Amoled的屏体结构及其电压转换电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有源矩阵有机发光显示技术领域，特别是涉及一种AMOLED的屏体结构及其电压转换电路。
【背景技术】
[0002]有源矩阵有机发光显示(AMOLED)是一种自主发光器件，相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点。
[0003]AMOLED主要由薄膜晶体管(TFT)阵列基板和有机层组成，在传统的生产过程中，已完成制作的显示器屏体在与驱动芯片邦定之前需要对整个显示器屏体进行点亮测试，为此需要通过测试引脚对显示器屏体输入许多电压信号，这些信号包括高电平信号VGHdSi平信号VGL和参考信号VREF。
[0004]传统的做法是:通过专用的测试设备对各个测试引脚输入各个正负的电压信号，但是这样需要在显示屏边缘制造许多专门的测试引脚，使得本就已十分拥挤的显示器屏体边缘更加拥挤，也使显示器屏体边框变窄变得更加困难。
[0005]另一方面，专用的测试设备需要输入多个电压信号，难以避免会提高测试设备的成本。
【发明内容】
[0006]基于此，有必要提供一种可减少测试引脚占用面积并降低测试成本的电压转换电路。
[0007]此外，还提供一种包括该电压转换电路的AMOLED的屏体结构。
[0008]一种AMOLED的屏体结构的电压转换电路，用于为所述阵列基板提供测试电压，包括:
[0009]负压模块，用于将输入的第一正电压转换为第一负电压输出；
[0010]分压模块，连接所述负压模块输出第一负电压的输出端，用于将所述第一负电压进行分压得到一个以上的负电压输出；
[0011]所述第一正电压和一个以上的负电压均作为测试电压。
[0012]在其中一个实施例中，所述负压模块包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管以及稳压管；
[0013]所述第一薄膜晶体管的源极用于输入所述第一正电压、漏极与第二薄膜晶体管的源极连接、栅极用于输入第一方波信号；所述第二薄膜晶体管的漏极接地、栅极用于输入第二方波信号；所述第一方波信号和第二方波信号的波形相反；
[0014]所述第一薄膜晶体管的漏极依次连接第一电阻、第一电容、第一二极管至所述负压模块的输出端；其中所述第一二极管的阳极连接第一电容；
[0015]所述第二二极管连接在第一二极管的阴极与第二薄膜晶体管的漏极之间，且所述第二二极管的阴极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接；
[0016]所述第二电容和稳压管并联，且连接在第一二极管的阳极与第二薄膜晶体管的漏极之间，其中所述稳压管的阴极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。
[0017]在其中一个实施例中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为P型。
[0018]在其中一个实施例中，所述分压模块包括串联的至少两个分压电阻。
[0019]在其中一个实施例中，所述第一正电压为扫描线开启电压，所述一个以上的负电压包括扫描线关闭电压和参考电压。
[0020]一种AMOLED的屏体结构，包括:
[0021]基板；
[0022]屏体，设于所述基板上，所述屏体包括薄膜晶体管像素驱动单元；
[0023]栅极驱动电路，设于所述基板上的边缘位置，向所述屏体提供包括驱动电压在内的驱动信号；
[0024]测试元件组，设于所述基板上的边缘位置，与所述栅极驱动电路连接，向所述栅极驱动电路提供测试电压；
[0025]其中，所述栅极驱动电路或测试元件组内还设有电压转换电路，所述电压转换电路包括:
[0026]负压模块，用于将输入的第一正电压转换为第一负电压输出；
[0027]分压模块，连接所述负压模块输出第一负电压的输出端，用于将所述第一负电压进行分压得到一个以上的负电压输出；
[0028]所述第一正电压和一个以上的负电压均作为测试电压。
[0029]在其中一个实施例中，所述负压模块包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管以及稳压管；
[0030]所述第一薄膜晶体管的源极用于输入所述第一正电压、漏极与第二薄膜晶体管的源极连接、栅极用于输入第一方波信号；所述第二薄膜晶体管的漏极接地、栅极用于输入第二方波信号；所述第一方波信号和第二方波信号的波形相反；
[0031]所述第一薄膜晶体管的漏极依次连接第一电阻、第一电容、第一二极管至所述负压模块的输出端；其中所述第一二极管的阳极连接第一电容；
[0032]所述第二二极管连接在第一二极管的阴极与第二薄膜晶体管的漏极之间，且所述第二二极管的阴极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接；
[0033]所述第二电容和稳压管并联，且连接在第一二极管的阳极与第二薄膜晶体管的漏极之间，其中所述稳压管的阴极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。
[0034]在其中一个实施例中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为P型。
[0035]在其中一个实施例中，所述分压模块包括串联的至少两个分压电阻。
[0036]在其中一个实施例中，所述第一正电压为扫描线开启电压，所述一个以上的负电压包括扫描线关闭电压和参考电压。
[0037]上述AMOLED的屏体结构，在对其进行测试时，外部的测试设备仅需要通过测试元件组向栅极驱动电路提供一个第一正电压就可以获得两个以上的测试电压。由于测试元件组上用来进行电接触的触接区或引脚是较为宏观的尺寸，而测试元件组本身的电路结构采用光刻技术形成，尺寸非常小，因此减少与外部测试设备电接触的面积即可大大降低测试元件组所占用的面积。另一方面，外部的测试设备也无需再提供多种不同的电压，降低了外部的测试设备的复杂度，降低了测试成本。
【附图说明】
[0038]图1为一实施例的AMOLED的屏体结构示意图；
[0039]图2为一实施例的AMOLED的电压转换电路模块图；
[0040]图3是图2中的电压转换电路的原理图。
【具体实施方式】
[0041]如图1所示，为一实施例的AMOLED的屏体结构示意图。该屏体结构10包括基板100和设于基板100上的屏体200、栅极驱动电路(gate drive IC) 300以及测试元件组(test element group, TEG) 400。
[0042]屏体200包括通过光刻技术在基板100上形成的薄膜晶体管(thin filmtransistor, TFT)阵列层和有机致电发光层(图未示)。屏体200包括大量的薄膜晶体管像素驱动单元210。AMOLED的屏体是本领域技术人员熟悉的技术，在此不赘述。
[0043]参考图1中的薄膜晶体管像素驱动单元210的放大图，其包括两个薄膜晶体管Ml、M2和一个储能电容Cs。当扫描电压Vscan为开启电压VGH时，薄膜晶体管Ml导通，Vdata可以控制薄膜晶体管M2，电源电压VDD和参考电压VREF之间导通时可使OLED发光、对应的像素点亮。有源矩阵有机发光显示原理为本领域常规技术，在此不赘述。
[0044]本实施例中，栅极驱动电路300设于基板100上的边缘位置，也即以一种面板内驱动电路(gate in panel,GIP)的形式形成。这样就能够将驱动电路的部分功能集成在显示屏上，并且可以通过一次光刻过程同时形成TFT阵列层和栅极驱动电路300。该栅极驱动电路300能够接收外部的驱动信号，将驱动信号转换为屏体200工作所需的电参数。
[0045]测试元件组400是与屏体200上的TFT阵列层一起形成的，其内部包括一些用于测试的电路，例如方波电路等。测试元件组400设于基板100上的边缘位置，与栅极驱动电路300连接，向所述栅极驱动电路300提供包括测试电压在内的测试参数。测试元件组400还具有与外部测试设备电性连接的触接区，用于与例如探针等测试工具触接，获得测试电压。测试元件组400继而把测试电压提供给栅极驱动电路300。
[0046]栅极驱动电路300内还设有电压转换电路310。参考图2，电压转换电路310包括负压模块311和分压模块312。负压模块311用于将输入的第一正电压VGH转换为第一负电压输出。分压模块312连接负压模块311输出所述第一负电压的输出端,用于将所述第一负电压进行分压得到一个以上的负电压(例如图中的VGL和VREF)输出。
[0047]参考图1中薄膜晶体管像素驱动单元的电路结构，其中涉及的电压包括VDD、Vscan,Vdata以及VREF。VDD可由专门的电源来提供，Vdata是由源极驱动芯片(图未示，其同样米用GIP方式设置于基板100上)提供的。扫描电压Vscan包括扫描线开启电压VGH和扫描