专利名称：一种电光q开关的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及激光领域，尤其涉及Q开关领域。
背景技术：
电光调Q开关通常采用KDP或IO^P晶体制作，由于这类晶体易潮解，通常 需将晶体密封在盒中，并在盒中加入折射率匹配液，由于折射率匹配液存在一 定挥发，使用一段时间后需添加匹配液，这给实际应用带来一定不方便性。如 直接采用密封空气的方法，则又由于在晶体端面没有增透而带来一定腔内损耗。
实用新型内容
针对上述问题，本实用新型提出一种电光Q开关的结构来解决，本实用新 型的技术方案是
一种电光Q开关，包括包裹电光晶体之外的陶瓷外壳和连接于电光晶体上 的镀金电极薄环或镀金电极薄片，所述的镀金电极薄环或镀金电极薄片并焊结 于电极，并通过连接于电极上的电压调节电路对所述的电光晶体进行调Q运转， 所述的电光晶体两通光端面是布儒斯特角斜面；所述的电极还包含陶瓷套管， 其两端开孔用于放置电极；所述的陶瓷外壳侧面中心开一小孔并注入胶体，将 电光晶体与陶瓷外壳粘结为一体；所述的电光晶体两通光面还设有窗口片，所 述的窗口片的一个通光面为平面，另外一个通光面为布儒斯特角斜面，窗口片 的布儒斯特角斜面和电光晶体布儒斯特角斜面呈平行或接近平行放置。
进一步的，所述的所述的窗口片的平面的通光面还光胶玻璃平片，所述的 玻璃平片还通过胶层粘结于所述的陶瓷外壳，形成一体的密封结构。本实用新型采用该技术方案，具有可使激光基本呈直线通过调Q晶体，可 消去电光晶体用于Q开关带来的腔内损耗，同时保护晶体不受潮解的技术优势。
图l是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
现结合附图和具体实施方式
对本实用新型进一步说明。
参阅图1所示，本实用新型的电光Q开关，包括包裹电光晶体101之外的 陶瓷外壳107和连接于电光晶体101上的镀金电极薄环或镀金电极薄片103,所 述的镀金电极薄环或镀金电极薄片103并焊锡焊结于电极106,并通过连接于电 极105上的电压调节电路对所述的电光晶体101进行调Q运转。进一步的，所 述的电光晶体101两通光端面是布儒斯特角斜面；所述的电极105还包含陶乾 套管106,其两端开孔用于放置电极105;所述的陶乾外壳107侧面中心开一小 孔104并注入胶体，将电光晶体101与陶瓷外壳107粘结为一体，使电光晶体 101与陶瓷外壳107紧密连接，从而固定住电光晶体101,同时，小孔104也是 作为排气充气孔；所述的电光晶体101两通光面还设有窗口片102A,所述的窗 口片102A的一个通光面为平面，另外一个通光面为布儒斯特角斜面，窗口片102A 的布儒斯特角斜面和电光晶体101布儒斯特角斜面呈平行或接近平行放置。由 于采用陶瓷外壳107,可直接放入低温焊料，高温烘烤融化连接电极105，陶资 外壳107可通过开模用模具批量压制。
进一步的，所述的所述的窗口片102A的平面的通光面还光胶玻璃平片102B， 所述的玻璃平片102B还通过胶层108粘结于所述的陶瓷外壳107,形成一体的 密封结构。
光束/人一端入射时，由于窗口片102A呈布儒斯特角的楔形，可使激光基本呈直线通过调Q的电光晶体101,可消去电光晶体101用于Q开关带来的腔内损
耗，同时保护晶体不受潮解。
本实用新型采用纵向电光效应实现调Q运转。通过电压调节电路的退压和 加压方式实现其调Q功能，即在电光晶体101两端加高压使入射光束的偏振方 向旋转90° , Q开关处理关闭状态；调Q时退掉电光晶体101上的高压，则入 射线偏光的偏振方向不变，从而形成激光振荡。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术 人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内， 在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范 围。
权利要求1.一种电光Q开关，包括包裹电光晶体(101)之外的陶瓷外壳(107)和连接于电光晶体(101)上的镀金电极薄环或镀金电极薄片(103)，所述的镀金电极薄环或镀金电极薄片(103)并焊结于电极(106)，并通过连接于电极(105)上的电压调节电路对所述的电光晶体(101)进行调Q运转，其特征在于所述的电光晶体(101)两通光端面是布儒斯特角斜面；所述的电极(105)还包含陶瓷套管(106)，其两端开孔用于放置电极(105)；所述的陶瓷外壳(107)侧面中心开一小孔(104)并注入胶体，将电光晶体(101)与陶瓷外壳(107)粘结为一体；所述的电光晶体(101)两通光面还设有窗口片(102A)，所述的窗口片(102A)的一个通光面为平面，另外一个通光面为布儒斯特角斜面，窗口片(102A)的布儒斯特角斜面和电光晶体(101)布儒斯特角斜面呈平行或接近平行放置。
2. 根据权利要求1所述的电光Q开关，其特征在于所述的所述的窗口片(102A)的平面的通光面还光胶玻璃平片(102B),所述的玻璃平片(102B) 还通过胶层(108)粘结于所述的陶资外壳(107)，形成一体的密封结构。
专利摘要本实用新型涉及激光领域，尤其涉及Q开关领域。本实用新型的电光Q开关将两端为布儒斯特角加工的电光晶体分别与两片一端为布儒斯特角的窗口片结合，并放置于陶瓷外壳中。窗口片的平行端面再与一玻璃平片胶合，从而实现整个结构的密封。光束从一端入射时，由于窗口片呈布儒斯特角的楔形，可使激光基本呈直线通过调Q晶体，可消去电光晶体用于Q开关带来的腔内损耗，同时保护晶体不受潮解等。
文档编号G02F1/35GK201398010SQ20092013834
公开日2010年2月3日 申请日期2009年5月15日 优先权日2009年5月15日
发明者凌吉武, 卢秀爱, 砺 吴, 陈卫民, 陈燕平 申请人:福州高意通讯有限公司