专利名称：发光器件及背光单元的制作方法
技术领域：
本发明的实施例可涉及一种发光器件以及一种发光器件封装。
背景技术：
发光二极管(LED)为这样一种半导体，其使用化合物半导体的特性，在将电转换成红外线或光之后被用作光源或用于发送和接收信号。III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性已经在发光器件(例如发光二极管(LED)或激光二极管)的核心材料中占据主导。发光二极管(LED)具有良好的环保特性(eco-friendliness),这是由于其不包括对环境造成危险的有害物质，例如用于传统照明系统(包括白炽灯或荧光灯)的汞(Hg)。因而，由于具有长使用寿命和低功耗特性的优点，发光二极管(LED)已经取代了传统光源。
发明内容
因此，本发明实施例可提供一种能够增强照明效率以及照明强度的发光器件。在一个实施例中，发光器件包括透光衬底；发光结构，设置在所述透光衬底上，包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；导电层，设置在所述第二导电类型半导体层上；第一电极部，设置在所述导电层上，该第一电极部具有至少一预定区域，该预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触；以及第一绝缘层，设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间和所述有源层与所述第一电极部之间。该发光器件还可包括第二电极部，设置在所述导电层上。所述第一电极部可包括第一焊盘部，设置在所述第一绝缘层上；第一延伸部，设置在所述第一绝缘层上，从所述第一焊盘部延伸出去；至少一个第一接触电极，连接到所述第一延伸部，穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触。在另一个实施例中，发光器件可包括衬底；发光结构，设置在所述衬底上，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；导电层，设置在所述第二导电类型半导体层上；第一电极部，设置在所述导电层上，该第一电极部具有至少一预定区域，该预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触；第一绝缘层，设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间；第二电极部，设置在所述导电层上；以及第二绝缘层，设置在所述导电层与所述第二电极部之间，其中所述第二电极部的至少一预定区域穿过所述第二绝缘层而与所述导电层相接触。所述第一电极部可包括第一焊盘部，设置在所述第一绝缘层上；第一延伸部，设置在所述第一绝缘层上，从所述第一焊盘部延伸出去；以及至少一个第一接触电极，连接到所述第一延伸部，穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触。所述第二电极部可包括第二焊盘部，设置在所述第二绝缘层上；第二延伸部，设置在所述第二绝缘层上，从所述第二焊盘部延伸出去；以及至少一个第二接触电极，连接到所述第二延伸部，穿过所述第二绝缘层而与所述导电层相接触。可设置有多个第一接触电极并且所述多个第一接触电极彼此间隔开。每两个相邻所述第一接触电极之间的距离可相同。两个相邻所述第一接触电极之间的距离随着相距所述第一焊盘部越远而增大。可设置有多个第二接触电极并且所述多个第二接触电极彼此间隔开。每两个相邻所述第二接触电极之间的距离可相同。两个相邻所述第二接触电极之间的距离可随着相距所述第二焊盘部越远而增大。第一接触电极可排列在两个相邻所述第二接触电极之间。所述第一接触电极的中心可排列在两个相邻所述第二接触电极之间的中间点处。所述第二延伸部可包括分别从所述第二焊盘部沿不同方向延伸出去的第一分支指状电极和第二分支指状电极，并且连接到所述第一分支指状电极的所述第二接触电极和连接到所述第二分支指状电极的所述第二接触电极对称设置。发光器件还可包括电流阻挡层，设置在所述第二导电类型半导体层与所述导电层之间，具有至少一预定区域与所述第二电极部重叠。在另一个实施例中，背光单元包括底盖；反射板，设置在所述底盖上；光源模块，包括至少一个发光器件；导光板，设置在所述反射板正面，以引导从所述光源模块发射出的光；光学片，设置在所述导光板前部；以及显示板，设置在所述光学片前部。发光器件可以以上述实施例为依据。根据实施例的发光器件可增强照明效率和照明强度。
可参见如下附图详细描述布置和实施例，其中相同的附图标记表示相同的元件，其中图I为示出根据第一实施例的发光器件的平面图；图2为示出图I所示的发光器件沿AB方向的剖视图；图3为示出图I所示的发光器件沿CD方向的剖视图；图4为根据第二实施例的发光器件；图5为示出图4所示的发光器件沿PQ方向的剖视图；图6为示出图4所示的发光器件沿丽方向的剖视图； 图7示出根据图4所示的第一接触电极和第二电极的第一实施例的布置；图8示出根据图4所示的第一接触电极和第二电极的第二实施例的布置；
图9示出根据示例性实施例的发光器件封装；以及图10示出根据示例性实施例的包括发光器件的照明系统。图11示出根据实施例的显示器件。
具体实施方式
在下文中，将结合附图描述实施例。应当理解，当表示元件是在另一元件“之上”或“之下”时，其可以直接位于该元件之上/之下，或者也可以存在一或多个中间元件。当表示元件是“之上”或“之下”时，能够基于该元件而包括“在该元件之下”以及“在该元件之上”。每个元件的尺寸被放大、省略或示意性地示出。并且,每个元件的尺寸不必反映其实际尺寸。在附图中始终用相同的附图标记将表示相同或相似的部件。在下文中，将参见附图描述实施例。图I为示出根据第一实施例的发光器件100的平面图。图2为示出图I所示的发光器件100沿AB方向的剖视图，图3为示出图I所示的发光器件100沿CD方向的剖视图。参见图I-图3，发光器件100可包括衬底110、发光结构120、电流阻挡层125、导电层130、第一绝缘层135、至少一个第一接触电极145-1到145-3、第一电极140以及第二电极150。这里,第一接触电极145-1到145-3以及第一电极140可组成第一电极部101。衬底110可为透光衬底并且其可从包括蓝宝石衬底(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、导电衬底以及GaAs的组中进行选择。不平坦图案(unevennesspattern) 115可形成在衬底110的上表面上，以提高光提取效率。发光结构120可包括依序层叠在衬底上的第一导电类型半导体层122、有源层124以及第二导电类型半导体层126。此时，第一导电类型可为“η”型并且第二导电类型可为“P”型，并且实施例可不限于此。在衬底110和发光结构120之间可使用II-VI族化合物半导体(例如ZnO层(未示出)、缓冲层(未示出)以及未掺杂半导体层(未示出)的至少其一)形成层或图案。缓冲层或未掺杂半导体层可由III-V族化合物半导体形成。缓冲层可降低相对于衬底110的晶格常数的差异，并且未掺杂半导体层可由未掺杂GaN基半导体形成。第一导电类型半导体层122可为氮化物基半导体层，例如为从InAlGaN、GaN、AlGaN, InGaN, AIN、InN以及AlInN中选择其一所形成的层，其中掺杂有η-掺杂物(例如Si、Ge 以及 Sn)。有源层124可以由III-V族化合物半导体形成单或多量子阱结构、量子-线结构或量子点结构。当有源层124形成量子阱结构时，有源层124可具有包括阱层和势垒层的单或多量子讲结构，该讲层具有InxAlyGa1IyN (Ox+y ( I)的实验分子式，该势鱼层具有InaAlbGa1Ib (O a+b ( I)的实验分子式。讲层可由带隙比势鱼层的带隙低的材料形成。第二导电类型半导体层126可为氮化物基半导体层，例如为从InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN以及AlInN中选择一种材料所形成的层，其上掺杂有P-掺杂物(例如 Mg、Zn、Ca、Sr 以及 Ba)。
电流阻挡层125可设置在第二导电类型半导体层126的预定区域上，以防止电流仅聚集在发光结构120的一个点上。电流阻挡层125可由用于阻挡电流的绝缘材料(例如氧化物层)形成。例如，电流阻挡层125可由Si02、SiNx, TiO2, Ta2O3> SiON以及SiCN的至少之一形成。 电流阻挡层125可与在下文中将要详细描述的第二电极150重叠。换言之，电流阻挡层125可设置在第二导电类型半导体层126上，与第二电极150对应。导电层130可设置在第二导电类型半导体层126上。此时，导电层130可覆盖设置在第二导电类型半导体层126上的电流阻挡层125。导电层130可用来提高光提取效率。导电层130可由针对发光波长具有高透射率的透明氧化物基材料形成，这些透明氧化物基材料例如为氧化铟锡(ITO)，氧化锡(TO)，铟锌氧化物(IZO)，铟锡锌氧化物(ITZO)以及氧化锌(ZnO)。第一电极部101可设置在导电层130上，并且穿过导电层130、第二导电类型半导体层126以及有源层的第一电极部101的至少一个预定区域可与第一导电类型半导体层122接触。第一电极部101可包括第一电极140以及至少一个第一接触电极145-1到145_3。第一电极140可具有第一焊盘部142以及第一延伸部144。穿过导电层130、第二导电类型半导体层126以及有源层的至少一个第一接触电极145-1到145-3可与第一导电类型半导体层122接触。例如，至少一个第一接触电极145-1到145-3的一端可与第一导电类型半导体层122接触，并且其另一端针对导电层130可以是隔开(open)的。至少一个第一接触电极145-1到145-3可以由这样的导电材料形成单或多层结构，所述导电材料例如为 Ti,A1>A1 合金、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Al 合金、Au、Hf、Pt、Ru和Au、或这些元素的合金至少之一。此时,欧姆层(ohmic layer) 106可以插入设置在至少一个第一接触电极145-1到145-3与第一导电类型半导体层122之间。例如，欧姆层106可为与第一导电类型半导体层122欧姆接触的材料，并且其可由包括ΙΤ0、Ni、Cr、Ti、Al、Pt和Pd的导电氧化物层形成。第一电极140可设置在第一接触电极145-1到145_3和导电层130的预定区域上，以与第一接触电极145-1到145-3连接。第一绝缘层135可设置在第一电极140与导电层130之间，以防止第一电极140与导电层130之间的电接触。第一电极140可包括设置在导电层130的预定区域上的第一焊盘部142以及从第一焊盘部142延伸出的第一延伸部144。此时，第一焊盘部142可为第一电极的设置有第一焊盘的那部分。第一延伸部144可为从第一焊盘部分支出去以与至少一个第一接触电极145-1到145-3电接触的另一部分。例如，第一焊盘部142可为接合有导线(用以从外部供应第一电力)的区域。第一延伸部144从第一焊盘部142分支出去之后可沿第一方向延伸，以与至少一个第一接触电极145-1到145-3相接触。发光结构120可具有四个角191到194并且第一方向可从第一角191朝向第四角194。第一焊盘部142和第一延伸部144可由相同材料形成并且它们可彼此整体形成。图I所示的第一延伸部144可配置为朝向第一焊盘部142分支出去的分支指状电极。本实施例可不限于此，并且第一延伸部144可具有两个或更多分支指状电极。第一延伸部144的宽度可为5. Oum 20um。第一接触电极145-1到145-3的宽度(W2)(或直径)可等于或大于第一延伸部144的宽度(Wl)。例如，第一延伸部144的宽度(Wl)与第一接触电极的宽度(W2)的比率(W2/W1)可为I I. 5。图I示出三个第一接触电极，而第一实施例可不限于此。此时，三个第一接触电极145-1到145-3可与第一焊盘部142间隔开，并且每一个第一接触电极145-1到145-3可彼此间隔开。每两个相邻的第一接触电极之间(例如145-1和145-2之间和145_2与145_3之间)的距离(例如al和a2)可形成为相同(al = a2)。然而，第一实施例可不限于此。根据另一实施例，两个相邻的第一接触电极之间(例如145-1和145-2之间和145-2与145-3之间)的距离可彼此不同(al Φ a2)。例如，随着它们更接近第一焊盘部142，两个相邻的第一接触电极之间(145-1和145-2之间和145-2与145-3之间)的距离可以更大(al > a2)同时。发光器件的区域越接近第一焊盘部142，电流可能就更拥挤(crowd)。由于此原因，位置相对更接近第一焊盘部142的两个相邻第一接触电极145-1和145-2之间的距离(al)可相对较大，而位置相对远离第一焊盘部142的另两个145-2与145-3之间的距离(a2)可相对较小，以降低电流拥挤。电流可从第一焊盘部向远处散布并且可获得均匀的发光分布。这种均匀的发光分布可导致发光效率的增加。例如，相邻两个第一接触电极145-1和145-2之间的第一距离(al)可大于另两个145-2与145-3之间的距离(a2)。此时，第一距离(al)的空间可比第二距离(a2)的空间更接近第一焊盘部142。至少一个第一接触电极145-1到145-3可以形成为栓柱形状(具有填充有导电材料的通孔)，并且其截面形状可为圆形、椭圆形、三角形、矩形以及五角形等。例如，当第一接触电极145-1到145-3的剖面为矩形时，横向边与竖直边的比可为I 10，并且实施例可不限于此。至少一个第一接触电极145-1到145-3以及第一电极140可以由相同材料形成，并且它们可彼此整体形成。例如，第一延伸部144可具有经由导电层130、第二导电类型半导体层126以及有源层分支出去的至少一个第一接触电极145-1到145-3，以与第一导电类型半导体层122相接触。根据第一实施例，三个第一接触电极145-1到145-3彼此间隔开预定距离，从第一延伸部144分支出去，并且根据实施例其数量可不限于此。第一绝缘层135可设置在至少一个第一接触电极145-1到145_3与导电层130、第二导电类型半导体层126和有源层之间，以使至少一个第一接触电极145-1到145-3与导电层130、第二导电类型半导体层126和有源层124电绝缘。例如，第一绝缘层135可设置在穿过导电层130、第二导电类型半导体层126和有源层124的区域与第一接触电极145-1到145-3的侧表面之间。第一绝缘层135可设置在第一电极140与导电层130之间以与第一电极140彼此电绝缘。例如，第一绝缘层135可设置在第一焊盘部142与导电层130之间，并且第一绝缘层135可设置在导电层130与延伸部144除了与第一接触电极145-1到145-3相接触的区域之外的其它区域之间。第一绝缘层135的厚度可为IOnm lOOOnm。第一绝缘层135可由诸如Si02、SiN, SiOx, SiOxNy, Si3N4以及Al2O3等绝缘材料形成。此外，第一绝缘层135可通过设置在导电层130与第一电极140之间的肖特基接触来实现。此时，可沉积与导电层130进行肖特基接触的第一电极140，或者可在对导电层130进行等离子体处理之后沉积第一电极140，以在导电层130与第一电极140之间形成肖特基接触。第二电极150可设置在导电层130的另一区域上。第二电极150可包括第二焊盘部152以及第二延伸部154和156。第二焊盘部152可以是第二电极的设置有第二焊盘的那部分。例如，第二焊盘部152可以是接合有导线的区域，用以从外部接收第二电源。第二延伸部154和156可以是第二电极165的从第二焊盘部152分支出去的那部分。例如，第二延伸部154和156可包括从第二焊盘部152分支出去的第一分支指状电极154以及第二分支指状电极156。第一分支指状电极154可从第二焊盘部152的预定侧分支出去，并且第二分支指状电极156可从第二焊盘部152的另一相对侧分支出去。例如，第一分支指状电极154可在沿第二方向从第二焊盘部152的预定侧分支出去之后沿第三方向分支出去。第二分支指状电极156可在沿第四方向从第二焊盘部152的另一相对侧分支出去之后沿第三方向分支出去。这里，第二方向可从发光结构120的第三角193朝向第四角。第四方向可从第四角194朝向第三角193。换言之,第二方向与第四方向相反。第三方向可从发光结构120的第四角194朝向第一角191。换言之,第三方向与第一方向相反。然而，本实施例不限于此，并且第一分支指状电极154与第二分支指状电极156可以是可变的。电流阻挡层125可设置在第二导电类型半导体层126与导电层130之间，以与第二焊盘部152、第一分支指状电极154以及第二分支指状电极156重叠。第一焊盘部142可设置在与发光结构120的第一角191与第二角192之间的第一侧表面181相邻的导电层130的区域上。第二焊盘部152可设置在与第三角193与第四角194之间的第二侧表面182相邻的导电层130的区域上。第一焊盘部142可排列在第一侧表面181的中心处，并且第二焊盘部152可排列在第二侧表面182的中心处。第一延伸部144的一端可与第二焊盘部152间隔开预定距离，并且第一延伸部144可沿第一方向从第一焊盘部142分支出去以与第二焊盘部152对齐。第一分支指状电极154可设置为在第一角191与第四角194之间与第二侧表面182和第三侧表面183相邻。第二分支指状电极156可设置为在第二角192与第三角193之间与第二侧表面182和第四侧表面184相邻。第一延伸部144可位于第一分支指状电极154与第二分支指状电极156之间。第一延伸部144可与沿第二方向的第一分支指状电极154和沿第三方向的第二分支指状电极156部分重叠。在传统发光器件中，发光结构可被MESA-蚀刻而对应于η-电极。然而,在根据第一实施例的发光器件100中，仅导电层130 (此处至少一个第一接触电极145-1到145-3可以设置为与第一导电类型半导体层122相接触)可具有穿通结构。由于此原因，发光器件 100的有效照明面积可相对增加，并且照明强度可增强。并且，由于照明面积增加，还可降低需要获得期望照明强度的驱动电流。并且，根据第一实施例，除了第一接触电极145-1到145-3之外，导电层130可不仅设置在第一焊盘部142下方，还可以设置在第一延伸部144下方。由于此原因，设置导电层130的区域可增加，并且提供空穴的区域可扩大。结果是，照明面积可增加。图4示出了根据第二实施例的发光器件200。图5为示出图4所示的发光器件200沿PQ方向的剖视图。图6为示出图4所示的发光器件200沿丽方向的剖视图。与图I所示的实施例的元件相同的元件具有相同的附图标记并且因此将省略其重复描述。参见图4到图 6，发光器件200可包括衬底110、发光结构120、电流阻挡层125、导电层130、第一绝缘层135、第一电极部101-1、第二电极部150-1和170-1到170-6、以及第二绝缘层410。参见图4到图6，导电层130可设置在设置有电流阻挡层125的第二导电类型半导体层126上。第一电极部101-1可包括第一电极140-1和至少一个第一接触电极145_1和145-3。第一电极140-1可包括第一焊盘部142和第一延伸部144-1。第二实施例的第一电极140-1可包括彼此间隔开预定距离的两个第一接触电极145-1和145-3，并且本实施例可不限于此。可提供两个或更多个第一接触电极。除了第一接触电极的数量之外，根据第二实施例的第一电极140-1可与根据第一实施例的第一电极140相同。第二电极部150-1和170-1到170_6可设置在导电层130的另一区域上。第二绝缘层410可设置在第二电极部150-1和170-1到170-6与导电层130之间。第二电极部150-1和170-1到170-6的至少一个预定区域可穿过第二绝缘层410而与导电层130接触。第二电极部150-1和170-1到170-6可包括第二电极150-1和至少一个第二接触电极170-1到170-6。在图4示出的实施例中，包括多个第二接触电极170-1到170-6，而本实施例不限于此。第二电极150-1可包括第二焊盘部152和第二延伸部154_1和156_1。第二焊盘部152可设置在第二绝缘层410上。第二延伸部154-1和156-1可设置在第二绝缘层410上，从第二焊盘部152延伸出去。第二延伸部154-1和156-1可包括第一分支指状电极154-1和第二分支指状电极156-1。此时,第一分支指状电极154-1和第二分支指状电极156-1可参见图I所述来进行分支。第二绝缘层410可设置在第二电极150-1和导电层130之间，并且该第二绝缘层410可使第二电极150-1和导电层130彼此绝缘。例如，第二绝缘层410可设置在第二焊盘部152与导电层130之间以及在第二延伸部154-1和156-1与导电层130之间。第二绝缘层410和第一绝缘层135可由相同材料形成，整体形成为单个层。第二绝缘层410的厚度可与第一绝缘层135的厚度相同。第二接触电极170-1到170-6可与导电层130接触，通过第二绝缘层410，以与第二延伸部154-1和156-1连接。第二接触电极170-1到170-6的宽度(或直径)可等于或大于第二延伸部154-1和156-1的宽度。第二延伸部154-1和156-1可与第二接触电极170-1到170-6连接。第二绝缘层410可设置在第二接触电极170-1到170-3与导电层130之间，以使它们(170-1到170-3和130)彼此电绝缘。例如，第二接触电极170-1到170-3可从第一分支指状电极154_1分支出去，以通过第二绝缘层410与导电层130接触。此时，第二接触电极170-1到170-3可设置为彼此
间隔开预定距离。
每两个相邻的第二接触电极之间(例如170-1和170-2之间和170_2与170_3之间)的距离可相同(bl = b2)。然而，本实施例不限于此。根据另一实施例，每两个相邻的第二接触电极之间(例如170-1和170-2之间和170-2与170-3之间)的距离可不同(bl Φ b2)。例如，随着它们更接近第二焊盘部152，两个相邻的第二接触电极之间(170-1和170-2之间和170-2与170- 3之间)的距离可以更大(bl > b2)。例如，两个相邻的第二接触电极之间(170-1和170-2之间)的距离(bl)可大于另两个相邻的第二接触电极(170-2与170-3)之间的距离(b2) (bl > b2)。两个相邻的第二接触电极170-1到170-6之间的距离彼此不同的原因在于降低发光器件100更接近第二焊盘部152的区域中更为拥挤的电流可能产生的电流拥挤。第二接触电极170-4到170-6可从第二分支指状电极156_1分支出去，以通过第二绝缘层410与导电层130相接触。此时，第二接触电极170-4到170-6可彼此间隔开一
定距离。每两个相邻的第二接触电极之间(例如，170-4和170-5之间以及170_5和170_6之间)的距离可相同。然而，本实施例可不限于此。根据另一实施例，每两个相邻的第二接触电极之间(例如，170-4和170-5之间以及170-5和170-6之间)的距离可彼此不同。例如，随着它们更接近第二焊盘部152，两个相邻的第二接触电极之间(170-4和170-5之间以及170-5和170-6之间)的距离可增大。图7示出图4所示的第一接触电极和第二接触电极的布置的第一实施例。参见图7，与第一分支指状电极154-1连接的第二接触电极170-1到170-3以及与第二分支指状电极156-1连接的第二接触电极170-4到170-6可对称设置。例如，第二接触电极170-1到170-3与第二接触电极170-4到170-6可沿相对于第一方向的垂直方向彼此对齐。为了让电流散布，第一接触电极145-1和145-3与第二接触电极170-1到170-6可沿相对于第一方向的垂直方向彼此不重叠。换言之，第一接触电极145-1和145-3与第二接触电极170-1到170-6可沿相对于第一方向的垂直方向彼此不对齐。第一分支指状电极154-1可包括沿第二方向从第二焊盘部152的一侧分支出去的第一部分(Fl)以及沿第三方向从第一部分(Fl)分支出去的第二部分(F2)。并且，第二分支指状电极156-1可包括沿第四方向从第二焊盘部152的另一相对侧分支出去的第三部分(GD以及沿第三方向从第三部(Gl)分支出去的第四部分(G2)。第二接触电极170-1到170-6可设置在第二部分(F2)和第四部分(G2)上，彼此间隔开预定距离。第一接触电极145-1和145-3之一可沿相对于第一方向的垂直方向设置在相邻两个第二接触电极之间。第一接触电极145-1可设置在与两个相邻第二接触电极170-2和170_3之间的中间点(Xl)对应的位置处。例如，第一接触电极145-1和145-3的中心可设置在两个相邻第二接触电极之间的中间点(XI和X2)处。图8示出根据图4所示的第一接触电极和第二接触电极的布置的第二实施例。与图7所示的实施例的元件相同的元件具有相同的附图标记并且因此将省略其重复描述。参见图8，第二接触电极170-1到170-6可设置在第一分支指状电极154_1的第二部分(F2)和第二分支指状电极156-1的第四部份(G2)上。至少一个第二接触电极610和620可设置在第一分支指状电极154-1的第一部分(Fl)和第二分支指状电极156-1的第三部分(Gl)上。根据本实施例，第一接触电极145-1和145-3与第二接触电极170-1到170-6可设置为沿相对于第一方向的垂直方向彼此不重叠。由于此原因，可增加电子供应部与空穴供应部之间的距离以使电流散布。结果是，发光器件的照明效率可增加。图9示出根据实施例的发光器件封装。参见图9，发光器件封装可包括封装体710、第一金属层712、第二金属层714、发光器件720、第一导线722、第二导线724、反射板730以及密封层740。
封装体710可具有这样一种结构，其在预定区域中形成有空腔。空腔的侧壁可以是倾斜的。封装体710可由绝缘或导热衬底(例如硅基晶片级封装、硅衬底、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN))形成。封装体710可配置为多个多层衬底。本实施例不限于封装体的上述材料、结构和形状。考虑到发光器件的散热或安装工艺，第一金属层712和第二金属层714可在封装体710的表面上彼此电性分离。发光器件720可经由第一导线722和第二导线724与第一金属层712和第二金属层714电连接。此时,发光器件720可以是上述多个实施例之一。例如，第一导线722可将图I或图4示出的发光器件100或200的第二焊盘部152电连接到第一金属层712，并且第二导线724可将第一焊盘部142电连接到第二金属层
714。反射板730可形成于在封装体710中形成的空腔的侧壁上，以使从发光器件720发出的光指向预定方向。反射板730可由反光材料(例如金属涂层或金属片)形成。密封层740可环绕位于封装体710的空腔中的发光器件720，以保护其不受外部环境影响。密封层740可由无色透明聚合物树脂材料(例如环氧树脂或硅)形成。密封层740可包括磷光剂，以改变从发光器件720发出的光的波长。根据上述实施例的至少一个发光器件可安装在发光器件封装上，并且本实施例可不限于此。根据本发明的发光器件封装可排列在衬底上。可在发光器件封装的照明路径上设置作为光学组件的导光板、棱镜片和散射片。这些发光器件封装、衬底以及光学组件可作为光学单兀。可通过包括根据本实施例的半导体发光器件或发光器件封装的显示器件、定点器件(pointing device)或照明系统,实现进一步的实施例。例如,照明系统可包括灯和街灯。图10示出包括根据实施例的发光器件的照明器件。参见图10，该照明器件可包括电源耦合部810、散热件820、发光模块830、反射镜840、罩盖850以及透镜部860。电源耦合部810可具有螺纹形状，其上端插入到外部电插座(未示出)中，并且由于电源稱合部810的上端插入到外部电插座中，其可将电源供应至发光模块830。散热件820可通过在其侧表面中形成的散热片，将从发光模块830生成的热量散发到外部。散热件820的上端可被螺纹耦合到电源耦合部810的下端。发光模块840可被固定到散热件820的底部表面,发光器件封装被安装在电路板上。此时，发光器件封装可以是根据图10所示的实施例的发光器件封装。照明器件还可包括设置在发光模块830下方的绝缘片832以及反射片834，以电保护发光模块830，并且光学组件可设置在发光模块830射出的光的传播路径上，以实现各种光学功能。 反射镜840可形成为锥状圆台形，被耦合到吸热件820的下端，并且其可反射从发光模块830射出的光。罩盖850可具有圆环形，被耦合到反射镜140的下端。透镜部860可以插入耦合到罩盖850。图10所示的照明器件可嵌入在建筑的天花板或墙壁中，以用作顶灯(downlight)。图11示出根据实施例的显示器件，其包括根据实施例的发光器件封装。参见图11，根据实施例的显示器件900可包括底盖910、设置在底盖910上的反射板920、被配置为发光的光源模块930和935、设置在反射板920正面以将从光源模块930和935发出的光导向显不器件正面的导光板940、包括设置在导光板940正面的棱镜片950和960的光学片、设置在光学片正面的显示板、连接到显示板970以将图像信号提供至显示板970的图像信号输出电路972、以及设置在显示板970正面的滤色镜980。此处，底盖910、反射板920、光源模块930和935、导光板940以及光学片可组成背光单兀。光源模块可包括衬底930以及具有根据上述实施例的发光器件100或200的发光器件封装935。这里，PCB可被用作电路板930。底盖910可容纳在图像显示器件900中设置的元件。反射板920可设置为如同附图中示出的分离元件，或者其可通过利用具有高反射率的材料涂覆导光板940的后表面或底盖910的前表面来进行设置。这里，反射板920可由可用于超薄型且具有高反射率的材料(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET))形成。导光板940可散射从发光器件封装模块发出的光，以遍及液晶显示器件的整个屏幕而均匀地分配光。结果是，导光板940可由具有高折射系数以及高透射率的材料(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)或聚乙烯(PE))形成。第一棱镜片950可由设置在支撑膜(support film)表面、具有半透明和弹性的透光聚合物形成。该聚合物可具有棱镜层(其上重复形成多个三维结构)。这里，可形成为在其中重复有波峰和波谷的条纹形的多个图案。形成在第二棱镜片960的支撑膜上的波峰和波谷的方向可与形成在第一棱镜片950的支撑膜的表面中的波峰和波谷的方向垂直。这可用于在板970的所有方向上均匀地散布从光源模块和反射板920发射的光。尽管附图中并未示出，然而可在每个棱镜片上、具有光散射粒子的保护层上、以及设置在保护膜的两个表面上的粘合剂上设置保护片。棱镜层可由从这样的组中选出的共聚物材料来形成，所述组包括聚亚安酯、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、对苯二酸酯弹性体、聚异戊二烯以及多晶硅。尽管附图中并未示出，然而可在导光板940和第一棱镜片950之间设置散射片。散射片可由聚酯及聚碳酸酯基材料形成并且可通过从背光单元入射的光的折射和散射而让光发射角变大。散射片可包括具有光散射剂的支撑层、形成在发光表面(朝向第一棱镜片)和光入射表面(朝向反射片)上的第一和第二层(不具有光散射剂)。根据实施例，散射片、第一棱镜片950和第二棱镜片960可组成光学片。光学片可配置为另一组合，例如为微透镜阵列的组合或单棱镜片和微透镜阵列的组合。显示板970可为液晶显示器。虽然以上参考本发明的多个示例性实施例而对实施例进行了描述，但应理解的是，本 领域普通技术人员可以推导出落在此公开原理的精神和范围内的大量的其它变化和实施例。更具体地，可以在此公开、附图以及所附权利要求书的范围内对元件和/或主要组合排列中的设置进行各种改变与变化。除了元件和/或设置的改变与变化之外，本发明的其他应用对本领域技术人员而言也是显而易见的。
权利要求
1.一种发光器件，包括透光衬底；发光结构，设置在所述透光衬底上，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；导电层，设置在所述第二导电类型半导体层上；第一电极部，设置在所述导电层上，该第一电极部具有至少一预定区域，该预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层和所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触；以及第一绝缘层，设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间。
2.根据权利要求I所述的发光器件，还包括第二电极部，设置在所述导电层上。
3.根据权利要求I所述的发光器件，其中所述第一电极部包括第一焊盘部，设置在所述第一绝缘层上；第一延伸部，设置在所述第一绝缘层上，从所述第一焊盘部延伸出去；至少一个第一接触电极，连接到所述第一延伸部，穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层和所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触。
4.一种发光器件，包括衬底；发光结构，设置在所述衬底上，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；导电层，设置在所述第二导电类型半导体层上；第一电极部，设置在所述导电层上，该第一电极部具有至少一预定区域，该预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层和所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触；第一绝缘层，设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间；第二电极部，设置在所述导电层上；以及第二绝缘层，设置在所述导电层与所述第二电极部之间，其中所述第二电极部的至少一预定区域穿过所述第二绝缘层而与所述导电层相接触。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一电极部包括第一焊盘部，设置在所述第一绝缘层上；第一延伸部，设置在所述第一绝缘层上，从所述第一焊盘部延伸出去；以及至少一个第一接触电极，连接到所述第一延伸部，穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第二电极部包括第二焊盘部，设置在所述第二绝缘层上；第二延伸部，设置在所述第二绝缘层上，从所述第二焊盘部延伸出去；以及至少一个第二接触电极，连接到所述第二延伸部，穿过所述第二绝缘层而与所述导电层相接触。
7.根据权利要求3或5所述的发光器件，其中设置有多个第一接触电极，并且所述多个第一接触电极彼此间隔开。
8.根据权利要求6所述的发光器件，其中每两个相邻的所述第一接触电极之间的距离相同。
9.根据权利要求6所述的发光器件，其中两个相邻的所述第一接触电极之间的距离随着相距所述第一焊盘部越远而增大。
10.根据权利要求6所述的发光器件，其中设置有多个第二接触电极并且所述多个第二接触电极彼此间隔开。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中每两个相邻的所述第二接触电极之间的距离相同。
12.根据权利要求10所述的发光器件，其中两个相邻的所述第二接触电极之间的距离随着相距所述第二焊盘部越远而增大。
13.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第一接触电极排列在两个相邻的所述第二接触电极之间。
14.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第一接触电极的中心排列在两个相邻的所述第二接触电极之间的中间点处。
15.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第二延伸部包括分别从所述第二焊盘部沿不同方向延伸出去的第一分支指状电极和第二分支指状电极，并且连接到所述第一分支指状电极的所述第二接触电极和连接到所述第二分支指状电极的所述第二接触电极对称设置。
16.根据权利要求4所述的发光器件，还包括 电流阻挡层，设置在所述第二导电类型半导体层与所述导电层之间，该电流阻挡层具有至少一预定区域与所述第二电极部重叠。
17.—种背光单兀,包括 底盖; 反射板，设置在所述底盖上； 光源模块，包括至少一个发光器件； 导光板，设置在所述反射板正面以引导从所述光源模块发射出的光； 光学片，设置在所述导光板正面；以及 显示板，设置在所述光学片正面， 其中所述发光器件包括， 衬底， 发光结构，设置在所述衬底上，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层； 导电层，设置在所述第二导电类型半导体层上； 第一电极部，设置在所述导电层上，该第一电极部具有至少一预定区域，该预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触；第一绝缘层，设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间；第二电极部，设置在所述导电层上；以及第二绝缘层，设置在所述导电层与所述第二电极部之间，以及 所述第二电极部的至少一预定区域穿过所述第二绝缘层而与所述导电层相接触。
全文摘要
本发明公开了一种发光器件及背光单元，该发光器件包括透光衬底；发光结构，设置在所述透光衬底上，包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；导电层，设置在所述第二导电类型半导体层上；第一电极部，设置在所述导电层上，具有至少一预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触；以及第一绝缘层，设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间。本发明的发光器件能够增强照明效率和照明强度。
文档编号G02F1/13357GK102623602SQ201210022699
公开日2012年8月1日 申请日期2012年1月20日 优先权日2011年1月27日
发明者罗珉圭, 金明洙, 金省均 申请人:Lg伊诺特有限公司