测试图形设计方法及opc优化方法
【专利摘要】本发明提供了一种测试图形设计方法及OPC优化方法，首先分别根据设计规格的最小线宽和最小面积进行测试图形设计，然后对得到所有的测试图形执行光学临近修正处理，并根据处理结果制作测试掩膜版，利用所述测试掩膜版进行曝光/量测，最后根据量测结果对光学临近修正处理进行优化，进而可避免在光刻中出现倒胶现象，提高光刻工艺。
【专利说明】测试图形设计方法及OPC优化方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及微电子光学临近修正领域，具体涉及一种测试图形设计方法及OPC优
化方法。
【背景技术】
[0002]在深亚微米光刻过程中，经常会碰到一些超过某一曝光条件下解析能力的图形，这些图形主要来自以下两个方面:
[0003]很多掩模版层次(比如离子注入层)是通过不同层之间逻辑运算获得的，然而一些设计者没有考虑这些逻辑运算的影响，由此会给这些逻辑运算产生的层次带来很多违反设计规则的图形，比如过小的尺寸或者偏小的图形面积。
[0004]设计者在设计一些测试芯片时，为了得到最佳的电性参数，往往进行尺寸分批，由此引入一些违反设计规则的图形，这些图形可能导致光刻过程中光刻胶剥落或者倒塌，如果这些倒塌的光刻胶在显影过程中覆盖在正常的图形上，就形成了光刻缺陷，导致最终图形缺陷而影响良率。这些违反设计规则图形在曝光时可能会在晶片上形成3种情况:一是图形完整的成像并不会造成任何缺陷，二是图形虽然成像但是由于图形质量不佳或者光刻胶尺寸太小而导致光刻胶图形不能稳定的附着于晶片表面，三是由于掩模版图形尺寸过小而完全不能在晶片上成像。对于光刻工艺来说，第二种情况是很容易导致光刻后缺陷的，因为光刻胶尺寸过小或者面积太小容易导致光刻胶倒塌并在后续过程中飘移到其它正常的图形上，从而引起新的图形缺陷。
[0005]为了避免或尽量减少光刻胶倒塌或者剥落情况的产生，需要在掩模版制作前对一些违反设计规则图形进行预处理，然而如果需要准确的找到那些图形会导致这些缺陷，必须有一套完善的测试图形，能够准确描述不同图形在特定光刻条件下的成像情况，从而可以定义在该光刻条件下图形倒胶的风险。
[0006]在光罩出版前对这些图形进行检查并改进有利于减少倒胶现象的发生，然而光刻工艺人员很难准确的判断哪些图形容易在特定的光刻条件下产生倒胶现象。
【发明内容】
[0007]本发明提供了一种测试图形设计方法，分别以设计规格最小线宽和最小面积进行测试图形设计，其中，以设计规格最小线宽进行测试图形设计时，画出单条或多条线条图形作为测试图形，其中，所述设计规格最小线宽为每条线条图形的最大线宽Wmax，同时各所述线条具有一最小线宽Wmin，各所述线条的线长尺寸为一定值L ；
[0008]I)画出一条独立线条图形作为初始图形，该线条初始线宽为最大线宽Wmax，以步长Wt逐渐减小该线条的线宽，并保证该独立线条的线宽大于最小线宽Wmin，得到一组测试图形；
[0009]2)画出具有至少两条线条的线条图形作为初始图形，各所述线条初始线宽为最大线宽Wmax,且相邻两线条之间的间距为N ；[0010]以步长Wn逐渐增大相邻两线条之间的间距，并使得相邻两线条之间的间距与线宽保证一比例，得到一组测试图形；
[0011]然后以步长Wt逐渐减小线条的线宽，并以步长Wn逐渐减小相邻线条之间的间距，并使得相邻两线条之间的间距与线宽保证一比例，得到其他测试图形；
[0012]在每个测试图形上进行标记，标记图形有一最小线宽。
[0013]上述的图形设计方法，其中，相邻两线条之间的间距与线宽之间的比值为0.8~
3.0。
[0014]上述的图形设计方法,其中，每步步长WT=Wmax/20。
[0015]上述的图形设计方法，其中，每步步长Wn=Wmax/10。
[0016]上述的图形设计方法，其中，最小线宽尺寸Wmin与最大线宽尺寸Wmax的比例根据工艺需求而设定。
[0017]上述的图形设计方法，其中，所述标记图形的最小线宽为2謂_。
[0018]以设计规格最小面积设计进行测试图形设计，设计规格最小面积即为每个矩形图形的最大面积Smax，且最小面积为Smin ;同时保证该矩形的边长大于设计规定的最小线宽，
[0019]画出一矩形图形，该矩形图形初始面积为Smax，并定义该矩形的长
【权利要求】
1.一种测试图形设计方法，其特征在于，以设计规格最小线宽进行测试图形设计，画出单条或多条线条图形作为测试图形，其中，所述设计规格最小线宽为每条线条图形的最大线宽wmax，同时各所述线条具有一最小线宽Wmin，各所述线条的线长尺寸为一定值L ； 1)画出一条独立线条图形作为初始图形，该线条初始线宽为最大线宽Wmax，以步长Wt逐渐减小该线条的线宽，并保证该独立线条的线宽大于最小线宽Wmin，得到一组测试图形； 2)画出具有至少两条线条的线条图形作为初始图形，各所述线条初始线宽为最大线宽Wmax，且相邻两线条之间的间距为N ； 以步长Wn逐渐增大相邻两线条之间的间距，并使得相邻两线条之间的间距与线宽保证一比例，得到一组测试图形； 然后以步长Wt逐渐减小线条的线宽，并以步长Wn逐渐减小相邻线条之间的间距，并使得相邻两线条之间的间距与线宽保证一比例，得到其他测试图形； 在每个测试 图形上进行标记，标记图形有一最小线宽。
2.如权利要求1所述的图形设计方法，其特征在于，相邻两线条之间的间距与线宽之间的比值为0.8~3.0。
3.如权利要求1所述的图形设计方法，其特征在于，每步步长WT=Wmax/20。
4.如权利要求1所述的图形设计方法，其特征在于，每步步长Wn=Wmax/10。
5.如权利要求1所述的图形设计方法，其特征在于，最小线宽尺寸Wmin与最大线宽尺寸Wfflax的比例根据工艺需求而设定。
6.如权利要求1所述的图形设计方法，其特征在于，所述标记图形的最小线宽为2*W—0
7.以设计规格最小面积设计进行测试图形设计，其特征在于，设计规格最小面积即为每个矩形图形的最大面积Smax，且最小面积为Smin ;同时保证该矩形的边长大于设计规定的最小线宽， 画出一矩形图形，该矩形图形初始面积为Smax，并定义该矩形的长
8.如权利要求7所述的测试图形设计方法，其特征在于，所述最大面积Smax为设计规格所规定的最小面积，最小面积Smin为设计规格所规定的最小线宽的平方。
9.如权利要求7所述的测试图形设计方法，其特征在于，所述步长WT=Wmax/10。
10.如权利要求7所述的测试图形设计方法，其特征在于，所述步长ST1=Smax/10。
11.如权利要求7所述的测试图形设计方法，其特征在于，所述标记图形的最小线宽为2*W—0
12.一种使用权利要求1-11所述测试图形的OPC优化方法，其特征在于，包括以下步骤: 对上述得到所有的测试图形执行光学临近修正处理，并根据处理结果制作测试掩膜版，利用所述测试掩膜版进行曝光/量测，最后根据量测结果对光学临近修正处理进行优化。
【文档编号】G03F7/20GK103676463SQ201310631878
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年11月29日 优先权日:2013年11月29日
【发明者】何大权, 夏国帅, 魏芳, 张旭昇 申请人:上海华力微电子有限公司