柔性显示器及其制造方法

文档序号:8320247阅读:385来源:国知局
柔性显示器及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本公开涉及柔性显示器及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 薄膜晶体管(TFT)已使用在各种领域中,包括在诸如液晶显示器(IXD)、有机发光 二极管(OLED)显示器、以及电泳显示器的平板显示设备中作为开关与驱动元件。
[0003] 薄膜晶体管通常包括与传输扫描信号的栅极线连接的栅极电极、与传输待施加至 像素电极的信号的数据线连接的源极电极、朝向源极电极的漏极电极、以及与源极电极和 漏极电极电连接的半导体。
[0004] 薄膜晶体管的半导体一般由非晶硅或晶体硅形成。非晶硅可在低温进行沉积以形 成薄膜,从而广泛地用于主要使用具有低熔点的玻璃作为基底的显示设备中,并且晶体硅 具有高场效应迀移率、高频操作特性以及低漏电流的电特性。
[0005] 为了在基底上形成薄膜晶体管,通常需要用于防止杂质等进入薄膜晶体管的缓冲 层。
[0006] 然而,在缓冲层包含大量氢气的情况下,在用于使薄膜晶体管的半导体结晶的过 程期间产生了由于例如膜撕裂现象而导致的薄膜晶体管的故障。
[0007] 此外,根据基底的位置,氢气呈现出不同的氢钝化效应,从而导致了不一致的元件 特性。
[0008] 另外,在如有机发光二极管显示器那样制造柔性显示器的情况下,由于柔性显示 器的特性,缓冲层可能由于重复弯曲而与基底分离。
[0009] 背景部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明背景的理解,因此其可以包括不 形成在该国中对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

【发明内容】

[0010] 本公开致力于提供一种柔性显示器及其制造方法,在该柔性显示器中不会产生由 于氢气而导致的薄膜晶体管的故障。
[0011] 此外,本公开致力于提供一种柔性显示器及其制造方法,在该柔性显示器中,即使 柔性显示器重复地弯曲,薄膜也不会被分离。
[0012] 一个实施方式提供了一种制造柔性显示器的方法,其包括:在柔性基底上形成第 一阻挡层;在第一阻挡层上形成第二阻挡层,其中第二阻挡层包括硅氮化物;释放第二阻 挡层的应力;在第二阻挡层上形成第一缓冲层,其中第一缓冲层包括硅氮化物;在第一缓 冲层上形成第二缓冲层;以及在第二缓冲层上形成薄膜晶体管。
[0013] 释放应力的步骤可包括将第二阻挡层暴露至空气。
[0014] 柔性基底可包括具有聚酰亚胺的至少一个聚合材料层。
[0015] 柔性基底可包括:第一柔性基底;形成在第一柔性基底上的中间阻挡层;以及形 成在中间阻挡层上的第二柔性基底,其中中间阻挡层与第一阻挡层可包括相同的材料。
[0016] 该方法还可包括在第一柔性基底与第二柔性基底之间形成粘合层,并且粘合层可 包括其中掺杂有P型或N型导电杂质的非晶硅或氢化的非晶硅中至少之一。
[0017] 中间阻挡层可形成为具有约1000 A至约6000 A的厚度。
[0018] 第一柔性基底和第二柔性基底可包括聚酰亚胺。
[0019] 第一柔性基底和第二柔性基底中的每个可形成为具有约8 μπι至约12 μπι的厚度。
[0020] 另一实施方式提供了一种柔性显示器,其包括:第一柔性基底;定位在第一柔性 基底上并且包括硅氧化物的中间阻挡层;定位在中间阻挡层上并且包括其中掺杂有P型或 N型导电杂质的非晶硅或氢化的非晶硅中至少之一的粘合层;定位在粘合层上的第二柔性 基底;定位在第二柔性基底上并且包括硅氧化物的第一阻挡层;定位在第一阻挡层上并且 包括硅氮化物的第二阻挡层;定位在第二阻挡层上并且包括硅氧化物的缓冲层;定位在缓 冲层上的薄膜晶体管;以及与薄膜晶体管相连接的有机发光元件。
[0021] 第一柔性基底和第二柔性基底可包括聚酰亚胺。
[0022] 第一柔性基底和第二柔性基底中的每个可形成为具有约8 μπι至约12 μπι的厚度。
[0023] 中间阻挡层的厚度可以是约1000 A至约6000 A。
[0024] 缓冲层可包括定位在第二阻挡层上的第一子缓冲层以及定位在第一子缓冲层上 的第二子缓冲层,并且第一子缓冲层可包括硅氮化物。
[0025] 第一阻挡层的厚度可以为约IGGO A至约6〇〇〇 Α,第二阻挡层的厚度可以为约 500 A至约2000 Α,第一子缓冲层的厚度可以为约500 A至约1000 Α,以及第二子缓 冲层的厚度可以为约1000 A至约3000 A。
[0026] 粘合层的厚度可等于或小于约丨00 Α。
[0027] 根据本发明实施方式,当阻挡层和缓冲层如上文所述那样形成时,可通过使元件 由于氢气而导致的故障最小化而提供高质量的柔性显示器。
[0028] 此外,根据本发明实施方式,不会生成由于薄膜的应力而导致的裂缝,从而可提供 使其中的薄膜分离现象最小化的柔性显示器。
【附图说明】
[0029] 图1是示出了包括在根据一个实施方式的有机发光二极管显示器中的像素电路 的电路图;
[0030] 图2是图1的有机发光二极管显示器的一个像素的剖视图;
[0031] 图3至图7是示出了根据实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法的剖视 图;以及
[0032] 图8是示出了根据另一实施方式的有机发光二极管显示器的剖视图。
【具体实施方式】
[0033] 在以下详细说明中,仅简单地通过例示示出和描述了本发明的某些实施方式。如 本领域技术人员可以理解的,本文中描述的实施方式可以以多种方式进行修改,而不背离 本发明的精神或范围。
[0034] 在描述本公开时,将省略与描述无关的部分。在整个说明书中,相同的附图标记通 常指示相同的元件。
[0035] 另外,为了便于更好地理解和描述方便起见,随意地示出了附图中所示的每个元 件的尺寸和厚度,但本发明的实施方式并不限于此。
[0036] 在附图中,为了清晰起见并且为了更好地理解和便于描述,可能放大了层、膜、板、 区域等的厚度。应当理解当元件如层、膜、区域、或衬底被称为"位于另一元件上"时,其可 以直接位于另一元件上或者还可以存在插入的元件。
[0037] 另外,除非明确地相反地说明,用语"包括(comprise)"及其变型如"包括 (comprises) "或"包括(comprising) "应理解为是指包括所述元件而非排除任何其他元件。 此外,在说明书中,用语"位于…上"指位于对象部分之上或位于对象部分之下,而并非必须 指基于重力方向位于该对象部分的上侧。
[0038] 下面将参照附图详细描述根据本发明实施方式的柔性显示器及其制造方法。
[0039] 根据实施方式的柔性显示器可以是包括有机发光二极管的有机发光二极管显示 器。
[0040] 图1是示出了包括在根据一个实施方式的有机发光二极管显示器中的像素电路 的电路图。
[0041] 该有机发光二极管显示器包括多个信号线121、171和172,以及与该多个信号线 121、171和172相连接的像素 PX。
[0042] 信号线包括用于传输栅极信号(或扫描信号)的栅极线121、用于传输数据信号的 数据线171、以及用于传输驱动电压的驱动电压线172。栅极线121大致在行方向延伸并且 几乎彼此平行,以及数据线171大致在列方向延伸并且几乎彼此平行。示出了大致在列方 向延伸的驱动电压线172,但是其可在行方向或列方向延伸或可形成为呈网格状。
[0043] 一个像素 PX包括开关晶体管Qs、驱动晶体管QcU存储电容器Cst、以及有机发光元 件70。
[0044] 开关晶体管Qs具有控制端子、输入端子、以及输出端子。控制端子连接至栅极线
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