液晶显示器及其制造方法、彩膜基板及其制造方法
【专利摘要】本发明实施例公开了一种液晶显示器的制造方法，包括：在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜；在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料，形成至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接；在具有所述氧化铟锡薄膜、以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成彩膜层；在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块，使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。本发明实施例还公开了一种液晶显示器、彩膜基板及其制造方法。
【专利说明】液晶显示器及其制造方法、彩膜基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示器技术，尤其涉及一种液晶显示器及其制造方法、彩膜基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]目前横向电场效应显示技术(IPS)的液晶显示器(IXD)采用水平电场对液晶分子进行驱动，为了避免外界信号对水平电场的干扰，通常会在彩膜基板的表面涂覆一层氧化铟锡(ITO)材料，将所述彩膜基板进行接地处理，如此，屏蔽外界信号干扰；但是，上述方法存在如下两个缺点--第一，由于涂覆所述ITO材料是在形成所述彩膜基板工艺过程中的最后一步完成的，因此，对涂覆工艺要求高，而且，涂覆于所述彩膜基板表面的ITO容易被刮伤，进而容易影响屏蔽作用；第二，所述彩膜基板表面涂覆的ITO材料在接地过程中，是通过银胶与LCD阵列基板进行导通的来实现的，因此，对银胶涂覆要求高，一旦银胶涂覆不良，就会使得ITO材料的屏蔽作用失效。
【发明内容】
[0003]为解决现有存在的技术问题，本发明实施例提供了一种液晶显示器及其制造方法、彩膜基板及其制造方法。
[0004]本发明实施例的技术方案是这样实现的:本发明实施例提供了一种液晶显示器的制造方法，所述方法包括:
[0005]在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜；
[0006]在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料，形成至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接；
[0007]在具有所述氧化铟锡薄膜、以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成彩膜层；
[0008]在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块，使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。
[0009]本发明实施例还提供了一种彩膜基板的制造方法，所述方法包括:
[0010]在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜；
[0011]在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料，形成至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接；
[0012]在具有氧化铟锡薄膜、以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成彩膜层。
[0013]本发明实施例还提供了一种液晶显示器，包括玻璃基板；其中，所述液晶显示器还依次包括:
[0014]形成于所述玻璃基板的中间区域的氧化铟锡薄膜；
[0015]形成于所述玻璃基板的边缘区域的至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接；
[0016]在具有所述氧化铟锡薄膜、以及至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成的彩膜层；
[0017]在具有所述彩膜层的玻璃基板中形成的电路驱动模块；其中，所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。
[0018]本发明实施例还提供了一种彩膜基板，包括玻璃基板；其中，所述彩膜基板还依次包括:
[0019]形成于所述玻璃基板的中间区域的氧化铟锡薄膜；
[0020]形成于所述玻璃基板的边缘区域的至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接；
[0021]在具有所述氧化铟锡薄膜、以及至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成的彩膜层。
[0022]本发明所提供的液晶显示器及其制造方法、彩膜基板及其制造方法，能够在彩膜基板的玻璃基板与树脂层之间形成ITO薄膜层，且在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中形成至少一个第一连接区域，如此，在后续工艺中，能够为形成有ITO薄膜和至少一个第一连接区域的彩膜基板与薄膜晶体管TFT基板电性相连奠定基础，即为使所述彩膜基板与TFT基板通过所述第一连接区域电性相连，进而使所述TFT基板与所述ITO薄膜电性相连奠定基础，如此，当所述TFT基板与集成电路IC连接时，本发明实施例能够使所述彩膜基板的ITO薄膜与所述集成电路IC的地连接，实现屏蔽外界信号干扰的作用。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1为本发明实施例液晶显示器的制造方法实现流程示意图一；
[0024]图2为本发明实施例液晶显示器的制造方法实现流程示意图二 ；
[0025]图3为本发明实施例液晶显示器的制造方法实现流程示意图三；
[0026]图4为本发明实施例液晶显示器的制造方法的具体实现流程示意图；
[0027]图5至图9为本发明实施例液晶显示器的制造过程的结构示意图。
【具体实施方式】
[0028]为了能够更加详尽地了解本发明的特点与技术内容，下面结合附图对本发明的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本发明。
[0029]实施例一
[0030]图1为本发明实施例液晶显示器的制造方法实现流程示意图一，如图1所示，所述方法包括:
[0031]步骤101:在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜；
[0032]在实际应用中，可以采用溅射方式在玻璃基板的中间区域沉积氧化物铟锡(ITO)薄膜。
[0033]步骤102:在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料，形成至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接；
[0034]本实施例中，在玻璃基板的边缘区域，即未形成有ITO薄膜的区域中的至少部分区域中沉积导电材料，以形成至少一个第一连接区域，使所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的ITO薄膜连接；如此，在后续工艺中，当TFT基板与所述第一连接区域连接时，能够实现所述TFT基板与所述ITO薄膜导通，以为屏蔽外界信号干扰奠定基础。
[0035]其中，所述导电材料包括:氧化铟锡或导电金属。
[0036]步骤103:在具有所述氧化铟锡薄膜、以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成彩膜层；
[0037]这里，在具有所述ITO薄膜、以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成黑色矩阵，以形成遮光区域；在具有所述ITO薄膜、至少一个第一连接区域、以及黑色矩阵的所述玻璃基板上沉积树脂及隔垫物(PS);如此，形成本实施例所述的彩膜层；
[0038]在实际应用中，步骤103形成后的基板通常称之为彩膜基板，即具有所述ITO薄膜、至少一个第一连接区域以及彩膜层的玻璃基板通常称为彩膜基板；
[0039]上述过程形成的彩膜基板中，在所述玻璃基板与树脂层之间形成有ITO薄膜层，且所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中形成有至少一个第一连接区域，如此，在后续工艺中，能够为彩膜基板与TFT基板电性相连奠定基础，即为使彩膜基板与TFT基板通过所述第一连接区域电性相连，进而使所述TFT基板与所述ITO薄膜电性相连奠定基础。
[0040]步骤104:在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块，使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。
[0041]这里，在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块的过程，为所述彩膜基板与TFT基板进行对盒的过程，其中，所述TFT基板实现电路驱动功能。
[0042]本实施例中，所述TFT基板通过所述第二连接区域与集成电路进行连接，进而与集成电路的地相连时，所述彩膜基板能够通过第一连接区域、第二连接器区域与所述集成电路的地连接，进而使所述彩膜基板中的ITO薄膜与所述集成电路的地连接，如此，实现屏蔽外界信号干扰的作用。
[0043]实施例二
[0044]图2为本发明实施例液晶显示器的制造方法的实现流程示意图二，如图2所示，所述方法包括:
[0045]步骤201:在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜；
[0046]在实际应用中，可以采用溅射方式在玻璃基板的中间区域沉积氧化物铟锡(ITO)薄膜。
[0047]步骤202:在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料，形成至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接；
[0048]本实施例中，在玻璃基板的边缘区域，即未形成有ITO薄膜的区域中的至少部分区域中沉积导电材料，以形成至少一个第一连接区域，使所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的ITO薄膜连接；如此，在后续工艺中，当TFT基板与所述第一连接区域连接时，能够实现所述TFT基板与所述ITO薄膜导通，以为屏蔽外界信号干扰奠定基础。
[0049]其中，所述导电材料包括:氧化铟锡或导电金属。
[0050]步骤203:在具有所述氧化铟锡薄膜、以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成彩膜层；
[0051]这里，在具有所述ITO薄膜、以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成黑色矩阵，以形成遮光区域；在具有所述ITO薄膜、至少一个第一连接区域、以及黑色矩阵的所述玻璃基板上沉积树脂及隔垫物(PS);如此，形成本实施例所述的彩膜层；
[0052]在实际应用中，步骤103形成后的基板通常称之为彩膜基板，即具有所述ITO薄膜、至少一个第一连接区域以及彩膜层的玻璃基板通常称为彩膜基板；
[0053]上述过程形成的彩膜基板中，在所述玻璃基板与树脂层之间形成有ITO薄膜层，且所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中形成有至少一个第一连接区域，如此，在后续工艺中，能够为彩膜基板与TFT基板电性相连奠定基础，即为使彩膜基板与TFT基板通过所述第一连接区域电性相连，进而使所述TFT基板与所述ITO薄膜电性相连奠定基础。
[0054]步骤204:在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块；
[0055]步骤205:在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中沉积导电材料，形成至少一个第二连接区域，通过所述第二连接区域和所述第一连接区域，使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。
[0056]这里，在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块的过程，为所述彩膜基板与TFT基板进行对盒的过程，其中，所述TFT基板实现电路驱动功能；因此，上述方案中，所述在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块，在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中沉积导电材料，形成至少一个第二连接区域，通过所述第二连接区域和所述第一连接区域，使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通，包括:
[0057]确定一 TFT基板，在所述TFT基板的边缘区域沉积导电材料，形成至少一个第二连接区域；
[0058]将所述彩膜基板与形成有第二连接区域的所述TFT基板对盒，使所述第一连接区域与第二连接区域连接；
[0059]其中，所述导电材料包括:氧化铟锡或导电金属。
[0060]本实施例中，所述TFT基板通过所述第二连接区域与集成电路进行连接，进而与集成电路的地相连时，所述彩膜基板能够通过第一连接区域、第二连接器区域与所述集成电路的地连接，进而使所述彩膜基板中的ITO薄膜与所述集成电路的地连接，如此，实现屏蔽外界信号干扰的作用。
[0061]具体地，第二连接区域与集成电路IC连接，且各第二连接区域连接，以通过所述集成电路使所述彩膜基板与所述TFT基板与地相连。
[0062]在实际应用中，所述彩膜基板与所述TFT基板对盒时，通常采用封框胶将所述彩膜基板与所述TFT基板连接在一起，以将液晶封闭；而且，所述封框胶中掺入有导电金球，因此，对盒之后，所述彩膜基板中的第一连接区域和所述TFT基板中的第二连接区域通过所述导电金球连接在一起；由于所述TFT基板中的第二连接区域还与集成电路IC连接，也就是说，所述彩膜基板与集成电路连接的地相连，如此，使所述彩膜基板中的ITO薄膜与所述集成电路连接，实现屏蔽外界信号干扰的作用。
[0063]实施例三
[0064]图3为本发明实施例液晶显示器的制造方法的实现流程示意图三，如图3所示，所述方法包括:
[0065]步骤301:在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜；
[0066]在实际应用中，可以采用溅射方式在玻璃基板的中间区域沉积氧化物铟锡(ITO)薄膜。
[0067]步骤302:当所述玻璃基板的形状为矩形时，在所述玻璃基板的边缘区域的四个直角区域中沉积导电材料，形成四个第一连接区域；其中，每个第一连接区域均与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接；
[0068]本实施例中，当所述玻璃基板的形状为矩形时，在玻璃基板的边缘区域，即未形成有ITO薄膜的区域中的四个直角中沉积导电材料，以形成四个第一连接区域，且每个第一连接区域均与沉积于所述玻璃基板上的ITO薄膜连接；如此，在后续工艺中，当TFT基板与所述第一连接区域连接时，能够实现所述TFT基板与所述ITO薄膜导通，以为屏蔽外界信号干扰奠定基础。
[0069]其中，所述导电材料包括:氧化铟锡或导电金属。
[0070]步骤303:在具有所述氧化铟锡薄膜、以及形成有四个第一连接区域的玻璃基板上形成彩膜层；
[0071]这里，在具有所述ITO薄膜、以及四个第一连接区域的玻璃基板上形成黑色矩阵，以形成遮光区域；在具有所述ITO薄膜、四个第一连接区域、以及黑色矩阵的所述玻璃基板上沉积树脂及隔垫物(PS);如此，形成本实施例所述的彩膜层；
[0072]在实际应用中，步骤303形成后的基板通常称之为彩膜基板，即具有所述ITO薄膜、四个第一连接区域以及彩膜层的玻璃基板通常称为彩膜基板；
[0073]上述过程形成的彩膜基板中，在所述玻璃基板与树脂层之间形成有ITO薄膜层，且所述玻璃基板的边缘区域的部分区域中形成有四个第一连接区域，如此，在后续工艺中，能够为彩膜基板与TFT基板电性相连奠定基础，即为使彩膜基板与TFT基板通过所述第一连接区域电性相连，进而使所述TFT基板与所述ITO薄膜电性相连奠定基础。
[0074]步骤304:在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块；
[0075]步骤305:在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中沉积导电材料，形成四个第二连接区域，以使所述四个第二连接区域与四个第一连接区域一一对应连接；以通过所述第二连接区域和所述第一连接区域，使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。
[0076]这里，在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块的过程，为所述彩膜基板与TFT基板进行对盒的过程，其中，所述TFT基板实现电路驱动功能；因此，上述方案中，所述在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中沉积导电材料，形成四个第二连接区域，以使所述四个第二连接区域与四个第一连接区域一一对应连接，包括:
[0077]确定一 TFT基板，在所述TFT基板的边缘区域沉积导电材料，形成四个第二连接区域；
[0078]将所述彩膜基板与形成有第二连接区域的所述TFT基板对盒，使所述第一连接区域与第二连接区域一一连接；
[0079]其中，所述导电材料包括:氧化铟锡或导电金属。
[0080]本实施例中，所述TFT基板通过第二连接区域与集成电路进行连接，进而与集成电路的地相连时，所述彩膜基板能够通过第一连接区域、第二连接器区域与所述集成电路的地连接，进而使所述彩膜基板中的ITO薄膜与所述集成电路的地连接，如此，实现屏蔽外界信号干扰的作用。
[0081]具体地，集成电路IC的一端与所述四个第二连接区域中的第一个第二连接区域连接；所述集成电路的另一端与所述四个第二连接区域中的第二个第二连接区域连接，所述四个第二连接区域相互连接，以通过所述集成电路使所述彩膜基板与所述TFT基板与地相连。
[0082]在实际应用中，所述彩膜基板与所述TFT基板对盒时，通常采用封框胶将所述彩膜基板与所述TFT基板连接在一起，以将液晶封闭；而且，所述封框胶中掺入有导电金球，因此，对盒之后，所述彩膜基板中的第一连接区域和所述TFT基板中的第二连接区域通过所述导电金球连接在一起；由于所述TFT基板中的第二连接区域还与集成电路IC连接，也就是说，所述彩膜基板与集成电路连接的地相连，如此，使所述彩膜基板中的ITO薄膜与所述集成电路连接，实现屏蔽外界信号干扰的作用。
[0083]实施例四
[0084]图4为本发明实施例液晶显示器的制造方法的具体实现的流程示意图；图5至图9为本发明实施例液晶显示器的制造过程的结构示意图；如图4至图9所示，所述方法包括:
[0085]步骤401:在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜51 ；
[0086]步骤402:在所述玻璃基板的边缘区域的四个直角区域中沉积导电材料，形成四个第一连接区域52 ;其中，每个第一连接区域52均与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜51连接；得到如图5所示的结构；
[0087]步骤403:在具有所述氧化铟锡薄膜51、以及形成有四个第一连接区域52的玻璃基板上形成黑色矩阵53，以形成遮光区域；得到如图6所示的结构；
[0088]步骤404:在步骤403所述的结构中沉积树脂54及隔垫物55，得到图7所示的结构；
[0089]其中，图7所示的结构即为彩膜基板的结构；
[0090]步骤405:确定一 TFT基板，且在所述TFT基板的边缘区域沉积导电材料，形成四个第二连接区域56 ;其中，集成电路IC57的一端通过走线58与所述四个第二连接区域中的第一个第二连接区域连接；所述集成电路IC57的另一端通过走线58与所述四个第二连接区域中的第二个第二连接区域连接；所述四个第二连接区域通过走线58电性连接；如此，通过走线使所述四个第二连接区域与集成电路IC的地连接；
[0091]步骤406:采用封框胶将步骤405处理后的所述TFT基板与步骤404得到的所述彩膜基板对盒，使所述TFT基板与所述彩膜基板连接在一起，以将所述TFT基板与所述彩膜基板中间的液晶封闭，得到如图9所示的结构；
[0092]这里，所述封框胶中掺入有导电金球，通过所述导电金球，使所述彩膜基板中的四个第一连接区域与所述TFT基板中的四个第二连接区域一一对应连接，如此，所述彩膜基板中的ITO薄膜与所述集成电路IC的地连接，实现屏蔽外界信号干扰的作用。
[0093]实施例五
[0094]本发明实施例还提供了一种液晶显示器，包括玻璃基板；其中，所述液晶显示器还依次包括:
[0095]形成于所述玻璃基板的中间区域的氧化铟锡薄膜；
[0096]形成于所述玻璃基板的边缘区域的至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接；
[0097]在具有所述氧化铟锡薄膜、以及至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成的彩膜层；
[0098]在具有所述彩膜层的玻璃基板中形成的电路驱动模块；其中，所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。
[0099]实施例六
[0100]基于实施例五所述的液晶显示器，本示例中，所述液晶显示器还包括:
[0101]在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中形成的至少一个第二连接区域；所述第二连接区域与所述第一连接区域电性连接，使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。
[0102]实施例七
[0103]基于实施例六所述的液晶显示器，本示例中，当所述玻璃基板的形状为矩形时，所述液晶显示器中的第一连接区域的个数为四个；其中，四个第一连接区域对应位于所述玻璃基板的边缘区域的四个直角区域中；每个第一连接区域均与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接。
[0104]实施例八
[0105]基于实施例七所述的液晶显示器，本示例中，所述液晶显示器中的第二连接区域的个数为四个；其中，四个第二连接区域与四个第一连接区域一一对应连接；
[0106]所述液晶显示器还包括:集成电路；所述集成电路与第二连接区域连接；各第二连接区域连接。
[0107]实施例九
[0108]本发明实施例还提供了一种彩膜基板，包括玻璃基板；其中，所述彩膜基板还依次包括:
[0109]形成于所述玻璃基板的中间区域的氧化铟锡薄膜；
[0110]形成于所述玻璃基板的边缘区域的至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接；
[0111]在具有所述氧化铟锡薄膜、以及至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成的彩膜层。
[0112]实施例十
[0113]基于实施例九所述的彩膜基板，本示例中，当所述玻璃基板的形状为矩形时，所述彩膜基板中的第一连接区域的个数为四个；其中，四个第一连接区域对应位于所述玻璃基板的边缘区域的四个直角区域；每个第一连接区域均与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接
[0114]以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种液晶显示器的制造方法，所述方法包括: 在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜； 在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料，形成至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接； 在具有所述氧化铟锡薄膜、以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成彩膜层； 在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块，使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括: 在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中沉积导电材料，形成至少一个第二连接区域； 对应地，所述使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通，包括: 通过所述第二连接区域和所述第一连接区域，使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述玻璃基板的形状为矩形时，所述在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料，形成至少一个第一连接区域，包括: 在所述玻璃基板的边缘区域的四个直角区域中沉积导电材料，形成四个第一连接区域；其中，每个第一连接区域均与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中沉积导电材料，形成至少一个第二连接区域，包括: 在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中沉积导电材料，形成四个第二连接区域，以使所述四个第二连接区域与四个第一连接区域一一对应连接； 其中，第二连接区域与集成电路的连接，且各第二连接区域连接。
5.一种彩膜基板的制造方法，所述方法包括: 在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜； 在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料，形成至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接； 在具有氧化铟锡薄膜、以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成彩膜层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，当所述玻璃基板的形状为矩形时，所述在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料，形成至少一个第一连接区域，包括: 在所述玻璃基板的边缘区域的四个直角区域中沉积导电材料，形成四个第一连接区域；其中，各第一连接区域均与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接。
7.一种液晶显示器，包括玻璃基板；所述液晶显示器还依次包括: 形成于所述玻璃基板的中间区域的氧化铟锡薄膜； 形成于所述玻璃基板的边缘区域的至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接； 在具有所述氧化铟锡薄膜、以及至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成的彩膜层； 在具有所述彩膜层的玻璃基板中形成的电路驱动模块；其中，所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其特征在于，所述液晶显示器还包括: 在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中形成的至少一个第二连接区域；所述第二连接区域与所述第一连接区域电性连接，使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器，其特征在于，当所述玻璃基板的形状为矩形时，所述液晶显示器中的第一连接区域的个数为四个；其中，四个第一连接区域对应位于所述玻璃基板的边缘区域的四个直角区域中；每个第一连接区域均与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接。
10.根据权利要求9所述的液晶显示器，其特征在于，所述液晶显示器中的第二连接区域的个数为四个；其中，四个第二连接区域与四个第一连接区域一一对应连接； 所述液晶显示器还包括:集成电路；所述集成电路与第二连接区域连接；各第二连接区域连接。
11.一种彩膜基板，包括玻璃基板；所述彩膜基板还依次包括: 形成于所述玻璃基板的中间区域的氧化铟锡薄膜； 形成于所述玻璃基板的边缘区域的至少一个第一连接区域；其中，所述第一连接区域与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接； 在具有所述氧化铟锡薄膜、以及至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成的彩膜层。
12.根据权利要求11所述的彩膜基板，其特征在于，当所述玻璃基板的形状为矩形时，所述彩膜基板中的第一连接区域的个数为四个；其中，四个第一连接区域对应位于所述玻璃基板的边缘区域的四个直角区域；每个第一连接区域均与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接。
【文档编号】G02F1/1333GK104280903SQ201410498669
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年9月25日 优先权日:2014年9月25日
【发明者】于尧 申请人:联想(北京)有限公司