专利名称：精细图形的形成方法
技术领域：
本发明涉及在半导体器件上形成精细图形，更具体地涉及通过后显影工艺减小图形特征尺寸。
背景技术：
对广泛用在电子器件中具有越来越高处理器速度的半导体器件和具有相当高集成密度的存储器件的需求导致制造亚微米的电路尺寸的相应需要。对增加集成密度的这些需求推动了光刻技术的发展，例如改进光致抗蚀剂组分并提高所得结构的尺寸精度，特别是对于最小特征尺寸的结构。需要形成广泛用于掩模蚀刻和离子注入工艺的高精度的精细光致抗蚀剂图形，以成功地制造高密度的半导体器件。需要灵敏的光致抗蚀剂定义这些特征，但使用灵敏的光致抗蚀剂额外地增加了工艺复杂性。可以预计在使用单层抗蚀剂的0.13μm工艺制造的器件制造中，可以利用ArF光刻，但是对于未来的亚0.10μm工艺，将需要更高的精度和尺寸控制。
根据瑞利方程R＝k1λ/NA其中R表示极限清晰度，k1为常数，λ为曝光期间使用的光源的波长，NA为照明光学系统的数值孔径，降低曝光光源的波长会提高极限清晰度。将光刻工艺从g线(436nm)向i线(365nm)曝光光源过渡期间以及近来使用KrF受激准分子激光器(248nm)的投影曝光设备作为曝光光源适用该原则。朝越来越小波长发展的趋势导致开发了利用ArF受激准分子激光器(具有193nm的中心波长)或F2受激准分子激光器(具有157nm的波长)作为曝光光源的投影曝光设备。
曝光光源的波长直接影响了在任何一种曝光设备上得到的最小清晰度。例如，产生微细的线和空间(L/S)图形时，g线曝光设备的清晰度下限为约0.5μm，对于i线曝光设备为约0.3μm。然而，最近的器件设计规则朝小于约0.2μm的L/S测量结果发展的趋势。为了将这种图形从投影的掩模具有足够精度地转移到晶片上，现已利用KrF和ArF受激准分子激光器作为曝光光源。
预计未来的器件设计规则允许的最小特征尺寸将持续降低。能够制造符合这种设计规则的器件的候选曝光设备包括F2受激准分子激光器、X射线和电子束(EB或E束)曝光设备。具体地，随着器件设计规则允许越来越小的最小特征，现已变得越来越难以提供足够的工艺余量用于形成接触和过孔而不是形成具有类似尺寸的L/S结构。这特别符合需要在器件的单元阵列区中形成具有高的高宽比的小接触孔的高密度器件。
现已开发了多种技术以解决在形成小且高的高宽比接触孔包括例如热流和RELACS(化学收缩辅助的清晰度增强的光刻)工艺过程中固有的困难。通过具有的接触孔尺寸大于需要的最终接触孔，然后加热光致抗蚀剂图形到光致抗蚀剂的玻璃转化温度(Tg)以上的温度，热流工艺形成了精细图形。这种加热减小了聚合的光致抗蚀剂的粘性并允许它流动或塌陷，由此减小了接触开口的尺寸，获得了需要的接触孔尺寸。
虽然热流工艺可以用于利用i线或KrF抗蚀剂，对于ArF抗蚀剂，Tg(最小约200℃)通常高于它们的分解温度(Td)，通常不高于约180℃。因此，热流工艺不能使用ArF抗蚀剂，是由于在抗蚀剂流动之前，抗蚀剂图形将开始分解。
RELACS工艺通过重新形成接触孔尺寸大于所需的最终接触孔尺寸的普通接触孔抗蚀剂图形形成精细图形。然后用溶于水的聚合物涂覆该最初的光致抗蚀剂图形，通过反应沿抗蚀剂图形的表面形成不溶解的交联层。随后通过冲洗去掉未反应的聚合物。交联层增加了光致抗蚀剂图形的有效尺寸，从而降低了接触孔开口的尺寸或L/S结构中的间隔。但是，RELACS工艺利用一个步骤去掉溶于水的聚合物可能存在不能完全去掉的问题，从而导致图形中的显影残余，例如斑点或模糊。在随后的蚀刻工艺中，这种显影残余增加了在最终器件中存在缺陷的机会，降低了产量和可靠性。在两个步骤的清洁工艺中，用第一溶剂清洁晶片然后用水冲洗可以减少在晶片上残留的显影残余的数量，但是会使工艺复杂并增加成本。
例如聚(甲基)丙烯酸酯、环烯顺丁烯二酐(COMA)和聚降冰片烯等适用于ArF受激准分子激光器曝光光源(ArF抗蚀剂)的抗蚀剂成分是敏感的，在如图1所示的SEM测量(也称作CD收缩法(slimming))期间对于临界尺寸(CD)线收缩存在问题。ArF抗蚀剂也存在弱干蚀刻抵抗力、线边缘粗糙(LER)和CD收缩法等问题。在利用ArF抗蚀剂的工艺中LER和CD收缩法是特别重要的问题。在CD-SEM测量期间，在测量期间对精细抗蚀剂部件的电子轰击实际上可以永久降低部件尺寸。如果重复测量相同的抗蚀剂部件，部件尺寸将不断缩小。在图2中示出了在重复测量期间测得的CD如何减小的例子。
KrF抗蚀剂和ArF抗蚀剂之间成分的不同可以在材料的性能上产生显著的差别。例如，在CD-SEM测量期间，KrF抗蚀剂对于CD收缩法更有抵抗力(＜2％)，而ArF抗蚀剂在SEM测量期间表现出6％到15％的CD收缩。这些结果表明CD收缩法对于ArF抗蚀剂是一个普遍的问题。通常，构图的线的CD要减小而相应的间隔或孔的尺寸要增加，存在最小尺寸开口的特殊问题。此外，在聚合期间，作为减少ArF抗蚀剂的均匀性的结果，ArF抗蚀剂图形表现出不希望的粗糙度(LER)。
最近，提出了E-束硬化作为ArF抗蚀剂所表现出来的CD收缩法和LER问题的可能的解决方法。在E-束硬化中，在SEM测量期间，在测量之前先硬化ArF抗蚀剂图形，以减少CD收缩，通常通过使用聚焦曝光矩阵(FEM)将显影的ArF抗蚀剂图形暴露在大剂量的E-束下，在显著的分解或质量流失发生之前增加抗蚀剂图形的交联程度和硬度。但是，E-束硬化增加了制造工艺的复杂度和长度，并且额外的处理增加了微粒污染的可能性。
发明内容
本发明的示例性的实施例提供了通过形成ArF抗蚀剂图形，然后通过在热处理期间将抗蚀剂图形暴露在波长不大于172nm的VUV(真空紫外线)受激准分子激光器的辐射或E-束辐射中以减小图形开口的尺寸，在半导体器件上形成精细图形，特别是接触孔的方法。VUV是指在最长波长的X射线和远紫外线之间的电磁频谱范围，覆盖大致从100到200nm的波长范围。在该频谱范围内的光能会由于O2的吸收而被衰减，要求大多数的VUV处理在真空或N2净化以减少大气的O2含量的环境中进行，并由此得名。具体的，本发明的示例性的实施例提供了通过在温度为大约30℃和大约180℃之间的热处理期间将ArF抗蚀剂图形暴露在VUV光能或E-束能下，以使抗蚀剂图形以可控制的和可重复的方式流动来收缩接触孔的尺寸的方法。从而该构图方法提供在精细的抗蚀剂图形中减小构图的开口的尺寸并改善CD稳定性和可重复性的能力，以提高处理产量和得到的半导体器件的可靠性。
通过随后结合附图的详细介绍和示例性实施例的例子，更进一步公开本发明的优点和范围。
图1示出了由使用常规构图工艺的SEM测量引入的CD收缩法的影响；图2示出了在使用常规构图工艺形成的抗蚀剂图形上重复SEM测量期间观察到的CD收缩的图；
图3包括图3A和图3B，示出了根据本发明的示例性实施例作为温度的函数的光致抗蚀剂图形在CD测量和流动长度中的变化；图4示出了根据本发明的示例性实施例作为VUV处理长度的函数的光致抗蚀剂图形的LER；图5示出了根据本发明的示例性实施例在重复SEM测量期间作为VUV处理函数的CD收缩的抵抗性；以及图6提供了根据本发明的示例性实施例的方法的工艺流程图。
具体实施例方式
本发明涉及减小图形开口，特别是接触孔和过孔尺寸的方法，并通过使用中心波长为172nm或更小的光能或E-束能的VUV处理提高蚀刻抵抗力。虽然在KrF光致抗蚀剂成分中PHP(多羟基苯酚)聚合物是有用的，但是由于它们对中心波长为大约193nm的ArF受激准分子激光器的光能的低透过性(高吸收)而不适用于ArF光致抗蚀剂成分中。结果，由于丙烯酸酯聚合物、COMA(环烯/顺丁烯二酐)聚合物、聚降冰片烯聚合物或VEMA(vinylether/顺丁烯二酐)聚合物对于大约193nm的光能的改善的透过性和溶解性而更适用于ArF光致抗蚀剂成分。但是，这种ArF光致抗蚀剂存在新的问题，即，它们的玻璃转化温度Tg相对于KrF光致抗蚀剂材料有所提高，一般为200℃或更高。该提高的Tg使得在不超过分解温度Td时ArF光致抗蚀剂图形难以流动，并使半导体晶片经历更高的温度。
为了解决与ArF光致抗蚀剂有关的新问题，本发明的示例性实施例通过使用VUV受激准分子激光器或E-束临时将Tg降低到Tgeff，提供允许光致抗蚀剂图形在较低的温度下流动的方法。在ArF光致抗蚀剂成分中利用了许多种类的聚合物主要成分(backbone)，但是这些聚合物的主要成分的大多数包括能溶于碱性溶液的羟基酸。羟基酸是对于在第一层上的进一步的化学附着或修改特别有用的功能基，例如附着生物分子以功能化表面。被类似于金刚烷的脂环族基挡住的羟基酸通常不溶于碱性溶液中，这是由于脂环族基作为酸不稳定保护基。酸不稳定功能化单元通常不溶于水溶液中，由此延迟在曝光的光致抗蚀剂层的未曝光区域中的显影，以在得到的光致抗蚀剂图形中提供更垂直的外形。在曝光工艺期间，当它们暴露在激活辐射中时，Photoacid发生器产生酸。酸不稳定保护基不被在曝光和曝光后烘培工艺产生的酸保护。
特别是，在光致抗蚀剂照射之后的曝光后烘培工艺(PEB)期间，在光致抗蚀剂层的曝光部分形成的酸在光致抗蚀剂中的光致抗蚀剂聚合物中催化一系列链断裂(chain-breaking)和/或其它化学反应。这些反应在聚合物中产生结构变化，并使光致抗蚀剂层的曝光区域比未曝光区域中的光致抗蚀剂更易溶于碱性溶液。在抗蚀剂膜的曝光区域和未曝光区域之间在碱性溶液中的溶解度的不同允许通过去掉光致抗蚀剂层的曝光部分显影光致抗蚀剂图形。但是，在ArF光致抗蚀剂中形成的最小特征尺寸仍受到曝光光能的波长的限制，并且可能大于所希望的，需要某些显影后的处理来减小光致抗蚀剂图形中的开口尺寸。
本发明的示例性的例子提供了通将过加热抗蚀剂图形到低于Tg和Td的处理温度同时将抗蚀剂图形暴露在VUV光能或E-束能中来减小在ArF光致抗蚀剂图形中的开口尺寸的方法。VUV光能或E-束能使抗蚀剂图形的玻璃转化温度临时降低，从而允许抗蚀剂图形流动并减小图形开口的尺寸。当施加VUV能量时，降低处理室中的氧的浓度，以减小室中气氛对VUV能量的吸收。在VUV处理期间，波长小于曝光光源的波长的VUV光能可用于向光致抗蚀剂图形输入能量，并允许它流动和减小开口的尺寸，并且较小任何其它曝光影响。
172nm或更小的短波长激光被羧基吸收并在聚合物链和酸不稳定保护基中由未保护的羧基产生根的形式。相信当酸不稳定保护基不被保护时将产生二氧化碳，并在该处理期间从抗蚀剂图形中蒸发。由此，在二氧化碳蒸发期间产生更大的自由体积，未保护的例如金刚烷的酸不稳定保护基在抗蚀剂膜中临时形成更小的分子。自由体积的增加和更小分子的出现作为热可塑剂将增加光致抗蚀剂图形的流动性。术语可塑剂是指当加到聚合物中时可降低其Tg的小分子。因此，光致抗蚀剂聚合物的Tg迅速下降，并在热处理期间允许光致抗蚀剂膜在低于名义上的Tg的Tgeff的温度下流动。但是，在热处理期间，光致抗蚀剂图形还遇到立即与另一个结合的产生根的交联反应。随着在光致抗蚀剂膜中的交联反应的进行，光致抗蚀剂聚合物的最终的Tgfinal增加到高于最初的Tg，并且增加了剩余光致抗蚀剂图形的密度和硬度。
不用说，在显影后的处理期间，作为在聚合物中可塑剂的形成和交联反应的结果，光致抗蚀剂图形的特性变化。但是，这些特性的改变不会降低，实际上还有可能增加光致抗蚀剂图形作为蚀刻掩模的效力。为了保持在低于Td的温度并避免不必要的加热，可以在构图的晶片的温度保持在大约30℃和大约180℃之间，更具体的在大约40℃和80℃之间进行VUV处理。可以使用电热板、卤素灯或任何其它合适的加热装置控制处理温度。
光致抗蚀剂图形的流速与温度成正比增加，如图3所示。即使光致抗蚀剂膜的厚度在光致抗蚀剂图形流动之后稍微减小，由于已知会降低干蚀刻抵抗力的氧含量已经降低，并且光致抗蚀剂膜已经被硬化和压实，所以增加了光致抗蚀剂膜的干蚀刻抵抗力。根据本发明的示例性实施例的172nm VUV处理提供形成具有该上的干蚀刻抵抗力而没有CD收缩或LER的精细光致抗蚀剂图形的方法。图4和5示出了在VUV处理之后ArF光致抗蚀剂图形的CD收缩抵抗力和降低LER方面的改善。用E-束处理可以得到与通过ArF光致抗蚀剂的VUV处理得到的类似的结果。
通过一系列示出本发明的示例性实施例的例子和这些实施例所得到的结果进一步公开了根据本发明形成精细光致抗蚀剂图形的方法。示例性实施例包括ArF光致抗蚀剂、曝光、烘培工艺和显影后处理的范围。在下面的表1-5中详细地列出了关于每个示例性实施例的细节。
在每个例子中，商业ArF光致抗蚀剂涂覆到衬底的表面上，以形成光致抗蚀剂层。然后用短暂的烘焙干燥每个光致抗蚀剂层，以形成大约2600到大约2900之间的光致抗蚀剂膜。然后用ArF受激准分子激光器(NA＝0.75，σ＝0.7)作为曝光光源，在大约25到大约40mJ/cm2的曝光剂量下，使用掩模图形曝光光致抗蚀剂膜，形成曝光的光致抗蚀剂膜。
然后，曝光的光致抗蚀剂膜经过热处理(烘焙)，由此在抗蚀剂膜的曝光部分中产生酸。酸作为催化剂促使光致抗蚀剂膜的一部分分解为具有提高的溶解度，特别是在碱性溶液中的溶解度的化合物的反应。该加热处理通常在大约50℃和180℃之间的温度下进行，以减少在光致抗蚀剂的曝光部分中得到足够的反应程度所需的时间，从而减少或避免在光致抗蚀剂膜的曝光和未曝光部分中的分解。在没有热处理的情况下，保持曝光的衬底处于室温下延长的时间周期最终可以在光致抗蚀剂的曝光部分中实现足够的反应程度，允许图形被显影。
一旦在曝光的光致抗蚀剂膜中达到足够的反应程度，可以通过使用碱性溶液处理去掉光致抗蚀剂膜的曝光并且现在分解的部分来显影光致抗蚀剂膜，从而形成光致抗蚀剂图形。可以使用各种方法涂覆碱性溶液，包括例如，浸渍、喷雾或搅拌方法，在例如30到120秒的时间周期范围内。在任何情况下，用来显影曝光和反应的光致抗蚀剂膜的具体参数应当是足够的，以从光致抗蚀剂膜的曝光区域上基本去掉所有的光致抗蚀剂和分解的化合物，而大致完整的留下光致抗蚀剂膜的未曝光部分。对于在下面的表1-5中列出的特定的光致抗蚀剂和处理方法，使用搅拌方法将碱性显影剂溶液涂覆到衬底上，并持续大约60秒的显影时间，实现光致抗蚀剂图形充分显影。
虽然可以使用中性溶液，碱性溶液改善显影工艺。可以使用在大约0.5wt％和大约2.5wt％之间的四甲基铵氢氧化物的水溶液作为显影剂溶液。除了氢氧化物，显影剂溶液还包括少量的酒精和/或表面活性剂。发现不大于大约2.38wt％的四甲基铵氢氧化物(TMAH)的碱性溶液在用在例子中的光致抗蚀剂膜的曝光和未曝光部分的溶解速度上提供足够的差别，以提供足够的图形显影。然后，一般用水清洗衬底的曝光部分和显影光致抗蚀剂膜(抗蚀剂图形)，以去掉显影剂溶液，并干燥。然后测量形成在光致抗蚀剂图形中的接触孔的尺寸，以得到在大约100nm到大约200nm之间的报告的直径值。
然后用常规的晶片转移系统将构图的晶片转移到电热板卡盘，用来VUV曝光和加热。在晶片放在电热板卡盘上之后，用N2净化VUV室，以降低并保持氧的浓度小于20ppm。在N2净化期间，用电热板和/或卤素灯组件加热晶片并保持在大约30℃和50℃之间。一旦晶片达到处理温度并且O2的浓度足够低，光致抗蚀剂图形就暴露在使用Xe2光源的能量在大约0.5J/cm2和30J/cm2之间的VUV照射下，以使图形流动并缩小接触开口的尺寸。然后重新测量减小的接触开口，以确定被VUV处理减小的这些尺寸的程度。
虽然在处理的例子中使用了Xe2光源，但是可以预计，使用其它VUV光源，特别是Ar2和Kr2光源或E-束辐射源的处理也可以减小在ArF抗蚀剂中形成的接触孔的尺寸。通过选择波长比曝光光致抗蚀剂膜所用的波长更短的VUV光源可以扩大本发明的优点。相对于设计用例如ArF受激准分子激光器(大约193nm)曝光的ArF光致抗蚀剂成分，用Xe2光源(大约172nm)的VUV处理也可以产生满意的结果。同样，虽然在例子中使用N2净化以减少在VUV处理室中的氧(O2)的浓度到低于20ppm，但是可以使用其它气体或气体混合物、真空泵或其组合实现同样的降低氧的浓度，足以进行VUV操作。
例1-4
表11由Shipley Ltd制造的ArF光致抗蚀剂2由the JSR Corporation制造的ArF光致抗蚀剂3由Shinetsu Chemical Co.，Ltd制造的ArF光致抗蚀剂4曝光后烘焙例5-8
表25由Tok Bearing Co.，Ltd制造的ArF光致抗蚀剂6由Dongjin Semichem Co.，Ltd制造的ArF光致抗蚀剂7由Clariant Finance(BVI)Ltd制造的ArF光致抗蚀剂8由Clariant Finance(BVI)Ltd制造的ArF光致抗蚀剂例9-12
表39由Sumitomo Wiring Systems Ltd制造的ArF光致抗蚀剂例13-16
表4
例17-18
表5虽然介绍了本发明的特定示例性实施例，但是应当理解本发明不应限于这些实施例，本领域的普通技术人员可以在后面所要求的本发明的精神和范围内进行各种变化和修改。
权利要求
1.一种在衬底上形成精细图形的方法，包括在衬底上形成光致抗蚀剂层，光致抗蚀剂适于由波长为W1的UV辐射曝光，并具有玻璃转化温度Tg和分解温度Td；受到UV辐射的光致抗蚀剂层的曝光部分形成具有曝光部分和未曝光部分的曝光的光致抗蚀剂层；显影曝光的光致抗蚀剂层，形成第一光致抗蚀剂图形，第一光致抗蚀剂图形具有临界尺寸d1的开口；以及将第一光致抗蚀剂图形暴露在波长为W2的VUV辐射中，从而临时产生有效玻璃转化温度Tgeff，其中Tgeff＜Tg，同时加热第一光致抗蚀剂图形到等于或高于Tgeff的温度，从而产生具有临界尺寸d2的开口的第二光致抗蚀剂图形，其中d2＜d1。
2.根据权利要求1的在衬底上形成精细图形的方法，还包括在显影曝光的光致抗蚀剂层之前在低于Td的温度下烘焙曝光的光致抗蚀剂层。
3.根据权利要求1的在衬底上形成精细图形的方法，其中显影曝光的光致抗蚀剂层还包括用碱性溶液弄湿曝光的光致抗蚀剂层，从而溶解曝光的光致抗蚀剂层的曝光部分；以及从衬底上去掉碱性溶液和曝光的光致抗蚀剂层的溶解部分。
4.根据权利要求3的在衬底上形成精细图形的方法，其中碱性溶液是四甲基铵氢氧化物的水溶液。
5.根据权利要求4的在衬底上形成精细图形的方法，其中碱性溶液包括在0.1到10重量百分比之间的四甲基铵氢氧化物(TMAH)。
6.根据权利要求5的在衬底上形成精细图形的方法，其中水溶液还包括从酒精和表面活性剂构成的组中选择的至少一种添加剂。
7.根据权利要求6的在衬底上形成精细图形的方法，其中所有添加剂的总量少于水溶液的5重量百分比，并且四甲基铵氢氧化物在溶液中的重量百分比在大约2和大约2.5之间。
8.根据权利要求2的在衬底上形成精细图形的方法，其中光致抗蚀剂层是从KrF光致抗蚀剂、ArF光致抗蚀剂和F2光致抗蚀剂构成的组中选择的光致抗蚀剂；UV辐射波长W1是从248nm、193nm和157nm构成的组中选择的；以及VUV辐射波长W2是从172nm、146nm和126nm构成的组中选择的。
9.根据权利要求8的在衬底上形成精细图形的方法，其中Tg-Tgeff≥20℃；以及W1＞W2。
10.根据权利要求9的在衬底上形成精细图形的方法，其中所加的VUV辐射在0.1和100J/cm2之间；并且Tgeff≤100℃。
11.根据权利要求2的在衬底上形成精细图形的方法，其中Td＜Tg。
12.一种在衬底上形成精细图形的方法，包括在衬底上形成光致抗蚀剂层，光致抗蚀剂适于由波长小于250nm的UV辐射曝光，光致抗蚀剂还具有分解温度Td和玻璃转化温度Tg；受到波长小于250nm的UV辐射的光致抗蚀剂层的曝光部分形成具有曝光部分和未曝光部分的曝光的光致抗蚀剂层；显影曝光的光致抗蚀剂层，形成第一光致抗蚀剂图形，第一光致抗蚀剂图形具有临界尺寸d1的开口；以及将第一光致抗蚀剂图形暴露在E-束辐射中，E-束辐射临时产生有效玻璃转化温度Tgeff，其中Tgeff＜Tg，同时加热第一光致抗蚀剂图形到等于或高于Tgeff的温度，从而产生具有临界尺寸d2开口的第二光致抗蚀剂图形，其中d2＜d1。
13.根据权利要求12的在衬底上形成精细图形的方法，还包括在显影曝光的光致抗蚀剂层之前在低于Td的温度下烘焙曝光的光致抗蚀剂层。
14.根据权利要求12的在衬底上形成精细图形的方法，其中显影曝光的光致抗蚀剂层还包括用碱性溶液弄湿曝光的光致抗蚀剂层，从而溶解曝光的光致抗蚀剂层的曝光部分；以及从衬底上去掉碱性溶液和曝光的光致抗蚀剂层的溶解部分。
15.根据权利要求3的在衬底上形成精细图形的方法，其中碱性溶液包括重量百分比小于10的四甲基铵氢氧化物的水溶液。
16.根据权利要求15的在衬底上形成精细图形的方法，其中水溶液还包括从酒精、粘性调节剂和表面活性剂构成的组中选择的至少一种添加剂。
17.根据权利要求13的在衬底上形成精细图形的方法，其中光致抗蚀剂层包括从KrF光致抗蚀剂、ArF光致抗蚀剂和F2光致抗蚀剂构成的组中选择的光致抗蚀剂；以及UV辐射波长W1是从248nm、193nm和157nm构成的组中选择的。
18.根据权利要求13的在衬底上形成精细图形的方法，其中Tg-Tgeff≥20℃。
19.根据权利要求13的在衬底上形成精细图形的方法，其中所加的E-束辐射在0.1和100J/cm2之间；并且Tgeff≤100℃。
20.根据权利要求13的在衬底上形成精细图形的方法，其中Td＜Tg。
21.根据权利要求12的在衬底上形成精细图形的方法，其中将第一光致抗蚀剂图形同时暴露在E-束辐射和波长不大于172nm的VUV辐射中，E-束辐射和VUV辐射一起临时产生有效玻璃转化温度Tgeff，其中Tgeff＜Tg。
全文摘要
一种通过形成ArF抗蚀剂图形，然后通过在热处理期间将抗蚀剂图形暴露在VUV(真空紫外线)受激准分子激光器的辐射或E－束辐射中以减小图形开口的尺寸，在半导体器件上形成精细图形，特别是接触孔的方法，以临时减小抗蚀剂图形的T
文档编号G03F7/38GK1527359SQ20031012485
公开日2004年9月8日 申请日期2003年12月31日 优先权日2003年3月3日
发明者金贤友, 禹相均 申请人:三星电子株式会社