10的编程时间。
[0015]为了解释的目的，图1中的显示系统50被图示为在显示面板20中只有四个像素10。当然，显示系统50能够被实施成具有如下的显示屏幕:该显示屏幕包括诸如像素10等类似像素的阵列，但该显示屏幕并不局限于特定的像素行数和像素列数。例如，显示系统50能够被实施成具有如下的显示屏幕:该显示屏幕中的像素行数和像素列数可普遍使用于移动设备、电视、数码相机或其他基于监控器的设备、和/或投影设备的显示器中。
[0016]像素10是利用通常包括驱动晶体管和发光器件的驱动电路(“像素电路”)而被操作的。以下，像素10可以称为像素电路。所述发光器件视需要而言可以是有机发光二极管，但是本发明的实施方式适用于具有其他电致发光器件(包括电流驱动型发光器件)的像素电路。像素10中的驱动晶体管视需要而言可以是η型或者P型的非晶硅或多晶硅薄膜晶体管，但是本发明的实施方式不局限于其中晶体管呈现为特定极性的像素电路，或不局限于仅仅是具有薄膜晶体管的像素电路。像素电路10还可以包括储存电容器，该储存电容器用来储存编程信息且允许该像素电路10能够在被寻址之后驱动所述发光器件。因此，显示面板20可以是有源矩阵显示阵列。
[0017]如图1所示，显示面板20中的被图示为左上方像素的像素10被连接至选择线24j、电源线26j、数据线22i和监控线28i。在一个实施方式中，电源电压14还能够向像素10提供第二电源线。例如，各像素能够被连接至由Vdd充电的第一电源线和与Vss连接的第二电源线，且像素电路10能够被安置于第一电源线与第二电源线之间以便在该像素电路的发光阶段的期间内使这两个电源线之间的驱动电流变得更容易。显示面板20中的左上方像素10可以对应于该显示面板中的位于显示面板20的第“ j ”行第“ i ”列中的像素。类似地，显示面板20中的右上方像素10代表第“j”行第“m”列；左下方像素10代表第“η”行第“i”列；且右下方像素10代表第“η”行第“i”列。各像素10被连接至合适的选择线(例如，选择线24j和24η)、电源线(例如，电源线26j和26η)、数据线(例如，数据线22i和22m)以及监控线(例如，监控线28i和28m)。应当注意的是，本发明的各方面适用于具有额外连接(诸如与额外的选择线的连接等)的像素，并且适用于具有较少连接的像素(诸如不具备与监控线的连接的像素等)。
[0018]参照显示面板20中所示的左上方像素10，选择线24j由地址驱动器8提供，且选择线24j可以被用来例如通过激活用于允许数据线22i对像素10进行编程的开关或晶体管来使得像素10的编程操作得以执行。数据线22i把来自于数据驱动器4的编程信息传送给像素10。例如，数据线22i能够被用来向像素10施加编程电压或编程电流，以便对像素10进行编程从而使该像素发出所需量的亮度。由数据驱动器4经由数据线22i而提供过来的所述编程电压(或编程电流)是这样的电压(或电流):其适合于致使像素10发射出具有与由控制器2接收到的数字数据对应的所需量的亮度的光。所述编程电压(或编程电流)能够在像素10的编程操作期间内被施加给像素10，以便对像素10内的储存器件(诸如储存电容器等)进行充电，由此使像素10能够在编程操作之后的发射操作期间内发射出具有所需量的亮度的光。例如，像素10中的所述储存器件能够在编程操作的期间内被充电，以便在发射操作的期间内向驱动晶体管的一个或多个栅极或源极端子施加电压，由此致使该驱动晶体管把与储存于所述储存器件上的电压对应的驱动电流传送得经过发光器件。
[0019]通常，在像素10中，在像素10的发射操作的期间内由驱动晶体管传送得经过发光器件的驱动电流是由第一电源线26j提供的且被排出至第二电源线(未图示)的电流。第一电源线22j和第二电源线被连接至电压电源14。第一电源线26j能够提供正的电源电压(例如，在电路设计中通常被称为“Vdd”的电压)，且第二电源线能够提供负的电源电压(例如，在电路设计中通常被称为“Vss”的电压)。本发明的实施方式能够在这两个电源线中的一者或另一者(例如，电源线26j)被固定至接地电压或另一个参考电压的情况下而被实现。
[0020]显示系统50还包括监控系统12，监控系统12经由各条监控线28而接收关于相应像素的被监控到的、或被测量出的、或被提取出的信息。再次参照显示面板20中的左上方像素10，监控线28i将该像素10连接至监控系统12。监控系统12能够与数据驱动器4集成在一起，或者可以是一个分离开的独立系统。特别地，监控系统12视需要能够通过在像素10的监控操作的期间内监控数据线22i的电流和/或电压而被实施，且监控线28i能够被完全地省略。此外，显示系统50能够在没有监控系统12或监控线28i的前提下被实施。监控线28i允许监控系统12测量与像素10相关的电流或电压，且由此提取出表示像素10的劣化的信息。例如，监控系统12能够通过监控线28i而提取流过像素10内的驱动晶体管的电流，由此基于被测量出的电流且基于在该测量期间内被施加给驱动晶体管的电压而确定该驱动晶体管的阈值电压或其漂移。
[0021]监控系统12还能够提取发光器件的工作电压(例如，当发光器件正在工作而发光时该发光器件两端的电压降)。然后，监控系统12能够将信号32传达给控制器2和/或存储器6，以使得显示系统50能够将所提取的劣化信息存储于存储器6中。在像素10的随后的编程和/或发射操作的期间内，所述劣化信息是由控制器2凭借存储器信号36而从存储器6中取回的，然后控制器2补偿在像素10的随后的编程和/或发射操作中的所提取的劣化信息。例如，一旦劣化信息被提取出来，那么经由数据线22i而被传输至像素10的编程信息就能够在像素10的随后的编程操作的期间内被适当地调整，以使得像素10发射出具有与像素10的劣化无关的所需量的亮度的光。在一个例子中，像素10内的驱动晶体管的阈值电压的增大能够通过使施加于像素10上的编程电压适当地增大而得到补偿。该补偿如下所述地而被确定且参照图2到图4而被图示。
[0022]集成的数据通道
[0023]根据本发明的一个方面，提供了一种同时补偿多个劣化现象的方法，其中这些劣化现象会对有源矩阵显示器(例如，显示面板20)中的电流驱动型像素(例如，图1中的像素10)的亮度性能产生不利影响。各像素电路包括被驱动晶体管驱动的发光器件(诸如有机发光二极管或0LED)。劣化现象包括:非均匀性现象(其是由工艺非均匀性引起的)、温度现象、滞后现象、时间依赖性老化现象、以及可能由像素电路中的驱动晶体管的阈值电压的漂移而引起的动态效应现象。有时，这些现象在OLED技术中也被称为像素“参数”。
[0024]利用对于像素电路的通用类补偿方程，我们能够确认各现象(例如，OLED和TFT老化、非均匀性，等等)对各参数的影响。结果，当测量到某个现象时，受到这个现象影响的所有参数都被更新。
[0025]这个实施方式的一个例子基于如下的方程:
[0026]Ip(i，j) =k，(i，j).(Vg(i, j)-VT(i, j))a'(l'j) (I)
[0027]Ip是通过有源矩阵显示器中的给定的行和列(i，j)而引出的像素电流。VT(i，j)=VTo(i，J.)-AVtc(i, j)-KdynVaED(i，j)，并且 k’ (i, j) = kcomp(i, j).β (i, j)。这里，V?(i，j)是初始非均匀性偏移，AVT0(i, j)是老化偏移(aging offset)，Kdyn是V aED在所述偏移上的动态效应，k_p(i，j)是OLED效率劣化在比例因子上的影响，且β (i, j)是像素非均匀性在比例因子上的影响。例如，如果OLED效率下降10%，那么使像素电流增大10%以便补偿该效率损失，这意味着Kranip将会是1.1。字母i和j分别指的是正被测量的像素的列和行。
[0028]根据(I)来计算Vg (i, j)，就给出如下的方程:
[0029]Vg(i, j) = k(i, j)IP(i, j)a(l' j)+VT(i, j) (2)
[0030]在方程(2