蚀刻速率测试控片的制作方法与重复利用方法
【专利摘要】本发明提供一种蚀刻速率测试控片的制作方法与重复利用方法，该重复利用方法包括如下步骤：步骤10、提供一已使用过的蚀刻速率测试控片；步骤20、将光阻层(4)全部去除；步骤30、在非金属膜(3)上涂布另一光阻层(4’)，将曝光位置偏离所述已被蚀刻过的测试过孔(31)对该另一光阻层(4’)进行曝光；步骤40、测量未被所述另一光阻层(4’)覆盖的非金属膜(3)的厚度H1；步骤50、对未被另一光阻层(4’)覆盖的非金属膜(3)进行一定时间T的蚀刻，形成另一测试过孔(32)；步骤60、蚀刻完成后，测量位于另一测试过孔(32)下方的非金属膜(3)的厚度H2；并根据非金属膜(3)的厚度H1与H2、及蚀刻时间T计算蚀刻速率V。
【专利说明】蚀刻速率测试控片的制作方法与重复利用方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及平面显示【技术领域】，尤其涉及一种蚀刻速率测试控片的制作方法与重 复利用方法。
【背景技术】
[0002] 平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的 平面显示器件主要包括液晶显示器件（Liquid Crystal Display, IXD)及有机电致发光显 不器件（Organic Light Emitting Display，OLED) 〇
[0003] TFT (Thin Film Transistor)基板是LCD、0LED的重要组成部分。以LCD为例，其 TFT基板包括玻璃基板、及位于该玻璃基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、源/漏极、保 护层、平坦层、像素电极、像素定义层等多个膜层，其中栅极绝缘层、半导体层、保护层、平坦 层、像素定义层等均为非金属膜层。在TFT基板的制程过程中，使用干蚀刻设备对非金属膜 层进行蚀刻，以得到各非金属膜层所需的图案，如供ΙΤ0像素电极与源/漏极连接的过孔即 通过干蚀刻将位于过孔位置的非金属膜蚀刻掉，从而可以使源/漏极接触并电性连接ΙΤ0 像素电极，达到传递信号进行显示的目的。
[0004] 现有技术条件下，在使用干蚀刻设备蚀刻非金属膜的过程中，无法监控位于孔位 置的非金属膜层是否被完全蚀刻掉，只能通过对一控片进行蚀刻速率测试的方法来计算出 完全蚀刻掉位于孔位置的非金属膜层所需要的时间。
[0005] 蚀刻速率的测试是干蚀刻设备工艺参数设定、设备保养后复机必不可少的步骤， 因此蚀刻速率测试控片的用量很大。现有的蚀刻速率测试控片的使用方法一般通过测量非 金属膜层进行干蚀刻前后的的厚度，结合蚀刻时间来计算蚀刻速率。但该现有的蚀刻速率 测试控片仅使用一次就要报废，玻璃基板也随之报废，造成了生产成本的巨大浪费，且制作 该蚀刻速率测试控片的时间较长，影响生产效率。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于提供一种蚀刻速率测试控片的制作方法，应用该方法制作的蚀 刻速率测试控片能够被重复利用。
[0007] 本发明的目的还在于提供一种蚀刻速率测试控片的重复利用方法，能够将同一蚀 刻速率测试控片重复利用多次，大幅提高玻璃基板的利用率，降低生产成本，同时缩短蚀刻 速率测试控片的制作时间，提高生产效率。
[0008] 为实现上述目的，本发明提供一种蚀刻速率测试控片的制作方法，包括如下步 骤：
[0009] 步骤1、提供一玻璃基板，并在该玻璃基板上形成金属层图形；
[0010] 步骤2、在金属层图形与玻璃基板上沉积非金属膜，该非金属膜完全覆盖基板；
[0011] 步骤3、在非金属膜上涂布一光阻层并进行曝光，将对应于非金属膜欲形成测试过 孔位置上的部分光阻层曝掉，露出非金属膜。
[0012] 所述步骤1通过成膜、曝光、蚀刻、剥离工艺形成金属层图形。
[0013] 所述非金属膜的材料为氮化硅。
[0014] 本发明还提供一种蚀刻速率测试控片的重复利用方法，包括如下步骤：
[0015] 步骤10、提供一已使用过的蚀刻速率测试控片；
[0016] 该已使用过的蚀刻速率测试控片包括玻璃基板、位于玻璃基板上的金属层图形、 位于金属层图形与玻璃基板上的非金属膜、及位于非金属膜上的光阻层；所述非金属膜具 有至少一个已被蚀刻过的测试过孔；
[0017] 步骤20、将所述光阻层全部去除；
[0018] 步骤30、在所述非金属膜上涂布另一光阻层，将曝光位置偏离所述已被蚀刻过的 测试过孔对该另一光阻层进行曝光，将对应于非金属膜欲形成另一测试过孔位置上的部分 另一光阻层曝掉，露出非金属膜；
[0019] 步骤40、使用膜厚测量设备测量未被所述另一光阻层覆盖的非金属膜的厚度H1 ; [0020] 步骤50、对未被另一光阻层覆盖的非金属膜进行一定时间T的蚀刻，形成另一测 试过孔；
[0021] 所述另一测试过孔偏离已被蚀刻过的测试过孔；
[0022] 步骤60、蚀刻完成后，使用膜厚测量设备测量位于另一测试过孔下方的非金属膜 的厚度H2 ;并根据非金属膜的厚度H1与H2、及蚀刻时间T计算蚀刻速率V。
[0023] 所述已使用过的蚀刻速率测试控片采用以下步骤制作：
[0024] 步骤100、提供一玻璃基板，并在该玻璃基板上形成金属层图形；
[0025] 步骤200、在金属层图形与玻璃基板上沉积非金属膜，该非金属膜完全覆盖基板；
[0026] 步骤300、在非金属膜上涂布一光阻层并进行曝光，将对应于非金属膜欲形成测试 过孔位置上的部分光阻层曝掉，露出非金属膜。
[0027] 所述步骤100通过成膜、曝光、蚀刻、剥离工艺形成金属层图形。
[0028] 所述非金属膜的材料为氮化硅。
[0029] 所述步骤20通过光阻剥离设备对光阻进行清洗，从而将所述光阻层全部去除。
[0030] 所述步骤30利用曝光设备的精准控制图形重合精度的功能将曝光位置偏离。
[0031] 本发明的有益效果：本发明提供的一种蚀刻速率测试控片的制作方法与重复利用 方法，通过去除非金属膜上已曝光过的光阻层，再涂布另一光阻层，并将曝光位置偏离已经 蚀刻过的测试过孔对所述另一光阻层进行曝光，使得蚀刻非金属膜形成的另一测试过孔可 用于再一次蚀刻速率测试，从而能够将同一蚀刻速率测试控片重复利用多次，大幅提高玻 璃基板的利用率，降低生产成本，同时缩短蚀刻速率测试控片的制作时间，提高生产效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0032] 下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案 及其它有益效果显而易见。
[0033] 附图中，
[0034] 图1为本发明蚀刻速率测试控片的制作方法的流程图；
[0035] 图2为本发明蚀刻速率测试控片的制作方法的步骤1的示意图；
[0036] 图3为本发明蚀刻速率测试控片的制作方法的步骤2的示意图；
[0037] 图4为本发明蚀刻速率测试控片的制作方法的步骤3的示意图；
[0038] 图5为本发明蚀刻速率测试控片的重复利用方法的流程图；
[0039] 图6为本发明蚀刻速率测试控片的重复利用方法的步骤10的示意图；
[0040] 图7为本发明蚀刻速率测试控片的重复利用方法的步骤20的示意图；
[0041] 图8为本发明蚀刻速率测试控片的重复利用方法的步骤30的示意图；
[0042] 图9为本发明蚀刻速率测试控片的重复利用方法的步骤40的示意图；
[0043] 图10为本发明蚀刻速率测试控片的重复利用方法的步骤50的示意图；
[0044] 图11为本发明蚀刻速率测试控片的重复利用方法的步骤60的示意图。
【具体实施方式】
[0045] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其技术效果，以下结合本发明的优选 实施例及其附图进行详细描述。
[0046] 请参阅图1至图4,本发明首先提供一种蚀刻速率测试控片的制作方法，该制作方 法包括如下步骤：
[0047] 步骤1、如图2所示，提供一玻璃基板1，并通过成膜、曝光、蚀刻、剥离工艺在该玻 璃基板1上形成金属层图形2。
[0048] 所述金属层图形2主要作为曝光设备的对位图形，以便于控制曝光位置。
[0049] 步骤2、如图3所示，在所述金属层图形2与玻璃基板1上沉积非金属膜3,该非金 属膜3完全覆盖基板1。
[0050] 值得一提的是，所述非金属膜3的厚度较大，以防止其在蚀刻测试过程中被蚀刻 透。
[0051] 进一步的，所述非金属膜3的材料为氮化硅。
[0052] 步骤3、如图4所示，在非金属膜3上涂布一光阻层4并使用曝光设备对该光阻层 4进行曝光，将对应于非金属膜3欲形成测试过孔位置上的部分一光阻层4曝掉，露出非金 属膜3。
[0053] 至此，完成该蚀刻速率测试控片的制作。
[0054] 使用该蚀刻速率测试控片进行蚀刻速率测试时，通过蚀刻设备对未被所述光阻层 4覆盖的非金属膜3进行一定时间的蚀刻，形成测试过孔，分别测量蚀刻前后位于测试过孔 处的非金属膜的厚度，再结合蚀刻时间便能计算出蚀刻速率。
[0055] 通过上述制作方法制得的蚀刻速率测试控片，由于其金属层图形2可作为曝光设 备的对位图形，利于控制曝光位置，因此可以在一次蚀刻速率测试完成后，先将所述光阻层 4去除，再重新涂布一层光阻层，在偏离已经蚀刻过的测试过孔的位置处曝光，以再次进行 蚀刻速率测试，因而通过该方法制作的蚀刻速率测试控片能够被重复利用。
[0056] 请参阅图5至图11，本发明还提供一种蚀刻速率测试控片的重复利用方法，包括 如下步骤：
[0057] 步骤10、如图6所示，提供一已使用过的蚀刻速率测试控片。
[0058] 该已使用过的蚀刻速率测试控片包括玻璃基板1、位于玻璃基板1上的金属层图 形2、位于金属层图形2与玻璃基板1上的非金属膜3、及位于非金属膜3上的光阻层4 ;所 述非金属膜3具有至少一个已被蚀刻过的测试过孔31。
[0059] 进一步的，该已使用过的蚀刻速率测试控片采用以下步骤制作：
[0060] 步骤100、提供一玻璃基板1，并通过成膜、曝光、蚀刻、剥离工艺在该玻璃基板1上 形成金属层图形2;
[0061] 步骤200、在金属层图形2与玻璃基板1上沉积非金属膜3,该非金属膜3完全覆 盖基板1 ;步骤300、在非金属膜3上涂布一光阻层4并进行曝光，将对应于非金属膜3欲形 成测试过孔位置上的部分光阻层4曝掉，露出非金属膜3。
[0062] 值得一提的是，所述非金属膜3的厚度较大，以防止其在蚀刻测试过程中被蚀刻 透。
[0063] 进一步的，所述非金属膜3的材料为氮化硅。
[0064] 步骤20、如图7所示，通过光阻剥离设备对光阻进行清洗，从而将所述光阻层4全 部去除。
[0065] 步骤30、如图8所示，在所述非金属膜3上涂布另一光阻层4'，并利用曝光设备的 精准控制图形重合精度的功能将曝光位置偏离，避开已被蚀刻过的测试过孔31，而在偏离 已被蚀刻过的测试过孔31的位置处对该另一光阻层4'进行曝光，将对应于非金属膜3欲 形成另一测试过孔32位置上的部分另一光阻层4'曝掉，露出完整的没有被蚀刻过的非金 属膜3。
[0066] 步骤40、如图9所示，使用膜厚测量设备测量未被另一光阻层4'覆盖的非金属膜 3的厚度H1。
[0067] 步骤50、如图10所示，使用蚀刻设备对未被另一光阻层4'覆盖的非金属膜3进行 一定时间T的蚀刻，形成另一测试过孔32。
[0068] 当然，所述另一测试过孔32偏离已被蚀刻过的测试过孔31。
[0069] 步骤60、如图11所示，蚀刻完成后，使用膜厚测量设备测量位于另一测试过孔32 下方残留的非金属膜3的厚度H2。
[0070] 然后根据金属膜3的厚度H1与H2、及蚀刻时间T计算蚀刻速率V，该蚀刻速率V 是设定正常产品蚀刻时间的依据。
[0071] 在曝光设备可控制图形重合精度的行程范围内，使用上述重复利用方法可对蚀刻 速率测试控片进行多次重复利用，大幅提高玻璃基板的利用率，降低生产成本，同时该重复 利用过程省去了所述金属层图形2与非金属膜3的制作，能够缩短蚀刻速率测试控片的制 作时间，提高生产效率。
[0072] 综上所述，本发明提供的一种蚀刻速率测试控片的制作方法与重复利用方法，通 过去除非金属膜上已曝光过的光阻层，再涂布另一光阻层，并将曝光位置偏离已经蚀刻过 的测试过孔对所述另一光阻层进行曝光，使得蚀刻非金属膜形成的另一测试过孔可用于再 一次蚀刻速率测试，从而能够将同一蚀刻速率测试控片重复利用多次，大幅提高玻璃基板 的利用率，降低生产成本，同时缩短蚀刻速率测试控片的制作时间，提高生产效率。
[0073] 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术 构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利 要求的保护范围。
【权利要求】
1. 一种蚀刻速率测试控片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提供一玻璃基板（1)，并在该玻璃基板（1)上形成金属层图形（2); 步骤2、在金属层图形（2)与玻璃基板（1)上沉积非金属膜（3)，该非金属膜（3)完全 覆盖基板（1); 步骤3、在非金属膜（3)上涂布一光阻层（4)并进行曝光，将对应于非金属膜（3)欲形 成测试过孔位置上的部分光阻层（4)曝掉，露出非金属膜（3)。
2. 如权利要求1所述的蚀刻速率测试控片的制作方法，其特征在于，所述步骤1通过成 膜、曝光、蚀刻、剥离工艺形成金属层图形（2)。
3. 如权利要求1所述的蚀刻速率测试控片的制作方法，其特征在于，所述非金属膜（3) 的材料为氮化硅。
4. 一种蚀刻速率测试控片的重复利用方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤10、提供一已使用过的蚀刻速率测试控片； 该已使用过的蚀刻速率测试控片包括玻璃基板（1)、位于玻璃基板（1)上的金属层图 形（2)、位于金属层图形（2)与玻璃基板（1)上的非金属膜（3)、及位于非金属膜（3)上的 光阻层（4);所述非金属膜（3)具有至少一个已被蚀刻过的测试过孔（31); 步骤20、将所述光阻层（4)全部去除； 步骤30、在所述非金属膜（3)上涂布另一光阻层（4'），将曝光位置偏离所述已被蚀刻 过的测试过孔（31)对该另一光阻层（4'）进行曝光，将对应于非金属膜（3)欲形成另一测 试过孔位置上的部分另一光阻层（4'）曝掉，露出非金属膜（3); 步骤40、使用膜厚测量设备测量未被所述另一光阻层（4'）覆盖的非金属膜（3)的厚 度H1 ; 步骤50、对未被另一光阻层（4'）覆盖的非金属膜（3)进行一定时间T的蚀刻，形成另 一测试过孔（32); 所述另一测试过孔（32)偏离已被蚀刻过的测试过孔（31); 步骤60、蚀刻完成后，使用膜厚测量设备测量位于另一测试过孔（32)下方的非金属膜 (3)的厚度H2 ;并根据非金属膜（3)的厚度H1与H2、及蚀刻时间T计算蚀刻速率V。
5. 如权利要求4所述的蚀刻速率测试控片的重复利用方法，其特征在于，所述已使用 过的蚀刻速率测试控片采用以下步骤制作： 步骤100、提供一玻璃基板（1)，并在该玻璃基板（1)上形成金属层图形（2); 步骤200、在金属层图形（2)与玻璃基板（1)上沉积非金属膜（3)，该非金属膜（3)完 全覆盖基板（1); 步骤300、在非金属膜（3)上涂布一光阻层（4)并进行曝光，将对应于非金属膜（3)欲 形成测试过孔位置上的部分光阻层（4)曝掉，露出非金属膜（3)。
6. 如权利要求5所述的蚀刻速率测试控片的重复利用方法，其特征在于，所述步骤100 通过成膜、曝光、蚀刻、剥离工艺形成金属层图形（2)。
7. 如权利要求4所述的蚀刻速率测试控片的重复利用方法，其特征在于，所述非金属 膜（3)的材料为氮化娃。
8. 如权利要求4所述的蚀刻速率测试控片的重复利用方法，其特征在于，所述步骤20 通过光阻剥离设备对光阻进行清洗，从而将所述光阻层（4)全部去除。
9.如权利要求4所述的蚀刻速率测试控片的重复利用方法，其特征在于，所述步骤30 利用曝光设备的精准控制图形重合精度的功能将曝光位置偏离。
【文档编号】G03F7/20GK104155855SQ201410419702
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年8月22日 优先权日:2014年8月22日
【发明者】高冬子 申请人:深圳市华星光电技术有限公司