选择性去除氮化钛硬掩膜和蚀刻残留物的去除的制作方法
【专利摘要】用于剥离氮化钛硬掩膜并去除氮化钛蚀刻残留物的制剂包含胺盐缓冲剂、非环境氧化剂和其余部分，其余部分是包含水和非水液体载体的液体载体，该非水液体载体选自二甲基砜，乳酸，二醇，以及包括但不限于环丁砜类、亚砜类、腈类、甲酰胺类和吡咯烷酮类的极性非质子溶剂。制剂的pH<4，优选<3，更优选<2.5。含有水作为液体载体的水性溶剂和含有水与非极性非质子溶剂的半水性制剂还含有酸性氟化物。该制剂提供了高的氮化钛蚀刻速率，同时提供了对于W、AlN、AlO和低k介电材料的优异相容性。该制剂可以包含弱配位阴离子、腐蚀抑制剂和表面活性剂。系统和方法使用该制剂以剥离氮化钛硬掩膜并去除氮化钛蚀刻残留物。
【专利说明】选择性去除氮化铁硬掩膜和蚀刻残留物的去除
[0001 ]本申请要求2015年3月31日提交的美国临时申请第62/140，846号的权益。该申请 的公开内容W此援引加入。
[醒]发明背景
[0003] 随着尺度持续缩放到更小的特征尺寸，集成电路(1C)的可靠性在1C制造技术中成 为越来越关注的问题。迹线（trace)互联故障机制对器件性能和可靠性的影响对于集成方 案、互联材料和工艺产生更高的要求。需要最佳的低k介电材料及其相关的沉积、图案光刻、 蚀刻和清洁W形成双镶嵌互联图案。互联图案晶片制造的硬掩膜设计方法是W最严格的最 佳尺寸控制将图案转移至下层的能力。
[0004] 随着技术节点发展至纳米技术，金属硬掩膜材料如TiN被用来在图案蚀刻过程中 获得对低时才料更好的蚀刻/去除选择性、更好的图案保留和轮廓控制。
[0005] 已经开发出制剂来将运些类型的金属硬掩膜从衬底撤回或去除。
[0006] W下专利具有代表性。
[0007] US2013/0157472描述的制剂包含Cr，或虹^、氧化剂和可能的Cu腐蚀抑制剂W清洁 含有低k介电质和Cu的衬底并且蚀亥ijTiN或TiNxOy硬掩膜和鹤。该制剂通常含有作为氧化剂 的6%过氧化氨和将抑调节至〉7的二甘醇胺。
[000引 US2009/0131295A1描述了使用酸性或碱性氣化物或氣氨化物(bifluoride)在1-8 的抑下在等离子体蚀刻后从TiN去除硬掩膜残留物(通常含有Ti巧。
[0009] US7479474B2描述了清洁制剂，其包含也SiFs或皿F4W减少在包含低k介电质的衬 底中的氧化物蚀刻。
[0010] W02013/101907A1描述了包含蚀刻剂(包括六氣娃酸和六氣铁酸盐）、至少一种氧 化剂(包括高价金属、过氧化物或高氧化态物质)和至少一种溶剂的制剂。
【发明内容】
[0011] 本发明设及用于相对于存在的金属导体层和低k介电层，选择性蚀刻硬掩膜层和/ 或蚀刻残留物的组合物、系统和方法。更具体地，本发明设及用于相对于鹤、铜和低k介电 层，选择性蚀刻氮化铁硬掩膜和/或蚀刻残留物的组合物、系统和方法。
[001^ 在一个方面，提供用于从半导体器件选择性去除氮化铁(TiN或TiNxOy;其中x = 0至 1.3且y = 0至2)的组合物，该半导体器件包含TiN或TiNxOy和第二材料;该组合物包含：
[0013] 胺盐缓冲剂；
[0014] 非环境氧化剂;和 [001引液体载体；
[0016] 其中
[0017] 该组合物不包含过氧化氨；
[0018] 该组合物的抑<4，优选<3，更优选<2.5;
[0019] 该第二材料选自Cu、W、氮化侣(AlNx，其中x = 0.5至1)、氧化侣(AlOx，其中x=l至 1.5)、低k介电材料及其组合；W及
[0020] 该组合物提供的TiN或TiNxOy相对于该第二材料的去除选择性〉1:1，优选巧：1，更 优选>10:1。
[0021] 在另一个方面，提供用于从微电子装置的表面选择性去除氮化铁(TiN或TiNxOy，其 中x = 0至1.3且y = 0至2)的系统，该系统包括：
[0022] 包含TiN或TiNxOy和第二材料的半导体器件，
[0023] 用于从该半导体器件选择性去除TiN或TiNxOy的组合物，该组合物包含：
[0024] 胺盐缓冲剂；
[0025] 非环境氧化剂;和
[0026] 液体载体；
[0027] 其中
[00%]该组合物不包含过氧化氨；
[00巧]该组合物的抑<4,优选<3，更优选<2.5;
[0030] 该第二材料选自Cu、W、氮化侣(AlNx，其中x = 0.5至1)、氧化侣(AlOx，其中x=l至 1.5) 、低k介电材料及其组合；W及
[0031] 该组合物提供的TiN或TiNxOy相对于该第二材料的去除选择性〉1:1，优选巧：1，更 优选>10:1。
[00创在又一个方面，提供选择性去除氮化铁(TiN或TiNxOy，其中x = 0至1.3且y = 0至2) 的方法，该方法包括：
[0033] 提供包含TiN或TiNxOy和第二材料的半导体器件；
[0034] 使该半导体器件与组合物接触，该组合物包含：
[00巧]胺盐缓冲剂；
[0036] 非环境氧化剂;和
[0037] 液体载体；
[00；3引 其中
[0039] 该组合物不包含过氧化氨；
[0040] 该组合物的抑<4,优选<3，更优选<2.5;
[0041 ] 该第二材料选自Cu、W、氮化侣(AlNx，其中x = 0.5至1)、氧化侣(AlOx，其中x=l至 1.5) 、低k介电材料及其组合;和
[0042] 选择性去除TiN或TiNxOy;并且TiN或TiNxOy相对于该第二材料的去除选择性〉1:1， 优选巧：1，更优选>10:1。
[0043] 胺盐缓冲剂包括但不限于氯化锭;硫酸氨锭;憐酸锭;草酸锭;全氣横酸锭；四氣棚 酸锭;六氣铁酸锭;六氣娃酸锭;选自巧樣酸锭、乙酸锭、乳酸锭的有机酸锭盐;及其组合；
[0044] 其中锭具有N( r1r2R3R4 Γ的形式;其中r1、R2、R3、R4独立地选自Η、C出、C2也和C3出。
[0045] 非环境氧化剂包括但不限于过硫酸盐(包括但不限于过硫酸钢、过硫酸锭）；舰酸 盐;高舰酸盐;Cl(I、ni或V)化合物;Br(I、ni或V)化合物;及其组合。
[0046] 液体载体包括但不限于水和非水液体载体，非水液体载体选自二甲基讽，乳酸，二 醇，W及包括但不限于环下讽类、亚讽类、腊类、甲酯胺类和化咯烧酬类的极性非质子溶剂。 极性非质子溶剂的具体实例包括但不限于环下讽、乙腊、二甲基甲酯胺和N-甲基化咯烧酬。
[0047] 当液体载体是水时，组合物可W是水性的。水性组合物还包含酸性氣化物(acidic fluoride)ο
[0048] 当组合物含有水和至少一种非水液体载体时，组合物可W是半水性的。当非水液 体载体不是极性非质子溶剂时，半水性组合物可W还包含酸性氣化物。
[0049] 酸性氣化物包括但不限于氣化氨锭、氣化氨烷基锭(a化ylammonium bifluoride) 或水性氣化氨自身、氣娃酸、氣棚酸、水合氣侣酸(acids of hy化ated fluoroaluminates) 及其组合。组合物可W还包含具有高度分散在其整个结构中的负电荷的弱配位阴离子、腐 蚀抑制剂和表面活性剂。
[0050] 弱配位阴离子包括但不限于对甲苯横酸根（C7H8S化?、硫酸根（S〇42^、硝酸根 (胞1、立氣甲横酸根(CFsSCV)、氣代硫酸根、全氣横酸根(RfS(V;Rf是Cl至C4的全氣烷基基 团）、全氣横酷亚胺根（（Rf )2NS02^其中Rf是Cl至C4的全氣烷基基团）、六氣娃酸根(SiFs2^、 六氣铁酸根(TiF产）、四氣棚酸根(BF4^、六氣憐酸根(PFsl、六氣錬酸根(SbFsl、全氣烷基 侣酸根（（Rf〇)4Ar，Rf是全氣烷基基团）及其组合。
[0051] 本发明的其它方面、特征和实施方式将从随后的公开内容和所附权利要求更全面 地表现。
【具体实施方式】
[0052] -般地，本发明设及用于相对于存在的金属导体层和低k介电层，选择性地蚀刻硬 掩膜层和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物的组合物、系统和方法。具体地，本发明描述了具有良 好的氮化铁硬掩膜材料(TiN或TiNxOy，其中x = 0至1.3且y = 0至2)(为简单起见在下文中称 为Ti师g掩膜材料)去除速率，而不损坏金属1层(Ml)(如鹤)和包括低k介电材料W及在一些 情况下氮化侣(A1N，其中x = 0.5至1)、氧化侣(AlOx，其中x=l至1.5)介电层的其它Ml层级 (level)组分的组合物、系统和方法。
[0053] 设计用于在晶片图案化之后去除氮化铁硬掩膜材料(TiN或TiNxOy，其中x = 0至1.3 且y = 0至2)的组合物或制剂(组合物和制剂在本发明中可W交换使用)通常使用过氧化氨 作为氧化剂。如本文所用的术语"制剂"和"组合物"可W互换使用。
[0054] 用于去除氮化铁硬掩膜的设及作为氧化剂的过氧化氨的化学作用已被证明是有 效的，但表现为与晶片的Ml层中的鹤金属不相容。该制剂往往甚至比期望的Ti师g掩膜更容 易地蚀刻鹤。当使用过氧化氨作为氧化剂在略微碱性的条件下溶解氮化铁成铁过氧化物物 质时，不幸的是，Ml层级金属(如鹤)也容易形成可溶性过氧化物并受到运些化学作用的攻 山〇
[0055] 本发明的化学作用避免使用过氧化氨。也就是说，更具体地，本发明描述了用于在 28nm晶片和更小的节点上去除氮化铁硬掩膜的新型的无过氧化氨的剥离剂平台（制剂）。本 发明的运一方面产生与鹤的相容性高得多的化学作用。
[0056] 在大气条件下的空气是溫和的环境氧化剂的实例。术语"非环境氧化剂"包括不是 空气或空气中的氧的任何氧化剂。
[0057] 除非特别说明，大气条件下的空气通常在设备操作期间存在，溫和的环境氧化剂 被认为对于制剂是存在的。
[0058] 本发明在<4,优选<3,更优选<2.5的低pH下操作。制剂可W是水性（只含有水的那 些)和半水性(含有水和至少一种非水液体载体的那些)制剂二者。制剂包含胺盐缓冲剂、非 环境氧化剂、酸性氣化物源和液体载体w去除氮化铁硬掩膜而不蚀刻鹤。运种化学作用也 不蚀刻鹤与低k介电层之间的TiN内衬。胺盐缓冲剂被用来将制剂的pH维持为低于4,优选< 3，更优选<2.5。非环境氧化剂和酸性氣化物被用来有效地去除TiN。
[0059] 制剂含有胺盐缓冲剂。胺盐缓冲剂可W包括但不限于氯化锭;硫酸氨锭;憐酸锭； 草酸锭;全氣横酸锭；四氣棚酸锭;六氣铁酸锭或六氣娃酸锭(其可W由氨氧化锭与六氣娃 酸形成），或者包括但不限于巧樣酸锭、乙酸锭、乳酸锭的有机酸锭盐，及其组合。
[0060] 锭是指n(r1r2r3r4)+形式的任何胺的盐，其中1?1、护、护、於可^全部相同或不同，和/ 或可W构成Η、C出、C2也和C3出。
[0061] 胺盐缓冲剂的量在0.5-10重量％，优选1-10重量％，更优选2-8重量％的范围内。
[0062] 制剂含有非环境氧化剂，非环境氧化剂包括但不限于过硫酸盐(包括但不限于过 硫酸钢、过硫酸锭），舰酸盐，高舰酸盐，C1 (I、ΠI或V)化合物，Br (I、ΠI或V)化合物，及其组 厶 1=1 〇
[0063] 非环境非金属氧化剂W在0.2-3重量％，优选0.5-2重量％，更优选0.5-1重量％的 范围内的量使用。
[0064] 制剂含有酸性氣化物;根据氧化物(例如，〇3-原娃酸四乙醋（TE0S)层)或其他低k 介电层的稳定性，该酸性氣化物可W是<400化pm，或<200化pm，或巧OOppm的量的溶剂分解 (S 01VO1 y Z i ng)的酸性氣化物。
[0065] 该溶剂分解的酸性氣化物可W包括但不限于氣化氨锭、氣化氨烷基锭或水性氣化 氨本身、氣娃酸、氣棚酸和水合氣侣酸。
[0066] 制剂还包含液体载体。该液体载体可W包括但不限于水和非水液体载体，该非水 液体载体选自二甲基讽，乳酸，二醇，W及包括但不限于环下讽类、亚讽类、腊类、甲酯胺类 和化咯烧酬类的极性非质子溶剂。极性非质子溶剂的具体实例包括但不限于环下讽、乙腊、 二甲基甲酯胺和N-甲基化咯烧酬。
[0067] 制剂还可W含有酸性形式或胺取代形式的弱配位阴离子。弱配位阴离子也用来将 制剂的pH维持为低于4，优选低于3，更优选低于2.5。
[0068] 弱配位阴离子具有高度分散在其整个结构中的负电荷，且因此被设计为使具有非 常高反应性的阳离子(如溶解的氮化铁的那些)稳定并保持在水性制剂中。
[0069] 弱配位阴离子可W包括但不限于对甲苯横酸根(C7化S〇3l、硫酸根(S〇42^、硝酸根 (胞1、立氣甲横酸根(CFsSCV)、氣代硫酸根、全氣横酸根(RfSCV;其中Rf是Cl至C4的全氣烧 基基团）、全氣横酷亚胺根（（Rf )2NS化-;其中Rf是Cl至C4的全氣烷基基团）、六氣娃酸根 (SiFs2-)、六氣铁酸根(TiFs2-)、四氣棚酸根(BF4-)、六氣憐酸根(PF6-)、六氣錬酸根(SbFs-)和 全氣烷基侣酸根（（Rf〇)4Ar，其中Rf是全氣烷基基团）W及它们的组合。
[0070] 弱配位阴离子的量在1-10重量％，优选2-8重量％，更优选为4-8重量％的范围内。
[0071] 制剂可W含有腐蚀抑制剂W改善对于其它金属的相容性。
[0072] 腐蚀抑制剂可W包括但不限于苯并Ξ挫或取代的苯并Ξ挫、聚乙締亚胺、儿茶酪、 半脫氨酸和脫氨酸衍生物、甘氨酸、硫脈和硫缩二脈(thiobiuret)、硅氧烷、氯化侣、氣化 侣、咪挫、Ξ挫和棚酸。
[0073] 腐蚀抑制剂W < 1 OOOOppm，优选巧00化pm，更优选< 100化pm的量使用。
[0074] 制剂还可W含有表面活性剂W提高晶片表面的可湿润性。表面活性剂的实例包括 但不限于月桂基硫酸锭和广泛的有机硫酸盐，包括对-甲苯硫酸醋的盐。表面活性剂通常w < 1 OOOppm，优选巧OOppm，更优选< 1 OOppm的量使用。
[0075] 本发明的制剂提供了 W下优点。
[0076] 1.在70°C和更低溫度下观察到高速率的氮化铁蚀刻。
[0077] 2.该制剂的水性和半水性溶液是稳定的。
[007引 3.含有低活性氣化物的制剂显示出低的TE0S蚀刻和图案化的PDEΜS⑩2.21LD 膜蚀刻。
[0079] 4.观察到低或基本上没有鹤(W)蚀刻，所W运种平台的制剂与Ml层相容，并且可W 用于清洁Ml层。
[0080] 5.该制剂不损伤鹤与低k介电层之间的TiN内衬。
[0081] 6.半水性制剂显示出与其他制剂相比的低氮化侣蚀刻。
[0082] 工作实施例已经展示出本发明的关键特征和益处。
[008；3] 工作实施例
[0084] 通过渗混如表1A中描述的组分来制备水性制剂。如表1B中描述的制备半水性制 剂。
[0085] 将不同类型的TiN、W、TE0S和典型的层间介电（ILD)材料的晶片（例如，图案化的 PDEMs 2.2)浸溃在制剂中，伴随50化pm揽拌和加热到40与70°C之间。浸溃时间根据蚀刻速 率而变化。
[0086] 通过在由Creative Design E；nginee;ring,20565Alves Drive,Cupertino,CA 95014制造的CDE RESMAP 273型台式四点探头上的薄层电阻率测定蚀刻处理前后的膜厚 度，来确定金属的蚀刻速率。通过在SCI FilmTeK楠率仪上之前和之后的厚度，来测量ILD和 TE0S的蚀刻速率。
[0087] 水性制剂示于表1A中。
[008引 表1A 「00891
[0090] 使用非水液体载体的半水性制剂示于表1B中。
[0091] 所有制剂的抑<4,除了制剂921，该制剂的抑〉4。
[0092] 表1B
[0093]
[0094] 在W下实施例和比较实施例中在40-70°C下使用该制剂进行TiN剥离研究。
[00巧]实施例1
[0096] 使用过硫酸盐作为非环境氧化剂
[0097] 在表1A和1B中示出的制剂在45和50°C下的蚀刻数据示于表2中。
[0098] 制剂92A充当比较实施例，在其中过氧化氨用作氧化剂。制剂含有作为非环境氧化 剂的0.5%过氧化氨。该制剂用3重量％氯化锭缓冲至pH~4。从制剂92A观察到最小的TiN蚀 亥IJ，同时观察到明显的鹤蚀刻。
[0099] 制剂92B充当另一个比较实施例，在其中制剂含有非环境氧化剂（即，过硫酸盐）， 但不含酸性氣化物(即，微量氣氨化物）。928的结果显示出低的TiN蚀刻速率。
[0100] 审I刷921也充当比较实施例，其中该制剂的抑〉4。制剂921提供了最小的TiN蚀刻速 率，反而提供了相对高的W蚀刻速率。
[0101] 表2.过硫酸盐制剂的蚀刻数据
[0102]
[0103] *ND-未测定
[0104] *低k-图案化的阳DMs 2.2
[0105] 水性制剂92D、E和F的数据显示出抑<4的含有非环境氧化剂（即，过硫酸盐)和酸性 氣化物（即，微量氣氨化物)的本发明制剂能够提供高的TiN蚀刻速率，同时提供对于W和低k 介电材料的优异相容性。运些制剂提供了TiN相对于W(高至17) W及TiN相对于低k介电材料 (高至>100)的良好选择性。
[0106] 对于加入了非水液体载体如环下讽(极性非质子溶剂)或二甲基讽的半水性制剂， 表2中的数据显示出抑<4的含有非环境氧化剂（即，过硫酸盐)的、含有或不含有酸性氣化物 (即，微量氣氨化物)的半水性制剂也能够提供高的TiN蚀刻速率，同时提供对于W和低k介电 材料的优异相容性。运些制剂提供了 TiN相对于W(高至10) W及TiN相对于低k介电材料(高 至>100)的良好选择性。
[0107] 此外，表2中的数据还显示出含有酸性氣化物的半水性制剂极大降低了氮化侣 (A1N)蚀刻速率，同时在巧0°C的溫度下维持了TiN相对于W、和/或TiN相对于低k介电质的良 好蚀刻选择性。制剂显示出对于A1N层的保护。
[0108] 含有极性非质子溶剂环下讽作为唯一的非水液体载体的半水性制剂在不存在酸 性氣化物的情况下(94D)极大降低了氮化侣(A1N)蚀刻速率，同时维持了 TiN相对于W、和/或 TiN相对于低k介电质的良好蚀刻选择性。制剂显示出对于A1N层的保护。
[0109] 本发明的制剂已经证实了它们对于去除Ti师更掩膜的有效性W及它们对于W、氮化 侣(A1N)和低k介电材料的良好相容性。
[0110] 本发明的半水性制剂对期望对于氮化侣或氧化侣具有相容性的系统极其有用。
[0111] 前述实施例和优选实施方式的描述应看作是说明性的，而非限制由权利要求限定 的本发明。如将容易认识到的，可W采用上述特征的众多变化和组合而不偏离权利要求中 所述的本发明。运样的变化不认为是偏离本发明的精神和范围，并且所有运样的变化都旨 在被包括在随附权利要求的范围内。
【主权项】
1. 一种用于从半导体器件选择性去除氮化钛(TiN或TiNxOy;其中x = 0至1.3且y = 0至2) 的组合物，所述半导体器件包含氮化钛和第二材料;所述组合物包含： 胺盐缓冲剂； 非环境氧化剂;和 液体载体； 其中 所述组合物不包含过氧化氢； 所述组合物的pH〈4; 所述第二材料选自Cu、W、氮化错(AINx，其中x = 0.5至1)、氧化错（AlOx，其中x = 1至 1.5)、低k介电材料及其组合；以及 所述组合物提供的TiN或TiNxOy相对于所述第二材料的去除选择性>1:1。2. 权利要求1所述的组合物，其中所述胺盐缓冲剂以0.5至10重量％的范围存在，并且 选自： 氯化铵；硫酸氢铵；磷酸铵；草酸铵；全氟磺酸铵；四氟硼酸铵；六氟钛酸铵；六氟硅酸 铵;选自柠檬酸铵、乙酸铵、乳酸铵的有机酸铵盐;及其组合； 其中所述铵具有N (RVR3R4)+的形式;其中R1、R2、R 3、R4独立地选自Η、CH3、C2H5和C 3H7。3. 权利要求1或2所述的组合物，其中所述非环境氧化剂以0.2至3重量％的范围存在， 并且选自过硫酸盐、碘酸盐、高碘酸盐、Cl (I、III或V)化合物、Br (I、III或V)化合物及其组 合，任选地所述过硫酸盐选自过硫酸钠、过硫酸铵及其组合。4. 权利要求1-3任一项所述的组合物，其中所述液体载体是水;并且所述组合物还包含 <4000ppm的酸性氟化物，所述酸性氟化物选自氟化氢铵、氟化氢烷基铵、水性氟化氢、氟硅 酸、氟硼酸、水合氟铝酸及其组合。5. 权利要求1-4任一项所述的组合物，其中所述组合物是半水性组合物，所述半水性组 合物含有包含水和至少一种非水液体载体的液体载体，所述非水液体载体选自二甲基砜， 乳酸，二醇，选自环丁砜类、亚砜类、腈类、甲酰胺类和吡咯烷酮类的极性非质子溶剂，及其 组合;并且所述组合物还包含〈4000ppm的酸性氟化物，所述酸性氟化物选自氟化氢铵、氟化 氢烷基铵、水性氟化氢、氟硅酸、氟硼酸、水合氟铝酸及其组合。6. 权利要求4或5所述的组合物，其中所述胺盐缓冲剂选自氯化铵、硫酸氢铵及其组合； 所述非环境氧化剂选自过硫酸铵、过硫酸钠及其组合;并且所述酸性氟化物选自氟化氢铵、 氢氟酸及其组合。7. 权利要求1-6任一项所述的组合物，其中所述组合物是半水性组合物，所述半水性组 合物含有由水和选自环丁砜、亚砜、腈、甲酰胺、吡咯烷酮及其组合的极性非质子溶剂组成 的液体载体。8. 权利要求7所述的组合物，其中所述胺盐缓冲剂选自氯化铵、硫酸氢铵及其组合;并 且所述非环境氧化剂选自过硫酸铵、过硫酸钠及其组合。9. 权利要求1-8任一项所述的组合物，其还包含选自弱配位阴离子和腐蚀抑制剂的至 少一种， 所述弱配位阴离子以1至10重量％的范围存在，并且选自对甲苯磺酸根(C7H8S〇n、硫酸 根(S〇42-)、硝酸根(N〇3-)、三氟甲磺酸根(CF3S〇3-)、全氟磺酸根(Rf S〇3-;其中Rf是CiSC4的全 氟烷基基团）、全氟磺酰亚胺根（（Rf )2NSO：T;其中Rf是&至(：4的全氟烷基基团）、六氟硅酸根 (31?，）、六氟钛酸根〇^?62-)、四氟硼酸根(8?4-)、六氟磷酸根(?? (〇、六氟锑酸根(56?(〇、 全氟烷基铝酸根（（Rf〇)4Ar，R f是全氟烷基基团）及其组合;和 所述腐蚀抑制剂在<2000ppm的范围中，并且选自苯并三唑或取代的苯并三唑、聚乙烯 亚胺、儿茶酚、半胱氨酸和胱氨酸衍生物、甘氨酸、硫脲和硫缩二脲、硅氧烷、氯化铝、氟化 铝、咪唑、三唑、硼酸及其组合。10. 权利要求1-9任一项所述的组合物，其中所述组合物的pH〈3;所述组合物提供的TiN 或TiNxOy相对于所述第二材料的去除选择性>5:1。11. 一种用于从微电子装置的表面选择性去除氮化钛(TiN或TiNxOy，其中x = 0至1.3且y =0至2)的系统，所述系统包括： 包含TiN或TiNxOy和第二材料的半导体器件，和 根据权利要求1-10任一项所述的用于从所述半导体器件选择性去除所述TiN或TiNxOy 的组合物； 其中所述第二材料选自Cu、W、氮化错(A1NX，其中x = 0.5至1)、氧化错(A10x，其中x=l至 1.5) 、低k介电材料及其组合。12. -种选择性去除氮化钛(TiN或TiNxOy，其中x = 0至1.3且y = 0至2)的方法，所述方法 包括： 提供包含TiN或TiNxOy和第二材料的半导体器件； 使所述半导体器件与根据权利要求1-10任一项所述的组合物接触;和 选择性去除TiN或TiNxOy; 其中 所述第二材料选自Cu、W、氮化错(AINx，其中x = 0.5至1)、氧化错（AlOx，其中x = 1至 1.5) 、低k介电材料及其组合；以及 TiN或TiNxOy与所述组合物直接接触;并且TiN或TiNxO y相对于所述第二材料的去除选择 性 >1:1〇
【文档编号】C11D7/60GK106010826SQ201610202293
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月31日
【发明人】W·J·小卡斯特尔, 稻冈诚二, 刘文达, 陈天牛
【申请人】气体产品与化学公司