容C两端的电压进行初始化。其中，预设电压可以为接地电压。通过与测试点T连接的探针测定出第六晶体管T6的源极电压，也就是电容的重置电压，即，能够测定出预充电信号的电压降，并且，将该重置电压存储到量测机台内部或者外部的存储器中。此外，通过监视电源电压和第六晶体管T6的源极电压，能够获得电容C伴随时间的推移的充电状况。
[0038]接着，进行作为改变4个探针的位置之后保持电路稳定的缓冲过程的步骤S2，在步骤S2中，将4个探针分别与测试点T、电源端VDD、当前扫描信号输入端SN以及数据信号输入端DM连接，并且使当前扫描信号无效(高电平)，模拟图2中的第一阶段tl中的当前扫描信号。在此，测试点T作为输入端，输入与在步骤SI中测定出的重置电压(可以从存储器中读取该重置电压)相等的电压，以继续对电容C充电。此时，由于全部的晶体管都截止(OFF)，所以无法写入来自数据信号输入端DM的光的亮度、灰度之类的灰阶数据。
[0039]在保持步骤S2中的各个探针的量测位置的情况下，连续地进行步骤S3，在步骤S3中，使当前扫描信号有效(低电平)，模拟图2中的第二阶段t2中的当前扫描信号。电源电压与数据信号不变，测试点T再次作为检测端，检测在该点的电压。此时，第一晶体管Tl以及第五晶体管T5导通(ON)，第一晶体管Tl的源极电压与其漏极电压大致相等，第五晶体管T5的源极电压与其漏极电压大致相等。由此，栅极与第五晶体管T5的源极连接并且漏极与第五晶体管T5的漏极连接的第二晶体管T2也导通，该第二晶体管T2的源极电压与其漏极电压也大致相等。因此，第一晶体管Tl的源极电压与第二晶体管T2的栅极电压大致相等。换言之，从数据信号输入端DM写入光的亮度、灰度之类的灰阶数据，经由连接线(数据线)DL几乎无损失地传传递至与第二晶体管T2的栅极连接的测试点T，由此，补偿了在该测试点T的电压值(以下，称为工作电压)，即补偿了电容C两端的电压，实现将表示灰阶数据的电压暂时存储到电容C内，该表示灰阶数据的电压在后续的步骤中，用作驱动第二晶体管T2的开启电压。
[0040]接着，连续进行步骤S4，该步骤S4与上述步骤S2同样地，为改变4个探针的位置之后保持电路稳定的缓冲过程，将4个探针分别与测试点T、电源端VDD、发光控制信号输入端EN以及信号输出端Output连接，并且使发光控制信号无效(高电平)，模拟图2中的第二阶段t2中的发光控制信号。此时，由于全部的晶体管都截止(0FF)，测试点T再次作为输入端，输入与在步骤S3中获得的上述稳定的工作电压。
[0041 ] 在保持步骤S4中的各个探针的量测位置的情况下，连续地进行步骤S5，在步骤S5中，使发光控制信号有效(低电平)，模拟图2中的第三阶段t3中的发光控制信号。在此，与测试点T连接的探针用于检测在该点的电压变化(衰减)信号。由于发光控制信号为低电平，所以第三晶体管T3以及第四晶体管T4导通(ON)，与第三晶体管T3的漏极连接的第二晶体管T2的源极的电压大致等于电源电压，由此，将作为保持电容的电容C的两端电压即上述的保存在电容C内的开启电压加载到第二晶体管T2的源极和栅极，基于步骤3中写入的灰阶数据，开启第二晶体管T2。在此，第二晶体管T2作为驱动有机发光二极管OLED发光的亮度控制晶体管起作用。此时，由于第四晶体管T4也导通，所以形成了从电源端VDD到信号输出端Output的电流流路，该电流经由基于灰阶数据的第二晶体管T2的亮度控制，驱动有机发光二极管OLED发光。
[0042]另外，本发明的量测方法中的上述步骤S1、S2为对电容C的两端电压进行初始化的步骤，在为较简单的像素测试电路的情况下，可以不设置用于对电容C进行预充电的第六晶体管T6，因此，这两个步骤可以省略。
[0043]此外，在需要对电容C的两端电压进行初始化的情况下，也可以在上述的步骤S2中，直接对测试点T施加与预设电压相等的电压来对电容C进行充电，省略该步骤SI。但是，为了获得准确的重置电压，优选进行上述步骤SI。
[0044]在上述的步骤SI?步骤S5中，在模拟了 6T1C结构的像素测试电路(Testkey电路)的实际的发光动作的同时，仅利用通用的具有4个独立探针的TEG量测机台，即能够实现对该像素测试电路进行的量测。
[0045]图6示出了一种7T1C结构的像素测试电路。就这种构成为7T1C结构的更为复杂的像素测试电路而言，其增加的I个晶体管需搭配外围驱动信号来进行补偿，像这种额外增加的不同功用的元件或模块，都可以针对它的功能单独地进行测试，因此，也能够使用本发明的量测方法来进行量测。
[0046]同样地，就其它的nTmC (例如，η彡7、m彡I的情况)结构的像素测试电路而言，与6T1C结构的像素测试电路相比，增加的元件或模块也都可以单独进行测试，同样能够使用本发明的量测方法来进行量测。而且，每个单一模块电路都比较简单，所需的针数较少，因此，仍然能够利用具有4个独立探针的TEG量测机台来完成测试工作。
[0047]另外，比6T1C结构的像素测试电路更简单的像素测试电路显然能够应用本发明的量测方法。例如，与本实施方式中使用的像素测试电路相比，构成为4T1C结构的像素测试电路的核心部分，不具有用于对电容C预充电的第六晶体管T6以及在像素显示/不显示的期间内用于连接/断开驱动有机发光二极管OLED发光的电流流路的第四晶体管T4。在该情况下，无需对电容C的两端电压进行初始化，因此可以省略上述步骤S1、S2，采用后续的步骤，对该4T1C的像素测试电路进行量测。
[0048]由此以来，无需另外配置必要数目的探针，也无需选购配置有足够多的独立探针的量测机台，即实现了一般的TEG量测机台的通用性，也节约了用于测试的配套设备成本。
[0049]虽然已参照典型实施例描述了本申请，但应当理解，所用的术语是说明和示例性、而非限制性的术语。由于本申请能够以多种形式具体实施，所以应当理解，上述实施例不限于任何前述的细节，而应在随附权利要求所限定的范围内广泛地解释，因此落入权利要求或其等同范围内的全部变化和改型都应为随附权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种AMOLED的像素测试电路的量测方法，其利用具有多个探针的量测机台进行量测，其特征在于，包括: 补偿步骤，将所述多个探针分别与位于亮度控制晶体管的栅极与电容之间的测试端、电源端、当前扫描信号输入端以及数据信号输入端连接，将与从所述数据信号输入端输入的灰阶数据对应的开启电压存储在电容中； 缓冲步骤，将所述量测机台的探针分别与所述测试端、所述电源端、发光控制信号输入端以及信号输出端连接，从所述测试端输入与在补偿步骤中获得的开启电压相同的电压，以保持像素测试电路的稳定状态；以及 发光步骤，保持所述缓冲步骤中的连接状态，通过使所述发光控制信号有效，来利用存储在所述电容内的所述开启电压使亮度控制晶体管开启，由此，驱动有机发光二极管发光，从而测量像素测试电路的元件参数。2.如权利要求1所述的量测方法，其特征在于， 在所述补偿步骤之前，还包括重置步骤，将所述量测机台的探针分别与所述测试端、所述电源端、所述当前扫描信号输入端以及所述数据信号输入端连接，在使所述当前扫描信号有效的情况下，利用重置电压，经由所述测试端对所述电容进行预充电以将所述电容初始化。3.如权利要求2所述的量测方法，其特征在于， 在所述重置步骤之前，还包括重置前置步骤，将所述量测机台的探针分别与所述测试端、所述电源端、所述前排扫描信号输入端以及所述预设电压端连接，通过使前排扫描信号有效，来对所述电容进行预充电以将所述电容初始化，并且，经由测试端获得对所述电容进行预充电的准确的重置电压。4.如权利要求1?3所述的量测方法，其特征在于， 所述量测机台具有四个探针。5.如权利要求1?3所述的量测方法，其特征在于， 所述像素测试电路具有六个薄膜场效应晶体管和一个电容。6.如权利要求5所述的量测方法，其特征在于， 六个所述薄膜场效应晶体管为PM0S。
【专利摘要】本发明提供一种利用具有4个独立探针的TEG量测机台对AMOLED的nTmC结构的像素测试电路进行量测的量测方法，通过分成补偿步骤，缓冲步骤，发光步骤等多个阶段地进行量测，能够无需另外配置探针，也无需选购配置有足够多的独立探针的量测机台，即能够对像素测试电路进行量测，从而能够实现一般的TEG量测机台的通用性，节约用于测试的配套设备成本。
【IPC分类】G09G3/00, G09G3/32
【公开号】CN105702186
【申请号】CN201410714448
【发明人】董杭
【申请人】上海和辉光电有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2014年11月28日