专利名称：剥除铜或铜合金光阻的组成物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用以去除铜或铜合金光阻的组成物。本申请要求在2009年7月17日提出的韩国专利申请第10-2009-006M64号(其全文在此以引用方式并入本申请中)的权益。
背景技术：
在制造半导体装置用积体电路或平板显示器用微电路的程序中，在基板上形成的导电性金属膜或绝缘膜均勻地涂覆光阻，选择性地曝光，然后显影形成光阻图案。在此使用铝或铝合金膜、铜或铜合金膜等作为导电性金属膜，及使用氧化硅膜、氮化硅膜等作为绝缘膜。继而使用图案化光阻膜作为光罩而将导电性金属膜或绝缘膜湿式蚀刻或干式蚀刻，将微电路图案转移至光阻的下层，然后使用光阻剥除组成物去除光阻层的不必要部分。为了去除用于制造微电路程序的光阻，光阻剥除组成物必须可在低温且短时间内剥除光阻。此外光阻剥除组成物必须具有在洗涤后使光阻残渣不残留在基板上的程度的优良剥除力。此外光阻剥除组成物必须还具有低腐蚀力，使得配置在光阻底侧上的导电性金属膜或绝缘膜不受损。因此为了符合以上要求，现已研究及发展了各种形式的剥除组成物， 及其特定实施例如下。日本未审查专利申请公开第51-72503号公开了一种剥除组成物，其包含10至20 个碳原子的烷基苯磺酸、与沸点为150°C或更高的未卤化芳族烃。此外日本未审查专利申请公开第57-84456号公开了一种剥除组成物，其包含二甲基亚砜或二乙基亚砜、及一种有机砜化合物。此外美国专利第4，256，294号公开了一种剥除组成物，其包含烷基芳基磺酸、6 至9个碳原子的亲水性芳族磺酸、及沸点为150°C或更高的未卤化芳族烃。然而以上的剥除组成物因其严重地腐蚀导电性金属膜(如铝膜、铜膜、铜合金膜等)，及污染环境(因为其为高毒性)，使得其无法容易地处理或使用而成问题。因此为了解决以上问题，现已提议借混合作为主成分的水溶性烷醇胺与数种有机溶剂而制备剥除组成物的技术，及其实施例如下。美国专利第4，617，251号公开了一种含两种成分的剥除组成物，其包含一种有机胺化合物(如单乙醇胺(MEA)、2-(2_胺基乙氧基)-1-乙醇(AEE)等)、及一种极性溶剂(如二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基乙酰胺(DMAc)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、二甲基亚砜 (DMSO)、卡必醇乙酸酯、丙二醇一甲基醚乙酸酯(PGMEA)等)。此外日本未审查专利申请公开第62-49355号公开了一种剥除组成物，其包含一种借由将环氧乙烷引入烷醇胺与乙二胺中而制备的伸烷基多胺砜化合物，及二醇单烷基醚。此外日本未审查专利申请案公开第 64-似653号公开了一种剥除组成物，其包含一种或多种选自二甲基亚砜(DMSO)、二乙二醇一烷基醚、二乙二醇二烷基醚、Y - 丁内酯、与1，3- 二甲基-2-咪唑啶酮的溶剂、及一种含氮有机羟基化合物(如单乙醇胺(MEA)等)。此外日本未审查专利申请公开第4-124668号公开了一种剥除组成物，其包括有机胺、一种磷酸酯界面活性剂、2-丁炔-1，4-二醇、二乙二醇二烷基醚、与非量子极性溶剂。
然而这些剥除组成物也因由于其对含铜或铜合金的膜具有低抗腐蚀性，其在剥除程序期间造成严重腐蚀，及其在用于沉积间极绝缘膜的程序(后程序)时增加缺陷率而造成问题。
发明内容
技术问题因而本发明已构想解决上述问题，而且本发明的一个目的是为提供一种用以剥除铜或铜合金光阻的组成物，其可应用于浸泡型剥除、片进型剥除及喷洒型剥除。本发明的另一个目的是为了提供一种用以剥除铜或铜合金光阻的组成物，其可容易及显著地去除因精密微影术或湿式蚀刻而劣化及硬化的光阻膜，即使是在低温且短时间内。本发明的又另一个目的是为了提供一种用以剥除铜或铜合金光阻的组成物，其不必使用异丙醇而可同时使配置在光阻底侧上的导电性金属膜的腐蚀、及绝缘膜(如氧化硅膜、氮化硅膜等)的腐蚀最小。技术方案为了完成以上目的，本发明提供了一种用以剥除铜或铜合金光阻的组成物，其包含(a)0. 1重量％ 30重量％的至少一种选自由下式1至5表示的化合物的胺化合物；及(b)其余为至少一种有机溶剂<式1>
权利要求
1. 一种用以剥除铜或铜合金光阻的组成物，包含(a)0.1重量％ 30重量％的至少一种选自由下式1至式5表示的化合物的胺化合物；及(b)其余为至少一种有机溶剂； <式1>
2.根据权利要求1所述的组成物，其中由所述式1表示的胺化合物选自N-(2-羟丙基) 吗啉、N42-羟乙基)吗啉、N-胺基丙基吗啉、羟乙基哌嗪、羟丙基哌嗪、与1-(N-甲基哌嗪)乙醇。
3.根据权利要求1所述的组成物，其中由所述式2表示的胺化合物选自1-哌嗪乙胺、 1-哌嗪丙胺、1-哌嗪异丙胺、与1-(2-羟乙基)哌嗪。
4.根据权利要求1所述的组成物，其中由所述式3表示的胺化合物选自N-(2-羟乙基) 伸乙脲、N-(3-羟丙基)-2-吡咯啶酮、羟甲基吡咯啶酮、与羟乙基吡咯啶酮。
5.根据权利要求1所述的组成物，其中由所述式4表示的胺化合物选自N-哌啶乙醇与 1，4-二甲基哌嗪。
6.根据权利要求1所述的组成物，其中由所述式5表示的胺化合物选自二甲胺基乙氧基乙硫醇、二甲胺基乙氧基丙硫醇、二丙胺基乙氧基丁硫醇、二丁胺基乙氧基乙醇、二甲胺基乙氧基乙醇、二乙胺基乙氧基乙醇、二丙胺基乙氧基乙醇、二丁胺基乙氧基乙醇、N42-甲氧基乙醇)吗啉、N-乙氧基乙醇)吗啉、与N-丁氧基乙醇)吗啉。
7.根据权利要求1所述的组成物，其中所述至少一种有机溶剂(b)包括选自二甲基亚砜、二甲基砜、二乙基砜、二(2-羟乙基)砜、环丁砜、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N， N- 二甲基乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N- 二乙基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、N-丙基-2-吡咯啶酮、N-羟甲基-2-吡咯啶酮、N-羟乙基-2-吡咯啶酮、1，3_ 二甲基-2-咪唑啶酮、1，3- 二乙基-2-咪唑啶酮、1，3- 二异丙基-2-咪唑啶酮、乙二醇、乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一丁基醚、乙二醇一甲基醚乙酸酯、乙二醇一乙基醚乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇一甲基醚、二乙二醇一乙基醚、二乙二醇一丙基醚、与二乙二醇一丁基醚所构成的组中的一种或两种以上。
8.根据权利要求1所述的组成物，该组成物按组成物总量计进一步包含(c)重量％ 0.01 10重量％的至少一种添加剂，包含选自至少一种唑化合物、至少一种羟基苯化合物、至少一种还原剂、与至少一种络合物所构成的组中的一种或两种以上。
9.根据权利要求8所述的组成物，其中所述唑化合物选自甲苯基三唑、1，2，3-苯并三唑、1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、3-胺基-1，2，4-三唑、4-胺基-4H-1，2，4-三唑、1-羟基苯并三唑、1-甲基苯并三唑、2-甲基苯并三唑、5-甲基苯并三唑、苯并三唑-5-碳酸酯、硝基苯并三唑、与2-QH-苯并三唑-2-基)-4，6-二第三丁基酚所构成的组中的一种或两种以上。
10.根据权利要求8所述的组成物，其中所述羟基苯化合物选自儿茶酚、氢醌、五倍子酚、五倍子酸、五倍子酸甲酯、五倍子酸乙酯、五倍子酸正丙酯、五倍子酸异丙酯、与五倍子酸正丁酯所构成的组中的一种或两种以上。
11.根据权利要求8所述的组成物，其中所述还原剂选自异抗坏血酸、维生素C与 α-生育酚所构成的组中的一种或两种以上。
12.根据权利要求8所述的组成物，其中所述至少一种络合物选自顺丁烯二酸钠-钛、 乙醇酸钠-锆、乳酸钠-锆、乳酸钾-锆、乙醇酸钾-锆、与顺丁烯二酸钾-钛所构成的组中的一种或两种以上。
13.根据权利要求1所述的组成物，其中该组成物进一步包含水。
全文摘要
本发明公开了一种用以剥除铜或铜合金光阻的组成物，其包含(a)0.1重量％～30重量％的至少一种胺化合物；及(b)其余为至少一种有机溶剂。
文档编号G03F7/42GK102472984SQ201080032028
公开日2012年5月23日 申请日期2010年7月16日 优先权日2009年7月17日
发明者李承佣, 洪亨杓, 洪宪杓, 金泰熙, 金炳默 申请人:东友 Fine-Chem 股份有限公司