产生光刻胶图案的方法和装置及其预烘装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种产生光刻胶图案的方法和装置及其预烘装置，预烘装置包括：加热板；加热控制器，与所述加热板耦接并控制所述加热板的温度；以及支撑板，通过连接部与所述加热板连接并与所述加热板成一定角度，一涂布光刻胶后的基板置于支撑板上并由所述加热板产生的热量预烘，其中，由于所述支撑板与所述加热板成一定角度，所述支撑板的两端所受到的加热板的热量产生差异。通过不同的加热温度使得光刻胶溶剂的蒸发速率不同，进而使得光刻胶与显影液的显影反应速度不同，以减少显影液涂布的时间差产生的影响，使得最后光刻胶线宽相同。
【专利说明】产生光刻胶图案的方法和装置及其预烘装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及光刻工艺，尤其涉及产生光刻胶图案的方法和预烘装置。
【背景技术】
[0002]目前，基板或基材可用以制造各种电子产品，例如玻璃基板透光基板可用以制造显示面板。以大尺寸的有机发光显示器(Organic LE Display, 0LED)面板为例，其可切割成多个有机发光显不单兀。有机发光显不单兀至少包括一阳极电极板、一发光层与一阴极电极板；其中，发光层夹于样机电极板以及阴极电极板之间形成一“三明治”(sandwich)结构。在正向电压驱动下，阳极电极板向发光层注入空穴，阴极电极板向发光层注入电子。注入的空穴和电子在发光层中相遇结合，使电子由激发态降回基态，并将多余能量以光波的形式辐射释出。
[0003]具体地，在有机发光显示器的制造中，在光刻工序中，对半导体晶片等的基板依次进行例如涂布处理工序、曝光工序、热处理工序、显影处理工序等多个工序，在基板上形成规定的光刻胶图案。在涂布处理工艺中，对基板进行清洗并涂布光刻胶来形成光刻胶，并对基板进行预烘处理以减少光刻胶中溶剂的含量并固化光刻胶。在曝光工序中，对光刻胶进行曝光形成规定的图案。在热处理工序中，在曝光后促进光刻胶的化学反应。在显影处理工序中，将曝光后的光刻胶进行显影。这一系列的处理，在搭载有涂布处理装置、热处理装置和显影处理装置等各种处理装置和基板的搬送装置等的涂布显影系统中进行。另外，在这样的涂布显影处理系统中，连续搬送例如相同处理方案的多片基板来进行处理。
[0004]进一步地，显影液涂布方式受限于设备硬件机构，显影液喷嘴开始涂布显影液至涂布结束存在一时间差。开始涂布区域光刻胶接触显影液的时间比涂布结束区域时间长，光刻胶接触显影液的时间不同。涂布开始区域光刻胶接触显影液时间长，造成线宽较细；涂布结束区域光刻胶接触显影液时间短，造成线宽较粗，最后导致光刻胶线宽不佳。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种产生光刻胶图案的预烘装置，其特征在于，包括:加热板；加热控制器，与所述加热板耦接并控制所述加热板的温度；以及支撑板，通过连接部与所述加热板连接并与所述加热板成一定角度，一涂布光刻胶后的基板置于支撑板上并由所述加热板产生的热量预烘，其中，由于所述支撑板与所述加热板成一定角度，所述支撑板的两端所受到的加热板的热量产生差异。
[0006]优选地，还包括一温度传感器，所述温度传感器连接在所述加热板与所述加热控制器之间，用于测量所述加热板的温度并传递给所述加热控制器。
[0007]优选地，所述加热板设置有电阻丝。
[0008]优选地，所述加热控制器将所述加热板的加热温度范围控制在80摄氏度至135摄氏度。
[0009]优选地，所述支撑板的两端与所述加热板之间的距离之差的范围为0.1毫米至0.5晕米。
[0010]优选地，所述支撑板的两端与所述加热板之间的最短距离的范围为0.1毫米至0.3晕米。
[0011]优选地，所述连接部为处于同一竖直面的多个所述连接钉。
[0012]优选地，所述连接部为形成多个竖直面的多个所述连接钉。
[0013]优选地，所述连接部为多个连接板，多个所述连接板与所述加热板接触的部分的长度与所述加热板的长度相同。
[0014]根据本发明的另一方面，还提供一种产生光刻胶图案的方法，其特征在于，包括:利用光刻胶喷嘴在基板上涂布光刻胶；利用本发明提供的预烘装置对所述基板进行加热，其中，所述基板各区域的受热温度不相同，并且所述基板的受热温度从所述基板的一端至另一端依次降低；将加热后的基板进行曝光以固化所述光刻胶；以及从所述基板的受热温度高的一端开始利用显影液喷嘴在所述基板涂布有所述光刻胶的一侧面上涂布显影液并显影。
[0015]优选地，所述利用光刻胶喷嘴在基板上涂布光刻胶之前还包括:对所述基板进行清洗烘干。
[0016]优选地，利用光刻胶喷嘴在基板上涂布光刻胶是静态涂胶或者动态涂胶中的一种。
[0017]优选地，所述光刻胶为正性光刻胶或者负性光刻胶。
[0018]优选地，加热后所述基板上的光刻胶的溶剂浓度降低为加热之前的3%至7%。
[0019]优选地，所述将加热后的基板进行曝光以固化所述光刻胶还包括:控制曝光能量和曝光焦距。
[0020]优选地，利用紫外线或者电子射线将加热后的基板进行曝光以固化所述光刻胶。
[0021]优选地，所述紫外线的波长为I纳米至30纳米。
[0022]优选地，所述将加热后的基板进行曝光以固化所述光刻胶之后，涂布显影液之前还包括:对所述基板进行后烘。
[0023]优选地，所述从所述基板的受热温度高的一端开始利用显影液喷嘴在所述基板涂布有所述光刻胶的一侧面上涂布显影液并显影后还包括:对所述基板进行硬烘。
[0024]优选地，所述基板为玻璃基板。
[0025]根据本发明的又一方面，还提供一种产生光刻胶图案的装置，其特征在于，包括:光刻胶涂布装置，利用光刻胶喷嘴在基板上涂布光刻胶；本发明提供的预烘装置，对所述基板进行加热，其中，所述基板各区域的受热温度不相同，并且所述基板的受热温度从所述基板的一端至另一端依次降低；曝光装置，将加热后的基板进行曝光以固化所述光刻胶；以及显影装置，从所述基板的受热温度高的一端开始利用显影液喷嘴在所述基板涂布有所述光刻胶的一侧面上涂布显影液并显影。
[0026]本发明利用预烘制程中支撑板与加热板之间的不同距离控制放置在支撑板上的基板的加热温度，并通过不同的加热温度使得光刻胶溶剂的蒸发速率不同，进而使得光刻胶与显影液的显影反应速度不同，以减少显影液涂布的时间差产生的影响，使得最后光刻胶线宽相同。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]通过参照附图详细描述其示例实施方式，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
[0028]图1示出本发明提供的产生光刻胶图案的方法的流程图；
[0029]图2示出本发明提供的产生光刻胶图案的装置的结构图；
[0030]图3示出本发明提供的第一实施例的产生光刻胶图案的预烘装置的立体图；
[0031]图4示出本发明提供的第二实施例的产生光刻胶图案的预烘装置的立体图；
[0032]图5示出本发明提供的第三实施例的产生光刻胶图案的预烘装置的立体图；
[0033]图6A示出本发明提供的产生光刻胶图案的装置的显影液涂布装置涂布显影液的过程中的变化的立体图；
[0034]图6B示出本发明提供的产生光刻胶图案的装置的显影装置涂布显影液的过程中的变化的立体图；以及
[0035]图6C示出本发明提供的产生光刻胶图案的装置的显影装置涂布显影液的过程中的变化的立体图。
[0036]附图标记
[0037]100产生光刻胶图案的装置
[0038]102光刻胶涂布装置
[0039]104曝光装置
[0040]106显影装置
[0041]200预烘装置
[0042]202加热板
[0043]204支撑板
[0044]206,210,212连接部
[0045]208加热控制器
[0046]302显影涂布控制器
[0047]304显影液喷嘴
[0048]306基板
【具体实施方式】
[0049]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0050]图1示出本发明提供的产生光刻胶图案的方法的流程图。具体地，本图共示出四个步骤。
[0051]首先是步骤S101，利用光刻胶喷嘴在基板上涂布光刻胶。
[0052]优选地，在执行步骤SlOl之前还需要对基板进行清洗。清洗制程可以除去基板表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子)和水蒸气，使基板表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性。
[0053]优选地,基板为一玻璃基板。
[0054]在一实施例中，光刻胶的涂布可以是静态涂胶，也即是在基板静止的情况下涂布光刻胶。
[0055]在一个变化例中，光刻胶的涂布可以是动态涂胶，也即是在基板移动的情况下涂布光刻胶。
[0056]其中，光刻胶可以是正性光刻胶也可以是负性光刻胶。不同类型的光刻胶在后续制程中所涂布的显影液以及加热温度都不相同，在此不予赘述。
[0057]步骤S102，利用本发明所提供的预烘装置对基板进行加热。
[0058]具体地，本发明所提供的预烘装置包括加热板、加热控制器、支撑板以及连接支撑板与加热板的多个连接钉。加热控制器与加热板连接并控制加热板的温度。支撑板通过多个连接钉与加热板连接并与加热板成一定角度。优选地，加热板设置有电阻丝并连接一温度传感器，温度传感器还与加热控制器连接。加热控制器通过温度传感器测得的加热板的实时温度对加热板的控制进行调整使得加热板的加热温度范围为80摄氏度至135摄氏度。
[0059]具体地，基板置于支撑板上并由加热板产生的热量预烘，其中，由于支撑板与加热板成一定角度，支撑板的两端所受到的加热板的热量产生差异。并且基板的受热温度从基板一端至另一端依次降低。也即是基板的受热温度从支撑板与加热板的距离最小的一端至支撑板与加热板距离最大的一端依次降低。
[0060]更具体地，经过预烘制程后基板上的光刻胶的溶剂浓度降低为预烘之前的3%至7%。
[0061]步骤S103，将加热后的基板进行曝光以固化光刻胶。
[0062]具体地，曝光中最重要的两个参数是:曝光能量(Energy)和焦距(Focus)。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。因此需要在曝光制程中控制曝光能量和曝光焦距。
[0063]在一个实施例中，利用紫外线将加热后的基板进行曝光以固化光刻胶，其中，紫外线的波长为I纳米至30纳米。
[0064]在一个变化例中，还可以利用电子束将加热后的基板进行曝光以固化光刻胶。
[0065]具体地，在曝光之后还需要对基板进行后烘制程。
[0066]后烘制程可以利用加热板对基板进行加热，加热板的温度控制在110摄氏度至130摄氏度，后烘的时间控制在I分钟左右。
[0067]后烘制程可以减少驻波效应并激发化学增强光刻胶G产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。
[0068]步骤S104，从基板的受热温度高的一端开始利用显影液喷嘴在基板涂布有光刻胶的一侧面上涂布显影液并显影。
[0069]由于涂布光刻胶后基板在本发明所提供的预烘装置中进行预烘制程，而本发明所提供的预烘装置使得基板两侧的温度不同，并且温度高的一侧光刻胶溶剂蒸发速率快，进而使光刻胶与显影液的反应速度较慢；温度低的一侧光刻胶溶剂蒸发速率慢，进而使光刻胶与显影液的反应较快。另外，因为显影液喷嘴基板的一侧移动至基板的另一侧，显影液与光刻胶的反应时间在先涂布的基板的一侧要明显长于最后涂布的基板的一侧。因此显影液起始的涂布位置是基板在预烘制程中温度最高的一侧，也就是支撑板与加热板距离最小的一侧。
[0070]具体地，在显影制程后，还对基板进行硬烘。
[0071]其中，硬烘制程可以利用加热板对基板进行加热。加热温度控制在100摄氏度至130摄氏度。加热时间控制在I至2分钟。
[0072]对基板进行硬烘可以完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂(以免在污染后续的离子注入环境)。还可以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力并进一步增强光刻胶与基板表面之间的黏附性。以及再进一步减少驻波效应。
[0073]图2示出本发明提供的产生光刻胶图案的装置的结构图。产生光刻胶图案的装置100包括光刻胶涂布装置102、预烘装置200、曝光装置104以及显影装置106。
[0074]光刻胶涂布装置102利用光刻胶喷嘴在基板上涂布光刻胶。预烘装置200对基板进行加热。具体地，本发明所提供的预烘装置包括加热板、加热控制器、支撑板以及连接支撑板与加热板的多个连接钉。加热控制器与加热板连接并控制加热板的温度。支撑板通过多个连接钉与加热板连接并与加热板成一定角度。优选地，加热板设置有电阻丝并连接一温度传感器，温度传感器还与加热控制器连接。加热控制器通过温度传感器测得的加热板的实时温度对加热板的控制进行调整使得加热板的加热温度范围为80摄氏度至135摄氏度。具体地，基板置于支撑板上并由加热板产生的热量预烘，其中，由于支撑板与加热板成一定角度，支撑板的两端所受到的加热板的热量产生差异。并且基板的受热温度从基板一端至另一端依次降低。也即是基板的受热温度从支撑板与加热板的距离最小的一端至支撑板与加热板距离最大的一端依次降低。更具体地，经过预烘制程后基板上的光刻胶的溶剂浓度降低为预烘之前的3%至7%。曝光装置104将加热后的基板进行曝光以固化光刻胶。显影装置106从基板的受热温度高的一端开始利用显影液喷嘴在基板涂布有光刻胶的一侧面上涂布显影液并显影。
[0075]由于涂布光刻胶后基板在本发明所提供的预烘装置中进行预烘制程，而本发明所提供的预烘装置使得基板两侧的温度不同，并且温度高的一侧光刻胶溶剂蒸发速率快，进而使光刻胶与显影液的反应速度较慢；温度低的一侧光刻胶溶剂蒸发速率慢，进而使光刻胶与显影液的反应较快。另外，因为显影液喷嘴基板的一侧移动至基板的另一侧，显影液与光刻胶的反应时间在先涂布的基板的一侧要明显长于最后涂布的基板的一侧。因此显影液起始的涂布位置是基板在预烘制程中温度最高的一侧，也就是支撑板与加热板距离最小的一侧。
[0076]图3示出本发明提供的第一实施例的产生光刻胶图案的预烘装置的立体图。预烘装置200包括加热板202、加热控制器208、支撑板204以及连接支撑板204与加热板202的连接部206。加热控制器208与加热板202连接并控制加热板202的温度。支撑板204通过连接部206与加热板202连接并与加热板202成一定角度。
[0077]优选地，加热板202设置有电阻丝并连接一温度传感器216，温度传感器216还与加热控制器208连接。加热控制器208通过温度传感器216测得的加热板202的实时温度对加热板的控制进行调整使得加热板202的加热温度范围为80摄氏度至135摄氏度。
[0078]在本实施例中，连接部206包括两排连接钉。两排连接钉分别置于支撑板204两个相对的边缘。两排连接钉中处于相对位置的两个连接钉的高度相同。其中，最高的连接钉的高度为0.4毫米，最低的连接钉的高度为0.2毫米。也就是说，支撑板204两端与加热板202之间的距离之差为0.2毫米。在一个变化例中，最高的连接钉的高度为0.5毫米，最低的连接钉的高度为0.1毫米。支撑板204两端与加热板202之间的距离之差的范围为0.4毫米。在又一变化例中，最高的连接钉的高度为0.4毫米，最低的连接钉的高度为0.3毫米。也就是说，支撑板204两端与加热板202之间的距离之差的范围为0.1毫米。本领域技术人员还可以实现更多的变化例，在此不予赘述。
[0079]具体地，一涂布光刻胶后的基板置于支撑板204上并由加热板202产生的热量预烘，其中，由于支撑板204与加热板202成一定角度，支撑板204的两端所受到的加热板202
的热量产生差异。
[0080]更具体地，由于产生光刻胶的图案的制造需要经过涂布光刻胶、预烘、曝光、涂布显影液并显影等制程，而涂布显影液时显影液与光刻胶的反应时间最先涂布的地方总是比最后涂布的地方要久(具体的显影液的涂布过程参见图6A、图6B以及图6C)。本发明通过预烘时对基板加热的温度差控制对显影液与光刻胶的反应速度，使得最先涂布显影液的部分反应速度小于最后涂布显影液的地方。因此使用本发明提供的预烘装置能避免产生的光刻胶图案线宽不均的问题。
[0081]图4示出本发明提供的第二实施例的产生光刻胶图案的预烘装置的立体图。与图3所示的第一实施例类似，第二实施例的预烘装置200包括加热板202、加热控制器208以及支撑板204。支撑板204与加热板202通过连接部210连接。
[0082]与第一实施例不同的是，在本实施例中，连接部210只包括一排连接钉。一排连接钉置于支撑板204与加热板202相对的表面靠近中间的部分。其中，最高的连接钉的高度为0.4毫米，最低的连接钉的高度为0.2毫米。在一个变化例中，最高的连接钉的高度为
0.5毫米，最低的连接钉的高度为0.1毫米。在又一变化例中，最高的连接钉的高度为0.4毫米，最低的连接钉的高度为0.3毫米。本领域技术人员还可以实现更多的变化例，在此不予赘述。
[0083]优选地，加热板202设置有电阻丝并连接一温度传感器216，温度传感器216还与加热控制器208连接。加热控制器208通过温度传感器216测得的加热板202的实时温度对加热板的控制进行调整使得加热板202的加热温度范围为80摄氏度至135摄氏度。
[0084]具体地，一涂布光刻胶后的基板置于支撑板204上并由加热板202产生的热量预烘，其中，由于支撑板204与加热板202成一定角度，支撑板204的两端所受到的加热板202的热量产生差异。
[0085]图5示出本发明提供的第三实施例的产生光刻胶图案的预烘装置的立体图。与图3所示的第一实施例以及图4所示第二实施例类似，第三实施例的预烘装置200包括加热板202、加热控制器208以及支撑板204。支撑板204与加热板202通过连接部212连接。
[0086]与前两个实施例不同的是，在本实施例中，连接部212包括多个连接板，每个连接板与加热板202的接触部分的长度与加热板202的长度相同。连接板从支撑板204的一端至另一端由低到高依次排列。其中，最高的连接板的高度为0.4毫米，最低的连接板的高度为0.2毫米。在一个变化例中，最高的连接板的高度为0.5毫米，最低的连接板的高度为
0.1毫米。在又一变化例中，最高的连接板的高度为0.4毫米，最低的连接板的高度为0.3毫米。本领域技术人员还可以实现更多的变化例，在此不予赘述。
[0087]优选地，加热板202设置有电阻丝并连接一温度传感器216，温度传感器216还与加热控制器208连接。加热控制器208通过温度传感器216测得的加热板202的实时温度对加热板的控制进行调整使得加热板202的加热温度范围为80摄氏度至135摄氏度。
[0088]具体地，一涂布光刻胶后的基板置于支撑板204上并由加热板202产生的热量预烘，其中，由于支撑板204与加热板202成一定角度，支撑板204的两端所受到的加热板202
的热量产生差异。
[0089]连接部的实现方式并不仅限于图3至图5所示出的三个实施例，本领域技术人员还可以实现更多的不同的连接部的实现方式，具体地，在此不予赘述。
[0090]图6A、6B以及6C分别示出本发明提供的显影装置涂布显影液的过程中的变化的立体图。其中，由于涂布光刻胶后基板306在本发明所提供的预烘装置中进行预烘制程，而本发明所提供的预烘装置使得基板306两侧的温度不同，并且温度高的一侧光刻胶溶剂蒸发速率快，进而使光刻胶与显影液的反应速度较慢；温度低的一侧光刻胶溶剂蒸发速率慢，进而使光刻胶与显影液的反应较快。另外，根据图6A至图6C所示，显影涂布控制器302控制显影液喷嘴304将显影液涂布在基板306上。因为，显影液喷嘴304从图6A所示基板306的一侧移动至基板306的另一侧(如图6C所示)，显影液与光刻胶的反应时间在先涂布的基板306的一侧要明显长于最后涂布的基板306的一侧。因此显影液起始的涂布位置是基板306在预烘制程中温度最高的一侧，也就是支撑板与加热板距离最小的一侧。
[0091]以上具体地示出和描述了本发明的示例性实施方式。应该理解，本发明不限于所公开的实施方式，相反，本发明意图涵盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。
【权利要求】
1.一种产生光刻胶图案的预烘装置，其特征在于，包括: 加热板； 加热控制器，与所述加热板耦接并控制所述加热板的温度；以及 支撑板，通过连接部与所述加热板连接并与所述加热板成一定角度， 一涂布光刻胶后的基板置于所述支撑板上并由所述加热板产生的热量预烘，其中，由于所述支撑板与所述加热板成一定角度，所述支撑板的两端所受到的加热板的热量产生差巳
2.根据权利要求1所述的预烘装置，其特征在于，还包括，一温度传感器，所述温度传感器连接在所述加热板与所述加热控制器之间，用于测量所述加热板的温度并传递给所述加热控制器。
3.根据权利要求1所述的预烘装置，其特征在于，所述加热板设置有电阻丝。
4.根据权利要求1所述的预烘装置，其特征在于，所述加热控制器将所述加热板的加热温度范围控制在80摄氏度至135摄氏度。
5.根据权利要求1所述的预烘装置，其特征在于，所述支撑板的两端与所述加热板之间的距离之差的范围为0.1毫米至0.5毫米。
6.根据权利要求1所述的预烘装置，其特征在于，所述支撑板的两端与所述加热板之间的最短距离的范围为0.1毫米至0.3毫米。
7.根据权利要求1所述的预烘装置，其特征在于，所述连接部为处于同一竖直面的多个连接钉。
8.根据权利要求1所述的预烘装置，其特征在于，所述连接部为形成多个竖直面的多个连接钉。
9.根据权利要求1所述的预烘装置，其特征在于，所述连接部为多个连接板，多个所述连接板与所述加热板接触的部分的长度与所述加热板的长度相同。
10.一种产生光刻胶图案的方法，其特征在于，包括: 利用光刻胶喷嘴在基板上涂布光刻胶； 利用权利要求1至9任一项所述的预烘装置对所述基板进行加热，其中，所述基板各区域的受热温度不相同，并且所述基板的受热温度从所述基板的一端至另一端依次降低； 将加热后的基板进行曝光以固化所述光刻胶；以及 从所述基板的受热温度高的一端开始利用显影液喷嘴在所述基板涂布有所述光刻胶的一侧面上涂布显影液并显影。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述利用光刻胶喷嘴在基板上涂布光刻胶之前还包括: 对所述基板进行清洗烘干。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，利用光刻胶喷嘴在基板上涂布光刻胶是静态涂胶或者动态涂胶中的一种。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶或者负性光刻胶。
14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，加热后所述基板上的光刻胶的溶剂浓度降低为加热之前的3%至7%。
15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述将加热后的基板进行曝光以固化所述光刻胶还包括: 控制曝光能量和曝光焦距。
16.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，利用紫外线或者电子射线将加热后的基板进行曝光以固化所述光刻胶。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述紫外线的波长为I纳米至30纳米。
18.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述将加热后的基板进行曝光以固化所述光刻胶之后，涂布显影液之前还包括: 对所述基板进行后烘。
19.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述从所述基板的受热温度高的一端开始利用显影液喷嘴在所述基板涂布有所述光刻胶的一侧面上涂布显影液并显影后还包括: 对所述基板进行硬烘。
20.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板。
21.—种产生光刻胶图案的装置，其特征在于，包括: 光刻胶涂布装置，利用光刻胶喷嘴在基板上涂布光刻胶； 权利要求1至9任一项所述的预烘装置，对所述基板进行加热，其中，所述基板各区域的受热温度不相同，并且所述基板的受热温度从所述基板的一端至另一端依次降低； 曝光装置，将加热后的基板进行曝光以固化所述光刻胶；以及 显影装置，从所述基板的受热温度高的一端开始利用显影液喷嘴在所述基板涂布有所述光刻胶的一侧面上涂布显影液并显影。
【文档编号】G03F7/16GK104199256SQ201410499394
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年9月25日 优先权日:2014年9月25日
【发明者】林永富, 郑宪鸿, 吴韦良 申请人:上海和辉光电有限公司