矩阵式感应装置的制作方法

专利名称：矩阵式感应装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种矩阵式感应装置，尤其涉及一种具縮减感应线配置量架构 的矩阵式感应装置。
背景技术：
液晶显示装置(Liquid Crystal Display, LCD)具有外型轻薄、省电以及 无辐射等优点，因此已被广泛地应用于多媒体播放器、行动电话、个人数字助 理(PDA)、计算机显示器、或平面电视等电子产品上。此外，利用液晶显示 装置执行触碰输入的功能已渐成流行，即，触碰式液晶显示装置的应用越来越 广泛。 一般而言，触碰式液晶显示装置的触碰面板以电阻式触碰面板及电容式 触碰面板为主，电阻式触碰面板是以电压降定位触碰位置，电容式触碰面板通 常包含感应电容，根据对应于触碰点的感应电容的电容变化，经信号处理而定 位出触碰位置。
图1为应用于触碰式液晶显示装置的现有技术的矩阵式感应装置的结构 示意图。如图1所示，矩阵式感应装置100包含驱动电路110、模拟多工单元 (Analog Multiplex Unit) 120、模拟至数字转换单元(Analog-to-digital Converting Unit) 130、微控制器单元(Micro-controller Unit) 140、多数条 驱动线115、多数条感应线125、以及矩阵式感应区190。矩阵式感应区190 包含多数个感应区150，每一个感应区150包含感应单元151及读出晶体管 153，读出晶体管153根据对应驱动线115所馈入的驱动信号以控制感应单元 151的感应信号输出。如图1所示，每一行感应单元均要配置专属感应线125
以输出感应信号，即，现有技术矩阵式感应装置ioo需要设置相当多的感应线
125以输出感应信号，所以会增加线路布局复杂度，如此不利于液晶显示装置 的高分辨率设计，也不利于生产成本的降低。

发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种具縮减感应线配置量架构的矩 阵式感应装置，以解决现有技术中感应装置需要设置相当多的感应线以输出感 应信号，以增加线路布局复杂度的问题。
为实现上述目的，依据本发明的实施例，其揭露一种具縮减感应线配置量 架构的矩阵式感应装置，其包含多数条驱动线、多数条感应线、以及矩阵式感 应区。多数条驱动线用以接收多数个驱动信号。多数条感应线用以输出多数个 感应信号。矩阵式感应区包含多数个感应区，每一个感应区包含感应单元、第 一晶体管、及第二晶体管。感应单元用以产生对应感应信号。第一晶体管包含 第一端、第二端与栅极端，其中第一端耦合于感应单元以接收对应感应信号， 第二端耦合于对应感应线。第二晶体管包含第一端、第二端与栅极端，其中第 一端耦合于第一晶体管的栅极端，栅极端耦合于第一驱动线以接收第一驱动信 号，第二端耦合于第二驱动线以接收第二驱动信号。第一晶体管及第二晶体管 根据第一驱动信号及第二驱动信号控制感应单元与对应感应线之间的信号连 结。
采用本发明的矩阵式感应装置，每一条感应线耦合于二行感应区，因此可 显著縮减感应线配置量，而坐标映射单元则用以配合感应线耦合架构将每一条 感应线输出的感应信号映射至对应坐标位置以定位触碰位置。所以本发明具縮 减感应线配置量架构的矩阵式感应装置特别适用于高分辨率面板设计，并可降 低生产成本。


图1为应用于触碰式液晶显示装置的现有技术的矩阵式感应装置的结构 示意图2为本发明较佳实施例的矩阵式感应装置的结构示意图； 图3为用以驱动图2的矩阵式感应装置的相关驱动信号时序图，其中横轴 为时间轴；
图4为图2的坐标映射单元执行坐标映射处理的示意图。
其中，附图标记
100、 200:矩阵式感应装置
110、 210:驱动电路
115、215:驱动线
120、220:模拟多工单元
125、225:感应线
130、230:模拟至数字转换单元
140、240:微控制器单元
150、250:感应区
151、251:感应单元
153:读出晶体管
190、290:矩阵式感应区
245:坐标映射单元
253:第一晶体管
255:第二晶体管
410:第一列表
450:第二列表
DLn-DLn+3:驱动线 Pn—m-Pn+1—m+3:坐标位置 Qll-Q24:第一晶体管 Rn一m-Rn+3—m+3:感应区 SDn-SDn+3:驱动信号 SLi、 SLi+l:感应线 SUn_m-SUn+3—m+3:感应单元 Tl:第一时段
T2:第二时段 T3:第三时段 T4:第四时段
T11-T24:第二晶体管
具体实施例方式
为让本发明更显而易懂，下文依本发明的矩阵式感应装置，特举实施例配 合所附附图作详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围。
图2为本发明较佳实施例的矩阵式感应装置的结构示意图。如图2所示， 矩阵式感应装置200包含驱动电路210、模拟多工单元220、模拟至数字转换 单元230、微控制器单元240、多数条驱动线215、多数条感应线225、以及矩 阵式感应区290。矩阵式感应区290包含多数个感应区250，每一个感应区250 包含感应单元251、第一晶体管253及第二晶体管255。微控制器单元240包 含坐标映射单元245。在另一实施例中，坐标映射单元245并非整合于微控制 器单元240内，而配置于微控制器单元240与模拟至数字转换单元230之间。
感应单元251包含感压(Pressure sensing)元件或感光(Light sensing) 元件，感压元件为电容式(Capacitive)感压元f牛或压电(Piezoelectric)元^牛， 感光元件为光二极管(Photo-diode)或光敏晶体管(Photo-transistor)。第一 晶体管253及第二晶体管255为金氧半场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)或薄膜晶体管(Thin Film Transistor)。
驱动电路210耦合于微控制器单元240以接收控制信号，驱动电路210 另耦合于多数条驱动线215，用以根据控制信号产生多数个驱动信号分别馈入 至多数条驱动线215。每一个感应单元251用以产生受触碰事件影响的感应信 号，感应信号经由对应第一晶体管253而馈入至对应感应线225。模拟多工单 元220耦合于多数条感应线225以接收多数个感应信号，模拟多工单元220 另耦合于微控制器单元240以接收选择信号，用以根据选择信号从多数个感应 信号选择对应感应信号输出为模拟多工信号。模拟至数字转换单元230耦合于 模拟多工单元220与微控制器单元240之间，用以将模拟多工信号转换为数字 多工信号。坐标映射单元245耦合于模拟至数字转换单元230，用以将数字多 工信号映射至对应坐标信号。
如图2所示，为方便说明，矩阵式感应装置200显示四条驱动线 DLn-DLn+3、 二条感应线SLi-SLi+l及多数个感应区Rn—m-Rn+3—m+3。驱动线 DLn-DLn+3用以传送由驱动电路210所输出的驱动信号SDn-SDn+3。感应线SLi 耦合于第m行感应区Rn一m-Rn+3—m及第(m+1)行感应区Rn—m+1-Rn+3_m+l，感 应线SLi+1耦合于第(m+2)行感应区Rn—m+2-Rn+3—m+2及第(m+3)行感应区 Rn—m+3-Rn+3—m+3。感应区250的相关耦合关系举例说明如下。
第n列感应区的第m个感应区Rn—m包含感应单元SUn一m、第一晶体管Qll 及第二晶体管Tll。第一晶体管Q11包含第一端、第二端与栅极端，其中第一 端耦合于感应单元SUn_m,第二端耦合于感应线SLi。第二晶体管T11包含第 一端、第二端与栅极端，其中第一端耦合于第一晶体管Q11之栅极端，栅极端 耦合于驱动线DLn，第二端耦合于驱动线DLn+l。第一晶体管Qll及第二晶体 管Til根据驱动线DLn的驱动信号SDn与驱动线DLn+1的驱动信号SDn+1控制 感应单元SUn一m与感应线SLi之间的信号连结。第n列感应区的第(m+l)个感 应区Rn—m+l包含感应单元SUn—m+l、第一晶体管Q12及第二晶体管T12。第一 晶体管Q12包含第一端、第二端与栅极端，其中第一端耦合于感应单元 SUn—m+l，第二端耦合于感应线SLi。第二晶体管T12包含第一端、第二端与 栅极端，其中第一端耦合于第一晶体管Q12的栅极端，栅极端耦合于驱动线 DLn，第二端耦合于驱动线DLn+2。第一晶体管Q12及第二晶体管T12根据驱 动线DLn的驱动信号SDn与驱动线DLn+2的驱动信号SDn+2控制感应单元 SUn—m+l与感应线SLi之间的信号连结。
第n列感应区的第(m+2)个感应区Rn—m+2包含感应单元SUn—m+2、第一晶 体管Q13及第二晶体管T13。第一晶体管Q13包含第一端、第二端与栅极端， 其中第一端耦合于感应单元SUn_m+2，第二端耦合于感应线SLi+l。第二晶体 管T13包含第一端、第二端与栅极端，其中第一端耦合于第一晶体管Q13的栅 极端，栅极端耦合于驱动线DLn，第二端耦合于驱动线DLn+1 。第一晶体管Q13 及第二晶体管T13根据驱动线DLn的驱动信号SDn与驱动线DLn+1的驱动信号 SDn+1控制感应单元SUn_m+2与感应线SLi+l之间的信号连结。第n列感应区 的第(m+3)个感应区Rn—m+3包含感应单元SUn—m+3、第一晶体管Q14及第二晶 体管T14。第一晶体管Q14包含第一端、第二端与栅极端，其中第一端耦合于 感应单元SUn—m+3，第二端耦合于感应线SLi+l。第二晶体管T14包含第一端、 第二端与栅极端，其中第一端耦合于第一晶体管Q14的栅极端，栅极端耦合于 驱动线DLn，第二端耦合于驱动线DLn+2。第一晶体管Q14及第二晶体管T14 根据驱动线DLn的驱动信号SDn与驱动线DLn+2的驱动信号SDn+2控制感应单 元SUn一m+3与感应线SLi+l之间的信号连结。
第(n+l)列感应区的第m个感应区Rn+1—m包含感应单元SUn+l—m、第一晶 体管Q21及第二晶体管T21。第一晶体管Q21包含第一端、第二端与栅极端，
其中第一端耦合于感应单元SUn+l一m，第二端耦合于感应线SU。第二晶体管 T21包含第一端、第二端与栅极端，其中第一端耦合于第一晶体管Q21的栅极 端，栅极端耦合于驱动线DLn+l，第二端耦合于驱动线DLn+2。第一晶体管Q21 及第二晶体管T21根据驱动线DLn+l的驱动信号SDn+l与驱动线DLn+2的驱动 信号SDn+2控制感应单元SUn+l—m与感应线SLi之间的信号连结。第(n+l)列 感应区的第(m+l)个感应区Rn+1—m+l包含感应单元SUn+l—m+l 、第一晶体管Q22 及第二晶体管T22。第一晶体管Q22包含第一端、第二端与栅极端，其中第一 端耦合于感应单元SUn+l一m+l，第二端耦合于感应线SLi。第二晶体管T22包 含第一端、第二端与栅极端，其中第一端耦合于第一晶体管Q22的栅极端，栅 极端耦合于驱动线DLn+l，第二端耦合于驱动线DLn+3。第一晶体管Q22及第 二晶体管T22根据驱动线DLn+l的驱动信号SDn+l与驱动线DLn+3的驱动信号 SDn+3控制感应单元SUn+l一m+l与感应线SLi之间的信号连结。
第(n+l)列感应区的第(m+2)个感应区Rn+l_m+2包含感应单元SUn+l—m+2、 第一晶体管Q23及第二晶体管T23。第一晶体管Q23包含第一端、第二端与栅 极端，其中第一端耦合于感应单元SUn+l—m+2，第二端耦合于感应线SLi+l。 第二晶体管T23包含第一端、第二端与栅极端，其中第一端耦合于第一晶体管 Q23的栅极端，栅极端耦合于驱动线DLn+l，第二端耦合于驱动线DLn+2。第 一晶体管Q23及第二晶体管T23根据驱动线DLn+l的驱动信号SDn+l与驱动线 DLn+2的驱动信号SDn+2控制感应单元SUn+l一m+2与感应线SLi+l之间的信号 连结。第(n+l)列感应区的第(m+3)个感应区Rn+1—m+3包含感应单元 SUn+l—m+3、第一晶体管Q24及第二晶体管T24。第一晶体管Q24包含第一端、 第二端与栅极端，其中第一端耦合于感应单元SUn+l一m+3，第二端耦合于感应 线SLi+l。第二晶体管T24包含第一端、第二端与栅极端，其中第一端耦合于 第一晶体管Q24的栅极端，栅极端耦合于驱动线DLn+l，第二端耦合于驱动线 DLn+3。第一晶体管Q24及第二晶体管T24根据驱动线DLn+l的驱动信号SDn+l 与驱动线DLn+3的驱动信号SDn+3控制感应单元SUn+l—m+3与感应线SLi+l 之间的信号连结。其余感应区250的耦合关系可根据上述类推。
由上述可知，第m行感应区及第(m+l)行感应区均耦合于感应线SLi以输 出相关感应信号，第(m+2)行感应区及第(m+3)行感应区均耦合于感应线SLi+l 以输出相关感应信号，即，在矩阵式感应装置200中，每一条感应线225均耦
合于二行感应区，而非现有技术矩阵式感应装置100只耦合于一行感应区，所 以可显著缩减感应线配置量以利于高分辨率面板设计，并可降低生产成本。
图3为用以驱动图2的矩阵式感应装置的相关驱动信号时序图，其中横轴
为时间轴。在图3中，由上往下的信号分别为驱动信号SDn、驱动信号SDn+l、 驱动信号SDn+2、以及驱动信号SDn+3。矩阵式感应装置200的驱动运作根据 图3所示的相关驱动信号时序关系说明如下。
于第一时段Tl，致能驱动信号SDn及驱动信号SDn+l，第二晶体管Tll 及第二晶体管T13根据被致能的驱动信号SDn而导通，此时，驱动信号SDn+l 可经由导通的第二晶体管Tll而馈入第一晶体管Qll的栅极端以导通第一晶体 管Qll，同时，驱动信号SDn+l可经由导通的第二晶体管T13而馈入第一晶体 管Q13的栅极端以导通第--晶体管Q13。所以，感应单元SUn—m输出的感应信 号Xll即可经由第一晶体管Qll及感应线SLi而传送至模拟多工单元220，感 应单元SUrun+2输出的感应信号X13则可经由第一晶体管Q13及感应线SLi+l 而传送至模拟多工单元220。
请注意，虽然第二晶体管T12及第二晶体管T14于第一时段Tl也被致能， 但因驱动信号SDn+2于第一时段Tl没有被致能，所以第一晶体管Q12及第一 晶体管Q14于第一时段Tl并没有导通，即感应单元SUn—m+l及感应单元 SUn_m+3所输出的感应信号X12及感应信号X14无法分别传送至感应线SLi及 感应线SLi+l 。换句话说，感应线SLi及感应线SLi+l于第一时段Tl只分别 用以传送感应信号Xll及感应信号X13。
于第二时段T2，致能驱动信号SDn及驱动信号SDn+2，第二晶体管T12 及第二晶体管T14根据被致能的驱动信号SDn而导通，此时，驱动信号SDn+2 可经由导通的第二晶体管T12而馈入第一晶体管Q12的栅极端以导通第一晶体 管Q12，同时，驱动信号SDn+2可经由导通的第二晶体管T14而馈入第一晶体 管Q14的栅极端以导通第一晶体管Q14。所以，感应单元SUn一m+l输出的感应 信号X12即可经由第一晶体管Q12及感应线SLi而传送至模拟多工单元220， 感应单元SUn—m+3输出的感应信号X14则可经由第一晶体管Q14及感应线 SLi+l而传送至模拟多工单元220。
同理，虽然第二晶体管Tll及第二晶体管T13于第二时段T2也被致能， 但因驱动信号SDn+l于第二时段T2没有被致能，所以第一晶体管Qll及第一
晶体管Q13于第二时段T2并没有导通，即感应单元SUn一m及感应单元SUn一m+2 所输出的感应信号Xll及感应信号X13无法分别传送至感应线SLi及感应线 SLi+l。换句话说，感应线SLi及感应线SLi+l于第二时段T2只分别用以传送 感应信号X12及感应信号X14。
于第三时段T3，致能驱动信号SDn+l及驱动信号SDn+2，第二晶体管T21 及第二晶体管T23根据被致能的驱动信号SDn+l而导通，此时，驱动信号SDn+2 可经由导通的第二晶体管T21而馈入第一晶体管Q21的栅极端以导通第一晶体 管Q21，同时，驱动信号SDn+2可经由导通的第二晶体管T23而馈入第一晶体 管Q23的栅极端以导通第一晶体管Q23。所以，感应单元SUn+l一m输出的感应 信号X21即可经由第一晶体管Q21及感应线SLi而传送至模拟多工单元220， 感应单元SUn+l—m+2输出的感应信号X23则可经由第一晶体管Q23及感应线 SLi+l而传送至模拟多工单元220。
于第四时段T4，致能驱动信号SDn+l及驱动信号SDn+3，第二晶体管T22 及第二晶体管T24根据被致能的驱动信号SDn+l而导通，此时，驱动信号SDn+3 可经由导通的第二晶体管T22而馈入第一晶体管Q22的栅极端以导通第一晶体 管Q22，同时，驱动信号SDn+3可经由导通的第二晶体管T24而馈入第一晶体 管Q24的栅极端以导通第一晶体管Q24。所以，感应单元SUn+l一m+l输出的感 应信号X22即可经由第一晶体管Q22及感应线SLi而传送至模拟多工单元220， 感应单元SUn+l一m+3输出的感应信号X24则可经由第一晶体管Q24及感应线 SLi+l而传送至模拟多工单元220。
图4为图2的坐标映射单元执行坐标映射处理的示意图。图4绘示第一列 表410及第二列表450，用以说明各时段输出的感应信号如何映射到对应坐标 位置。第一列表410显示矩阵式感应装置200的感应线SLi及SLi+l根据图3 的驱动信号时序关系在第一时段Tl至第四时段T4所输出的感应信号列表。如 第一列表410所示，于第一时段T1，感应线SLi及SLi+l分别输出感应信号 Xll及X13;于第二时段T2，感应线SLi及SLi+l分别输出感应信号X12及X14; 于第三时段T3，感应线SLi及SLi+l分别输出感应信号X21及X23;以及于第 四时段T4，感应线SLi及SLi+l分别输出感应信号X22及X24。
第一时段Tl至第四时段T4所输出的感应信号XI1-X24经由坐标映射单元 245的坐标映射处理后，分别映射至第二列表450的对应坐标位置。举例而言，
于第一时段Tl输出的感应信号XI1及X13分别被映射至第二列表450的坐标 位置Pn—m及Pn一m+2，于第二时段T2输出的感应信号X12及X14分别被映射 至第二列表450的坐标位置Pn—m+l及Pn一m+3，于第三时段T3输出的感应信 号X21及X23分别被映射至第二列表450的坐标位置Pn+1—m及Pn+l—m+2，于 第四时段T4输出的感应信号X22及X24分别被映射至第二列表450的坐标位 置Pn+1—m+l及Pn+1—m+3。请继续参考图4及图2，图4的第二列表450所显 示的坐标位置Pnjn-Pn+l一m+3直接对应于图2所显示感应区Rn—m-Rn+1—m+3 的相对位置，g卩，坐标映射单元245将每一时段输出的感应信号映射至对应坐 标位置，用以定位触碰位置。
总之，在本发明矩阵式感应装置中，每一条感应线耦合于二行感应区，因 此可显著縮减感应线配置量，而坐标映射单元则用以配合感应线耦合架构将每 一条感应线输出的感应信号映射至对应坐标位置以定位触碰位置。所以本发明 具縮减感应线配置量架构的矩阵式感应装置特别适用于高分辨率面板设计，并 可降低生产成本。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情 况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但 这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1．一种矩阵式感应装置，其特征在于，包含多数条驱动线，用以接收多数个驱动信号；多数条感应线，用以输出多数个感应信号；以及一矩阵式感应区，其包含多数个感应区，每一个感应区包含一感应单元，用以产生该些感应信号的一对应感应信号；一第一晶体管，包含一第一端、一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合于该感应单元以接收该对应感应信号，该第二端耦合于该些感应线的一对应感应线；以及一第二晶体管，包含一第一端、一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合于该第一晶体管的栅极端，该栅极端耦合于该些驱动线的一第一驱动线以接收该些驱动信号的一第一驱动信号，该第二端耦合于该些驱动线的一第二驱动线以接收该些驱动信号的一第二驱动信号；其中该第一晶体管及该第二晶体管根据该第一驱动信号及该第二驱动信号控制该感应单元与该对应感应线之间的信号连结。
2. 根据权利要求1所述的矩阵式感应装置，其特征在于，另包含 一驱动电路，耦合于该些驱动线，用以提供该些驱动信号； 一模拟多工单元，耦合于该些感应线，用以接收该些感应信号并输出一模拟多工信号；以及一微控制器单元，耦合于该驱动电路及该模拟多工单元。
3. 根据权利要求2所述的矩阵式感应装置，其特征在于，另包含 一模拟至数字转换单元，耦合于该模拟多工单元，用以将该模拟多工信号转换为一数字多工信号。
4. 根据权利要求3所述的矩阵式感应装置，其特征在于，该微控制器单 元包含一坐标映射单元，耦合于该模拟至数字转换单元，用以将该数字多工信号 映射至一对应坐标信号。
5. 根据权利要求3所述的矩阵式感应装置，其特征在于，另包含 一坐标映射单元，耦合于该微控制器单元与该模拟至数字转换单元之间， 用以将该数字多工信号映射至一对应坐标信号。
6. 根据权利要求2所述的矩阵式感应装置，其特征在于，该微控制器单 元输出 一控制信号至该驱动电路，该驱动电路根据该控制信号以提供该些驱动
7. 根据权利要求2所述的矩阵式感应装置，其特征在于，该微控制器单 元输出一选择信号至该模拟多工单元，该模拟多工单元根据该选择信号从该些 感应信号选择一对应感应信号输出为该模拟多工信号。
8. 根据权利要求1所述的矩阵式感应装置 含一感压元件或一感光元件。
9. 根据权利要求8所述的矩阵式感应装置 一电容式感压元件或一压电元件。
10. 根据权利要求8所述的矩阵式感应装置 一光二极管或一光敏晶体管。
11. 根据权利要求1所述的矩阵式感应装置 为一金氧半场效晶体管或一薄膜晶体管。
12. 根据权利要求1所述的矩阵式感应装置 为一金氧半场效晶体管或一薄膜晶体管。
13. 根据权利要求1所述的矩阵式感应装置 区的一第n列感应区包含一第m个感应区，包含一感应单元；一第一晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合于该第n列感应区的第m个感应区的感应单元，该第二端耦合于该些感应线的 一第i条感应线；以及一第二晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合 于该第n列感应区的第m个感应区的第一晶体管的栅极端，该栅极端耦合于该 些驱动线的一第n条驱动线，该第二端耦合于该些驱动线的一第(n+l)条驱动 线；以及一第(m+l)个感应区，包含一感应单元；，其特征在于，该感应单元包 ，其特征在于，该感压元件为 ，其特征在于，该感光元件为 ，其特征在于，该第一晶体管 ，其特征在于，该第二晶体管 ，其特征在于，该矩阵式感应 一第一晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合于该第n列感应区的第(m+l)个感应区的感应单元，该第二端耦合于该第i条 感应线；以及一第二晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合 于该第n列感应区的第(m+l)个感应区的第一晶体管的栅极端，该栅极端耦合 于该第n条驱动线，该第二端耦合于该些驱动线的一第(n+2)条驱动线。
14. 根据权利要求13所述的矩阵式感应装置，其特征在于，该第n列感应区的第m个感应区的第一晶体管与第二晶体管根据该第n 条驱动线的一对应驱动信号与该第(n+l)条驱动线的一对应驱动信号控制该第 n列感应区的第m个感应区的感应单元与该第i条感应线之间的信号连结；以 及该第n列感应区的第(m+l)个感应区的第一晶体管与第二晶体管根据该第 n条驱动线的对应驱动信号与该第(n+2)条驱动线的一对应驱动信号控制该第 n列感应区的第(ra+l)个感应区的感应单元与该第i条感应线之间的信号连结。
15. 根据权利要求13所述的矩阵式感应装置，其特征在于，该矩阵式感 应区的第n列感应区另包含一第(m+2)个感应区，包含 一感应单元；一第一晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合 于该第n列感应区的第(m+2)个感应区的感应单元，该第二端耦合于该些感应 线的一第(i+l)条感应线；以及一第二晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合 于该第n列感应区的第(m+2)个感应区的第一晶体管的栅极端，该栅极端耦合 于该第n条驱动线，该第二端耦合于该第(n+l)条驱动线；以及一第(m+3)个感应区，包含一感应单元；一第一晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合 于该第n列感应区的第(m+3)个感应区的感应单元，该第二端耦合于该第(i+l) 条感应线；以及一第二晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合于该第n列感应区的第(m+3)个感应区的第一晶体管的栅极端，该栅极端耦合 于该第n条驱动线，该第二端耦合于该第(n+2)条驱动线。
16. 根据权利要求15所述的矩阵式感应装置，其特征在于，该第n列感应区的第(m+2)个感应区的第一晶体管与第二晶体管根据该第 n条驱动线的一对应驱动信号与该第(n+l)条驱动线的一对应驱动信号控制该 第n列感应区的第(m+2)个感应区的感应单元与该第(i+l)条感应线之间的信 号连结；以及该第n列感应区的第(m+3)个感应区的第一晶体管与第二晶体管根据该第 n条驱动线的对应驱动信号与该第(n+2)条驱动线的一对应驱动信号控制该第 n列感应区的第(m+3)个感应区的感应单元与该第(i+l)条感应线之间的信号 连结。
17. 根据权利要求15所述的矩阵式感应装置，其特征在于，该矩阵式感 应区的一第(n+l)列感应区包含一第m个感应区，包含 一感应单元；一第一晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合 于该第(n+l)列感应区的第m个感应区的感应单元，该第二端耦合于该第i条 感应线；以及一第二晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合 于该第(n+l)列感应区的第m个感应区的第一晶体管的栅极端，该栅极端耦合 于该第(n+l)条驱动线，该第二端耦合于该第(n+2)条驱动线；以及一第(m+l)个感应区，包含一感应单元；一第一晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合于该第(n+l)列感应区的第(m+l)个感应区的感应单元，该第二端耦合于该第i 条感应线；以及一第二晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合 于该第(n+l)列感应区的第(m+l)个感应区的第一晶体管的栅极端，该栅极端耦 合于该第(n+l)条驱动线，该第二端耦合于该些驱动线的一第(n+3)条驱动线。
18. 根据权利要求17所述的矩阵式感应装置，其特征在于， 该第(n+l)列感应区的第m个感应区的第一晶体管与第二晶体管根据该第 (n+l)条驱动线的一对应驱动信号与该第(n+2)条驱动线的一对应驱动信号控 制该第(n+l)列感应区的第m个感应区的感应单元与该第i条感应线之间的信 号连结；以及该第(n+l)列感应区的第(m+l)个感应区的第一晶体管与第二晶体管根据 该第(n+l)条驱动线的对应驱动信号与该第(n+3)条驱动线的一对应驱动信号 控制该第(n+l)列感应区的第(m+l)个感应区的感应单元与该第i条感应线之 间的信号连结。
19. 根据权利要求17所述的矩阵式感应装置，其特征在于，该矩阵式感 应区的第(n+l)列感应区另包含一第(m+2)个感应区，包含 一感应单元；一第一晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合 于该第(n+l)列感应区的第(m+2)个感应区的感应单元，该第二端耦合于该第 (i+l)条感应线；以及一第二晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合 于该第(n+l)列感应区的第(m+2)个感应区的第一晶体管的栅极端，该栅极端耦 合于该第(n+l)条驱动线，该第二端耦合于该第(n+2)条驱动线；以及一第(m+3)个感应区，包含一感应单元；一第一晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合 于该第(n+l)列感应区的第(m+3)个感应区的感应单元，该第二端耦合于该第 (i+l)条感应线；以及一第二晶体管，包含一第一端、 一第二端及一栅极端，其中该第一端耦合 于该第(n+l)列感应区的第(m+3)个感应区的第一晶体管的栅极端，该栅极端耦 合于该第(n+l)条驱动线，该第二端耦合于该第(n+3)条驱动线。
20. 根据权利要求19所述的矩阵式感应装置，其特征在于，该第(n+l)列感应区的第(m+2)个感应区的第一晶体管与第二晶体管根据 该第(n+l)条驱动线的一对应驱动信号与该第(n+2)条驱动线的一对应驱动信 号控制该第(n+l)列感应区的第(m+2)个感应区的感应单元与该第(i+l)条感应 线之间的信号连结；以及该第(n+l)列感应区的第(m+3)个感应区的第一晶体管与第二晶体管根据 该第(n+l)条驱动线的对应驱动信号与该第(n+3)条驱动线的一对应驱动信号 控制该第(n+l)列感应区的第(m+3)个感应区的感应单元与该第(i+l)条感应线 之间的信号连结。
全文摘要
一种具缩减感应线配置量架构的矩阵式感应装置，其包含多数条驱动线、多数条感应线以及矩阵式感应区。矩阵式感应区包含多数个感应区，每一个感应区包含第一晶体管、第二晶体管、及用以产生感应信号的感应单元。第一晶体管耦合于感应单元及对应感应线，第二晶体管耦合于第一晶体管、第一对应驱动线及第二对应驱动线。第一晶体管配合第二晶体管根据第一对应驱动线及第二对应驱动线的驱动信号以控制感应单元与对应感应线之间的信号连结。
文档编号G02F1/13GK101364158SQ20081016125
公开日2009年2月11日 申请日期2008年9月24日 优先权日2008年9月24日
发明者廖致霖, 施鸿民, 陈武民 申请人:友达光电股份有限公司