湿溶性光刻的制作方法

专利名称：湿溶性光刻的制作方法
技术领域：
本发明一般地涉及半导体器件的制造，更具体地涉及用于制造半导体器件的湿溶 性光刻。
背景技术：
半导体集成电路(IC)产业经历了快速的发展。IC材料和设计的技术进步产生了 多代IC，其中每代比前一代具有更小和更复杂的电路。这些进步增加了工艺和制造IC的复 杂度，对于这些需要实现的进步，需要IC工艺和制造的类似的发展。在IC演进的过程中， 功能密度(即每芯片区域的互连器件的数目)普遍增加，而几何尺寸(即使用制造工艺能 够产生的最小元件(或线))减小了。规模缩小的工艺通过增加生产效率和降低相关成本 而普遍提供了益处。这样的规模缩小也需要半导体制造和加工设备的相关改进。半导体制造中常用的一个工艺为在制造期间在半导体器件上添加光致抗蚀剂层。 光致抗蚀剂可以是正性的或负性的，一般作为光敏材料用于光刻中以在半导体器件的表面 形成构图的涂层。该构图的涂层允许工艺，如传统的注入工艺，将不同的掺杂剂注入到半导 体衬底/晶片上添加的构图中。在这些注入工艺之后，一般使用一种或多种干法刻蚀(如， 灰化、等离子体刻蚀(03，CF4)等等)和/或湿法刻蚀(例如Caros’clean，H2SO4M2O2等等) 工艺移除光致抗蚀剂。已经观察到，由于C-C键的形成(例如键能 350kJ/mol)，传统的注 入工艺导致有机光致抗蚀剂硬化，留下了碳质壳，该碳质壳在多数溶液中不能溶解，从而很 难移除。另一个问题在于干法刻蚀工艺通常会损坏衬底(如氧化物损耗)，从而导致半导体 器件减弱了电性能，降低了生产率，增加了制造成本。单独的湿法刻蚀能够防止衬底损坏， 但是传统的湿法刻蚀方法在衬底上留下了交叉耦合的碳化光致抗蚀剂(PR)壳颗粒。这些 颗粒也对半导体器件的电性能具有负面影响。因此，需要一种解决上述问题的方法。

发明内容
本发明的实施例涉及形成湿溶性光刻层的系统和方法。在一个实施例中，在半导 体衬底上形成湿溶性光刻层的系统，包括提供衬底；在衬底上淀积包括第一材料的第一 层；在衬底上淀积包括第二材料的第二层。在一个实施例中，第一材料与第二材料包括不同 的组成，第一层和第二层中之一包括硅。


本发明从以下的详细描述结合附图可以得到更好的理解。需要强调的是，根据行 业内的标准实践，不同的器件为了示意的目的没有按比例绘制。实际上，不同特征的尺寸可 以为了描述清楚目的而任意地增加或减小。以下是示例性的附图的简要说明。它们仅仅是示例性的实施例，本发明的范围不 应当限制于此。
图1示出了使用湿溶性光刻层制造半导体器件的一个实施例的图层的剖面图。图2示出了使用湿溶性光刻层制造半导体器件中的原位牺牲层(in situsacrificial layer)的一个实施例的剖面图。图3示出了使用湿溶性光刻层制造半导体器件中的非原位牺牲层(exsitu sacrificial layer)的一个实施例的剖面图。图4示出了使用湿溶性光刻层制造半导体器件的一个实施例的反向层的剖面图。图5示出了使用湿溶性光刻层加工集成电路的方法的一个实施例的流程图。
具体实施例方式本发明一般地涉及半导体器件的制造，更具体地涉及用于制造半导体器件的湿溶 性光刻。可以理解的是，以下所公开的内容提供了很多不同的实施例，例如，用于实现本发 明的不同特征。以下描述了元件和设置的具体的例子以简化本发明。当然，这些仅仅是例 子，并不作为限制。例如，以下的描述中第一特征在第二特征之上或上面的结构可以包括第 一和第二特征直接接触的实施例，也可以包括形成在第一和第二特征之间的附加的特征的 实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触的。另外，本发明在不同的例子中可能重复 参考数字和/或标号。这些重复是为了简单和清楚的目的，其本身并不指示所讨论的不同 的实施例和/或构造之间的关系。本发明公开了用于在制造半导体器件中使用的湿溶性光刻系统和方法。在本发明 中可能替换地使用术语光刻、光刻技术和光学光刻。光刻技术是用于微细加工，如半导体加 工，选择性地移除薄膜或衬底的部分的工艺。该工艺使用光将构图(如，几何构图)从光掩 膜传递到衬底上的光敏制剂(如光致抗蚀剂，或简称“抗蚀剂”)。然后进行一系列化学处 理将曝光的构图刻到光致抗蚀剂下面的材料上。在复杂的集成电路(例如，新式互补金属 氧化物半导体(CMOS))中，衬底晶片可以经过几个光刻周期。在光刻技术中，可以通过使用 投影图像或光学掩膜将其暴露在光中而产生刻蚀抗蚀剂。换言之，该步骤类似于用于制造 印刷电路板的方法的精确方案。工艺中的随后的阶段相比于光刻印刷与刻蚀更加相关。因 为光刻使得可以更好的控制其产生的目的物的形状和尺寸，并且因为它能够在整个表面之 上同时产生构图，因此可以使用光刻。半导体光刻典型地包括在半导体衬底的顶面上添加光致抗蚀剂层和曝光光致抗 蚀剂以构图的工艺步骤。通常进行曝光后烘焙(PEB)以使得曝光的光致抗蚀剂聚合体裂 开。然后包括裂开的聚合体光致抗蚀剂的衬底被转移到显影室以移除曝光的光致抗蚀剂， 其可溶于水性显影溶液。传统上，显影溶液如四甲基氢氧化铵(tetra-methyl ammonium hydroxide,TMAH)以胶状(puddle)的形式被添加到抗蚀剂表面以显影曝光的光致抗蚀剂。 可以使用浸置式(puddle process)添加TMAH。然后在衬底上进行去离子水漂洗以移除光 致抗蚀剂的溶解的聚合体。然后将衬底送到旋涂干法工艺。该工艺一般在衬底上产生构图 的光致抗蚀剂特征，可以称为掩膜。换言之，掩膜使部分衬底被保护，部分被曝光。然后，以 某些方式进行处理曝光的部分，如掺杂或离子注入。可以在光致抗蚀剂的部分被移除之后 进行本发明的方法以形成构图的光致抗蚀剂。在一个实施例中，用于曝光衬底晶片的辐射光束可以是紫外线和/或能够被扩展以包括其他的辐射光束如离子束、X射线、极紫外线、深紫外线和其他适合的辐射能量。该 辐射光束可以具有“构图”以在衬底上曝光，辐射光束穿过光掩膜。光刻工艺可以注入氟化 氪(KrF)准分子激光、氟化氩(ArF)准分子激光、ArF浸没式光刻、远紫外(EUV)或电子束 写(电子束)。光刻曝光工艺也可以通过其他适合的方法来实现或代替，如无掩膜光刻、离 子束写和分子印刷(molecular imprint)。为了制造半导体器件，可以在衬底上进行离子注 入或其他工艺以将掺杂剂注入到衬底曝光的部分中。在一个实施例中，包括至少一个Si-O结构的湿溶性硅(Si)材料(如，硅氧烷、硅 烷醇、硅烷和多种其他材料)能够在碱性或中性溶液中溶解。因此，去膜工艺可以是环境友 好的(如使用DI漂洗工艺)。应当理解的是，可溶性依赖于加热、光照度和化学轰击(如， Si-Si键能量 180kJ/mol)。因此，在半导体制造中用作光致抗蚀剂层的湿溶性硅材料，并 使用湿法工艺去膜，可以减小和防止衬底损坏，从而减少制造/保存半导体器件的损耗和 成本。在一个实施例中，本发明可以应用于DBARC使用。本领域技术人员应当理解，使用湿 溶性光致抗蚀剂工艺，如本发明所提供的，将为半导体器件的制造提供底层N、K控制(从而 减少注入光致抗蚀剂漂移)，改进注入电阻和移除器件掉落粒子。可以理解的是，本发明提供了 1)形成湿溶性含硅光刻层；2)曝光湿溶性含硅光 刻层；3)将图层构图传递到湿溶性含硅光刻层；4)对图层和湿溶性含硅光刻层都进行离子 注入，或仅对湿溶性含硅光刻层进行离子注入；以及5)湿法去膜该湿溶性含硅光刻层。本发明的实施例可以用于多种半导体加工流程，包括但不限于，牺牲层应用和反 向层(reversed layer)应用。牺牲层应用的实施例可以包括1)形成湿溶性含硅光刻层； 2)形成图层；3)曝光湿溶性含硅以及图层；4)形成图层构图；5)将图层构图原位或非原位 传递到湿溶性含硅光刻层；6)离子注入；7)移除图层；以及8)湿法去膜图层和湿溶性含硅 光刻层。反向层应用的实施例可以包括1)形成图层；2)曝光图层；3)形成图层构图；4) 在图层上形成湿溶性含硅光刻层；5)回刻蚀含硅光刻层；6)移除图层并反向构图至湿溶性 含硅光刻层；7)离子注入；8)湿法去膜湿溶性含硅光刻层。图1示出了使用应用于衬底100上的湿溶性光刻层102制造半导体器件的一个实 施例的图层的剖面图。在一个实施例中，湿溶性光刻层102包括硅(Si)。衬底100可以是 包括硅或硅元素的晶片材料。衬底100可以包括基本半导体，包括晶体的、多晶的和/或 非晶结构的硅或锗；化合物半导体，包括碳化硅、砷化镓、磷化镓、砷化铟和/或锑化铟；合 金半导体，包括 SiGe、GaAsP, AlInAs, AlGaAs, GaInAs, GaInP 和 / 或 GaInAsP ；任何的其他 适合的材料；和/或其组合。在一个实施例中，合金半导体衬底可以使用梯度SiGe特征，其 中Si和Ge的组分从梯度SiGe特征的一个位置的比率变化到另一个位置的比率。在另一 个实施例中，合金SiGe在硅衬底之上形成。在另一个实施例中，SiGe衬底为应变的。另外， 衬底可以是绝缘体上的半导体，如绝缘体上硅(SOI)，或薄膜晶体管(TFT)。在一些例子中， 衬底可以包括掺杂外延层或埋层。在另一些例子中，化合物半导体衬底可以使用多层结构， 或硅衬底可以包括多层化合物半导体结构。在一些例子中，衬底可以包括非半导体材料，如 玻璃。含Si图层102可以通过旋涂、汽相淀积、化学汽相淀积(CVD)、等离子体增强化学 汽相淀积(PECVD)、原子层淀积(ALD)、物理汽相淀积(PVD)高密度等离子体CVD (HDPCVD)， 其他适合的方法和/或其组合而将含Si图层102涂覆在衬底100上。在含Si图层102的应用之后，可以进行原位或非原位烘焙工艺。在构图曝光和曝光后烘焙(PEB)工艺之后，图 层102 (如光致抗蚀剂)可以产生酸，从而增加或减少在接触碱性溶液显影剂后其对水的可 溶性。对于阳性抗蚀剂可溶性可能增加，对于阴性抗蚀剂可能减小。在一个实施例中，碱性 溶液显影剂为接近2. 38%的四甲基氢氧化铵(TMAH)显影剂溶液。然而，也可以使用TMAH 的其他浓度级别。TMAH —般作为季铵盐的强碱，具有分子式(CH3)4N0H。TMAH可以用于娃， 如衬底100的各向异性刻蚀。TMAH也可以用作光刻工艺中的酸性光致抗蚀剂的显影的碱性 溶液。通常TMAH对于去膜光致抗蚀剂层是有效的，因为它是相转移催化剂。另外，TMAH可 以用作铁磁流体的合成的表面活化剂以防止结块。使用含Si图层102在衬底100之上形成光致抗蚀剂构图。然后，通过注入离子 104轰击形成的含Si图层102和曝光的衬底100，从而在衬底100中产生注入区106。注 入离子104可以包括As、P、N、B、C和/或Ge原子中的至少一种。在离子注入104之后，然 后可以使用加热或光照进行光学处理含Si图层102以改变其对去膜溶液的可溶性。然后 通过去膜溶液从衬底100上湿法刻蚀掉含Si图层102，从而保留了具有注入区106的衬底 100。在一个实施例中，去膜溶液包括水性、有机或混合水性-有机溶剂中的至少一种。去 膜溶液还可以包括酸(如，HCl、H2SO4、磷酸、HF)，碱(TMAH、氨)和氧化剂(如H2O2)和/或 表面活性剂。图2示出了使用湿溶性光刻层的半导体器件制造中的原位(如加工反应器内部) 牺牲层的一个实施例的剖面图。图3示出了使用湿溶性光刻层的半导体器件制造中的非原 位(如在加工反应器外部)牺牲层的一个实施例的剖面图。在图2和3示出的实施例中， 将牺牲含Si层102添加到衬底100上。将注入光致抗蚀剂层108添加到牺牲层102之上。图2所示的实施例提供了使用原位光刻工艺在衬底100之上进行构图的湿溶性含 Si牺牲层102和注入光致抗蚀剂层108。在图2的光刻工艺之后，接着通过离子注入104轰 击构图的含Si图层102、注入光致抗蚀剂层108和曝光的衬底100，从而在衬底100中产生 注入区106。注入离子104可以包括As、P、N、B、C和/或Ge原子中的至少一种。另外，离 子注入104在注入光致抗蚀剂层108的曝光部分上产生了交联光致抗蚀剂壳110。本领域 技术人员应当理解的是，通过湿法刻蚀从衬底100上移除牺牲含Si层102、注入光致抗蚀剂 层108和交联光致抗蚀剂壳110。简言之，具有湿溶性含Si牺牲层102的注入光致抗蚀剂 层108包括在注入光致抗蚀剂层108之下的湿溶性含Si材料，光构图原位传递到含Si层 102。在注入轰击104之后，通过湿法漂洗移除含Si层102。在图3所示的实施例中，可以在衬底100和牺牲含Si层102之上使用原位光刻工 艺构图注入光致抗蚀剂层108。然后，在衬底之上使用湿法刻蚀工艺非原位构图牺牲含Si 层102。在图3的光刻工艺和第一湿法刻蚀工艺之后，接着通过注入离子104轰击构图的含 Si图层102、注入光致抗蚀剂层108和曝光的衬底100，从而在衬底100中产生注入区106。 注入离子104可以包括As、P、N、B、C和/或Ge原子中的至少一种。本领域技术人员应当 理解的是，通过湿法刻蚀从衬底100上移除牺牲含Si层102和注入光致抗蚀剂层108。换 言之，具有湿溶性含Si牺牲层102的注入光致抗蚀剂层108包括在注入光致抗蚀剂层108 之下的湿溶性含Si材料，光构图非原位传递到含Si层102。在注入轰击104之后，通过湿 法漂洗去除含Si层102。图4示出了使用湿溶性光刻层的半导体制造的一个实施例的反向层的剖面图。在该实施例中，将注入光致抗蚀剂层108添加到衬底100之上。然后，包括湿溶性含Si材料 的湿溶性含Si层102在构图的注入光致抗蚀剂层108和衬底100的曝光区之上分层。然 后，湿溶性含Si层102被回刻蚀以曝光构图的注入光致抗蚀剂层108。然后从衬底100上 去膜注入光致抗蚀剂层108。通过去膜注入光致抗蚀剂层108，光构图被逆向传递到含Si 层102。然后，构图的含Si图层102和曝光的衬底100通过注入离子104轰击，从而在衬 底100中产生注入区106。注入离子104可以包括As、P、N、B、C和/或Ge原子中的至少一 种。本领域技术人员应当理解的是，通过湿法刻蚀从衬底100上移除反向含Si层102。图5示出了使用湿溶性光刻层加工如图1-4所示的集成电路器件的方法200的一 个实施例的流程图。在一个实施例中，湿溶性光刻层包括硅。方法200开始于块202，其中 制造者提供衬底(如衬底100)。在一个实施例中，衬底包括硅半导体材料。然后方法200 进行到块204，其中制造者将第一层淀积到衬底上。然后，方法200进行到块206，其中制造 者将第二层淀积到衬底上。如上所述，在衬底上淀积的一个或多个层可以包括湿溶性含Si 材料。然后方法200进行到块208，其中在层和/或衬底上进行加工。该加工可以包括任何 数目的工艺，可以为原位和/或非原位的。工艺的例子可以是对层构图、刻蚀层、光或热处 理层和/或衬底。本领域技术人员应当理解，层可以使用光刻、刻蚀或其他工艺构图。在层 上进行加工(如对层构图)之后，可以在层和衬底上进行离子注入。然后，方法200进行到 块210，其中从衬底上湿法刻蚀湿溶性含Si材料，方法200结束于块214。可以理解的是， 可以在离子注入之后从衬底上湿法刻蚀湿溶性含Si材料，不损坏衬底。可以理解的是，湿溶性含Si材料可能是具有附加连接剂的非可交联的、连接剂键 合可交联的或可交联的材料。交联剂可以调节湿溶性含Si材料的溶解能力。湿溶性含硅 材料的实施例的例子如下所示1、硅烷、硅氧烷、硅烷基和烷基烷氧基硅烷(alkylalkoxylsilane)(例如 R1R2R3R4Si)；2、amindo (硅烷、硅氧烷、硅烷基、烷基烷氧基硅烷)(例如，(R1R2R3)(NR5R6R7)SL (R1R2) (NR5R6R7) (NR8R9R10)Si, R1 (NR5R6R7) (NR8R9R10) (NR11R12R13) Si、和 / 或(NR5R6R7) (NR8R9R10) (NR11R12R13) (NR14R15R16) Si ；和 / 或3、含Si-Si键(amindo或非amindo (硅烷、硅氧烷、硅烷基、烷基烷氧基硅烷))(例 如，(R13R14R15) Si ((R16R17) Si) η)。交联剂的实施例的例子如下所示1、胺=(R18R19R2tl)N;2、氨基的(R18R19) NCOH ；3、环氧的=R18O ；4、醇R18OH;5、羟基酸=R18COOH ；6、酯=R18COOR19 ；7、酐=R18COOCOR19 ；8、内酯R18COO;9、卤化物RX;和/或10、含Si-O键的材料
本领域技术人员也应当理解的是，R1-R14可以是Η、0Η、烷基链，其还可以包含胺、氨 基、氨基的、环氧、醇、Si-O,卤素、羟基族和/或其组合。本发明的实施例提供了在半导体制造期间用于在衬底上形成湿溶性含Si光刻层 的系统和方法，可选地形成有机图层，可选地曝光有机图层和湿溶性含Si光刻层，使用含 Si光刻层或有机涂层的反向构图含Si光刻层形成湿溶性图像，离子注入有机图层和湿溶 性含Si光刻层或仅离子注入湿溶性含Si光刻层，湿法去膜湿溶性含Si光刻层。本领域技 术人员应当清楚的是，本发明可以提供一个或多个有益效果，如减少衬底损坏，减少保存/ 制造成本，提供底层折射率(N)和消光系数(K)控制，减少光致抗蚀剂漂移，改进注入电阻， 允许可调节的溶解速率，允许传统的旋涂，改进移除掉落粒子缺陷。可以理解的是，所公开 的实施例可以具有与此处描述的不同的有益效果，没有一个实施例需要任何特定的有益效果ο本发明的实施例提供了一种用于在半导体衬底上形成含Si光刻层的方法。该方 法包括在衬底上淀积第一材料层，在第一材料层的顶部淀积至少一个第二材料层，其中第 一材料层和第二材料层包含不同的材料的成分。第一和/或第二层可以包括Si。第一或第 二层可以是光可成像层，其中曝光波长包括I线、KrF、ArF、EUV或电子束曝光。第一层可以 与第二层具有不同的光性能。可以预期的是，第一层可以与第二层具有基本不同的n，k或 T值。在一个实施例中，第一层包括酸敏分子、光致产酸剂(PAG)、淬火剂、生色团、交联剂、 表面活化剂或溶剂，其导致第二层的不同η值。在一个实施例中，第一和第二层结构使用旋 涂或汽相淀积形成，其中第一或第二层的厚度基本< 300nm，环境压力基本小于2atm和/或 烘焙温度基本小于300°C。本领域技术人员应当理解，PAG为光致抗蚀剂的光敏成分。光(光照)分解PAG形 成少量的酸，其导致光致抗蚀剂的化学转化，导致其可溶/不可溶。本发明的实施例提供了一种用于在半导体衬底上形成含Si光刻层的方法。该方 法包括在衬底上淀积第一材料层，在第一材料层的顶部淀积至少一个第二材料层，其中第 一材料层和第二材料层包含不同的材料成分。第一和/或第二层可以包含Si。在一个实 施例中，含Si层可以为氨基或非氨基的(硅烷、硅氧烷、硅烷基和烷基烷氧基硅烷)，或含 Si-Si键的(氨基或非氨基的(硅烷、硅氧烷、硅烷基和烷基烷氧基硅烷))。含Si层还可 以包括胺、氨基、氨基的、环氧、醇、卤素和羟基族中的至少一种。另外，含Si光刻层材料还 可以包括交联剂，其经过了与含Si光刻层材料的化学反应。在化学反应之后，含Si光刻层 材料分子量将增加，在分子量增加之后，含Si光刻层材料湿溶性改变。应当理解的是，化学 反应可以通过加热或光照而触发。在一个实施例中，附加的交联剂包括胺、氨基、氨基的、环 氧、Si-o、醇、卤素和羟基族中的至少一种。本发明的实施例提供了一种用于在半导体衬底上形成含Si光刻层的方法。该方 法包括在衬底上淀积第一材料层，在第一材料层的顶部淀积至少一个第二材料层，其中第 一材料层和第二材料层包含不同成分的材料。第一和/或第二层包含Si，且为基本湿溶于 湿法刻蚀液体。在一个实施例中，含Si层在离子轰击之后基本是湿溶性的，其中注入离子 包括As、P、N、B、C和Ge原子中的至少一种。湿法刻蚀液体可以包括溶剂或化学制剂。溶 剂可以包括NMP、PGME, PGMEA, H2O, DMSO等等。化学制剂可以包括酸、碱、氧化剂、还原剂和 /或表面活性剂。酸可以包括HC1、H2S04、HN03、HF或磷酸。碱可以包括氨、TMAH等等。氧化剂可以包括H2O2，HNO3或O3或其他适合的材料。 以上概述了几个实施例的特征，这样本领域技术人员可以更好地理解本发明的方 面。本领域技术人员应当理解，他们可以很容易使用本发明作为基础用于设计或改进用于 实现与此处所介绍的实施例具有相同的目的和/或达到相同的有益效果的其他工艺和结 构。本领域技术人员也应当意识到，这些等同的结构没有脱离本发明的精神和范围，他们可 以在不脱离本发明的精神和范围的条件下于此做出各种变化、替换和改造。
权利要求
一种在衬底上形成湿溶性光刻层的方法，该方法包括提供衬底；在所述衬底上淀积包括第一材料的第一层；以及在所述衬底上淀积包括第二材料的第二层，其中所述第一材料与所述第二材料包括不同的成分，且其中所述第一层和第二层中的一个包括硅。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层或所述第二层包括光敏层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述衬底之上淀积所述第一层和在所述衬底之 上淀积所述第二层包括旋涂工艺、汽相淀积工艺及其组合的其中之一。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层或所述第二层包括小于大约300纳米 的厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括在小于大约300°C的温度烘焙所述第一或第二 层，和/或，其中所述第一或第二层在压力小于大约2atm的环境下淀积。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层与所述第二层包括不同的光学性能， 和/或，其中所述第一层与所述第二层包括基本不同的n、k或T值。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层包括酸敏分子、光致产酸剂(PAG)、淬 火剂、生色团、交联剂、表面活化剂和溶剂中的一种。
8.一种在衬底上使用湿溶性光刻层的方法，该方法包括提供所述衬底；在所述衬底上淀积包括第一材料的第一层；在所述第一层之上淀积包括第二材料的第二层，其中所述第一材料与所述第二材料包 括不同的成分，且其中所述第一层和所述第二层中的一个包括硅；以及使用湿法刻蚀移除所述第一和第二层。
9.根据权利要去8所述的方法，其中包括硅的层包括氨基、非氨基和含Si-Si键的材料 中的一种；其中所述氨基、非氨基和/或含Si-Si键的材料中的一种包括硅烷、硅氧烷、硅烷基和 烷基烷氧基硅烷中的一种。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述包括硅的层包括胺、氨基、氨基的、环氧、醇、 卤素和羟基族中的一种。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述包括硅的层包括交联剂，其中所述交联剂经 过与所述包括硅的层的化学反应。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述包括硅的层在所述化学反应之后增加了分 子量，其中所述包括硅的层在所述分子量增加之后湿溶性改变。
13.—种制造集成电路器件的方法，该方法包括提供衬底；在所述衬底之上淀积包括第一材料的第一层；在所述衬底之上淀积包括第二材料的第二层，其中所述第一材料与所述第二材料包括 不同的成分，且其中所述第一层和所述第二层之一包括硅；构图所述第一层和所述第二层以形成所述衬底的曝光部分；在所述衬底上进行注入工艺；以及进行湿法刻蚀工艺以移除所述第一层和所述第二层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一层和所述第二层之一包括含硅层；所述方法还包括在所述注入工艺之后进行热处理和光处理之一，其中所述热处理和所 述光处理之一改变所述含硅层的可溶性。
15.根据权利要求13所述的方法，其中进行所述湿法刻蚀工艺包括使用溶剂和化学制 剂之一；其中所述化学制剂为酸、碱、氧化剂、还原剂和表面活性剂中的一种。
全文摘要
一种在半导体衬底上形成湿溶性光刻层的系统，包括提供衬底，在衬底上淀积包括第一材料的第一层，在衬底上淀积包括第二材料的第二层。在一个实施例中，第一材料与第二材料包括不同的成分，第一层和第二层之一包括硅。
文档编号G03F7/16GK101872126SQ20091022544
公开日2010年10月27日 申请日期2009年12月14日 优先权日2009年4月27日
发明者张庆裕, 王建惟 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司