液晶装置、液晶装置的驱动方法以及电子设备的制作方法

专利名称：液晶装置、液晶装置的驱动方法以及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶装置、液晶装置的驱动方法以及电子设备。本申请要求对2010年3月29日申请的日本专利申请第2010-074992号和2010 年3月30日申请的日本专利申请第2010-077499号的优先权，并在此援引其内容。
背景技术：
当前已知在像素电极和对置电极之间配置液晶层的液晶装置。像素电极与薄膜晶体管(以下称为TFT)等开关元件电气连接。开关元件根据来自扫描线的扫描信号的输入控制导通截止。开关元件在导通状态时对像素电极施加来自数据线的电压。通过该电压， 在像素电极和对置电极之间施加电场，并由该电场驱动液晶层。在通常的液晶装置中，例如，采用使对各像素电极施加的驱动电压的极性按每个扫描线或数据线或者按图像信号的每个帧反相的反相驱动(交流驱动)。即，液晶层被交流驱动。为了交流驱动液晶层，例如，将对置电极保持在规定的对置电极电位，在连续的两个帧期间将像素电极的电位在相对于对置电极电位的高电位(正极性)和低电位(负极性) 之间切换。这样，由于对液晶层的施加电场的方向反相，因此，可以减少液晶层的电荷的不平衡。如果减少电荷的不平衡，则可以减少由于电荷的不平衡而对液晶层施加的直流电压分量，抑制显示缺陷的发生。即，抑制正负极性的电量的平衡由于直流电压分量而崩溃， 在正负极性的期间由于液晶装置的透过率变化而引起的显示图像的闪烁难以发生。此外， 由直流电压分量对液晶层恒定地施加电场而导致的恒定的图案显示(余像)难以发生。但是，在单纯只进行反相驱动中，直流电压分量的施加没有完全解决，依然发生显示缺陷。艮口， 即使进行反相驱动，也会发生直流电压分量对液晶层的施加和电荷的不平衡，必须对这些采取对策。但是，如果将对置电极电位和高电位的电位差设为与对置电极电位和低电位的电位差相同并驱动液晶装置，则已知会产生直流电压分量。该直流电压分量被认为是由于下述的两个现象而产生的。第1现象是在开关元件从导通状态向截止状态切换时，通过分配沟道区域的电荷并对像素电极充电，像素电极的电位发生变化的现象(也称为场穿透或下推、穿透)。具体地，在寄生电容和存储电容中蓄积的电荷在开关元件截止的定时被再分配而导致的像素电极的电压降低现象。第2现象是由于在液晶层的像素电极一侧和对置电极一侧的电气特性是非对称而产生电荷的不平衡的现象。对于由第1现象引起的直流电压分量的产生，如果预先测定或者推定由于开关元件的寄生电容而导致的像素电极的电位的变动量，并以抵消由于该变动量而导致的正负极性的电量的变动的方式设定对置电极电位，则可以消除。作为消除由于第2现象而导致的直流电压分量的产生的技术，有日本特开2007-219356号公报所公开的技术。日本特开2007-219356号公报的液晶装置具备在第1无机取向膜和第2无机取向膜之间夹持的倾斜垂直取向模式的液晶以及电压施加部件。第2无机取向膜的厚度比第1 无机取向膜的厚度厚。电压施加部件施加规定的电压，以致在第1无机取向膜一侧成为第 1电位，在第2无机取向膜一侧成为比第1电位低的第2电位。在日本特开2007-219356号公报的技术中，通过使在第1无机取向膜一侧和在第2 无机取向膜一侧的电位不同，期待能够缓和由于第1无机取向膜一侧和第2无机取向膜一侧的厚度的差异而造成的电荷不平衡的效果。但是，产生电荷的不平衡的原因被认为并不是在第1无机取向膜一侧和第2无机取向膜一侧的厚度的差异，因此，从根据液晶装置的构成来有效减少直流电压分量的观点看，日本国特开2007-219356号公报的技术还有改善的余地。此外，提出了针对上述两个现象的液晶装置的驱动方法。例如，在日本特开 2002-189460号公报中，公开了使成为反相驱动中的极性反相的基准的对置电极电位预先偏移以修正第1现象(场穿透)和第2现象(由于元件基板和对置基板的电气特性差而造成的电压偏移)所带来的影响的技术。具体地，在日本特开2002-189460号公报中，在初始阶段，通过规定的测量条件测量由于第1现象而造成的电压变动量和由于第2现象而造成的电压变动量，并将它们相加的值作为一定的修正电压，加到对置电极的设定电位(V。。m)。在日本特开2002-189460号公报的技术中，通过向对置电极电位加入将由于第1 现象和第2现象而造成的电压变动量相加而获得的修正电压，可以抑制由于直流电压分量的产生而导致的显示品质的降低。但是，在相对于第1现象的修正电压，第2现象的修正电压具有某个程度的大小时，对置电极电位向正负的任意一方显著偏移。即，当对第2现象的修正电压大时，驱动电压的正负的振幅差变大。因此，有发生闪烁等显示缺陷的情况。

发明内容
本发明正是鉴于这样的问题而提出的，其目的在于提供能够谋求抑制闪烁等显示缺陷的发生并提高显示品质的液晶装置、液晶装置的驱动方法以及电子设备。在本发明中，为了达成上述目的，采用以下的方式。本发明的第1液晶装置具备像素电极；与上述像素电极电气连接的开关元件；与上述像素电极相对配置并被施加对置电极电位的对置电极；在上述像素电极和上述对置电极之间设置的液晶层；在上述液晶层和上述像素电极之间设置的第1取向膜；在上述第1 取向膜和上述像素电极之间设置的由氧化硅构成的第1电介质层；在上述液晶层和上述对置电极之间设置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述对置电极之间设置的由氧化硅构成的厚度比上述第1电介质层薄的第2电介质层。对上述像素电极经由上述开关元件交替地施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位。当将使上述高电位和上述低电位的平均电位只偏移对上述像素电极施加上述高电位时由于上述开关元件的寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时由于上述寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量的电位设为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位低。
在这样的在像素电极和第1取向膜之间设置第1电介质层并且在对置电极和第2 取向膜之间设置厚度比第1电介质层薄的第2电介质层的构成中，容易在对置电极一侧蓄积电荷。在本发明中，由于对置电极电位比基准电位低，因此，与向对置电极施加基准电位的情况相比，对像素电极施加高电位时，相对于对置电极电位的像素电极的电位差的绝对值变高。同样，对像素电极施加低电位时，相对于对置电极电位的像素电极的电位差的绝对值变低。因此，可以增加从液晶层的对置电极一侧向像素电极一侧移动的电荷，并减少从液晶层的像素电极一侧向对置电极一侧移动的电荷减少。因此，可以使电荷移动以抵消由于第1电介质层和第2电介质层的厚度的差异而造成的电荷的不平衡，可以减少该电荷的不平衡。基准电位是使平均电位只偏移施加高电位时由于开关元件的寄生电容而造成的像素电极的电位的变化量和施加低电位时由于寄生电容而造成的像素电极的电位的变化量的平均值的量的电位。因此，当向对置电极施加基准电位时，可以避免由于场穿透而造成的电荷的不平衡。对于这样的基准电位，由于如上所述地设定了对置电极电位，因此，由于场穿透而造成的电荷的不平衡以及由于第1电介质层和第2电介质层的厚度的差异而造成的电荷的不平衡都可减少。这样，在本发明的液晶装置中，电荷的不平衡被减少，因此可以抑制闪烁、余像的发生。本发明的第2液晶装置具备像素电极；与上述像素电极电气连接的开关元件；与上述像素电极相对配置并被施加对置电极电位的对置电极；在上述像素电极和上述对置电极之间设置的液晶层；在上述液晶层和上述像素电极之间设置的第1取向膜；在上述第1 取向膜和上述像素电极之间设置的由氧化硅构成的第1电介质层；在上述液晶层和上述对置电极之间设置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述对置电极之间设置的由氧化硅构成的厚度比上述第1电介质层厚的第2电介质层。对上述像素电极经由上述开关元件交替地施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位。当将使上述高电位和上述低电位的平均电位只偏移对上述像素电极施加上述高电位时由于上述开关元件的寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时由于上述寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量的电位设为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位高。在这样的在像素电极和第1取向膜之间设置第1电介质层并且在对置电极和第2 取向膜之间设置厚度比第1电介质层厚的第2电介质层的构成中，容易在像素电极一侧蓄积电荷。在本发明中，由于对置电极电位比基准电位高，因此，与向对置电极施加基准电位的情况相比，对像素电极施加高电位时，相对于对置电极电位的像素电极的电位差的绝对值变低。同样，对像素电极施加低电位时，相对于对置电极电位的像素电极的电位差的绝对值变高。因此，可以减少从液晶层的对置电极一侧向像素电极一侧移动的电荷，并增加从液晶层的像素电极一侧向对置电极一侧移动的电荷。因此，可以使电荷移动以抵消由于第 1电介质层和第2电介质层的厚度的差异而造成的电荷的不平衡，可以减少该电荷的不平 此外，由于相对于基准电位设定了对置电极电位，因此，基于与第1液晶装置同样的理由，由于场穿透而造成的电荷的不平衡以及由于第1电介质层和第2电介质层的厚度的差异而造成的电荷的不平衡都可减少。这样，在本发明的液晶装置中，电荷的不平衡被减少，因此可以抑制闪烁、余像的发生。本发明的第3液晶装置具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板相对配置的具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上述元件基板的上述液晶层的一侧设置的第1取向膜；在上述对置基板的上述液晶层的一侧设置的第2取向膜；在上述像素电极和上述第1取向膜之间设置的膜厚度比上述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高的由SiO2构成的第1电介质膜；以及在上述对置电极和上述第2 取向膜之间设置的膜厚度比上述第1电介质膜薄且电阻率比上述液晶层高的由SiO2构成的第2电介质膜。对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引起的闪烁的对置电极电位。对上述像素电极在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压。在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成的规定期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度长。根据该液晶装置，由于对置电极电位被预先偏移地设定为降低由于开关元件的寄生电容而造成的闪烁，因此，加入了对第1现象的修正。此外，由于规定期间中第1期间的长度被设定为比第2期间的长度长，因此，也加入了对第2现象的修正。该修正是基于本发明者发现通过在元件基板一侧的像素电极和第1取向膜之间配置膜厚度比液晶层薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2)构成的第1电介质膜、并在对置基板一侧的对置电极和第2取向膜之间配置膜厚度比上述第1电介质膜薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2) 构成的第2电介质膜，实效电压波形向电位的正方向偏移。关于这一点，也可以根据本发明者进行的实验结果确认。即，通过在元件基板一侧的像素电极和第1取向膜之间配置膜厚度比对置基板一侧的对置电极和第2取向膜之间的第2电介质膜厚的第1电介质膜，与第 1电介质膜的膜厚度和第2电介质膜的膜厚度相同的情况相比，V。。m向正方向偏移(偏移后的对置电极电位从偏移前的对置电极电位向正方向偏离)变得明确。这样，由于预先确定了 V-偏移的偏离方向，因此，与现有技术的向哪儿偏离不确定的情况相比，可以可靠地进行对v。。m偏移的修正。因此，可以提供抑制闪烁等显示缺陷的发生并提高显示品质的液晶
直O本发明的第4液晶装置具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板相对配置的具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上述元件基板的上述液晶层的一侧设置的第1取向膜；在上述对置基板的上述液晶层的一侧设置的第2取向膜；在上述像素电极和上述第1取向膜之间设置的膜厚度比上述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高的由SiO2构成的第1电介质膜；以及在上述对置电极和上述第2 取向膜之间设置的膜厚度比上述第1电介质膜厚且电阻率比上述液晶层高的由SiO2构成的第2电介质膜。对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引起的闪烁的对置电极电位。对上述像素电极在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压。在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成的规定期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度短。根据该液晶装置，由于对置电极电位被预先偏移地设定为降低由于开关元件的寄生电容而造成的闪烁，因此，加入了对第1现象的修正。此外，规定期间中第1期间的长度被设定为比第2期间的长度短，因此，也加入了对第2现象的修正。该修正是基于本发明者发现通过在元件基板一侧的像素电极和第1取向膜之间配置膜厚度比液晶层薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2)构成的第1电介质膜、并在对置基板一侧的对置电极和第2 取向膜之间配置膜厚度比上述第1电介质膜厚且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2)构成的第2电介质膜，实效电压波形向电位的负方向偏移。关于这一点，也可以根据本发明者进行的实验结果确认。即，通过在元件基板一侧的像素电极和第1取向膜之间配置膜厚度比对置基板一侧的对置电极和第2取向膜之间的第2电介质膜薄的第1电介质膜，与第1 电介质膜的膜厚度和第2电介质膜的膜厚度相同的情况相比，Vcoffl向负方向偏移(偏移后的对置电极电位从偏移前的对置电极电位向负方向偏离)变得明确。这样，由于预先确定了 V-偏移的偏离方向，因此，与现有技术的向哪儿偏离不确定的情况相比，可以可靠地进行V。。m偏移的修正。因此，可以提供抑制闪烁等显示缺陷的发生并提高显示品质的液晶装置。本发明的第1、第2液晶装置，其特征在于，上述第1电介质层和第2电介质层的厚度都比上述液晶层薄，并且电阻率都比上述液晶层高。这样，对液晶层施加的电场难以妨碍第1电介质层、第2电介质层。本发明的第1、第2、第3、第4液晶装置，其特征在于，上述像素电极由铝构成，上述对置电极由铟锡氧化物构成。这样，可以构成反射型的液晶装置，可以提高像素的开口率、实现液晶装置的薄型化等。此外，与像素电极和对置电极由相同的材料(例如ΙΤ0)构成的情况相比，能够明确V。。m向负方向或者正方向偏移，元件基板和对置基板的特性的非对称性变得显著。关于这一点，也可以根据本发明者进行的实验结果确认。因此，与像素电极和对置电极例如由ITO 构成的情况相比，由于夹持液晶层的元件基板和对置基板的特性差而造成的直流电压分量显著地产生。因此，可抑制闪烁等显示缺陷的发生，提高显示品质。本发明的第1液晶装置，其特征在于，当上述第1电介质层的厚度是75nm，上述第2电介质层的厚度是300nm时，上述对置电极电位和上述低电位的电位差的绝对值对上述对置电极电位和上述高电位的电位差的绝对值的比率被设定为43. 5/56.5以上且 46. 5/53. 5以下的范围。这样，可以有效地减少由于第1电介质层和第2电介质层的厚度的差异而导致的电荷的不平衡。本发明的第2液晶装置，其特征在于，当上述第1电介质层的厚度是300nm，上述第 2电介质层的厚度是75nm时，上述对置电极电位和上述低电位的电位差的绝对值对上述对置电极电位和上述高电位的电位差的绝对值的比率被设定为53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5 以下的范围。这样，可以有效地减少由于第1电介质层和第2电介质层的厚度的差异而导致的电荷的不平衡。
本发明的第一液晶装置的驱动方法，该液晶装置具备像素电极；与上述像素电极电气连接的开关元件；与上述像素电极相对配置并被施加对置电极电位的对置电极；在上述像素电极和上述对置电极之间设置的液晶层；在上述液晶层和上述像素电极之间设置的第1取向膜；在上述第1取向膜和上述像素电极之间设置的由氧化硅构成的第1电介质层；在上述液晶层和上述对置电极之间设置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述对置电极之间设置的由氧化硅构成的厚度比上述第1电介质层薄的第2电介质层。该驱动方法对上述像素电极经由上述开关元件交替地施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位，并在将使上述高电位和上述低电位的平均电位只偏移对上述像素电极施加上述高电位时由于上述开关元件的寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时由于上述寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量的电位设为基准电位时，使上述对置电极电位比上述基准电位低。这样，由于如上所述地设定对置电极电位，因此，由于场穿透而造成的电荷的不平衡以及由于第1电介质层和第2电介质层的厚度的差异而造成的电荷的不平衡都可以减少。本发明的第二液晶装置的驱动方法，该液晶装置具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极； 与上述元件基板相对配置的具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上述元件基板的上述液晶层的一侧设置的第1取向膜；在上述对置基板的上述液晶层的一侧设置的第2取向膜；在上述像素电极和上述第1取向膜之间设置的膜厚度比上述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高的由3102构成的第1电介质膜；以及在上述对置电极和上述第2取向膜之间设置的膜厚度比上述第1电介质膜薄且电阻率比上述液晶层高的由SiO2构成的第2电介质膜。该驱动方法对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引起的闪烁的对置电极电位，并在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时，对上述像素电极交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压，在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成的规定期间中，将上述第1期间的长度设定为比上述第2期间的长度长。根据本发明的第二液晶装置的驱动方法，由于对置电极电位被预先偏移地设定为降低由于开关元件的寄生电容而造成的闪烁，因此，加入了对第1现象的修正。此外，由于规定期间中第1期间的长度被设定为比第2期间的长度长，因此，也加入了对第2现象的修正。该修正是基于本发明者发现通过在元件基板一侧的像素电极和第1取向膜之间配置膜厚度比液晶层薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2)构成的第1电介质膜并在对置基板一侧的对置电极和第2取向膜之间配置膜厚度比上述第1电介质膜薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2)构成的第2电介质膜，实效电压波形向电位的正方向偏移。关于这一点，也可以根据本发明者进行的实验结果确认。因此，可以抑制闪烁等显示缺陷的发生，并提高显示品质。本发明的第三液晶装置的驱动方法，该液晶装置具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极； 与上述元件基板相对配置的具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上述元件基板的上述液晶层的一侧设置的第1取向膜；在上述对置基板的上述液晶层的一侧设置的第2取向膜；在上述像素电极和上述第1取向膜之间设置的膜厚度比上述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高的由3102构成的第1电介质膜；以及在上述对置电极和上述第2取向膜之间设置的膜厚度比上述第1电介质膜厚且电阻率比上述液晶层高的由SiO2构成的第2电介质膜。该驱动方法对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引起的闪烁的对置电极电位，并在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时，对上述像素电极交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压，在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成的规定期间中，将上述第1期间的长度设定为比上述第2期间的长度短。根据本发明的第三液晶装置的驱动方法，由于对置电极电位被预先偏移地设定为降低由于开关元件的寄生电容而造成的闪烁，因此，加入了对第1现象的修正。此外，由于规定期间中第1期间的长度被设定为比第2期间的长度短，因此，也加入了对第2现象的修正。该修正是基于本发明者发现通过在元件基板一侧的像素电极和第1取向膜之间配置膜厚度比液晶层薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2)构成的第1电介质膜并在对置基板一侧的对置电极和第2取向膜之间配置膜厚度比上述第1电介质膜厚且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2)构成的第2电介质膜，实效电压波形向电位的负方向偏移。关于这一点，也可以根据本发明者进行的实验结果确认。因此，可以抑制闪烁等显示缺陷的发生，并提高显示品质。此外，上述第二液晶装置的驱动方法，其特征在于，当上述第1电介质膜的膜厚度和上述第2电介质膜的膜厚度的比率为1/4时，也可以将上述第1期间的长度和上述第2 期间的长度的比率设定为43. 5/56. 5以上且46. 5/53. 5以下的范围。根据该液晶装置的驱动方法，由于变成与闪烁容限对应的最佳时间分配比率，因此，可有效进行对第2现象的修正。相反，如果第1期间的长度和第2期间的长度的比率比 43. 5/56. 5小，则存在第1期间的长度过长而不能有效修正的情况。此外，如果第1期间的长度和第2期间的长度的比率比46. 5/53. 5大，则存在第1期间的长度过短而不能有效修正的情况。此外，上述第三液晶装置的驱动方法，其特征在于，当上述第1电介质膜的膜厚度和上述第2电介质膜的膜厚度的比率为4/1时，将上述第1期间的长度和上述第2期间的长度的比率设定为53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5以下的范围。根据该液晶装置的驱动方法，由于变成与闪烁容限对应的最佳时间分配比率，因此，可有效进行对第2现象的修正。相反，如果第1期间的长度和第2期间的长度的比率比 53. 5/46. 5小，则存在第1期间的长度过长而不能有效修正的情况。此外，如果第1期间的长度和第2期间的长度的比率比56. 5/43. 5大，则存在第1期间的长度过短而不能有效修正的情况。本发明的电子设备，其特征在于，具备上述的液晶装置。根据该电子设备，由于具备上述的液晶装置，因此，可提供能够抑制闪烁等显示缺陷的发生并提高显示品质的电子设备。


图1是涉及本发明的液晶装置的概略结构的方框图。图2是表示液晶面板的概略结构的俯视图。图3是表示液晶面板的电路结构的图。图4是放大第1实施方式的液晶面板的截面构造的示意图。图5A是驱动电压的说明图。图5B是对置电极电位的说明图。图6是表示使第1电介质层和第2电介质层的厚度的比率不同时的最佳基准电位的随时间变化的比较的曲线图。图7是表示第1实施方式中的对置电极电位的确定方法的说明图。图8是放大第2实施方式的液晶面板的截面构造的示意图。图9是表示第2实施方式中的对置电极电位的确定方法的说明图。图10是涉及本发明的第3实施方式的液晶装置的概略结构的方框图。图11是表示涉及第3实施方式的液晶面板的概略结构的图。图12是像素的等价电路图。图13是涉及第3实施方式的从对置基板一侧观察元件基板和在其上形成的各构成要素的液晶面板的俯视图。图14是表示涉及第3实施方式的液晶面板的概略结构的截面图。图15A是表示涉及第3实施方式的栅极电压和驱动电压波形的图。图15B是表示液晶层的实效电压波形的图。图15C是表示从图15B开始经过某一程度的驱动时间后的液晶层的实效电压波形的图。图16是表示涉及第3实施方式的经过时间和Vcom偏移的关系的图。图17是表示涉及第3实施方式的时间比率和V。。m偏移的关系的图。图18是表示指定值为“+1”时的扫描信号体系的时序图。图19是表示数据信号体系的第1字段的时序图。图20是表示数据信号体系的第2字段的时序图。图21是表示在指定值为“+1”时各行的写入状态以及通过连续的帧的经过时间的图。图22是表示涉及第4实施方式的液晶面板的概略结构的截面图。图23A是表示涉及第4实施方式的栅极电压和驱动电压波形的图。图2 是表示液晶层的实效电压波形的图。图23C是从图2 开始经过某一程度的驱动时间后的液晶层的实效电压波形的图。图M是表示涉及第4实施方式的经过时间和Vcom偏移的关系的图。图25是表示涉及第4实施方式的时间比率和V。。m偏移的关系的图。图沈是表示指定值为“ -1”时的扫描信号体系的时序图。图27是表示指定值为“-1”时各行的写入状态以及通过连续的帧的经过时间的图。
图观是表示电子设备的一个例子即投影机的概略结构的示意图。
具体实施例方式以下参照

本发明的实施方式。在说明所采用的附图中，为了便于理解特征部分，图中的构造的尺寸、比例有与实际的构造不同的情况。另外，对于实施方式中相同的构成要素，付与相同的符号进行图示，并省略其详细说明。另外，本发明的技术范围并不限于下述的实施方式。在不脱离本发明的主旨的范围内可以进行各种变形。第1实施方式图1是表示涉及本发明的液晶装置的概略结构的方框图，图2是表示液晶面板的概略结构的俯视图，图3是表示液晶面板的电路构成的图。图1所示的液晶装置201具备液晶面板202、电压生成电路210和处理电路211。 液晶面板202例如是有源矩阵驱动的反射型液晶面板，其详细构成在后面描述。电压生成电路210包含DC/DC变换器等。电压生成电路210由处理电路211控制， 并如下所述地进行工作。电压生成电路210生成由液晶装置201的各部分使用的多个电平的直流电压。电压生成电路210生成向液晶面板202的对置电极施加的对置电极电位V·， 并向液晶面板202提供。电压生成电路210生成上述各种电压所需要的电力从例如液晶装置201的内部或外部的电源提供。处理电路211由与数据信号Vid的输出一起控制液晶面板202的操作等的电路模块构成。处理电路211通过例如FPC(柔性印刷电路)基板与液晶面板202连接。处理电路211包含控制电路212、显示数据处理电路213、时钟发生电路214、帧存储器215和DA变换器216。在控制电路212中内置有定时信号发生电路217，在定时信号发生电路217上附属有时钟发生电路214。控制电路212控制定时信号发生电路217、显示数据处理电路213和电压生成电路210。时钟发生电路214生成成为各部分的控制操作的基准的时钟信号，并向定时信号发生电路217输出。定时信号发生电路217生成用于与从外部装置(省略图示)提供的垂直同步信号Vs、水平同步信号Hs和点时钟信号D。lk同步控制液晶面板202的各种控制信号。 定时信号发生电路217将作为上述控制信号生成的控制信号Ctel_x、触发信号Dy、时钟信号 Cly向液晶面板202输入。在显示数据处理电路213上附属有帧存储器215和DA变换器216。显示数据处理电路213由控制电路212控制，并如下所述地进行动作。显示数据处理电路213将从外部装置提供的显示数据Video存储在帧存储器215中。显示数据处理电路213在与液晶面板 202的驱动同步地从帧存储器215中读出显示数据Video的同时，由DA变换器216将显示数据Video变换成模拟的数据信号Vid(驱动电压)。另外，显示数据Video规定液晶面板 202的像素的灰度，以垂直同步信号Vs的提供定时为契机，提供1帧的量，并且以水平同步信号Hs的提供定时为契机，提供1行的量。本实施方式中的垂直同步信号Vs虽然采用频率120Hz (周期为8. 33毫秒)，但是， 本发明的适用范围并不限定垂直同步信号Vs的频率。对于点时钟信号D。lk，设为规定提供显示数据Video中1个像素量的期间。即，控制电路212与显示数据Video的提供同步地控制各部分。
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如图2所示，液晶面板202具有元件基板220和对置基板221。液晶面板202的中央部成为显示区域202A。显示区域202A的周边部成为黑显示区域202B。在显示区域202A中， 多个像素被排列成正方格子形。在此，虽然说明了在显示区域202A中排列有1920X1080 个像素，但是，本发明的适用范围并不限定液晶面板202的像素数。在以下的说明中，存在将1920个像素排列的方向称为水平扫描方向、将1080个像素排列的方向称为垂直扫描方向的情况。在元件基板220上设置有与水平扫描方向大致平行的多个扫描线222。在元件基板220上设置有与垂直扫描方向大致平行的多个数据线223。扫描线222和数据线223在元件基板220中被设置在彼此不同的层，不相互导通。扫描线222和数据线223所包围的各区域成为一个像素。在此所说的像素是调制光的调制要素的最小单位，在通过两个以上的基本色的加法混色显示彩色图像时，也称为子像素。在扫描线222和数据线223的各交叉点附近，设置有与各像素一一对应的开关元件。开关元件由TFT构成。在黑显示区域202B的周边部以包围黑显示区域202B的方式设置有第1密封材料 224和第2密封材料225。对置基板221与元件基板220通过第1密封材料2M贴合。第1 密封材料2 具有开口，第2密封材料225被设置为堵塞该开口。在元件基板220和对置基板221之间的第1密封材料2M所包围的区域中注入图示省略的液晶层。在该区域中注入液晶层之后，通过第2密封材料225堵塞第1密封材料2M的开口，从而将液晶层封在元件基板220和对置基板221之间。在显示区域202A的外侧中，在元件基板220和对置基板221重合的区域，在此是在对置基板221的4个角附近，设置有基板间导通端子部226。由电压生成电路210生成的对置电极电位V。。m被提供给元件基板220，并经由基板间导通端子部2 提供给对置基板 221。在显示区域202A的外侧，设置有后述的扫描线驱动电路(图示省略)和数据线驱动电路(图示省略)。多个扫描线222与扫描线驱动电路电气连接。多个数据线223与数据线驱动电路电气连接。在元件基板220的边缘部，设置了连接端子部227。在连接端子部 227，设置有图示省略的多个连接端子。各个连接端子的一端通过绕回布线等与扫描线驱动电路或数据线驱动电路电气连接。各连接端子的另一端经由上述FPC基板与处理电路211 电气连接。扫描线驱动电路和数据线驱动电路被安装在设置在元件基板220上的安装端子部。如图3所示，向扫描线驱动电路231输入上述的由定时信号发生电路217生成的触发信号^和时钟信号Cly。触发信号Dy是规定各帧的开始定时的信号。时钟信号Cly是规定在各帧的期间中向各扫描线提供扫描信号的定时的信号。扫描线驱动电路231根据触发信号Dy和时钟信号Cly按线顺序向多个扫描线222提供扫描信号Gl G1080。当向扫描线222提供了扫描信号时，与该扫描线222连接的开关元件234变成导通。数据线驱动电路232由采样信号输出电路233和与数据线223分别对应设置的η 沟道型的TFT构成。数据线驱动电路232向与所选择的扫描线222连接的像素提供规定该像素的灰度的灰度数据。数据信号Vid作为例如包含与1条扫描线222连接的各像素用的灰度数据的串行数据，向数据线驱动电路232输入。向采样信号输出电路233输入由定时信号发生电路217生成的控制信号Ctel_x。采样信号输出电路233按照控制信号Ctel_x，将构成上述的串行数据的各像素用的灰度数据作为并行数据，在由控制信号Ctel_x规定的定时提供给数据线223。例如，为了向i行j列的像素写入灰度数据，在向第i行扫描线222提供扫描信号的定时，数据线驱动电路232在第j 列数据线223上向i行j列的像素提供灰度数据。附属于i行j列的像素的开关元件234 接收扫描信号而导通，经由开关元件234将灰度数据写入像素电极235。图4是放大液晶面板的截面构造的示意图。在图4中，为了便于说明，在一个截面图上示意性地示出了液晶面板中的像素开口部、像素TFT部、扫描线引出部、基板间导通端子部和安装端子部的各部的截面构造。此外，在图4中，作为像素TFT部，将包含开关元件的沟道长度方向的截面构造和与沟道长度方向正交的截面构造一起显示。如图4所示，液晶面板202具备元件基板220、与其相对配置的对置基板221和在这些基板间夹持的液晶层228。液晶层2 是例如由介电各向异性是负的液晶材料构成的 VA模式的液晶层。液晶层228的厚度例如是ieOOnm以上、2000nm以下。在本实施方式中， 从光源等射出的光通过对置基板221入射到液晶层228，在元件基板220的表面层反射，从与相对于液晶面板202的光入射一侧相同的一侧射出。在以下的液晶面板202的截面构造的说明中，各种构成要素的厚度是液晶层228的厚度方向的尺寸。元件基板220是以元件基板本体240为基体，在元件基板本体240上面层叠包含扫描线222、数据线223、电容线259等各种布线的多个布线层、包含开关元件234的元件层和包含像素电极235的电极层等的层叠构造。元件基板本体240由玻璃基板或蓝宝石基板、硅基板等构成。在元件基板本体240 上面设置有扫描线222。扫描线222例如由硅化钨(WSi)构成。扫描线222的厚度例如是 ISOnm以上且220nm以下。扫描线222具有遮光性，设置有从液晶层228的厚度方向平面看时与开关元件234的大致整体重叠的区域。这样，光难以从扫描线222 —侧向开关元件 234入射。在包含扫描线222上的元件基板本体MO的大致整个面，设置有例如由氧化硅构成的第1层间绝缘膜对1。第1层间绝缘膜241通过例如在原料气体中使用了正硅酸乙酯 (以下称为TE0S)的CVD法等形成。第1层间绝缘膜241的厚度例如是380nm以上且420nm 以下。在第1层间绝缘膜241上面的像素TFT部，设置有开关元件234。开关元件234包含半导体层M2、栅极绝缘膜243和栅极电极M4。半导体层242例如由多晶硅构成，包含高浓度杂质区域、低浓度杂质区域和沟道区域。高浓度杂质区域被设置在沟道长度方向的沟道区域的两侧，高浓度杂质区域的一方是源极区域，另一方是漏极区域。半导体层242是在开关元件234的导通状态下电子变成载流子的N沟道型的半导体层。半导体层242的厚度例如是大约40nm。栅极绝缘膜243设置在半导体层242的上面。栅极绝缘膜243例如由氧化硅构成， 通过热氧化法等形成。栅极绝缘膜M3的厚度例如是43nm以上且56nm以下。栅极电极244例如由导电性的多晶硅构成，在与从液晶层228的厚度方向平面看的沟道区域重叠的区域形成。栅极电极M4的厚度例如是15nm以上且105nm以下。设置有贯通第1层间绝缘膜241和栅极绝缘膜243而通到扫描线222的第1接触孔Mfe M5c。栅极电极M4的一部分被埋入第1接触孔Mfe、245b的内侧，与扫描线222电气连接。第1接触孔M5c被设置在扫描线引出部，在第1接触孔M5c的内侧埋入用于将扫描线222与扫描线驱动电路231连接的导电部M6。在包含开关元件234上的元件基板本体240上的大致整个面，设置有第2层间绝缘膜M7。第2层间绝缘膜247与第1层间绝缘膜241 —样由例如氧化硅构成，并通过CVD 法等形成。第2层间绝缘膜M7的厚度例如是^Onm以上且320nm以下。形成有贯通第2层间绝缘膜247而通到半导体层242的高浓度杂质区域的第2接触孔M8a、248b。在像素TFT部的第2层间绝缘膜247上面设置有存储电容M9。存储电容249包含电容下部电极250、电容绝缘膜251和电容上部电极252。电容下部电极250的一部分被埋入第2接触孔MSa的内侧，与半导体层242的高浓度杂质区域(漏极区域)电气连接。此外，电容下部电极250的一部分与像素电极235电气连接。电容下部电极250例如由导电性的多晶硅构成，其厚度例如是95nm以上且105nm 以下。电容上部电极252与电容下部电极250夹着电容绝缘膜251相对配置。电容上部电极252例如通过从下层开始依次层叠氮化钛层(例如厚度是47nm以上且53nm以下)、铝层(例如厚度是142nm以上且158nm以下)、氮化钛层(例如厚度是97nm以上且103nm以下)的三层构造的膜构成。电容上部电极252的电位在驱动液晶层2 时，被保持在例如对置电极电位VOT。电容上部电极252具有遮光性，被设置在从液晶层228的厚度方向平面看时与开关元件234的大致整体重叠的区域。这样，光难以从液晶层2 —侧向开关元件234入射。当对像素电极235施加驱动电压时，存储电容249与像素电极235 —起被充电。这样，由于在开关元件234处的泄漏而造成的电量的减少量占在像素电极235中保持的电量的比例变低，因此，可以减少泄漏的影响。电容绝缘膜251例如由氧化硅构成，并通过热氧化法等形成。电容绝缘膜251的厚度例如是3nm以上且5nm以下。从增大存储电容M9的电容的观点看，在可确保膜的可靠性的范围内优选地将电容绝缘膜251的厚度设定得薄。在包含存储电容249上的元件基板本体240上的大致整个面，设置有第3层间绝缘膜253。第3层间绝缘膜253通过利用在原料气体中采用TEOS的等离子CVD法形成的氧化硅膜(以下称为P-TEOS膜)构成。第3层间绝缘膜253的厚度例如是380nm以上且 420nm以下。在第3层间绝缘膜253上面设置有数据线223、像素电极用的中继电极254、基板间导通端子用的中继电极255以及安装端子用的中继电极256。本实施方式的数据线223 通过从下层开始顺序地层叠钛层(例如厚度是19nm以上且21nm以下)、氮化钛层(例如厚度是47nm以上且53nm以下)、铝层(例如厚度是332nm以上且368nm以下)、氮化钛层 (例如厚度是142nm以上且158nm以下)的四层构造的膜构成。上述的第2接触孔MSb贯通第3层间绝缘膜253。数据线223的一部分被埋入第2接触孔MSb的内侧，与半导体层 242的高浓度杂质区域的一方(源极区域)电气连接。数据线223根据需要在第3层间绝缘膜253上绕回，与安装端子用的中继电极256电气连接。设置有贯通第3层间绝缘膜253而通到电容下部电极250的第3接触孔257。像素电极用的中继电极254的一部分被埋入第3接触孔257的内侧，与电容下部电极250电气连接。上述的第1接触孔M5c贯通第2层间绝缘膜247和第3层间绝缘膜253。在第1 接触孔M5c内埋入的导电部246根据需要，在第3层间绝缘膜253上绕回布线，并与安装端子用的中继电极电连接。导电部246和与数据线223电气连接的中继电极256被连接到其它中继电极。基板间导通端子用的中继电极255被设置在例如第3层间绝缘膜253上面的基板间导通端子部。导电部对6、中继电极2M 256和数据线223在上述的四层构造的膜形成之后，通过将该膜图案化而一并形成。在包含数据线223上和中继电极2M 256上的元件基板本体240上的大致整个面，设置有第4层间绝缘膜258。第4层间绝缘膜258例如由P-TEOS膜构成。在第4层间绝缘膜258上，通过CMP法等被平坦化。第4层间绝缘膜258被形成使该膜上平坦化的厚度。第4层间绝缘膜258的厚度根据底层的凹凸而部分不同，在最薄部是大约600nm，在最厚部是大约2500nm。在第4层间绝缘膜258的上面，设置有电容线259、像素电极用的第2中继电极 260、基板间导通端子用的第2中继电极261和安装端子用的第2中继电极沈2。电容线259 在第4层间绝缘膜258上绕回，与基板间导通端子用的第2中继电极沈1电气连接。此外， 电容线259通过图示省略的多层布线与存储电容249的电容上部电极252电气连接。电容线259通过例如从下层开始顺序地层叠铝层(例如厚度是315nm以上且385nm以下)和氮化钛层(例如厚度是135nm以上且165nm以下)的两层构造的膜而构成。贯通第4层间绝缘膜258形成第4接触孔 ^3c。第4接触孔通到像素电极用的中继电极254。像素电极用的第2中继电极沈0的一部分被埋入第4接触孔
的内侧，与像素电极用的中继电极254电气连接。第4接触孔沈北通到基板间导通端子用的中继电极255。基板间导通端子用的第 2中继电极的一部分被埋入第4接触孔沈北的内侧，与基板间导通端子用的中继电极 255电气连接。第4接触孔通到安装端子用的中继电极256。安装端子用的第2中继电极 262的一部分被埋入第4接触孔的内侧，与安装端子用的中继电极256电气连接。电容线259、第2中继电极260 262在形成了上述两层构造的膜之后，通过将该膜图案化而
一并形成。在包含电容线259上以及第2中继电极沈0 262上的元件基板本体240上的大致整个面，设置有第5层间绝缘膜沈4。第5层间绝缘膜264通过例如从下层开始层叠 P-TEOS膜265和硼硅酸盐玻璃膜266的两层构造的膜而构成。也可以替代硼硅酸盐玻璃膜 266而采用NSG (非掺杂硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BPSG (硼磷硅酸盐玻璃)等硅酸盐玻璃膜。P-TEOS膜265与第4层间绝缘膜258同样，被形成为使该膜上平坦化的厚度。 P-TEOS膜265的厚度根据底层的凹凸而部分不同，在最薄部是大约600nm，在最厚部是大约 llOOnm。硼硅酸盐玻璃膜的厚度例如是55nm以上且95nm以下。在第5层间绝缘膜264的上面设置有像素电极235。像素电极235呈岛状，并对每个像素设置。像素电极235例如由铝构成，其厚度例如是ISOnm以上且220nm以下。贯通第5层间绝缘膜沈4形成第5接触孔267a ^7c。第5接触孔通到像素电极用的第
182中继电极沈0。像素电极235的一部分被埋入第5接触孔的内侧，与像素电极用的第2中继电极沈0电气连接。在像素电极235的周边部设置有平坦化膜沈8。在显示区域202A中，平坦化膜沈8 被形成为埋在多个像素电极235之间。平坦化膜268例如由P-TEOS膜构成，其厚度例如是 180nm以上且220nm以下。在显示区域202A中的像素电极235上和平坦化膜268上，设置有增反射膜沈9。 增反射膜269例如通过从下层开始顺序地层叠P-TEOS膜和通过等离子CVD法形成的氮化硅膜的两层构造的膜而构成。P-TEOS膜的厚度是例如67nm以上且83nm以下，氮化硅膜的厚度例如是58nm以上且72nm以下。在增反射膜沈9的上面，形成有第1电介质层270。第1电介质层270与液晶层 228相比，厚度变薄，其厚度例如是MOnm以上且300nm以下。第1电介质层270由电阻率比液晶层2 高的材质即氧化硅构成。由于第1电介质层270的厚度比液晶层2 薄，并且电阻率比液晶层228高，因此，对液晶层2 施加的电场难以妨碍第1电介质层270。本实施方式的第1电介质层270由厚度是大约300nm的P-TEOS膜构成，形成比下述的第1取向膜271更致密的膜质。此外，厚度比后述的第2电介质层284厚。在第1电介质层270的上面，设置有第1取向膜271。第1取向膜271限制电场未被施加状态的液晶层2 的取向状态。第1取向膜271由实施取向处理的膜构成。本实施方式的第1取向膜271由氧化硅构成，并例如通过斜方蒸镀法、斜方溅射法形成。第1取向膜271的厚度例如是40nm以上且80nm以下。在基板间导通端子部的平坦化膜268的上面，设置有基板间导通端子272。基板间导通端子272例如由铟锡氧化物(ITO)构成，其厚度例如是135nm以上、165nm以下。上述的第5接触孔贯通第1电介质层270、增反射膜沈9以及平坦化膜沈8，通到基板间导通端子用的第2中继电极沈1。基板间导通端子272的一部分被埋入第5接触孔的内侧，与基板间导通端子用的第2中继电极电气连接。在安装端子部的电介质层的上面，设置有安装端子273。安装端子273与扫描线驱动电路231或数据线驱动电路232的端子电气连接。安装端子273例如由铟锡氧化物膜构成，其厚度例如是135nm以上且165nm以下。上述的第5接触孔贯通平坦化膜沈8，通到安装端子用的第2中继电极沈2。安装端子273的一部分被埋入第5接触孔的内侧，与安装端子用的第2中继电极沈2电气连接。对置基板221以具有透光性的对置基板本体280作为基体而构成。在对置基板本体280上，设置有遮光膜观1。遮光膜281被设置在从液晶层2 的厚度方向平面看与开关元件234的大致整体重叠的区域。在包含遮光膜281上的对置基板本体280上的大致整个面，设置有对置电极观2。 对置电极282例如由铟锡氧化物等透明导电材料构成。对置电极282的厚度例如是120nm 以上且ieOnm以下。对置电极282在基板间导通端子部中经由图示省略的导电部件，与基板间导通端子272电连接。在对置电极282的上面形成有第2电介质层观4。第2电介质层观4的厚度比液晶层228的厚度薄，也比第1电介质270的厚度薄。第2电介质层观4的厚度例如是60nm 以上且90nm以下。第2电介质层观4由电阻率比液晶层228高的材质即氧化硅构成。由于第2电介质层观4的厚度比液晶层2 薄，并且电阻率比液晶层2 高，因此，对液晶层 2 施加的电场难以妨碍第2电介质层观4。本实施方式的第2电介质层观4由厚度是大约75nm的P-TEOS膜构成，形成比下述的第2取向膜观3致密的膜质。在第2电介质层观4的上面设置有第2取向膜观3。第2取向膜283与第1取向膜271 —起限制电场未被施加的状态的液晶层228的取向状态。本实施方式的第1取向膜 271和第2取向膜283是垂直取向膜。第2取向膜283与第1取向膜271同样，由氧化硅构成，并例如通过斜方蒸镀法、斜方溅射法形成。第2取向膜观3的厚度例如是40nm以上且 80nm以下。接着，参照图5A、图5B说明向像素电极235施加的电位(驱动电压)以及向对置电极282施加的电位(对置电极电位)。此外，根据上述的液晶装置201的构成，还对涉及本发明的液晶装置的驱动方法一起说明。图5A是表示栅极电压和驱动电压的图，图5B是表示实效电压的图。另外，在图 5A、图5B中，横轴表示从驱动开始后的经过时间，纵轴表示电位。在图5B中图示了忽略了泄漏影响的实效电压的波形。如图5A所示，在显示规定的灰度时对像素电极235施加的驱动电压Vd与栅极电压Vg的上升同步，并交替地切换为高电位Vh(例如12V)和低电位Vl(例如2V)。高电位Vh 和低电位\例如按每一帧切换。如图5B所示，当栅极电压Ve上升时，开关元件234导通，像素电极235被充电。像素电极235的电位，即对液晶层2 施加的实效电压Vef，大约上升到高电位VH。当开关元件234截止时，由于称为场穿透的现象(第1现象)，实效电压Vef降低。 详细地，由于在开关元件234的栅极电极244和沟道区域等的寄生电容中蓄积的电荷被分配给源极区域、漏极区域，流向像素电极235，因此，产生电压下降义。实际上，在开关元件 234为截止状态的期间，也产生由于泄漏而造成的电压下降。接着，当栅极电压Ve上升时，驱动电压Vd变成低电位\，像素电极235被放电，实效电压Vef下降到低电位\。然后，在开关元件234截止时，产生由于场穿透而引起的电压下降V2。实际上，在开关元件234为截止状态的期间，也产生由于泄漏而造成的电压上升。在通常的液晶装置中，对置电极被保持在规定电位，液晶层2 被交流驱动。该规定电位被预先设定为加入由于场穿透或泄漏而造成的实效电压Vef的变动而取得相对于实效电压Vef的规定电位的正极性(高电位)侧和负极性(低电位)侧的平衡。加入了场穿透的上述的规定电位变成使高电位Vh和低电位\的平均电位Vm只偏移施加高电位Vh时的实效电压Vef的变化量的绝对值(电压下降V1)和施加低电位\时的实效电压Vef的变化量的绝对值(电压下降％)的平均值的量的电位(基准电位VST)。基准电位Vst用下述的式⑴表示。典型地，电压下降V2与电压下降V1大致相同，基准电位Vst 成为比平均电位Vm只低电压下降V1的电位。Vm-Vst = (V^V2)/2式(1)为了求出这样的基准电位Vst，例如，测量在多个帧上连续地显示规定的灰度时的实效电压VEF。然后，通过搜索使在1个帧期间的正极性的电位的时间平均值V+与在1个帧期间的负极性的电位的时间平均值V—相等的基准电位而求出。正极性的电位的时间平均值V+用下述的式(2)表示，负极性的电位的时间平均值V—用下述的式(3)表示。式O)、式(3)中的T表示1个帧期间的长度。V+ = ζ (VEF -VST)dt^ (2)V— =〔 (VST - Vep )dt式(3)如果将对置电极电位设定为这样的基准电位Vst，则认为可以取得在正负极性上的电平衡，但实际上，由于元件基板220和对置基板221的构造的差异，导致在液晶层2 残留电荷的不平衡。在本发明中，当在像素电极235和第1取向膜271之间设置第1电介质层270并且在对置电极282和第2取向膜283之间设置厚度比第1电介质层270薄的第2 电介质层284时，将对置电极电位Vot设定为比上述的基准电位Vst低。这样，可以抵消由于第1电介质层270和第2电介质层观4的厚度的差异而导致的电气特性的非对称性，可以减少电荷的不平衡。图6是表示使第1电介质层和第2电介质层的厚度的比不同时的最佳基准电位的经时变化的比较的曲线图。在图6的曲线图中，绘制了实验例1的数据以及实验例2的数据。实验例1是关于第1液晶装置1的数据，实验例2是关于第2液晶装置的数据。在实验例1中，第2电介质层观4的厚度(75nm)相对第1电介质层270的厚度(300nm)为1/4。 第2液晶装置除了第2电介质层的厚度(300nm)相对第1电介质层的厚度(75nm)为4/1 这一点之外，是与第1液晶装置1相同的构成。在实验时，在各液晶装置中将对置电极电位设定为基准电位(以下称为初始基准电位Vsta)，使各液晶装置连续地显示规定的灰度。然后，测量各液晶装置的实效电压Vef的时间变化，并使用该测量结果在各时刻求出最佳化在正负极性上的电平衡时的基准电位 (以下称为最佳基准电位Vstb)。然后，对于各液晶装置，求出从驱动开始以后的各时刻的从初始基准电位Vsta到最佳基准电位Vstb的电位变化量(V)。将该电位变化量在以下的说明中称为^·偏移。Vot偏移用下述的式(4)表示。V·偏移=Vsta-Vstb式⑷在图6的曲线图中，横轴表示从驱动开始后的经过时间，纵轴表示在各时刻的Vot 偏移。根据图6的曲线图可知，第2液晶装置偏移(实验例2)随着时间经过而减少， 在经过3600秒后收敛为大约-0. 5V。第1液晶装置1的Vot偏移(实验例1)与实验例1 相反，随着时间经过而增加，在经过3600秒后收敛为大约0.5V。据此，如果第1、第2电介质层的厚度相同，则推测为Vot偏移大致为0。即，可知在第1液晶装置中，由于第1电介质层的厚度比第2电介质层的厚度大，因此，Vot偏移向正方向变化。此外，可知在第2液晶装置中，由于第1电介质层的厚度比第2电介质层的厚度薄，因此，Vot偏移向负方向变化。第 1液晶装置1由于收敛后的最佳基准电位Vstb比初始基准电位Vsta低，因此将对置电极电位 Vot设定为比初始基准电位Vsta低，从而可以使Vot偏移的值接近第1电介质层和第2电介质层厚度相同时的值(大致为0)。这意味着可以减少第1电介质层70和第2电介质层84 的厚度的差异对液晶层观的电荷的不平衡造成的影响。这样的知识在探索从减少电荷的不平衡的观点看最佳的对置电极电位Vot上非常有用。详细地，为了确定最佳的对置电极电位，求出如上述的实验例1的使液晶装置1连续地显示规定的灰度、经过规定的驱动时间后的Vot偏移的收敛值。然后，将对置电极电位变更为多个电平，同时求出相对于各电平的对置电极电位的Vot偏移的收敛值。这样，由于得到对置电极电位和Vot偏移的对应关系，因此，可以求出Vot偏移的绝对值最小时的对置电极电位，作为最佳值。为了用该方法获得最佳的对置电极电位，必须求出各对置电极电位的 Vot偏移的收敛值。为了对于一个条件求出收敛值，必须将液晶装置驱动10分钟至数小时左右，因此，通常的话测量需要时间。如果使用上述的知识，则如接着所说明的，可以减少求出上述的Vot偏移的收敛值的次数，可以减少在求出对置电极电位的最佳值上需要的时间。图7是表示对置电极电位的确定方法的一个例子的说明图。在图7中，横轴表示对置电极电位和基准电位的差(Vot-Vst),纵轴表示经过规定的驱动时间后的Vot偏移的收敛值。图7中的符号Pl表示第1次的测量点，符号P2表示第 2次的测量点，符号P3表示第3次的测量点，符号P4表示第4次的测量点，符号P5表示第 5次的测量点。在此，虽然说明了进行5次测量的例子，但是，对于测量次数没有特别限定。如图7所示，将第1次的测量点Pl设定在(Vot-Vst)为0以下的区域。根据上述的知识，在第1电介质层270的厚度比第2电介质层84的厚度大的构成中，由于在Vot比 Vst低的区域，Vot偏移成为最小，因此，可省略对(Vot-Vst)为正的区域的探索。一般，如果(Vot-Vst)增加，则Vot偏移也增加，因此，在第1次的测量结果为负时， 可知在与测量点Pl相比(Vot-Vst)大的区域，VOT偏移成为最小，可以省略与测量点Pl相比 (Vcom-Vst)小的范围的探索。将第2次的测量点P2设定在与测量点Pl相比(Vot-Vst)大的范围即(Vcqm-Vst)为负的区域内即可。此外，在第1次的测量结果为正时，将第2次的测量点P2设定在与测量点Pl相比 (Vcom-Vst)小的范围即可。这样，如果使用上述的知识，则基于第1次的测量结果，可以确定使参数(Vot-Vst)变化的正负方向。因此，可以减少测量的次数，减少测量所需的时间。在本例中，将测量点P2设定在预料在测量点Pl的测量结果为正、Vot偏移为负的情况下(Vot-Vst)足够小的区域。然后，使用测量点P1、测量点P2的测量结果，求出Vot偏移相对(Vot-Vst)的斜率。如果使用该斜率，则可以推定Vot偏移大致为0的(Vot-Vst)的值。根据该推定结果，在测量点PI、Ρ2之间设定测量点Ρ3。以下，同样使用直到上一次的测量结果，可推定Vot偏移大致为0的(Vot-Vst)的值，并且随着探索范围的缩小，可以求出νωΜ偏移大致为0的(Vot-Vst)的值。对于基准电位 Vst，可以通过测量由于场穿透而造成的实效电压的降低量等求出，从而求出Vot偏移大致为 0的对置电极电位νωΜ的最佳值。另外，对于对置电极电位Vot的最佳值，也可以根据Vot偏移的测量值推定。将对置电极电位Vot设定为使得基准电位Vst和对置电极电位Vot的差(Vst-Vot)成为驱动电压 Vd的双振幅(Vh-VJ的χ%。当对液晶层2 施加电压时，单位时间在液晶层228内变动的电荷量相当于在液晶层2 流过的电流，因此，当像素电极235的电位是正极性时，从对置基板221 —侧向元件基板220 —侧移动的电荷量q+用下述的式( 表示。此外，当像素电极235的电位是负极性时，从元件基板220 —侧向对置基板221 —侧移动的电荷量q_用下述的式(6)表示。式(5)、式(6)中的R表示液晶层228的阻抗值。
(T1 + X 厂
| (1 + χ) · idt = —I0 VEFdt式(5)q =〔(1 - χ). idt = ^^〔 VEFdt式(6)如果电荷量q+与电荷量q—相同，则理论上电荷的不平衡消失。如果将电荷量q+与电荷量q-相同的条件用于式(5)、式(6)，则得到下述的式(7)所示的关系式。式(7)中的 δ V是从第1电介质层270的厚度比第2电介质层观4的厚度大的构成中的Vot偏移的收敛值减去第1、第2电介质层的厚度相同的构成中的Vot偏移的收敛值后的值(在图6中是 SV1K式(7)中的E是图5所示的驱动电压Vd的单振幅，是(Vh-VJ/2。χ = δ V/2E式(7)在图6所示的实验例1中，由于SV1是0.5乂，E是5V，因此，χ为0.05。由于 (Vst-Vcom)是χ · (Vh-Vl)，因此为0. 5V。即，为了消除由于第1电介质层270和第2电介质层观4的厚度的差异而造成的电荷的不平衡，可知将对置电极电位Vot设定为只比基准电位Vst低0. 5V即可。在抑制闪烁、余像的发生方面，Vcom偏移所容许的范围可知在实验中是士0. 15V，将(Vst-Vcom)设定在0.35V以上且0.65V以下的范围内即可。即，当第1电介质层 270的厚度为300nm，第2电介质层284的厚度为75nm时，如果负极性的电压相对正极性的电压的比率(Hot)/(Vh-Vot)被设定在43. 5/56. 5以上且46. 5/53. 5以下的范围内，则可在实质上抑制闪烁、余像的发生。在以上的这样构成的液晶装置201中，由于对置电极电位Vot比基准电位Vst低， 因此，由于场穿透而造成的电荷的不平衡以及由于第1电介质层270和第2电介质层284 的厚度的差异而造成的电荷的不平衡都可以减少。因此，可以避免液晶层228的调制作用由于在正负极性的电位施加期间电荷的不平衡而变化，可以抑制图像的闪烁的发生。此外， 可以避免由于电荷的不平衡而造成的液晶层228的调制作用被固定、固定的图形被显示的情况(余像)的发生。此外，根据涉及本发明的液晶装置的驱动方法，根据上述的理由，由于对置电极电位Vot比基准电位Vst低，因此，由于场穿透而造成的电荷的不平衡以及由于第1电介质层 70和第2电介质层84的厚度的差异而造成的电荷的不平衡都可以减少。第2实施方式接着，参照图8、图9，对涉及本发明的第2液晶装置的第2实施方式进行说明。图 8是放大第2实施方式的液晶面板的截面构造的示意图，图9是表示在第2实施方式中的对置电极电位的确定方法的说明图。图8所示的液晶面板202B除了第1电介质层270B的厚度比第2电介质层的厚度小这一点以外，采用与第1实施方式的液晶面板202相同的构成。第1电介质层270B 的厚度例如是60nm以上且90nm以下，第2电介质层的厚度例如是MOnm以上且360nm 以下。在本实施方式中，第1电介质层270B和第2电介质层观48都由P-TEOS膜构成，第 1电介质层270B的厚度是75nm，第2电介质层的厚度是300nm。如图6所示，在第2实施方式的液晶装置中，由于第1电介质层270B的厚度比第 2电介质层的厚度小，因此，VeQM偏移向负方向变化。由于收敛后的最佳基准电位Vstb 比初始基准电位Vsta低，因此，第2液晶装置可以通过将对置电极电位Vot设定为比初始基准电位Vsta高，使Vot偏移的值接近第1电介质层和第2电介质层厚度相同时的值(大致为 0)。这意味着可以减少第1电介质层270和第2电介质层观4的厚度的差异对液晶层2 的电荷的不平衡造成的影响。在第2实施例中为了确定对置电极电位，如图9所示，将第1次的测量点Pl设定在(Vot-Vst)为0以上的区域。在第1电介质层270B的厚度比第2电介质层284B的厚度小的构成中，由于在Vot比Vst高的区域，Vkjm偏移成为最小，因此，对于(Vkm-Vst)为负的区域，可以省略探索。一般地，如果(Vot-Vst)增加，则Vot偏移也增加，因此，当第1次的测量结果为负时，可知在与测量点Pl相比(Vot-Vst)大的区域，Vot偏移成为最小，可以省略与测量点Pl 相比(Vot-Vst)小的范围的探索。此外，当第1次的测量结果为正时，将第2次的测量点Ρ2设定在与测量点Pl相比 (Vcom-Vst)小的范围，S卩(Vot-Vst)为正的区域内即可。这样，如果使用上述的知识，则根据第 1次的测量结果，可以确定使参数(Vot-Vst)变化的正负方向。因此，可以减少测量的次数， 减少测量所需的时间。在本例中，在测量点Pl的测量结果为负，将测量点Ρ2设定在(Vot-Vst)足够大的区域(预料νωΜ偏移为正的区域)。然后，使用测量点Ρ1、测量点Ρ2的测量结果，求出νωΜ 偏移相对(Vot-Vst)的斜率。如果使用该斜率，则可推定Vot偏移大约为0的(Vot-Vst)的值。根据该推定结果，将测量点Ρ3设定在测量点Ρ1、Ρ2之间。以下，同样使用直到上一次的测量结果，推定Vot偏移大约为0的(Vot-Vst)的值， 并且通过缩小探索范围，求出Vot偏移大致为0的(Vot-Vst)的值。对于基准电位Vst，可以通过测量由于场穿透而造成的实效电压的降低量等求出，然后求出νωΜ偏移大致为0的对置电极电位Vot的最佳值。此外，如在第1实施方式中所说明的，对于对置电极电位Vot的最佳值，也可以根据Vot偏移的测量值推定。在图6所示的实验例2中，由于δ V2是-0. 5V，E是5V，因此，χ 为-0. 05，(Vst-Vot)为-0. 5V。即，为了消除由于第1电介质层270和第2电介质层284的厚度的差异而造成的电荷的不平衡，可知将对置电极电位Vot设定为只比基准电位Vst高0. 5V 即可。在抑制闪烁、余像的发生方面，如果增加Vot偏移所容许的范围，则将(Vst-Vot)设定在-0. 65V以上且-0. 35V以下的范围内即可。即，当第1电介质层270的厚度是75nm，第 2电介质层观4的厚度是300nm时，如果负极性的电压相对正极性的电压的比率(VfVeJ/ (Vh-Vcom)被设定在53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5以下的范围内，则可在实质上抑制闪烁、余像的发生。第3实施方式图10是表示涉及本发明的第3实施方式的液晶装置100的概略构成的方框图。液晶装置100由液晶面板100A、处理电路150、电压生成电路160和操作器170构成。液晶面板100A、处理电路150、电压生成电路160与第1实施方式中的大致相同。操作器170例如由用户等操作，并将与其操作相应的指定值Q在例如从“0”到 “+10”的范围中输出。具体地，当操作器170被搭载在电子设备中时，通过其操作面板和遥控器等操作部设置为能够操作。另外，根据该指定值Q，如以后所述地使第2启动脉冲Dyb 的输出定时前后移动。图11是表示涉及第3实施方式的液晶面板100A的概略构成的图。图12是像素的等价电路图。如图11所示，液晶面板100A是在显示区域70的周边内置扫描线驱动电路130和数据线驱动电路140的构成。在显示区域70中，480行的扫描线61被设置为在行(X)方向上延伸。此外，在显示区域70中，640列的数据线62被设置为在列⑴方向上延伸。各
24数据线62与各扫描线61被配置为彼此保持电绝缘。此外，与480行的扫描线61和640列的数据线62交叉的位置对应形成有多个像素70a。具体地，多个像素70a被排列成纵480 行X横640列的矩阵状。另外，在本实施例中，实际上多个像素70a被排列成纵1080行X横1920列的矩阵状，成为FHD (全HD)的分辨率，但是，为了便于说明，将分辨率设为VGA (视频图形阵列)。 此外，作为分辨率，并不限于此，也可以是例如XGA(扩展图形阵列)、SXGA(高级XGA)等分辨率。图12表示与i行及其相邻下1行的(i+Ι)行和j列及其相邻右1列的(j+Ι)列的交叉处对应的2X2共计4像素量的构成。另外，i、(i+1)表示像素排列的行，在此为1 以上且480以下的整数。此外，j、(j+l)表示像素排列的列，在此为1以上且640以下的整数。在扫描线61和数据线62的各交叉点附近，设置有与各像素70a —一对应的开关元件 40。该开关元件由薄膜晶体管(以下称为TFT)构成。具体地，多个像素70a各自包含η沟道型的TFT 40和液晶电容120。在此，由于各像素70a是彼此相同的构成，因此，以位于i行j列的像素为代表进行说明。该i行j列的像素的TFT 40的栅极电极41与第i行的扫描线61连接。另一方面，TFT 40的源极电极与第j列的数据线62连接，其漏极电极与液晶电容120的一端即像素电极12连接。此外，液晶电容120的另一端与对置电极22连接。该对置电极22在全部像素中是共用的，并按时间被施加一定的对置电极电位Vcom。另外，虽然在后面描述详细的情形，但对置电极电位Vcom成为从基准值只偏移了用于补偿前述的第1现象的直流电压分量的修正电压量的值。液晶面板100A采用元件基板10和对置基板20的一对基板保持一定的间隙贴合并且在该间隙中密封液晶的构成。其中，在元件基板10上，扫描线61、数据线62、TFT 40和像素电极12与扫描线驱动电路130、数据线驱动电路140 —起形成。另一方面，在对置基板 20上形成有对置电极22。然后，这些电极形成面以彼此相对的方式保持一定的间隙贴合。 因此，液晶电容120通过像素电极12和对置电极22夹持液晶120a而构成。另外，在本实施方式中，如果在液晶电容120中保持的电压实效值接近零，则通过液晶电容120的光的透过率变成最小，成为黑色显示。另一方面，随着在液晶电容120中保持的电压实效值变大，透过的光量增加，最终成为透过率最大的白色显示。即，液晶面板 100A被设定成常黑模式。在该构成中，当在对扫描线61施加选择电压、使TFT 40导通的同时，经由数据线 62和导通状态的TFT 40向像素电极12提供与灰度(亮度)相应的电压的数据信号Vid 时，可以使与施加选择电压的扫描线61和提供数据信号Vid的数据线62交叉的位置处对应的液晶电容120保持与灰度相应的电压实效值。另外，当扫描线61成为非选择电压时，TFT 40截止(非导通)，但是，此时的截止阻抗没有理想地变成无限大，因此，在液晶电容120中蓄积的电荷泄漏很多。为了减少该截止泄漏的影响，存储电容50对每个像素形成。该存储电容50的一端与像素电极12 (TFT 40 的漏极)连接。另一方面，存储电容50的另一端在全部像素中与电容线64共同连接。该电容线64按时间保持为一定的电位，例如与对置电极22相同的对置电极电位。扫描线驱动电路130分别向第1、2、3.....480行的扫描线61提供扫描信号G1、G2、G3.....G480。扫描线驱动电路130将对所选择的扫描线61的扫描信号设为与电压相
当的H电平，将对除此以外的扫描线61的扫描信号设为与非选择电压(接地电位)相当的 L电平。数据线驱动电路140由采样信号输出电路142和与各数据线62分别对应设置的 η沟道型的TFT 40构成。数据线驱动电路140向所选择的扫描线61中的各像素70a提供规定这些像素的灰度的数据信号Vid(驱动电压)。图13是涉及第3实施方式的从对置基板20的一侧观察元件基板10和在其上形成的各构成要素的液晶面板100A的俯视图。图14是表示涉及第3实施方式的液晶面板 100A的概略构成的截面图。另外，在图13中，为了方便，省略了扫描线驱动电路130、数据线驱动电路140等各种驱动电路的图示。此外，在图14中，为了方便，省略了液晶层和密封材料71的图示。此外，在图14中，符号Tal是第1取向基底膜(第1电介质膜)38A的膜厚度，符号Ta2是第2取向基底膜(第2电介质膜)38B的膜厚度。如图13所示，在元件基板10的中央形成有显示区域70。在该显示区域70的边缘部设置有框状的遮光区域74，并以包围该遮光区域74的方式设置有密封材料71。通过该密封材料71使元件基板10和对置基板20贴合，并在两个基板和密封材料71所包围的区域内封入液晶层(未图示)。然后，设置在密封材料71上的液晶注入口通过密封部72密封。在密封材料71的外侧，虽然未图示，但安装有向扫描线61提供扫描信号的扫描线驱动电路130和向数据线62提供图像信号的数据线驱动电路140。在元件基板10的端部设置有与外部电路连接的多个连接端子75。虽然未图示，但在这样的连接端子75中形成有从驱动电路延伸的布线。在密封材料71的四个角设置有电气连接元件基板10和对置基板 20的基板间导通部73。该基板间导通部73也经由布线与连接端子75电气连接。如图14所示，液晶面板100A具备元件基板10、与其相对配置的对置基板20和在这些基板之间夹持的液晶层。元件基板10具备由玻璃、石英等透光性材料构成的基板本体11、在其内侧(液晶层一侧)形成的TFT 40、像素电极12以及覆盖像素电极12的第1取向基底膜38A和第1 取向膜13等。对置基板20具备由玻璃、石英等透光性材料构成的基板本体21、在其内侧(液晶层一侧)形成的遮光膜对、覆盖该遮光膜M的对置电极22以及覆盖该对置电极22的第2 取向基底膜38B和第2取向膜23等。在元件基板10上设置有像素电极12，在其上侧设置有第1取向膜13。像素电极 12例如由铝(Al)等导电性膜构成。在对置基板20的整个面上设置有对置电极22，在其上侧设置有第2取向膜23。该对置电极22例如由ITO膜等透明导电性膜构成。对置电极22的厚度例如为120nm以上且 160nm以下。此外，第2取向膜23的膜厚度例如为40nm以上且80nm以下。在这样相对配置的元件基板10和对置基板20之间，在通过前述的密封材料71包围的空间封入液晶，形成液晶层。液晶层在未施加来自像素电极12的电场的状态下通过取向膜成为规定的取向状态。另外，液晶层的液晶也可以是扭曲向列的液晶或垂直取向用的液晶。
在元件基板10上，除了上述的像素电极12和第1取向膜13之外，包含这些的各种构成形成层叠构造。该层叠构造从下开始按顺序由包含扫描线61的第1层、包含了包含栅极电极41的TFT 40等的第2层、包含存储电容50的第3层、包含数据线62等的第4 层、包含电容线64等的第5层、包含上述的像素电极12和取向膜(第1取向膜1 等的第 6层(最上层)构成。在第1层和第2层之间设置有基底绝缘膜30，在第2层和第3层之间设置有第1 层间绝缘膜31，在第3层和第4层之间设置有第2层间绝缘膜32，在第4层和第5层之间设置有第3层间绝缘膜33，在第5层和第6层之间设置有第4层间绝缘膜34以及第5层间绝缘膜35。通过这些绝缘膜，防止前述的各要素之间短路。此外，在这些各种绝缘膜上，还设置有例如电气连接TFT 40的半导体层44中的高浓度源极区域和数据线62的接触孔等。 以下对于这些各要素从下开始按顺序地进行说明。在第1层设置有例如由硅化钨(WSi)构成的扫描线61。该扫描线61的膜厚度(Z 方向(液晶面板100A的厚度方向)的厚度)例如为ISOnm以上、220nm以下。该扫描线61 具有遮光性，并形成为大致埋入未形成像素电极12的区域。因此，扫描线61具有遮挡从其下侧入射到TFT 40的光的功能。在第2层设置有包含栅极电极41的TFT 40。TFT 40具有LDD (轻掺杂漏极)构造。作为其构成要素，具备上述的栅极电极41 ；根据来自例如由导电性的多晶硅膜构成的栅极电极41的电场形成沟道的半导体层44的沟道区域；包含使栅极电极41和半导体层44 绝缘的热氧化的栅极绝缘膜43的栅极绝缘膜42 ；半导体层44的低浓度源极区域和低浓度漏极区域以及高浓度源极区域和高浓度漏极区域。另外，栅极电极41的膜厚度例如为15nm 以上且105nm以下。半导体层44的膜厚度例如为40nm左右。热氧化的栅极绝缘膜43的膜厚度例如为^nm以上且35nm以下。栅极绝缘膜42的膜厚度例如为43nm以上且56nm 以下。在扫描线61的上面且TFT 40的下面，设置有例如由正硅酸乙酯(TEOS)构成的基底绝缘膜30。该基底绝缘膜30的膜厚度例如为380nm以上且420nm以下。基底绝缘膜30 具有将TFT 40与扫描线61层间绝缘的功能。此外，该基底绝缘膜30在元件基板10的整个面上形成。在第3层设置有存储电容50。该存储电容50通过将作为与TFT 40的高浓度漏极区域和像素电极12连接的像素电位一侧电容电极的下部电容电极51和作为固定电位一侧电容电极的上部电容电极53经由电容绝缘膜52相对配置而形成。根据该存储电容50，可以显著地提高像素电极12的电位保持特性。下部电容电极51起到作为例如由导电性的多晶硅膜构成的像素电位一侧电容电极的功能。该下部电容电极51的膜厚度例如为95nm以上且105nm以下。此外，该下部电容电极51除了具有像素电位一侧电容电极的功能以外，还具有中继连接像素电极12和TFT 40的高浓度漏极区域的功能。上部电容电极53由例如由氮化钛(TiN)构成的层(例如，膜厚度为47nm以上且 53nm以下)、由铝(Al)构成的层(例如，膜厚度为142nm以上且158nm以下)和由氮化钛 (TiN)构成的层(例如，膜厚度为97nm以上且103nm以下)的三层构造构成。该上部电容电极53起到作为存储电容50的固定电位一侧电容电极的功能。然后，上部电容电极53采用与下部电容电极51相同的形状，并与下部电容电极51同样构成岛状的电极。为了将上部电容电极53设为固定电位，将其与设为固定电位的电容线64电气连接。此外，上部电容电极53具有遮挡从上侧入射到TFT 40的光的功能。电容绝缘膜52例如由HTO(高温氧化物)膜构成。该电容绝缘膜52的膜厚度例如为3nm以上且5nm以下。另外，电容绝缘膜52从使存储电容50增大的观点看，只要充分地获得膜的可靠性，则越薄越好。此外，电容绝缘膜52也可以构成为二层构造、三层构造或者更多层的层叠构造。在TFT 40或栅极电极41和中继电极的上面且存储电容50的下面，形成有例如由正硅酸乙酯(TEOS)构成的第1层间绝缘膜31。该第1层间绝缘膜31的膜厚度例如为 280nm以上且320nm以下。在该第1层间绝缘膜31上，电气连接TFT 40的高浓度源极区域和后述的数据线 62的接触孔31a贯通后述的第2层间绝缘膜32被开孔。此外，在第1层间绝缘膜31上，电气连接TFT 40的高浓度漏极区域和构成存储电容50的下部电容电极51的接触孔31b被开孔。在第4层设置有数据线62。该数据线62被形成为例如从下层开始按顺序具有由钛(Ti)构成的层(例如，膜厚度为19nm以上且21nm以下)、由氮化钛(TiN)构成的层(例如，膜厚度为47nm以上且53nm以下)、由铝(Al)构成的层(例如，膜厚度为332歷以上且 368以下)和由氮化钛(TiN)构成的层(例如，膜厚度为142nm以上且158nm以下)的四层构造的膜。此外，在该第4层上，作为与数据线62相同的膜，形成有电容线用中继层(图示省略)、第1中继电极63和二连接触孔部66。这些当从俯视看时并没有形成为具有与数据线 62连续的平面形状，而是形成为各者间在图案上被割裂。这些电容线用中继层、第1中继电极63和二连接触孔部66作为与数据线62相同的膜形成，因此，从下层开始按顺序具有由 Ti构成的层、由TiN构成的层、由Al构成的层和由TiN构成的层的四层构造。二连接触孔部66被设置在显示区域70的外侧，并用图示省略的布线绕回后，从元件基板10的表层引出，与扫描线驱动电路130连接。在存储电容50的上面且数据线62的下面，形成有由例如NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等或者优选地通过使用TEOS气体的等离子CVD法形成的膜(以下称为P-TE0S)构成的第2层间绝缘膜32。该第2层间绝缘膜32的膜厚度例如为380nm以上且420nm以下。在该第2层间绝缘膜32上，电气连接TFT 40的高浓度源极区域和数据线62的上述的接触孔31a被开孔，并且电气连接上述电容线用中继层和存储电容50的上部电容电极53的接触孔(图示省略)被开孔。在第5层形成有电容线64。该电容线64被形成为例如从下层开始按顺序具有由铝(Al)构成的层(例如，膜厚度为315nm以上且385nm以下)和由氮化钛(TiN)构成的层 (例如，膜厚度为135nm以上且165nm以下)的两层构造的膜。该电容线64在第3层间绝缘膜33上形成。第3层间绝缘膜33的表面通过实施CMP (化学机械抛光)处理等平坦化处理来平坦化。此外，在第5层，作为与这样的电容线64相同的膜，形成有第2中继电极65。该第 2中继电极65具有经由后述的接触孔33a中继第1中继电极63和像素电极12间的电气连接的功能。另外，在这些电容线64和第2中继电极65之间，并不是在平面形状上连续地形成，而是形成为两者间在图案上割裂。第2中继电极65与电容线64同样具有下层为由 Al构成的层、上层为由TiN构成的层的两层构造。这样，电容线64和第2中继电极65包含光反射性能较优的铝并且包含光吸收性能较优的氮化钛，因此，可获得作为遮光层的功能。 即，可在其上侧遮挡对于TFT 40的半导体层44的入射光的行进。在数据线62的上面且电容线64等的下面，形成有例如由P-TE0S构成的第3层间绝缘膜33。该第3层间绝缘膜33的膜厚度例如为570nm以上且630nm以下。在该第3层间绝缘膜33上，用于电气连接上述的电容线64和电容线用中继层的接触孔(图示省略) 以及用于电气连接第2中继电极65和第1中继电极63的接触孔33a被分别开孔。最后，在第6层，如上所述，像素电极12被形成为矩阵状。该像素电极12例如由铝(Al)构成，其膜厚度例如为180nm以上且220nm以下。另外，作为与上述像素电极12相同的膜，在周边区域形成有例如由P-TEOS构成的平坦化膜36。该平坦化膜36的膜厚度例如为ISOnm以上且220nm以下。在像素电极12和平坦化膜36的上面，形成有第1取向基底膜38A(第1电介质膜)。该第1取向基底膜38A是膜厚度比液晶层薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2) 构成的电介质膜。该第1取向基底膜38A的膜厚度Tal例如为240nm以上且360nm以下 (在本实施方式中是300nm)。此外，在第1取向基底膜38A的上面形成有第1取向膜13。 该第1取向膜13的膜厚度例如为40nm以上且80nm以下。在元件部以外的周边区域(例如，安装端子部和上下导通端子部)的第1取向基底膜38A的上面形成有例如由ITO膜构成的电极片39。该电极片39的膜厚度例如为135nm 以上且165nm以下。电极片39的一部分被埋设在贯穿第4层间绝缘膜34、第5层间绝缘膜 35、平坦化膜36和第1取向基底膜38A的接触孔34b内，与电容线64电气连接。然后，在像素电极12和平坦化膜36的下面，例如从下层开始按顺序形成有由 P-TEOS构成的第4层间绝缘膜34(例如，膜厚度为350nm以上且850nm以下)和由BSG、 NSG等硅酸盐玻璃构成的第5层间绝缘膜35 (例如，膜厚度为55nm以上且95nm以下)。在这些第4层间绝缘膜34和第5层间绝缘膜35上，用于电气连接像素电极12和上述的第2 中继电极65间的接触孔3 被开孔。在像素电极12和TFT 40之间经由该接触孔3 和第2中继电极65以及前述的接触孔33a、第1中继电极63、接触孔32a、下部电容电极51和接触孔31b电气连接。另外， 第5层间绝缘膜35的表面通过如前所述地实施CMP处理等平坦化处理而平坦化。这样，可以降低由于在其下方存在的各种布线、元件等形成的高低差而造成的液晶层的取向不良。另一方面，在对置基板20的一侧，在对置电极22和第2取向膜23之间形成有第 2取向基底膜38B (第2电介质膜)。该第2取向基底膜38B是膜厚度比上述第1取向基底膜38A薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2)构成的电介质膜。该第2取向基底膜38B 的膜厚度Ta2例如为60nm以上且90nm以下(在本实施方式中是75nm) (Ta2 < Tal)。但是，在现有的液晶装置中，为了抑制闪烁、显示图像的余像等显示缺陷，采用了例如使对各像素电极施加的驱动电压的极性对每个扫描线或数据线或者对图像信号的每个帧反相的反相驱动(交流驱动)。这是为了通过反相驱动抑制对液晶层施加直流电压分量和基板间的电荷的不平
29衡，以消除闪烁等。但是，即使单纯地进行反相驱动，也会发生对液晶层施加直流电压分量和电荷的不平衡，依然发生显示缺陷。作为该显示缺陷的发生源，已知为下述的两个现象。第1现象如上所述，是由于场穿透现象(也称为下推、穿越)而造成的电压下降。 这可以通过补偿与电压下降量相当的直流电压来修正。相对地，第2现象是由于元件基板和对置基板的电气特性差而产生的电荷的不平衡。为了进行补偿，需要施加刚好抵消电荷的不平衡的多余的电流电压。这里，使用图15A 图15C说明第1现象和第2现象。图15A是表示栅极电压和驱动电压波形的图。图15B是表示液晶层的实效电压波形的图。图15C是表示从图15B开始经过某一程度的驱动时间后的液晶层的实效电压波形的图。另外，在图15A 图15C中， 横轴表示经过时间，纵轴表示电位。如图15A所示，驱动电压波形Vd的电位与栅极电压Ve的上升同步，并交替地切换高电位EH (例如12V)和低电位EL (例如2V)。如图15B所示，当栅极电压Ve上升时，开关元件导通，像素电极12被充电。液晶层的实效电压波形Vu的电位大致从低电位EL上升到高电位EH。但是，在开关元件由薄膜晶体管构成时，当开关元件截止时，产生穿越电压。S卩，由于在开关元件的栅极电极41和沟道区域等的电容中蓄积的电荷流向像素电极12，因此，产生电压下降V1 (穿越电压)。此外，由于在开关元件截止的状态下，泄漏电流流过沟道区域， 也产生电压下降V2。这样，接着在栅极电压上升时，实效电压波形Vu的电位变成比高电位 EH只低电压下降V1J2的量。接着，当栅极电压Ve上升时，驱动电压波形V变成低电位，像素电极12被放电。如果这样，则液晶层的实效电压波形Vu的电位下降到低电位EL。然后，当开关元件截止时， 由于穿越电压产生电压下降V3,此外由于泄漏电流产生电压上升。对置电极22的电位被保持在对置电极电位V。。ml。对置电极电位V。。ml被预先设定为取得实效电压波形Vu相对对置电极电位v。。ml的高电位侧和低电位侧的平衡。对置电极电位Vcoml被设定为加入电压下降V1 V3、电压上升V4, —般地，成为与高电位EH和低电位 EL的中间电位EM(例如7V)不同的值。例如，以实效电压波形Vu和对置电极电位V。。ml的差的时间积分值的绝对值在驱动电压波形Vd是高电位EH的期间和是低电位EL的期间大致相等的方式最佳化的值被设定为对置电极电位V。。ml。如图15C所示，只在某一程度的期间驱动了液晶层之后的实效电压波形多从驱动一开始后的实效电压波形Vu开始偏移。另外，虽然实效电压波形Vu有向电位的正负方向的任意一个方向偏移的情况，但是，图15C图示了向正方向偏移的状态。对于偏移的实效电压波形V⑵考虑以取得正负的平衡的方式最佳化的对置电极电位V。。m2。偏移后的对置电极电位V。。m2成为从偏移前的对置电极电位V。。ml向正方向偏离。在此，在现有的技术中，实效电压波形向电位的正负方向的哪一个方向偏移是不确定的。即，偏移后的对置电极电位火-成为从偏移前的对置电极电位V。。ml向正负方向的哪一个方向偏离是不确定的。但是，本发明人发现通过在元件基板10 —侧的像素电极12和第1取向膜13之间配置膜厚度比液晶层薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2)构成的第1取向基底膜 (第1电介质膜)38A并在对置基板20 —侧的对置电极22和第2取向膜23之间配置膜厚度比上述第1电介质膜38A薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2)构成的第2取向基底膜(第2电介质膜)38B，以取得正负平衡的方式最佳化的实效电压波形向电位的正方向偏移(V。。m向正方向偏移)。关于这一点，也可以根据本发明者进行的实验结果确认。图16是表示通过本发明人进行的实验得到的经过时间和V。。m偏移的关系的图。另外，在图16中，横轴表示经过时间，纵轴表示V。。m偏移。在此，V。。m偏移设为偏移前的对置电极电位V。。ml和偏移后的对置电极电位V。。m2的差，即V。。m2-V。。ml的值。此外，在图16中，“▲” 表示元件基板10 —侧的第1电介质膜38A的膜厚度Tal (300nm)比对置基板20 —侧的第 2电介质膜38B的膜厚度Ta2 (75nm)厚的状态(Tal > Ta2)。此外，当V。。m偏移为0时，表示第1电介质膜38A的膜厚度Tal和第2电介质膜38B的膜厚度Ta2相同的状态(Tal = Ta2)。此外，在图7中，测量施加振幅为5V的矩形波时的V。。m偏移。如图16所示，元件基板10 —侧的第1电介质膜38A的膜厚度Tal比对置基板20 一侧的第2电介质膜38B的膜厚度Ta2厚的状态“▲”的V。。m偏移量随着经过时间变长而增加。该V-偏移的增加梯度随着经过时间变长而变缓。此外，该V。。m偏移量在增加梯度变缓的状态下成为+0.5V左右。V。。m偏移方向在经过时间的整个范围中，与第1电介质膜38A 的膜厚度Tal和第2电介质膜38B的膜厚度Ta2相同的状态(V。。m偏移为0)相比，向正方向偏移。当V。。m偏移变大到某一程度以上时，在低电位一侧的期间和高电位一侧的期间，液晶层的调制作用的差变大。如果这样，则在所显示的图像中，可以看出在低电位一侧的期间调制的光的光量和在高电位一侧的期间调制的光的光量的差异，产生图像的闪烁。本发明人根据来自实验数据的知识而深思熟虑的结果，想到将对第1现象的修正和对第2现象的修正分开进行修正是有效的。即，作为第1现象的修正方法，是与驱动电压无关地施加一定的修正电压的方法，同时，作为第2现象的修正方法，是根据由于其特性差而引起的直流电压分量的方向和大小，使保持正极性的期间的长度的比例比保持负极性的期间的长度的比例长的方法。另一方面，为了探索闪烁的经时变化成为最小的极性时间比率(以下简称为探索)，需要大量的时间。例如，为了探索时的调整，每1次测量点需要10分钟到60分钟左右的通电时间。但是，本发明人发现通过在元件基板10 —侧的像素电极12和第1取向膜13之间配置膜厚度比液晶层薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2)构成的第1取向基底膜 (第1电介质膜)38A并在对置基板20 —侧的对置电极22和第2取向膜23之间配置膜厚度比上述第1电介质膜薄且电阻率比液晶层高的由氧化硅(SiO2)构成的第2取向基底膜 (第2电介质膜)38B，V。。m向正方向偏移，因此，可以缩短探索所需要的时间。图17是表示通过本发明人进行的探索得到的时间比率(占空比)和火 偏移的关系的图。另外，在图17中，横轴表示占空比(正极性电压的施加时间和负极性电压的施加时间的时间比率)，纵轴表示V。。m偏移(V。。m2-V。。ml)。在此，将横轴和纵轴的交点设为占空比 50 50，将横轴的右侧设为正极性电压的施加时间变长的方向。此外，将纵轴的上侧设为 V。。m偏移为正的方向。此外，在图17中，符号Pl表示第一次(最初)的测量点，符号P2表示第二次的测量点，符号P3表示第三次的测量点，符号P4表示第四次的测量点，符号P5表示第五次(最后)的测量点。此外，在图17中，虽然通过共计5次的测量进行探索，但是，并不限定于该次数，可以根据需要变更测量次数。如图17所示，将第1次的测量点Pl配置在占空比为50%以上的区域。关于这一点，通过上述的实验结果可以明确当在元件基板10 —侧的像素电极12和第1取向膜13之间配置上述的电介质膜时，V。。m偏移方向向正方向偏离。即，由于变成右下的线以及第5次的测量点P5变得比占空比50%大，因此，至少在除去占空比比50%小的区域的范围内(占空比为50%以上的区域内)进行测量即可。因此，不必将第1次的测量点Pl配置在占空比比50%小的区域，可以减少测量频率。接着，将第2次的测量点P2配置在夹着横轴占空比比第1次的测量点Pl大的区域。这样，根据第1次的测量结果，可以确定使参数(占空比)变化的正负方向。即，不必将第2次的测量点P2配置在占空比比第1次的测量点Pl小的一侧，可以减少测量频率。此外，通过绘制第1次的测量点Pl和第2次的测量点P2，可以近似地算出右下的线的斜率。接着，将第3次的测量点P3沿着近似算出的斜率配置在第1次的测量点Pl和横轴之间。此外，将第4次的测量点P4沿着近似算出的斜率配置在第2次的测量点P2和横轴之间。这样，在推定V。。m偏移大概为0的(V。。m2-V。。ml)的值的同时，缩小探索范围。通过绘制第3次的测量点P3和第4次的测量点P4，可以近似地算出与闪烁的容限对应的V。。m偏移。然后，将第5次的测量点P5配置在横轴上。具体地，第5次的测量点P5成为近似地连接测量点Pl P4的直线与横轴的交点。根据以上所述，可以算出闪烁的经时变化成为最小的极性时间比率。因此，根据该调整方法，可以减少测量频率，从而缩短探索所需要的时间。液晶装置的驱动方法以下说明的液晶装置的驱动方法是本发明者为了具体地实现想到内容而在深思熟虑和创意的基础上创造的。图18是指定值Q为“+1”时的扫描信号体系的时序图。此外，在本实施方式中，将多个扫描线61分为第1扫描线群和第2扫描线群，在1个帧中，交替地选择第1扫描线群的任意一条扫描线61和第2扫描线群的任意一条扫描线61，并且在1个帧中选择各扫描线 61两次。使用所谓倍速区域扫描反相驱动。首先，说明扫描线61的驱动方法。图18是在启动脉冲和时钟信号的关系中表示由扫描线驱动电路130输出的扫描信号Gl G480的时序图。在此，帧是指使液晶面板100A 显示1个图像所需的期间。此外，在1帧的期间(规定期间)中，将从第1启动脉冲Dya被输出到第2启动脉冲Dyb被输出为止的期间设为第1场(第1期间)，将从第2启动脉冲Dyb 被输出到下一个第1启动脉冲Dya被输出为止的期间设为第2场(第2期间)。此外，1个扫描线61在1个帧的期间，在每一场都被选择1次，即，被两次选择。本实施方式的垂直同步信号Vs如上所述是频率120Hz，因此，对于1个帧的期间， 固定在8. 33毫秒。控制电路152(参照图1)将占空比为50%的时钟信号在整个1个帧的期间进行与扫描线61数量相等的480周期量输出。另外，将时钟信号的1周期量的期间记为H。此外，控制电路152将具有时钟信号的1周期量的脉冲宽度的启动脉冲在各个时钟信号上升为H电平时分别如下地输出。即，控制电路152将第1启动脉冲Dra在1个帧的期间的最初(第1场的最初)输出。另一方面，由于指定值Q是正的值，因此，控制电路 152将第2启动脉冲Dyb比从输入第1启动脉冲Dya开始输出了时钟信号的240周期量的定时Tm迟“QXH”输出。因此，如图18所示，当指定值Q是“+1”时，第2启动脉冲Dyb在比定时Tm延迟了时钟信号的1周期量的定时Tm(+1)处输出。在此，启动脉冲被交替地输出，另一方面，第1启动脉冲Dya的输出定时与指定值Q 无关而不改变。因此，如果对于每1帧(8. 33毫秒)特定所输出的第1启动脉冲Dya，则必然也可以特定规定第2场的开始的第2启动脉冲Dyb。扫描线驱动电路130根据这样的启动脉冲和时钟信号，输出下一次的操作信号。 即，扫描线驱动电路130在被提供了第1启动脉冲Dya时，每当时钟信号变化为L电平时，依次将扫描信号Gl G480设为H电平。另一方面，扫描线驱动电路130在被提供了第2启动脉冲Dyb时，每当时钟信号变化为H电平时，将扫描信号Gl G480依次设为H电平。由于第1启动脉冲Dya在1个帧的期间(第1场)的最初被提供，因此，以该第1 启动脉冲Dya的提供为契机的扫描线61的选择不随指定值Q变化。此外，以该第1启动脉冲Dya的提供为契机的扫描线61的选择由于在时钟信号是L电平的期间执行，因此，在整个
第1场和第2场，以第1行的扫描线61为起始点，向画面下方向以第2、3、4.....480行的
顺序在时钟信号的半周期的期间执行。另一方面，第2启动脉冲Dyb由于在第2场的最初被提供，因此，以该启动脉冲为契机的扫描线61的选择根据指定值Q在整体上前后变化。即，以该第2启动脉冲Dyb的提供为契机的扫描线61的选择由于在时钟信号是H电平的期间执行，因此，从某一帧的第2场
开始直到下一帧的第1场，以第1行的扫描线61为起始点，向画面下方向以第2、3、4.....
480行的顺序，在以第1启动脉冲Dya的提供为契机的选择的空隙中执行。即，某一帧的第 2场的第1 240行的选择例如在指定值Q为“+1”时成为比定时Tm整体延迟了时钟信号的1周期量的关系。图19是数据信号Vid体系的第1场的时序图。图20是数据信号Vid体系的第2 场的时序图。接下来以图19和图20为中心对数据线62的驱动方法进行说明。数据线驱动电路140的采样信号输出电路142按照控制电路152的控制信号，选择任意一条扫描线61，并在提供该扫描线61的操作信号为H电平的整个期间，将依次单独
地成为H电平的采样信号Si、S2、S3.....S640向各个数据线62输出。另外，控制信号实
际上是启动脉冲或时钟信号，省略说明。扫描信号为H电平的期间实际上比时钟信号的一半周期的期间窄许多。在这种情况下，如图19所示，在第1场中，在扫描信号G(i+M0)变成H电平之后，扫描信号Gi变成 H电平。此外，如图20所示，在第2场中，在扫描信号Gi变成H电平之后，扫描信号 G(i+240)变成H电平。此外，显示数据处理电路156(参照图10)与由采样信号输出电路142输出的采样信号Sl S640 —起，将所选择的扫描线61的1行量像素的显示数据Video变换成如下所述的极性的数据信号Vid。即，显示数据处理电路156将时钟信号为L电平时选择的像素行的像素的数据信号Vid变换成正极性(+)，将时钟信号为H电平时选择的像素行的像素的数据信号Vid变换成负极性(_)。换言之，显示数据处理电路156将以第1启动脉冲Dya的提供为契机选择的像素行的像素的数据信号Vid变换成正极性(+)，将以第2启动脉冲Dyb的提供为契机选择的像素行的像素的数据信号Vid变换成负极性(_)。在此，正极性⑴和负极性㈠是指将基准电压V。的高位侧设为正极性⑴，低位侧设为负极性(-)。此外，在此虽然将基准电位设定为0V，但并不限于此。此外，对置电极电位V。。m被设定为与基准电压V。相比向负极性㈠侧偏移。具体地，对置电极电位V。。m被设定成例如从大约-0. IV到-0. 2V的范围内的电压值。这是因为前述的第1现象(场穿透)所造成的电压变动量是大约-0. IV到-0. 2V，因此，将其作为修正电压，使对置电极电位V。。m的设定值从基准电压V。偏移。即，以降低第1现象造成的影响的方式使对置电极电位V。。m偏移。此外，优选地，第1现象的修正电压对每个液晶面板100A单独测量而求出。具体地，当交替地施加与相同灰度相当的正和负极性的驱动电压时，求出闪烁变得足够小的对置电极电位V。。m，根据该值和基准电压V。的差求出修正电压。此外，优选地，此时的驱动电压是与容易看出闪烁的中间灰度相当的电压。这样，修正电压被求出，并设定在控制电路152 (参照图11)或电压生成电路160 中。然后，电压生成电路160生成偏移了修正电压量的对置电极电位V。。m，并提供给液晶面板100A的对置电极22。接着对驱动方法的整体进行说明。首先，在图10中，控制电路152使帧存储器157存储从外部装置提供的显示数据 Video。然后，在液晶面板100A中，当某个像素行的扫描线61被选择时，以存储速度的成倍的速度读出该像素行的显示数据Video。然后，通过DA变换器158变换成模拟的数据信号 Vid0同时，与显示数据Video的读出一起，经由控制信号控制采样信号输出电路142，以使采样信号Sl S640依次变成H电平。如图18所示，当指定值Q是例如“+1”时，第2启动脉冲Dyb在比定时Tm在时间上向后延迟了时钟信号的1周期量的定时被输出。因刺，如果指定值Q是“+1 ”，则第1场的期间变成时钟信号的241周期量，而第2场的期间变成时钟信号的239周期量。此外，在第1场中，扫描线61按第240、1、241、2、242、3.....480行的顺序进行选
择。因此，控制电路152首先控制扫描线驱动电路130，以选择第240行的扫描线61。另一方面，控制电路152对显示数据处理电路156以倍速读出在帧存储器157中存储的与第240 行相当的显示数据Video。然后，通过DA变换器158从显示数据Video生成负极性的数据信号Vid，同时，与数据信号Vid的读出一起，如图19所示，控制采样信号输出电路142，以致采样信号Sl S640按照顺序单独地变成H电平。当采样信号Sl S640按顺序变成H 电平时，TFT 40按顺序导通，向图像信号线提供的数据信号Vid被采样给第1 640列的数据线62。另一方面，当扫描线61被选择时，由于扫描信号G240变成H电平，因此，位于第 240行的像素的TFT 40全部导通。因此，被采样给数据线62的数据信号Vid的负极性电压
直接向像素电极12施加。这样，在第240行，向1、2、3、4.....639、640列的像素的液晶电
容120写入与由显示数据Video指定的灰度相应的负极性电压并保持。以下，在第1场中， 同样的电压写入操作按第1、241、2、242、3.....480行的顺序执行。这样，对于第1 241行的像素，与灰度相应的正极性电压被写入，对于第242 480行的像素，与灰度相应的负极性电压被写入，并且被分别保持。另一方面，在第2场中，扫描线61按照第1、242、2、243、3、244、...、239、480行的
顺序被选择，同时，同一行的写入极性被反相。因此，对于第1 241行的像素，与灰度相应的负极性电压被写入，对于第242 480行的像素，与灰度相应的正极性电压被写入，并且被分别保持。图21是在指定值Q是“+1”时示出各行的写入状态以及经过连续的帧的经过时间的图。另外，对最上段的扫描线61的写入，即正极性保持期间的开始时刻，准确地说是在提供了第1启动脉冲Dya后延迟了时钟信号的半周期的定时，但是，在图21中进行了简化，与第1启动脉冲Dya—致。如图21所示，在第1场中，在第240、241、242.....480行的像素处进行负极性的
写入，在第1、2、3.....239行的像素处进行正极性的写入，并保持到下一次写入为止。另
一方面，在第2场中，在第1、2、3.....239行的像素处进行负极性的写入，在第M0J41、
242.....480行的像素处进行正极性的写入，并同样保持到下一次写入为止。即，在各场中，
可以掌握写入正极性的扫描线61和写入负极性的扫描线61被选择了 2条。这样，当指定值Q是“+1”时，第2启动脉冲Dyb的输出定时延迟。因此，通过以第2 启动脉冲Dyb的提供为契机的选择而写入的负极性电压的保持时间比通过以第1启动脉冲 Dya的提供为契机的选择而写入的正极性电压的保持时间短。即，如果指定值Q是正的值， 则随着其绝对值变大，通过以第2启动脉冲Dyb的提供为契机的选择而写入的负极性电压的保持时间比通过以第1启动脉冲Dya的提供为契机的选择而写入的正极性电压的保持时间短。因此，对液晶电容120施加的负极性的电压实效值变得低于正极性的电压实效值。即，正极性电压被施加的第1场与负极性电压被施加的第2场相比变长。因此， 1个帧中正极性电压的施加时间被设定得比负极性电压的施加时间长，因此，可以有效进行与V。。m偏移对应的修正。时间比率的确定方法V。。m偏移被认为是由于电流的极性差造成电荷被蓄积而引起电位差而发生的。蓄积电荷量和电流(电压、电阻)的关系式在将正极性电压的施加时间比率设为(1+X)、负极性电压的施加时间比率设为(I-X)、施加时间设为τ时成为以下的式(8)、式(9)。在此，将正的蓄积电荷量设为q+，将负的蓄积电荷量设为q-，将电流设为i，将电压设为V，将电阻设为R。
权利要求
1.一种液晶装置，其特征在于，具备 像素电极；与上述像素电极电气连接的开关元件；与上述像素电极相对配置并被施加对置电极电位的对置电极；在上述像素电极和上述对置电极之间设置的液晶层；在上述液晶层和上述像素电极之间设置的第1取向膜；在上述第1取向膜和上述像素电极之间设置的由氧化硅构成的第1电介质层；在上述液晶层和上述对置电极之间设置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述对置电极之间设置的由氧化硅构成的厚度比上述第1电介质层薄的第2电介质层；其中，对上述像素电极经由上述开关元件交替地施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位；当将使上述高电位和上述低电位的平均电位只偏移对上述像素电极施加上述高电位时由于上述开关元件的寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时由于上述寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量的电位设为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位低。
2.一种液晶装置，其特征在于，具备 像素电极；与上述像素电极电气连接的开关元件；与上述像素电极相对配置并被施加对置电极电位的对置电极；在上述像素电极和上述对置电极之间设置的液晶层；在上述液晶层和上述像素电极之间设置的第1取向膜；在上述第1取向膜和上述像素电极之间设置的由氧化硅构成的第1电介质层；在上述液晶层和上述对置电极之间设置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述对置电极之间设置的由氧化硅构成的厚度比上述第1电介质层厚的第2电介质层；其中，对上述像素电极经由上述开关元件交替地施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位；当将使上述高电位和上述低电位的平均电位只偏移对上述像素电极施加上述高电位时由于上述开关元件的寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时由于上述寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量的电位设为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位高。
3.一种液晶装置，其特征在于，具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板相对配置的具备对置电极的对置基板； 在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层； 在上述元件基板的上述液晶层的一侧设置的第1取向膜； 在上述对置基板的上述液晶层的一侧设置的第2取向膜；在上述像素电极和上述第1取向膜之间设置的膜厚度比上述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高的由SiO2构成的第1电介质膜；以及在上述对置电极和上述第2取向膜之间设置的膜厚度比上述第1电介质膜薄且电阻率比上述液晶层高的由SiA构成的第2电介质膜；其中，对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引起的闪烁的对置电极电位；对上述像素电极在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压；在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成的规定期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度长。
4.一种液晶装置，其特征在于，具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板相对配置的具备对置电极的对置基板； 在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层； 在上述元件基板的上述液晶层的一侧设置的第1取向膜； 在上述对置基板的上述液晶层的一侧设置的第2取向膜；在上述像素电极和上述第1取向膜之间设置的膜厚度比上述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高的由SiO2构成的第1电介质膜；以及在上述对置电极和上述第2取向膜之间设置的膜厚度比上述第1电介质膜厚且电阻率比上述液晶层高的由SW2构成的第2电介质膜；其中，对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引起的闪烁的对置电极电位；对上述像素电极在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压；在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成的规定期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度短。
5.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，上述第1电介质层和第2电介质层的厚度都比上述液晶层薄，并且电阻率都比上述液晶层尚ο
6.根据权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，上述第1电介质层和第2电介质层的厚度都比上述液晶层薄，并且电阻率都比上述液晶层尚ο
7.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，上述像素电极由铝构成，上述对置电极由铟锡氧化物构成。
8.根据权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，上述像素电极由铝构成，上述对置电极由铟锡氧化物构成。
9.根据权利要求3所述的液晶装置，其特征在于，上述像素电极由铝构成，上述对置电极由铟锡氧化物构成。
10.根据权利要求4所述的液晶装置，其特征在于，上述像素电极由铝构成，上述对置电极由铟锡氧化物构成。
11.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，当上述第1电介质层的厚度是75nm，上述第2电介质层的厚度是300nm时， 上述对置电极电位和上述低电位的电位差的绝对值相对上述对置电极电位和上述高电位的电位差的绝对值的比率被设定为43. 5/56. 5以上且46. 5/53. 5以下的范围。
12.根据权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，当上述第1电介质层的厚度是300nm，上述第2电介质层的厚度是75nm时， 上述对置电极电位和上述低电位的电位差的绝对值相对上述对置电极电位和上述高电位的电位差的绝对值的比率被设定为53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5以下的范围。
13.一种液晶装置的驱动方法，其特征在于，上述液晶装置具备像素电极；与上述像素电极电气连接的开关元件；与上述像素电极相对配置并被施加对置电极电位的对置电极；在上述像素电极和上述对置电极之间设置的液晶层；在上述液晶层和上述像素电极之间设置的第1取向膜；在上述第1取向膜和上述像素电极之间设置的由氧化硅构成的第1电介质层；在上述液晶层和上述对置电极之间设置的第2取向膜；以及在上述第2取向膜和上述对置电极之间设置的由氧化硅构成的厚度比上述第1电介质层薄的第2电介质层；上述驱动方法对上述像素电极经由上述开关元件交替地施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位；当将使上述高电位和上述低电位的平均电位只偏移对上述像素电极施加上述高电位时由于上述开关元件的寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时由于上述寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量的电位设为基准电位时，使上述对置电极电位比上述基准电位低。
14.一种液晶装置的驱动方法，其特征在于，上述液晶装置具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板相对配置的具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上述元件基板的上述液晶层一侧设置的第1取向膜；在上述对置基板的上述液晶层一侧设置的第2取向膜； 在上述像素电极和上述第1取向膜之间设置的膜厚度比上述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高的由SiO2构成的第1电介质膜；以及在上述对置电极和上述第2取向膜之间设置的膜厚度比上述第1电介质膜薄且电阻率比上述液晶层高的由SW2构成的第2电介质膜；上述驱动方法对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引起的闪烁的对置电极电位；对上述像素电极在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压；在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成的规定期间中，将上述第1期间的长度设定为比上述第2期间的长度长。
15.一种液晶装置的驱动方法，其特征在于，上述液晶装置具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板相对配置的具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上述元件基板的上述液晶层一侧设置的第1取向膜；在上述对置基板的上述液晶层一侧设置的第2取向膜； 在上述像素电极和上述第1取向膜之间设置的膜厚度比上述液晶层薄且电阻率比上述液晶层高的由SiO2构成的第1电介质膜；以及在上述对置电极和上述第2取向膜之间设置的膜厚度比上述第1电介质膜厚且电阻率比上述液晶层高的由SW2构成的第2电介质膜；上述驱动方法对上述对置电极施加被设定为降低由于上述开关元件的寄生电容而引起的闪烁的对置电极电位；对上述像素电极在以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性、低位的电压设为负极性时交替地施加上述正极性的电压和上述负极性的电压；在由上述正极性的电压被施加的第1期间和上述负极性的电压被施加的第2期间构成的规定期间中，将上述第1期间的长度设定为比上述第2期间的长度短。
16.根据权利要求14所述的液晶装置的驱动方法，其特征在于，当上述第1电介质膜的膜厚度和上述第2电介质膜的膜厚度的比率为1/4时，将上述第1期间的长度和上述第2期间的长度的比率设定为43. 5/56. 5以上且46. 5/53. 5以下的范围。
17.根据权利要求15所述的液晶装置的驱动方法，其特征在于，当上述第1电介质膜的膜厚度和上述第2电介质膜的膜厚度的比率为4/1时，将上述第1期间的长度和上述第2期间的长度的比率设定为53. 5/46. 5以上且56. 5/43. 5以下的范围。
18.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1所述的液晶装置。
19.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求2所述的液晶装置。
20.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求3所述的液晶装置。
21.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求4所述的液晶装置。
全文摘要
本发明涉及液晶装置、液晶装置的驱动方法和电子设备。该液晶装置对像素电极经由开关元件交替地施加相对于对置电极电位的高电位和低电位，并在将使上述高电位和上述低电位的平均电位只偏移对上述像素电极施加上述高电位时由于上述开关元件的寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时由于上述寄生电容而产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量的电位设为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位低。
文档编号G02F1/1343GK102207642SQ20111007647
公开日2011年10月5日 申请日期2011年3月29日 优先权日2010年3月29日
发明者吉田升平, 西田雅一 申请人:精工爱普生株式会社