>[0030] 本发明的电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路及方法通过电压电流混合式 的编程方式，对AMOLED像素的各个非理想因素进行补偿，同时具有较快的编程高速度，既 确保了显示效果又确保了响应速度。
【附图说明】
[0031] 图1显示为现有技术中的2T1C的像素结构示意图。
[0032] 图2显示为现有技术中的电流输入型的像素结构示意图。
[0033] 图3显示为现有技术中的电流输入型像素结构的时序示意图。
[0034] 图4显示为本发明的电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路的结构示意图。
[0035] 图5显示为本发明的电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路的时序示意图。
[0036] 元件标号说明
[0037] Td 驱动晶体管
[0038] Tl~Τ3 开关晶体管
[0039] C 电容
[0040] D 有机发光二极管
[0041] Vdata 数据信号
[0042] Idata 数据信号
[0043] SCAN、SCAN [1]~SCAN [η] 扫描信号
[0044] EM 控制信号
[0045] Iflx 固定电流信号
【具体实施方式】
[0046] 以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书 所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实 施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离 本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0047] 请参阅图4~图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明 本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数 目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其 组件布局型态也可能更为复杂。
[0048] 如图4所示，本发明提供一种电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路，至少包 括：
[0049] 驱动晶体管Td、第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、电容 C以及有机发光二极管D ;其中，
[0050] 所述驱动晶体管1的第一电极连接第一电源信号，栅极连接所述电容C的第一 端、所述第一开关晶体管Tl的第一电极和所述第二开关晶体管T2的第二电极，第二电极连 接所述第一开关晶体管Tl的第二电极和所述第三开关晶体管T3的第一电极，所述电容C 的第二端连接数据信号V data;
[0051] 所述第一开关晶体管Tl的栅极连接第一控制信号，在本实施例中为扫描信号 SCAN ；
[0052] 所述第二开关晶体管T2的栅极连接所述扫描信号SCAN，第一电极连接固定电流 信号I fix;
[0053] 像素单元各行的第一控制信号分别为第一扫描信号SCAN[1]、第二扫描信号 SCAN [2]、第三扫描信号SCAN [3]……第n扫描信号SCAN [η];
[0054] 所述第三开关晶体管Τ3的栅极连接第二控制信号ΕΜ，所述第二控制信号EM为方 波信号，用于控制所述电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路的工作状态；所述第三开 关晶体管Τ3的第二电极连接所述有机发光二极管D的第一端，所述有机发光二极管D的第 二端连接第二电源信号。
[0055] 具体地，若所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极，则所述驱动晶体管Td、所 述第一开关晶体管Τ1、第二开关晶体管Τ2、第三开关晶体管Τ3为P管，所述有机发光二极 管D的第一端为阳极、第二端为阴极；若所述第一电极为漏极，所述第二电极为源极，则所 述驱动晶体管T d、所述第一开关晶体管Τ1、第二开关晶体管Τ2、第三开关晶体管Τ3为N管， 所述有机发光二极管D的第一端为阴极、第二端为阳极。
[0056] 具体地，所述第一开关晶体管Τ1、第二开关晶体管Τ2、第三开关晶体管Τ3作为开 关管，可以选择任意类型的晶体管以完成开关功能，包括多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶 体管、氧化锌基薄膜晶体管或有机薄膜晶体管中的一种。
[0057] 本发明还提供一种电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路的驱动方法，在本 实施例中，所述驱动晶体管T d、所述第一开关晶体管Τ1、第二开关晶体管Τ2、第三开关晶体 管T3选择为P管，所述第一电极定义为源极，所述第二电极定义为漏极，所述有机发光二极 管D的第一端为阳极、第二端为阴极。在本实施例中，所述第一电源信号为电源电压VDD，所 述第二电源信号为参考地GND。所述电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路的驱动方法 至少包括：
[0058] 编程阶段：所述第一开关晶体管Tl和所述第二开关晶体管Τ2开启，所述第三开关 晶体管T3关闭，电流从所述驱动晶体管T d、所述第一开关晶体管Tl和所述第二开关晶体管 T2流至所述固定电流信号Iflx。
[0059] 具体地，如图3~图4所示，所述第二控制信号EM为高电平，所述第三开关晶体管 T3关闭。在本实施例中，以像素单元的第一行为例，则所述第一扫描信号SCAN[1]为低电平 脉冲，所述第一开关晶体管Tl和所述第二开关晶体管T2开启，此时，所述数据信号V datJ9 电压为D1。电流从所述驱动晶体管Td、所述第一开关晶体管Tl和所述第二开关晶体管T2 流至所述固定电流信号I flx，所述固定电流信号Iflx为固定的大电流，此时，所述驱动晶体管 Td的栅极电压（即图4中的节点A)满足如下关系式：
[0060]
[0061]
[0062] 其中，Va为所述驱动晶体管Td的栅极电压；Vdd为电源电压；Vth为所述驱动晶体管 Td的阈值电压，小于0 ;Iflx为所述固定电流信号的值；μ为载流子迀移率；C ^为单位面积 的栅氧化层电容；L为所述驱动晶体管Td的沟道长度；W为所述驱动晶体管Td的沟道宽度。
[0063] 当像素单元的第一行完成编程后，所述第一扫描信号SCAN[1]恢复高电平，所述 第一开关晶体管Tl和所述第二开关晶体管T2关闭，所述第一控制信号逐行发出低电平脉 冲，依次进行第二行、第二行......的编程。
[0064] 发光阶段：所述第一开关晶体管Tl和所述第二开关晶体管T2关闭，所述第三开关 晶体管T3开启，电流从所述驱动晶体管Td、所述第三开关晶体管T3流至所述有机发光二极 管D，所述驱动晶体管Td驱动所述有机发光二极管D发光。
[0065] 具体地，如图3~图4所示，所述第二控制信号EM为低电平，所述第三开关晶体 管T3开启。在本实施例中，以像素单元的第一行为例，则所述第一扫描信号SCAN[1]为高 电平，所述第一开关晶体管Tl和所述第二开关晶体管T2关闭，此时，所述数据信号V daJ^ 一固定电平的电压Vraf。所述电容C的左边与所述数据信号Vdata相连，电压从Dl跳变为了 V raf，而右边与节点A相连，处于浮空状态，因此电压会耦合跳变，所述驱动晶体管Td的栅极 电压（即图4中的节点A)最终变成：
[0066]
[0067] 电流从所述驱动晶体管Td、所述第三开关晶体管T3流至所述有机发光二极管D， 所述驱动晶体管Td驱动所述有机发光二极管D发光，此时，流经所述有机发光二极管D的 电流满足如下关系式： CN 1051398