1.一种抗反射结构，其特征在于包括：
基板；以及
渐变膜，其具有金属掺杂的氟氧化硅且配置于所述基板上，其中所述渐变膜的硅：金属原子比自所述渐变膜的表面往所述基板逐渐降低，且所述渐变膜的硅：金属原子比为大于1：1至小于10：1。
2.如权利要求1所述的抗反射结构，其中所述渐变膜的硅：金属原子比为1.1：1至8：1。
3.如权利要求1所述的抗反射结构，其中所述渐变膜呈非晶态。
4.如权利要求1所述的抗反射结构，其中所述渐变膜的孔隙率低于20％。
5.如权利要求1所述的抗反射结构，其中所述渐变膜的铅笔硬度为3H或更高。
6.如权利要求1所述的抗反射结构，其中所述渐变膜的厚度为20纳米至300纳米。
7.如权利要求1所述的抗反射结构，其中所述抗反射结构于633纳米波长的等效折射率为1.45或更低。
8.如权利要求1所述的抗反射结构，其中所述渐变膜的氟：金属原子比自所述渐变膜的表面往所述基板逐渐降低。
9.如权利要求1所述的抗反射结构，其中所述基板的材料包括玻璃。
10.如权利要求1所述的抗反射结构，其中所述金属包括IA族金属、IIA族金属、IIIA族金属或其组合。
11.一种抗反射结构的制造方法，其特征在于包括：
形成含金属盐类、氢氟酸及氟离子稳定剂的第一溶液；
形成含有机硅的第二溶液；
将所述第一溶液与所述第二溶液混合并涂布于基板上，干燥后形成分层膜；以及
对所述分层膜进行退火，以形成具有金属掺杂的氟氧化硅的渐变膜。
12.如权利要求11所述的抗反射结构的制造方法，其中所述渐变膜的硅：金属原子比自所述渐变膜的表面往所述基板逐渐降低，且其中所述渐变 膜的硅：金属原子比为大于1：1至小于10：1。
13.如权利要求11所述的抗反射结构的制造方法，其中所述渐变膜的硅：金属原子比自所述渐变膜的表面往所述基板逐渐降低，且其中所述渐变膜的硅：金属原子比为1.1：1至8：1。
14.如权利要求11所述的抗反射结构的制造方法，其中所述金属盐类包括IA族金属、IIA族金属、IIIA族金属或其组合的盐类化合物。
15.如权利要求11所述的抗反射结构的制造方法，其中所述氟离子稳定剂包括四氟化物、六氟化物或可形成四氟化物、六氟化物的盐类或酸类。
16.如权利要求11所述的抗反射结构的制造方法，其中所述有机硅的结构为Si(OR)4，且R包括碳数为1～4的直链或支链烷基。
17.如权利要求11所述的抗反射结构的制造方法，其中所述退火的处理温度为50℃至400℃。
18.如权利要求11所述的抗反射结构的制造方法，其中所述渐变膜呈非晶态。
19.如权利要求11所述的抗反射结构的制造方法，其中所述渐变膜的孔隙率低于20％。
20.如权利要求11所述的抗反射结构的制造方法，其中所述渐变的氟：金属原子比自所述渐变膜的表面往所述基板逐渐降低。