将特开2009-237414号公报和特开2000-29072号公报的公开内容全部引用到本说明书中。
[0093]在液晶显示装置200中，由像素Pa构成的像素行和与其相邻的由像素Pb构成的像素行在列方向上交替地排列。当将相互相邻的奇数行和偶数行作为1对(Pp)时，多个像素包括奇数对(例如Pp(n))和偶数对(例如Pp(n+1))，奇数对和偶数对在列方向上交替地排列。在此，η是正整数，例如，在图7中，当n=l使，对Pp(l)包括第1行像素Pa和第2行像素Pb，对Pp
(2)包括第3行像素Pa和第4行像素Pb。同样，对Pp (3)包括第5行像素Pa和第6行像素Pb，对Pp(4)包括第7行像素Pa和第8行像素Pb。
[0094]因此，通过将参照图2?图5说明的以1H反转进行极性反转刷新动作的驱动方法的各行(1H)置换为各个对(像素行的对:2H)，能变更为以2H反转进行极性反转刷新动作的驱动方法。
[0095]例如，当将图2(a)的帧D的各行置换为像素行的对时能得到图6的帧A(=E)，当将图2(a)的帧C的各行置换为像素行的对时能得到图6的帧B，当将图2(a)的帧B的各行置换为像素行的对时能得到图6的帧C，当将图2(a)的帧A(=E)的各行置换为像素行的对时能得到图6的帧D。
[0096]由以上记载可知，本发明的实施方式的液晶显示装置可以构成为以1H反转进行极性反转刷新动作，也可以构成为以2H反转进行极性反转刷新动作。
[°097 ]在此例示的具有疑似双畴结构的FFS模式的液晶显示装置或IPS模式的液晶显示装置配置为电极结构相互不同的2种像素在列方向上相邻。电极结构不同导致最佳相对电压也不同。因此，通过以包含2种像素的2行为单位进行极性反转，能有效地抑制由像素结构的差异引起的相对电压的偏差导致的闪烁。
[0098]此外，作为中止驱动的例子例示了1Hz，但是本发明的实施方式的液晶显示装置进行的中止驱动不限于此，只要中止期间比帧期间长即可，在不到60Hz的帧频率的中止驱动中，能得到上述效果。另外，挠曲电效应在使用介电各向异性为正的向列液晶材料的FFS模式的液晶显示装置中是显著的，但是即使在使用介电各向异性为负的向列液晶材料的FFS模式的液晶显示装置中，也难以看到闪烁。
[0099]本发明的实施方式的液晶显示装置当然不仅能进行上述中止驱动，还能进行通常的驱动(帧频率为60Hz)。另外，通常的驱动的帧频率可以超过60Hz，但是当帧频率大时功耗增大，因此不优选。
[0100]如上述那样，作为本发明的实施方式的液晶显示装置100的TFT，优选使用具有氧化物半导体层的TFT。作为氧化物半导体，优选In-Ga-Zn-Ο系的半导体(以下，简略为“In_Ga-Ζη-Ο系半导体”。)，进一步优选包含结晶质部分的In-Ga-Zn-Ο系半导体。在此，为In_Ga_Ζη-0系半导体是In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元系氧化物，对In、Ga以及Zn的比例(组成比)不作特别限定，例如包含In:Ga:Zn = 2:2:1，In:Ga:Zn = l: 1:1，In:Ga:Zn = 1:1:2等。
[0101 ] 具有In-Ga-Zn-Ο系半导体层的TFT具有高的迀移率(超过a-SiTFT的20倍)和低的漏电流(不到a-SiTFT的百分之一)，因此不仅适合用作像素TFT，还适合用作驱动TFT。如果使用具有In-Ga-Zn-Ο系半导体层的TFT，则能增大显示装置的有效开口率，并且降低显示装置的功耗。
[0102]In-Ga-Zn-Ο系半导体可以是非晶的，也可以包含结晶质部分。作为结晶质In_Ga_Ζη-0系半导体，优选c轴大致垂直于层面地取向的结晶质In-Ga-Zn-Ο系半导体。这种In-Ga-Ζη-0系半导体的结晶结构例如公开于特开2012-134475号公报中。为了参考，将特开2012-134475号公报的公开内容全部引用到本说明书中。
[0103]氧化物半导体层可以包含代替In-Ga-Zn-Ο系半导体的其它氧化物半导体。例如也可以包含Zn-Ο系半导体(Ζη0)、Ιη-Ζη-0系半导体(ΙΖ0(注册商标))、Zn-T1-0系半导体(ZTO)-Cd-Ge-O 系半导体、Cd-Pb-Ο 系半导体、Cd0(氧化镉)、Mg-Zn-0 系半导体、In-Sn-Zn-0系半导体(例如In203-Sn02-Zn0)、In-Ga_Sn-0系半导体等。
[0104]工业上的可利用性
[0105]本发明能广泛应用于横向电场模式的TFT型液晶显示装置。
[0106]附图标记说明
[0107]10 TFT基板(第1基板)
[0108]11 基板
[0109]12 栅极金属层
[0110]13栅极绝缘层
[0111]14氧化物半导体层
[0112]16源极金属层
[0113]17层间绝缘层
[0114]22相对电极(第2电极)
[0115]23电介质层
[0116]24像素电极(第1电极)
[0117]24s直线部分
[0118]25第1取向膜
[0119]30相对基板(第2基板)
[0120]31基板
[0121]32遮光层
[0122]32a开口部
[0123]34彩色滤光片层
[0124]35第2取向膜
[0125]42液晶层
[0126]100液晶显示装置。
【主权项】
1.一种液晶显不装置，具有: 显示区域，其具有排列成具有行和列的矩阵状的多个像素，该多个像素分别具备在液晶层中产生横向电场的第1电极和第2电极；以及 驱动电路，其向上述多个像素中的各像素提供像素电压， 上述液晶显示装置的特征在于， 上述驱动电路构成为当将与根据输入视频信号决定的帧期间相当的时间间隔设为刷新期间时， 在第1刷新期间内，进行仅对上述多个像素内的奇数行或偶数行的像素，或者仅对将上述多个像素的相互相邻的奇数行和偶数行作为1对的多对奇数对或偶数对的像素提供与该像素中保持的电压反极性的像素电压的第1极性反转刷新动作； 在上述第1刷新期间之后，在具有比上述刷新期间长的时间间隔的中止期间内，进行对上述多个像素均不提供像素电压的中止动作;并且 在紧接着上述中止动作之后的第2刷新期间内，进行仅对没有通过上述第1极性反转刷新动作被提供上述反极性的像素电压的偶数行或奇数行、或者偶数对或奇数对的像素提供与该像素中保持的电压反极性的像素电压的第2极性反转刷新动作。2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中， 在上述第1刷新期间内，没有通过上述第1极性反转刷新动作被提供上述反极性的像素电压的偶数行或奇数行、或者偶数对或奇数对的像素保持的电压的极性不反转。3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置，其中， 上述驱动电路构成为，在上述第1刷新期间内，对没有通过上述第1极性反转刷新动作被提供上述反极性的像素电压的偶数行或奇数行、或者偶数对或奇数对的像素不提供像素电压。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的液晶显示装置，其中， 在上述第1刷新期间内，通过上述第1极性反转刷新动作提供上述反极性的像素电压的期间超过上述刷新期间的二分之一。5.根据权利要求1至3中的任一项所述的液晶显示装置，其中， 上述驱动电路构成为，在上述第1刷新期间内，仅对通过上述第1极性反转刷新动作被提供上述反极性的像素电压的上述奇数行或偶数行、或者奇数对或偶数对的像素再次提供上述反极性的像素电压。6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中， 在上述第1刷新期间内，通过上述第1极性反转刷新动作提供上述反极性的像素电压的期间为上述刷新期间的二分之一以下。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的液晶显示装置，其中， 对上述多个像素中的各像素提供像素电压的时间间隔为上述中止期间的2倍以上。8.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置，其中， 上述驱动电路构成为，在上述第1刷新期间内，除了进行上述第1极性反转刷新动作之夕卜，还进行仅对没有通过上述第1极性反转刷新动作被提供上述反极性的像素电压的偶数行或奇数行、或者偶数对或奇数对的像素提供与该像素中保持的电压同极性的像素电压的第1极性维持刷新动作。9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中， 对上述多个像素中的各像素提供像素电压的时间间隔与上述中止期间相等。10.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中， 上述驱动电路构成为，在上述第1刷新期间内，除了进行上述第1极性反转刷新动作之夕卜，还进行仅对没有通过上述第1极性反转刷新动作被提供上述反极性的像素电压的偶数行或奇数行、或者偶数对或奇数对的像素提供与该像素中保持的电压反极性的像素电压的第2极性反转刷新动作。
【专利摘要】液晶显示装置(100)的驱动电路构成为当将与根据输入视频信号决定的帧期间相当的时间间隔设为刷新期间时，在第1刷新期间(B)内，进行仅对多个像素内的奇数行或偶数行的像素提供与该像素中保持的电压反极性的像素电压的第1极性反转刷新动作；在第1刷新期间之后，在具有比刷新期间长的时间间隔的中止期间内，进行对多个像素均不提供像素电压的中止动作；以及在紧接着中止动作之后的第2刷新期间(C)内，进行仅对没有通过第1极性反转刷新动作被提供反极性的像素电压的偶数行或奇数行的像素提供与该像素中保持的电压反极性的像素电压的第2极性反转刷新动作。
【IPC分类】G02F1/133, G09G3/20, G09G3/36
【公开号】CN105474297
【申请号】CN201480046477
【发明人】喜夛裕一
【申请人】夏普株式会社
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2014年8月11日
【公告号】US20160203780, WO2015025772A1