一种纳米压印方法

文档序号:2703033阅读:694来源:国知局
一种纳米压印方法
【专利摘要】本发明公开了一种纳米压印方法,包括如下步骤:(1)将单体溶液滴在要压印的衬底上;(2)将模板压到衬底上,使单体溶液分散开并填充模板中的空腔;(3)将步骤(2)所得的模板和衬底放入纳米压印机中,当衬底和模板光学对准后,用紫外光透过模板照射压印区域,固化成型后,移去模板;(4)刻蚀残留层和进行图案转移。本发明提供的纳米压印方法操作步骤简单,使用方便、灵活,具有环保高效等优点,有利于推广应用。
【专利说明】一种纳米压印方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及微加工领域,具体涉及一种纳米压印方法。
【背景技术】
[0002]目前,纳米压印主要分为热压印和紫外光固化压印两种类型。传统的热压印需要在高温高压的条件下实现,而且即使在高温、高压的条件下,仍然可能导致聚合物不能完全填充印章腔体,这种方法不仅降低了工作效率而且得到的产品效果不稳定;传统的紫外光固化压印工艺较为繁琐且加工难度大,成本高,不利于推广应用。

【发明内容】

[0003]发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供的纳米压印方法,简单易行、成本低,适于推广应用。
[0004]技术方案:为解决上述技术问题,本发明的采用的技术方案为:一种纳米压印方法,包括如下步骤:
[0005]( I)将单体溶液滴在要压印的衬底上;
[0006](2)将模板压到衬底上,使单体溶液分散开并填充模板中的空腔;
[0007](3)将步骤(2)所得的模板和衬底放入纳米压印机中,当衬底和模板光学对准后,用紫外光透过模板照射压印区域,固化成型后,移去模板;
[0008](4)刻蚀残留层和进行图案转移。
[0009]作为优选,所述步骤(2)中将模板压到衬底上的压力为I?80N。
[0010]作为优选,所述单体溶液为甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯中的一种或几种。
[0011]作为优选,所述的模板可由硅、二氧化硅、碳化硅、氮化硅中的一种制成。
[0012]有益效果:本发明提供的纳米压印方法只需要一个模板,通过循环加工,即可在整个圆片上得到图案,降低了制造成本;操作步骤简单,使用方便、灵活,具有环保高效等优点,有利于推广应用。
【具体实施方式】
[0013]实施例一:
[0014]一种纳米压印方法,包括如下步骤:
[0015](I)将单体溶液滴在要压印的衬底上;
[0016](2)将模板压到衬底上,使单体溶液分散开并填充模板中的空腔;
[0017](3)将步骤(2)所得的模板和衬底放入纳米压印机中,当衬底和模板光学对准后,用紫外光透过模板照射压印区域,固化成型后,移去模板;
[0018](4)刻蚀残留层和进行图案转移。
[0019]所述步骤(2)中将模板压到衬底上的压力为40N。[0020]所述单体溶液为甲基丙烯酸甲酯。
[0021]所述的模板由硅制成。
[0022]实施例二:
[0023]一种纳米压印方法,包括如下步骤:
[0024]( I)将单体溶液滴在要压印的衬底上;
[0025](2)将模板压到衬底上,使单体溶液分散开并填充模板中的空腔;
[0026](3)将步骤(2)所得的模板和衬底放入纳米压印机中,当衬底和模板光学对准后,用紫外光透过模板照射压印区域,固化成型后,移去模板;
[0027](4)刻蚀残留层和进行图案转移。
[0028]所述步骤(2)中将模板压到衬底上的压力为60N。
[0029]所述单体溶液为丙烯酸甲酯。
[0030]所述的模板由碳化硅制成。
[0031]以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本【技术领域】的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种纳米压印方法,其特征在于,包括如下步骤: (1)将单体溶液滴在要压印的衬底上; (2)将模板压到衬底上,使单体溶液分散开并填充模板中的空腔; (3)将步骤(2)所得的模板和衬底放入纳米压印机中,当衬底和模板光学对准后,用紫外光透过模板照射压印区域,固化成型后,移去模板; (4)刻蚀残留层和进行图案转移。
2.根据权利要求1所述的纳米压印方法,其特征在于:所述步骤(2)中将模板压到衬底上的压力为I?80N。
3.根据权利要求1所述的纳米压印方法,其特征在于:所述单体溶液为甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的纳米压印方法,其特征在于:所述的模板可由硅、二氧化硅、碳化娃、氮化娃中的一种制成。
【文档编号】G03F7/00GK103513511SQ201310511050
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年10月25日 优先权日:2013年10月25日
【发明者】王晶 申请人:无锡英普林纳米科技有限公司
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