源矩阵型的显示装置，其特征在于，具备:本发明的第一方面至第五方面中任一方面的像素电路；和依次选择上述多个扫描线的扫描驱动部。
[0027]本发明的第七方面是一种有源矩阵型的显示装置的驱动方法，该有源矩阵型的显示装置包括显示部，上述显示部包含多个数据线、多个扫描线、和与上述多个数据线和上述多个扫描线对应地配置的多个像素电路，上述像素电路包含:用电流驱动的电光学元件；与上述电光学元件串联地设置，对要供给至上述电光学元件的驱动电流进行控制的驱动晶体管；和保持用于对上述驱动晶体管进行控制的电压的驱动电容元件，
[0028]该有源矩阵型的显示装置的驱动方法的特征在于，包括:
[0029]依次选择上述多个扫描线的扫描步骤；
[0030]与对应于上述像素电路的扫描线的选择相应地，将对应于上述像素电路的数据线与上述驱动电容元件相互电连接的第一输入步骤；和
[0031]与对应于上述像素电路的扫描线之前的扫描线的选择相应地，将对应于上述像素电路的数据线与上述驱动电容元件相互电连接的第二输入步骤。
[0032]发明效果
[0033]根据本发明的第一方面，在从数据线经第一输入晶体管向驱动电容元件供给电压之前，从数据线经第二输入晶体管向驱动电容元件供给电压，即，在与像素电路对应的扫描线之前的扫描线的选择时进行预备充电。因此，即使在第一输入晶体管的迀移率比较低的情况下或无法充分确保各扫描线的选择期间的情况下，驱动电容元件也被充电至期望的电压。由此，在具备本发明的第一方面的像素电路的显示装置中能够维持显示品质。
[0034]根据本发明的第二方面，在与像素电路对应的扫描线的前一个扫描线的选择时进行预备充电。由于一般的图像中相邻像素彼此类似，所以在数据线的延伸方向上相邻的2个像素电路中，经数据线要供给至爸驱动电容元件的电压彼此类似(相近)。因此，通过在与像素电路对应的扫描线的前一个扫描线的选择时进行预备充电，被充电至驱动电容元件的电压更加接近期望的电压。由此，能够进一步可靠地维持显示品质。
[0035]根据本发明的第三方面，使用第三输入晶体管进行另外的预备充电。因此，被充电至驱动电容元件的电压进一步接近期望的电压。由此，能够进一步可靠地维持显示品质。
[0036]根据本发明的第四方面，通过设置发光控制晶体管，在像素电路中用于进行预备充电的期间(以下，在发明效果的说明中称为“预备充电期间”。)和要写入与像素电路形成的像素