技术领域本发明涉及光学滤波器装置、光学模块、以及电子设备。
背景技术：
现有技术中，已知有将在一对基板彼此相对的面上隔着规定的间隙而分别相对配置有反射膜的干涉滤波器容纳于壳体的光学滤波器装置(例如，参考专利文献1)。专利文献1记载的光学滤波器装置中，壳体具有干涉滤波器由固定部件固定的底座基板。干涉滤波器的基板在与底座基板相对的相对面的沿基板厚度方向的一面侧，即干涉滤波器的一侧的至少一个位置处与该底座基板粘接固定。该光学滤波器装置，即使在例如使用粘合剂粘接固定的情况下，与和基板的相对面的大致整个表面粘接的结构相比，也能够使从粘接剂接收到的应力变小。即，基板的相对面的粘接面积越小，越能够抑制由硬化时来自收缩的粘接剂的拉伸应力和基板与底座基板的热膨胀系数的差产生的应力的影响。然而，由于在干涉滤波器的基板的一侧的至少一个位置处固定，因此例如，对光学滤波器装置施加与干涉滤波器的固有频率相近的频率的干扰信号时，该干涉滤波器有时以固定处为中心振动。这样的振动产生后，存在反射膜之间的间隙的尺寸发生变化，干涉滤波器的分辨率降低的可能性。在先技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2013-167701号公报
技术实现要素：
本发明的目的在于提供能够抑制干涉滤波器的分辨率降低的光学滤波器装置、光学模块、以及电子设备。本发明的一个应用例的光学滤波器装置，其特征在于，具有：干涉滤波器，所述干涉滤波器具有第一基板、与所述第一基板相对且具有相对所述第一基板进退的可动部的第二基板、设置在所述第一基板上的第一反射膜、及设置在所述第二基板的所述可动部且与所述第一反射膜相对的第二反射膜；固定所述干涉滤波器的底座部；以及固定部件，将所述第一基板和所述第二基板中的至少一方，在沿着基板厚度方向的一面侧的至少一个位置处固定在所述底座部，以通过所述固定部件固定的固定位置作为固定端的所述干涉滤波器的一阶共振频率，在所述可动部的一阶共振频率的一半以下。在这里，沿着基板厚度方向的一面侧不仅是沿着基板厚度方向的一个面(侧面)，还包含与该一个侧面交叉的面(表面)的一个侧面的附近的区域。即，本应用例中，固定部件设置在第一基板和第二基板中的至少一个的侧面和其附近的至少一个位置处。例如，基板是矩形的情况下，从基板厚度方向观察时，干涉滤波器的一侧由固定材料固定在底座部。本应用例中，干涉滤波器构成为使设置在一对基板中的第二基板上的可动部相对第一基板进退，能够变更一对反射膜间的间隙尺寸。并且，光学滤波器装置中，这样的干涉滤波器在沿着基板厚度方向的面侧的至少一个位置处固定在底座部上。在这样的构成中，有时产生以与固定端距离最远的位置为自由端的一阶共振(芯片振动)的情况。与此相对，本应用例中，通过将芯片振动的一阶共振频率(芯片共振频率)设定在可动部的一阶共振频率(镜像共振频率)的一半以下，即使在由于干扰信号等激起芯片振动的情况下，也能够抑制由于该芯片振动而激起可动部的共振(镜像振动)，能够抑制间隙尺寸的变化。因此，能够抑制由于上述间隙尺寸的变化导致的干涉滤波器的分辨率降低。本应用例的光学滤波器装置中，优选地，所述固定部件具有由于与以所述固定位置为中心的所述干涉滤波器的旋转对应的应力而产生弹性变形的第一阈值以下的弹性模量。本应用例中，将固定材料的弹性模量设定为由于与芯片振动引起的干涉滤波器的转动对应的应力而产生弹性变形的第一阈值以下。在这里，第一阈值是与芯片振动对应固定材料可能弹性变形的弹性模量的上限值。由于这样的构成，能够降低芯片共振频率，并且，能够通过固定材料的弹性变形抑制芯片振动。因此，能够抑制由芯片振动激起镜像振动。本应用例的光学滤波器装置中，优选地，所述可动部的质量与除去所述可动部之外的所述干涉滤波器的质量的比，在所述干涉滤波器的一阶共振频率是所述可动部的一阶共振频率的一半的第二阈值以下。本应用例中，相对于除去可动部之外的干涉滤波器的质量减小可动部的质量，可动部的质量与除去可动部之外的干涉滤波器的质量的比在第二阈值以下，由此，能够增大芯片共振频率和镜像共振频率之间的差，能够抑制由芯片振动激起镜像振动。本应用例的光学滤波器装置中，优选地，所述第二基板具有保持所述可动部的保持部，对应于该保持部的变形，所述可动部相对于所述第一基板进退、在所述干涉滤波器的质量是所述可动部的质量的X倍的情况下，所述固定部件的刚性比所述保持部的刚性的X/4倍的值小。本应用例中，通过使保持可动部的保持部变形，使可动部进退。这样的构成中，通过将固定部件的刚性设定为比保持部的刚性的X/4倍的值小的值，能够使芯片共振频率在镜像共振频率的一半以下，能够抑制由芯片振动激起镜像振动。因此，即使由于干扰信号等产生芯片振动，通过对应于芯片振动经由保持部而使固定部件发生弹性变形，能够抑制激起镜像振动，并且，也能够使镜像振动衰减。因此，能够更可靠地抑制由芯片振动激起镜像振动。本发明的其他应用例的光学模块，其特征在于，具有：干涉滤波器，所述干涉滤波器具有第一基板、与所述第一基板相对且具有相对所述第一基板进退的可动部的第二基板、设置在所述第一基板上的第一反射膜、及设置在所述第二基板的所述可动部且与所述第一反射膜相对的第二反射膜；固定所述干涉滤波器的底座部；固定部件，将所述第一基板和所述第二基板的至少一方，在沿着基板厚度方向的一面侧的至少一个位置处固定在所述底座部；以及检测由所述干涉滤波器取出的光的检测部，以通过所述固定部件固定的固定位置作为固定端的所述干涉滤波器的一阶共振频率，在所述可动部的一阶共振频率的一半以下。本应用例中，如上所述，能够抑制光学滤波器装置的干涉滤波器的分辨率的降低，能够在维持分辨率的状态下从光学滤波器装置射出光。因此，光学模块中能够在光接收部以高分辨率检测所需波长的光的光量。本应用例的光学模块中，优选地，所述干涉滤波器具有使所述可动部进退而变更所述第一反射膜和所述第二反射膜之间的间隙尺寸的间隙变更部，所述光学模块具备反馈回路，所述反馈回路具有所述干涉滤波器、检测所述第一反射膜和所述第二反射膜之间的间隙尺寸的间隙检测部、以及向所述间隙变更部施加与所述间隙检测部的检测结果和所述间隙尺寸的目标值对应的反馈电压的反馈控制部。本应用例中，由波长可变干涉滤波器、间隙检测部、反馈控制部构成反馈回路，反馈控制部根据间隙检测部检测出的间隙尺寸的检测结果，实施间隙变更部的反馈控制。这样的构成中，反馈回路的波长可变干涉滤波器和反馈控制部的相位变化，即相位延迟为180°，此时环路增益比1大，产生振荡。与此相对，本应用例中，通过将芯片共振频率设定为镜像共振频率的一半以下，能够使干涉滤波器的相位变化的最大值(最大相位旋转角)比90°小。由此，能够抑制上述的振荡。本发明的其他应用例的电子设备，其特征在于，具有：干涉滤波器，所述干涉滤波器具有：第一基板、与所述第一基板相对且具有相对所述第一基板进退的可动部的第二基板、设置在所述第一基板上的第一反射膜、及设置在所述第二基板的所述可动部且与所述第一反射膜相对的第二反射膜；固定所述干涉滤波器的底座部；固定部件，将所述第一基板和所述第二基板的至少一方，在沿着基板厚度方向的一面侧的至少一个位置处固定在所述底座部；以及基于所述干涉滤波器取出的光进行处理的处理部，以通过所述固定部件固定的固定位置作为固定端的所述干涉滤波器的一阶共振频率，在所述可动部的一阶共振频率的一半以下。本应用例中，如上所述，能够抑制光学滤波器装置的干涉滤波器的分辨率的降低，能够在维持分辨率的状态下从光学滤波器装置射出光。因此，能够提供可以基于从光学滤波器装置输出的高分辨率的光，进行高精度的处理的电子设备。附图说明图1是示出本发明的一个实施方式的光谱测定装置的简要结构的方框图。图2是示出光学模块的简要结构的方框图。图3是闭合环路系统的概念图。图4是示出光学滤波器装置的简要结构的俯视图。图5是示出光学滤波器装置的简要结构的剖面图。图6是两自由度振动模型的示意图。图7的(A)和(B)是实施与M1相关的参数解析时的频率特性的示意图。图8是M1与最大相位旋转角的关系的示意图。图9的(A)和(B)是实施与K1相关的参数解析时的频率特性的示意图。图10是K1与最大相位旋转角的关系的示意图。图11的(A)和(B)是实施与M2相关的参数解析时的频率特性的示意图。图12是M2与最大相位旋转角的关系的示意图。图13的(A)和(B)是实施与K2相关的参数解析时的频率特性的示意图。图14是K2与最大相位旋转角的关系的示意图。图15是示出本发明的第一变形例的光学滤波器装置的简要结构的俯视图。图16是示出本发明的第二变形例的光学滤波器装置的简要结构的俯视图。图17是示出本发明的第二变形例的光学滤波器装置的简要结构的剖面图。图18是示出本发明的第三变形例的光学滤波器装置的简要结构的俯视图。图19是示出本发明的第三变形例的光学滤波器装置的简要结构的剖面图。图20是示出本发明的第四变形例的光学滤波器装置的简要结构的俯视图。图21是示出本发明的第四变形例的光学滤波器装置的简要结构的剖面图。图22是示出本发明的第五变形例的光学滤波器装置的简要结构的剖面图。图23是作为本发明的电子设备的一个例子的测色装置的示意图。图24是作为本发明的电子设备的一个例子的气体检测装置的示意图。图25是示出图24的气体检测装置的控制系统的构成的方框图。图26是作为本发明的电子设备的一个例子的食品分析装置的简要结构的示意图。图27是作为本发明的电子设备的一个例子的光谱相机的简要结构的示意图。符号说明1、光谱测定装置(电子设备)，5、5A、波长可变干涉滤波器，6、6A、6B、6C、6D、6E、光学滤波器装置，10、光学模块，11、检测器(检测器)，15、电压控制部，15L、闭合环路系统(反馈回路)，20、控制部，51、固定基板(第一基板)，51A、侧面(沿基板厚度方向的一边)，52、可动基板(第二基板)，54、固定反射膜(第一反射膜)，55、可动反射膜(第二反射膜)，56、静电致动器(间隙变更部)，62、底座(底座部)，64、固定材料(固定部件)，100、气体检测装置(电子设备)，138、控制部，151、间隙检测部，152、反馈控制部，200、食品分析装置(电子设备)，220、控制部，300、光谱相机(电子设备)，400、测色装置(电子设备)，420、测色传感器(光学模块)，430、控制装置(控制部)，521、可动部，522、保持部。具体实施方式以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。[光谱测定装置的构成]图1是示出本发明的一个实施方式的光谱测定装置的简要结构的方框图。光谱测定装置1是对由测定对象X反射的测定对象光中的规定波长的光强度进行分析、测定分光光谱的装置。此外，本实施方式示出对由测定对象X反射的测定对象光进行测定的例子，作为测定对象X在使用例如液晶显示器等发光体的情况下，可以将该发光体发出的光作为测定对象光。如图1所示，该光谱测定装置1具备光学模块10、检测器11(检测部)、I-V转换器12、放大器13、A/D转换器14和控制部20。光学模块10构成为具备光学滤波器装置6和电压控制部15。光学滤波器装置6具有相当于本发明的干涉滤波器的波长可变干涉滤波器5(参照图2)。该波长可变干涉滤波器5具有一对反射膜，射出与反射膜间的间隙尺寸对应的波长的光。另外，波长可变干涉滤波器5具有静电致动器56(参照图2)，反射膜间的间隙尺寸限定为与该静电致动器56的驱动电压对应的值。即，波长可变干涉滤波器5射出与驱动电压对应的波长的光。电压控制部15根据控制部20的控制，向静电致动器56施加驱动电压，使规定的目标波长的光透过波长可变干涉滤波器5。检测器11接收透过光学模块10的波长可变干涉滤波器5的光，输出与接收到的光的光强度相应的检测信号(电流)。I-V转换器12把从检测器11输入的检测信号转换为电压值，输出到放大器13。放大器13放大从I-V转换器12输入的与检测信号对应的电压(检测电压)。A/D转换器14把从放大器13输入的检测电压(模拟信号)转换为数字信号，输出到控制部20。[控制部的构成]控制单位20相当于本发明的处理部，例如通过组合CPU和存储器等而构成，控制光谱测定装置1的整体动作。该控制部20如图1所示，具有波长设定部21、光量取得部22、光谱测定部23和存储部30。存储部30记录有控制光谱测定装置1的各种程序和各种数据(例如表示与目标波长对应的驱动电压的V-λ数据)波长设定部21设定从波长可变干涉滤波器5提取出的光的目标波长，向电压控制部15输出从波长可变干涉滤波器5提取出设定的目标波长的意思的控制信号。光量取得部22基于检测器11取得的光量，取得透过波长可变干涉滤波器5的目标波长的光的光量。光谱测定部23基于光量取得部22取得的光量，测定测定对象光的光谱特性。[光学模块的构成]接下来，以下对光学模块10的构成进行说明。图2是示出光学模块10的简要结构的方框图。如上述所述，光学模块10构成为具有内部容纳有波长可变干涉滤波器5的光学滤波器装置6和电压控制部15。[电压控制部的构成]如图2所示，电压控制部15构成为具有间隙检测部151、反馈控制部152和微电脑(微型计算机)16。间隙检测部151根据反射膜54、55之间的电容检测出间隙G1的尺寸，并将检测信号输出到反馈控制部152。具体地说，间隙检测部151具有未图示的C-V转换电路，将反射膜54、55之间的电容转换为电压值(检测信号)。这样的C-V转换电路例如可以列举出开关式电容器电路等。此外，作为检测信号，间隙检测部151可以输出模拟信号，也可以输出数字信号。输出数字信号的情况下，来自C-V转换电路的检测信号(模拟信号)输入到ADC(AnalogtoDigitalConverter：模拟数字转换器)，转换为数字值。反馈控制部152与波长可变干涉滤波器5的固定电极561和可动电极562连接。并且，反馈控制部152基于将从微电脑输入的间隙G1设定为规定的目标值的内容的指令信号，向静电致动器56施加驱动电压。另外，反馈控制部152控制增减对静电致动器56施加的驱动电压，以使来自间隙检测部151的检测信号和从微电脑16输入的指令信号之间的偏差在规定的阈值以下。即，反馈控制部152基于检测信号和指令信号，实施反馈控制。并且，为使波长可变干涉滤波器5的反射膜间的间隙尺寸的值适当地收敛，反馈控制部152具有补偿作为控制对象的波长可变干涉滤波器5的相位变化的相位补偿功能。微电脑16具有存储器161，存储例如由间隙检测部151检测出的检测信号(电压信号)和间隙G1的尺寸之间的关系(间隙相关数据)。该微电脑16，如图2所示，作为目标指令单元162而起作用。当来自控制部20的波长设定指令被输入后，目标指令单元162计算出与目标波长对应的间隙G1的尺寸(目标值)，作为目标信号输入到反馈控制部152。[反馈回路的构成]图3是将波长可变干涉滤波器5作为反馈控制的控制对象的闭合环路系统的概念图。如图3所示，闭合环路系统15L(反馈回路)由作为控制对象的波长可变干涉滤波器5(静电致动器56和可动部521)、电压控制部15的间隙检测部151和反馈控制部152构成。并且，本实施方式中，闭合环路系统15L根据波长可变干涉滤波器5的驱动性能将反馈电压施加在波长可变干涉滤波器5上，实施将反射膜之间的间隙G1的尺寸设定为对应来自微电脑16的目标指令的值的反馈控制。在这里，闭合环路系统15L构成为：间隙检测部151的检测信号反转180度后输入到反馈控制部152，使波长可变干涉滤波器5的反射膜之间的间隙尺寸的值收敛。因此，这样的闭合环路系统15L中，在输入和输出的相位差在180°以上的情况下，闭合环路系统15L的输出振荡。与此相对，本实施方式中如上所述设定为：具有相位补偿功能的反馈控制部152的相位补偿量和波长可变干涉滤波器5的相位变化量的和不会变为180°。本实施方式中，例如将反馈控制部152的相位补偿量设定为﹣90°。在这样的情况下，表示波长可变干涉滤波器5的由芯片共振产生的相位延迟的相位旋转角(绝对值)θchip设定为0°≤θchip＜90°。由此，电压控制部15的相位旋转角θchip能够设定为小于360°，能够抑制振荡。另外，为抑制θchip的增大、达到上述范围的光学滤波器装置6的具体的构成将在后面详细叙述。[光学滤波器装置的构成]图4是示出图2的光学滤波器装置的简要结构的俯视图。另外，图5是放大图2的光学滤波器装置的放大剖面图。具体地，图4是从基板厚度方向(后面叙述的反射膜54、55的法线方向)观察到的容纳波长可变干涉滤波器5的光学滤波器装置6的内部的俯视图，图5是沿图4所示的V-V线，将光学滤波器装置6沿基板厚度方向切断时的剖视图。光学滤波器装置6是从入射光中将规定的目标波长的光取出后射出的装置，如图4和图5所示，具有壳体61、容纳在壳体61内部的波长可变干涉滤波器5。(波长可变干涉滤波器的构成)波长可变干涉滤波器5，如图4和图5所示，具有相当于本发明的第一基板的固定基板51和相当于本发明的第二基板的可动基板52。上述的固定基板51和可动基板52各自由例如各种玻璃或水晶等形成。并且，上述的固定基板51和可动基板52，如图5所示，通过由接合膜53接合而构成一体。固定基板51上设置有相当于本发明的第一反射膜的固定反射膜54。另外，可动基板52上设置有相当于本发明的第二反射膜的可动反射膜55。上述固定反射膜54和可动反射膜55隔着间隙G1相对配置。并且，波长可变干涉滤波器5上设置有用于调整间隙G1的距离(间隙尺寸)的静电致动器56。另外，固定基板51的一端侧具有比可动基板52的基板端缘向外侧突出的突出部514。另外，可动基板52的与固定基板51的突出部514相反的一端侧具有比固定基板51的基板端缘向外侧突出的突出部，该突出部的固定基板51侧的表面构成电装部524。该电装部524上设置有与用于向静电致动器56施加电压的电极(固定电极561和可动电极562)、用于检测各反射膜54、55的电容的电极(固定镜像电极541和可动镜像电极551)分别单独连接的电极垫57。各电极通过电极垫57与底座62上设立的内侧端子部624连接。本实施方式是反射膜54、55之间的间隙G1形成为比电极间的间隙小的构成的示例，也可以例如根据从波长可变干涉滤波器5透过的波长区域，将间隙G1形成为大于电极间的间隙。另外，在随后的说明中，将从固定基板51或可动基板52的基板厚度方向观察到的的俯视图，即，将从固定基板51、接合膜53、以及可动基板52的层叠方向观察到的波长可变干涉滤波器5的俯视图称为滤波器俯视图。另外，将反射膜54、55的中心点称为滤波器中心点、将穿过滤波器中心点的轴线称为滤波器中心轴O。(固定基板的构成)在固定基板51，如图5所示，通过蚀刻形成电极配置槽511和反射膜设置部512。该固定基板51形成为厚度尺寸比可动基板52大、具有不产生由向静电致动器56施加电压时的静电引力、固定电极561的内部应力导致的固定基板51的翘曲的程度的刚性。在这里，通过设定大的固定基板51的厚度的尺寸，能够增大波长可变干涉滤波器5的整体的质量。由此，如后面所述，能够抑制波长可变干涉滤波器5的一阶共振(芯片振动)，能够提高反馈控制的稳定性。电极配置槽511在滤波器俯视图下形成以固定基板51的滤波器中心轴O为中心的环状。反射膜设置部512在上述俯视图中形成为从电极配置槽511的中心部向可动基板52侧突出。在该电极配置槽511的槽底面配置有构成静电致动器56的电极。电极配置槽511的槽底面配置有构成静电致动器56的固定电极561。固定电极561在滤波器俯视图中形成为包围反射膜设置部512的大致圆弧形。该固定电极561接线到可动基板52的电装部524，从该电装部524连接到电压控制部15的后面叙述的反馈控制部152。反射膜设置部512的突出端面上设置有固定反射膜54。该固定反射膜54可以使用例如Ag等金属膜或、Ag合金等导电性合金膜。另外，也可以使用例如高折射率层为TiO2、低折射率层为SiO2的电介质多层膜，这样的情况下，由于电介质多层膜的最底层或者表层形成有导电性金属合金膜，因此固定反射膜54可以作为电极工作。并且，固定反射膜54上连接有固定镜像电极541。该固定镜像电极541接线到可动基板52的电装部524，从该电装部524连接到电压控制部15的后面叙述的间隙检测部151。(可动基板的构成)可动基板52，如图5所示，具有以滤波器中心轴O为中心的圆形的可动部521、与可动部521同轴并保持可动部521的保持部522、以及设置在保持部522外侧的基板外周部523。该可动部521在滤波器俯视图中形成为至少直径尺寸比反射膜设置部512的突出端面的外周缘的直径尺寸大。并且，该可动部521上设置有可动电极562和可动反射膜55。可动电极562隔着规定的间隙与固定电极561相对。该可动电极562接线到可动基板52的电装部524，从该电装部524连接到电压控制部15的后面描述的反馈控制部152。可动反射膜55设置成在可动部521的与固定基板51相对的面的中部、与固定反射膜54隔着间隙G1相对。该可动反射膜55使用与上述的固定反射膜54相同构成的反射膜。并且，可动反射膜55与未图示的可动镜像电极连接。该可动镜像电极接线到可动基板52的电装部524，从该电装部524连接到电压控制部15的后面描述的间隙检测部151。保持部522是包围可动部521的周围的隔膜，形成为厚度尺寸比可动部521小。这样的保持部522比可动部521更容易翘曲，通过微小的静电引力就能使可动部521向固定基板51侧位移。在这样的情况下，由于可动部521的厚度尺寸比保持部522大且刚性提高，因此即使在保持部522因静电引力而向固定基板51侧拉伸的情况下，可动部521也不会产生形状变化。因此，设置在可动部521的可动反射膜55不会产生翘曲，固定反射膜54和可动反射膜55可以时常维持平行状态。另外，本实施方式示出隔膜状的保持部522，但并不限定于此，例如，也可以是设置以滤波器中心轴O为中心、等角度间隔配置的梁状的保持部的构成。基板外周部523在滤波器俯视图中位于保持部522的外侧、通过保持部522支撑可动部521。在这里，可动部521的质量与除去被基板外周部523支撑的可动部521之外的波长可变干涉滤波器5的质量的比，设定为芯片振动的一阶共振频率(芯片共振频率)fc是镜像振动的一阶共振频率(镜像共振频率)fm的一半的阈值(第二阈值)以下。这样，可以增大芯片共振频率fc和镜像共振频率fm间的差，能够抑制芯片振动和镜像振动的共振。[壳体的构成]说明光学滤波器装置6的壳体61的详细的构成。如图4和图5所示，壳体61具有底座62(底座部)和盖63。上述的底座62和盖63可以利用例如，使用了将高温熔接玻璃原料在高温下熔解并骤冷的玻璃碎片、即玻璃粉(低熔点玻璃)的低熔点玻璃接合、基于环氧树脂等的粘接等，由此，在内部形成容纳空间，在该容纳空间里容纳波长可变干涉滤波器5。(底座的构成)底座62例如通过在薄板上层叠陶瓷而形成，具有台座部621和侧壁部622。台座部621构成为在滤波器俯视图中具有例如矩形的外形的平板状，筒状的侧壁部622从该台座部621的外周部朝向盖立起。另外，本实施方式中示出由于台座部621为矩形平板状，与此对应地侧壁部622构成为方筒状的示例，但是也可以例如台座部621形成为圆筒状等。台座部621具有贯通厚度方向的光通过孔623。该光通过孔623设置为：在波长可变干涉滤波器5收容在台座部621中的状态下，从厚度方向观察到的台座部621的俯视图中，包括与反射膜54、55重叠的区域。另外，台座部621的与盖63相反侧的面(底座外侧面621B)上接合有覆盖光通过孔623的、作为本发明的透光部件的玻璃盖627。台座部621和玻璃盖627的接合可以利用例如低熔点玻璃接合或粘合剂接合等。本实施方式中，容纳空间内在维持减压状态下保持气密性。因此，台座部621和玻璃盖627优选采用低熔点玻璃接合来接合。另外，在台座部621的与盖63相对的内面(底座内侧面621A)设置有与电极垫57连接的内侧端子部624，电极垫57与各电极(固定电极561、可动电极562、和各个镜像电极541、551)单独连接。内侧端子部624和电极垫57采用例如引线接合、使用Au等金属丝连接。另外，本实施方式是引线接合的示例，也可以采用例如FPC(FlexiblePrintedCircuits：柔性印刷电路板)等。另外，在台座部621设置有内侧端子部624的位置形成有通孔625。内侧端子部624通过通孔625与设置在台座部621的底座外侧面621B的外侧端子部626连接。该外侧端子部626与电压控制部15电连接。侧壁部622从台座部621的边缘部立起，覆盖载置在底座内侧面621A的波长可变干涉滤波器5的周围。侧壁部622的与盖63相对的面是例如与底座内侧面621A平行的平坦面。(波长可变干涉滤波器的固定结构)如图4和图5所示，波长可变干涉滤波器5通过固定基板51的沿着基板厚度方向的面51A(侧面51A)由固定材料64固定在底座62上。固定材料64，如图4所示，设置在固定基板51的侧面51A和底座62之间。该固定材料64使用例如环氧系或有机硅系的粘合剂而形成。在这里，如后所述，通过将固定材料64的弹性模量设定在规定的值(第一阈值)以下，能够使芯片共振频率fc在规定的值以下、能够抑制芯片振动和镜像振动的共振、能够减小镜像振动的振幅。另外，第一阈值是与芯片振动对应、固定材料64可弹性变形的弹性模量的上限值。另外，固定材料64的刚性小于保持部522的刚性，保持部522的刚性小于各基板51、52的刚性。这样的构成中，在干扰信号等引起的应力作用于波长可变干涉滤波器5时，使固定材料64产生弹性变形，能够使芯片振动衰减。另外，通过使固定材料64发生弹性变形，能够抑制保持部522的变形，能够抑制对应芯片振动而激起的镜像振动。在这里，在波长可变干涉滤波器5的质量Mchip[kg]是可动部521的质量Mmirror[kg]的X倍的情况下，作为固定材料64的刚性的弹性系数Kbond[N/m]小于作为保持部522的刚性的弹性系数Kdiaphragm[N/m]的X/4倍的值。由此，如使用下列公式(1)～(8)的说明所示，能够使芯片共振频率fc在镜像共振频率fm的一半以下。下面，对能够使芯片共振频率fc在镜像共振频率fm的一半以下的原因进行说明。另外，以下的说明中，为了简化，将芯片振动和镜像振动各自通过单自由度振动模型近似。单自由度振动模型中，芯片振动的固有角频率ωchip[rad/s]作为下式(1)、镜像振动的固有角频率ωmirror[rad/s]作为下式(2)求出。ωchip=KbondMchip...(1)]]>ωmirror=KdiaphragmMmirror...(2)]]>在这里，在芯片共振频率fc是镜像共振频率fm的一半以下的情况下，如下式(3)所示，芯片振动的固有角频率ωchip也在镜像振动的固有角频率ωmirror的一半以下。因此，通过得到为了满足下式(3)的、固定材料64的弹性系数Kbond和保持部522的弹性系数Kdiaphragm应该满足的关系，得到芯片共振频率fc是镜像共振频率fm的一半以下的条件。ωchip<12ωmirror...(3)]]>首先，将上式(1)、(2)代入式(3)，消去芯片振动的固有角频率ωchip和镜像振动的固有角频率ωmirror，得到下式(4)。然后，下式(4)的两边平方得到下式(5)。下式(5)示出波长可变干涉滤波器5的质量Mchip、可动部521的质量Mmirror、固定材料64的弹性系数Kbond和保持部522的弹性系数Kdiaphragm的关系。KbondMchip<12KdiaphragmMmirror...(4)]]>KbondMchip<14KdiaphragmMmirror...(5)]]>另外，如下式(6)所示，波长可变干涉滤波器5的质量Mchip是可动部521的质量Mmirror的X倍，即，Mchip与Mmirror的比是X。将下式(6)的关系应用到上式(5)中，得到下式(7)。然后，整理下式(7)的两边得到下式(8)。这样，如下式(8)所示，通过将固定材料64的弹性系数Kbond[N/m]设定为小于保持部522的弹性系数Kdiaphragm[N/m]的X/4倍，能够使芯片共振频率fc在镜像共振频率fm的一半以下。Mchip<X·Mmirror···(6)KbondX·Mmirror<14KdiaphragmMmirror...(7)]]>Kbond<X4·Kdiaphragm...(8)]]>(盖的构成)盖63是玻璃平板，与底座62的侧壁部622的端面接合。盖63和底座62的接合方法，可以采用如上所述的低融点玻璃接合等。[波长可变干涉滤波器的振动]下面，对通过固定材料64固定波长可变干涉滤波器5的单侧的至少一个位置时产生的振动进行说明。如上所述，在通过作为波长可变干涉滤波器5的单侧，例如顶点C4侧的一个位置处固定的波长可变干涉滤波器5中，由于施加在光学滤波器装置6的干扰信号振动和施加在静电致动器56的驱动电压产生的振动，有时以顶点C4为固定端产生振动。作为这种振动，例如，有时以顶点C4的对角顶点C2′作为自由端产生基板厚度方向的一阶共振、即芯片振动。随着从作为固定端的顶点C4朝向作为自由端的顶点C2′，该芯片振动的振幅增大。在这里，作为芯片振动的一阶振动频率的芯片共振频率fc和作为可动部521的一阶振动频率的镜像共振频率fm相近的情况下，波长可变干涉滤波器5如上述所述产生芯片振动时，有时可动部521与该芯片振动对应地共振，产生作为可动部521的一阶共振的镜像振动。这样的共振发生后，可动部521的振幅和芯片振动的振幅增大。另外，存在如下的可能性：闭合环路系统15L中的、波长可变干涉滤波器5的相位的变化量(相位延迟量)的最大值、即芯片共振的相位旋转角θchip增大，反馈控制的稳定性降低。与此相对，本实施方式采用芯片共振的相位旋转角θchip接近0°的构成，由此增加反馈控制的稳定性。具体地说，本实施方式中，为了抑制可动部521的共振、降低芯片共振的相位旋转角θchip，采用下列结构。(1)可动部521的轻量化(2)保持部522的高刚性化(3)波长可变干涉滤波器5的增加重量化(4)固定材料64的低弹性化本实施方式中，通过上述结构(1)～(4)，使得芯片振动频率fc减小、芯片振动频率fc在镜像共振频率fm的一半以下。由此，能够抑制波长可变干涉滤波器5的芯片振动和镜像振动的共振。另外，优选将芯片振动频率fc设定在镜像共振频率fm的1/10以下，能够更可靠地抑制芯片振动和镜像振动的共振。由此，通过增大芯片共振频率fc和镜像共振频率fm之间的差，抑制芯片振动和镜像振动的共振，能够使芯片共振的相位旋转角θchip接近0°，能够提高反馈控制的稳定性。另外，通过抑制芯片振动和镜像振动的共振，能够将芯片共振的相位旋转角θchip设定在0°≤θchip＜90°的范围内。因此，由于反馈控制部152的相位补偿量(绝对值)和波长可变干涉滤波器5的芯片共振的相位旋转角θchip的和不会达到180°，因此，在闭合环路系统15L的反馈控制中，能够使反射膜间的间隙G1的尺寸收敛。[两自由度振动模型的解析]下面，进行使用两自由度振动模型的解析，对通过上述结构(1)～(4)，能够使芯片共振的相位旋转角θchip减小，提高反馈控制的稳定性的情况进行说明。图6是将光学滤波器装置6作为两自由度振动模型模型化的、光学滤波器装置6的简单等效模型的示意图。图6中，M1是包含可动反射膜55的可动部521的质量，X1是可动部521(即可动反射膜55)的位移，K1是保持部522的弹性系数、相当于上述的Kdiaphragm。另外，M2是除去可动部521和可动反射膜55之外的波长可变干涉滤波器5的质量，X2是波长可变干涉滤波器5的位移。K2是通过固定材料64固定在底座62上的波长可变干涉滤波器5的整体的弹性系数。另外，弹性系数K2还包括固定材料64的弹性。另外，u是静电致动器施加的力。(参数和频率特性的变化)使用图6所示的简易等效模型进行参数解析，解析了针对波长可变干涉滤波器5的各个参数M1、K1、M2、K2的频率特性的变化。下面，对各个参数M1、K1、M2、K2的参数解析的结果进行说明。另外，对于参数解析，采用下列表1所示的值作为解析条件(参数的固定值)。[表1]参数解析条件M1(kg)1E-6，5E-6，1E-5，2E-5，3E-5，4E-5，5E-5，1E-4K1(N/m)1E+4，3.7E+4，1.37E+5，2.37E+5，3.37E+5，4.37E+5M2(kg)5E-5，1E-4，2E-4，5E-4，1E-3K2(N/m)1E+4，2E+4，5E+4，1E+5，2E+5，5E+5，1E+6，1E+7(M1的解析结果)图7的(A)和(B)是包括可动反射膜55的可动部521的质量M1采用上述表1的值，进行参数解析的结果的示意图。图7的(A)表示波长可变干涉滤波器5的振幅的频率特性(增益特性)，图7的(B)表示相位的频率特性(相位特性)。这里，对于图7的(A)示出的增益特性，各M1的值分别在低频率侧和高频率侧的2个位置有峰值。这些峰值中低频率侧的峰值相当于芯片振动(芯片共振频率fc)，高频率侧的峰值相当与镜像振动(镜像共振频率fm)。这些芯片共振频率fc和镜像共振频率fm越接近，如上所述，越容易产生芯片振动和镜像振动的共振。另外，M1以外的其他参数也同样，具有分别对应于芯片振动和镜像振动的峰值。如图7的(A)所示，示出了M1越小芯片振动的振幅就越小的倾向。可以认为其原因是：M1越小，镜像共振频率fm越比芯片共振频率fc更大幅度地向高频率侧位移，远离芯片共振频率fc，因此抑制对应于镜像振动的芯片振动的产生，芯片振动减弱。图8是相对于M1的芯片共振的相位旋转角θchip的绝对值的变化的示意图。如图7的(B)和图8所示，示出M1越小，作为芯片振动的相位变化的峰值的芯片共振的相位旋转角θchip的绝对值就越小的倾向。作为上述结构(1)的一个例子，例示出减小可动基板52的厚度尺寸的情况。由此，能够将可动部521减薄，减小可动部521的体积，能够使M1充分地减小到使芯片共振的相位旋转角θchip在最大允许值以下的足够程度，。另外，也可以减小可动部521的与基板厚度方向垂直的面方向的截面面积来减小质量M1。在这里，如图8所示，通过使M1在2E-5(kg)以下，能够使芯片共振的相位旋转角θchip的绝对值在90°以下，能够抑制反馈控制的相位延迟，能够更可靠地提高闭合环路系统15L的稳定性。另外，通过使M1在1E-5(kg)以下，能够使芯片共振的相位旋转角θchip的绝对值在30°以下，能够更进一步可靠地提高闭合环路系统15L的稳定性。(K1的解析结果)图9的(A)和(B)是对保持部522的弹性系数进行与图7的(A)和(B)相同的参数解析的结果的示意图。如图9的(A)所示，K1越大，则芯片振动频率越大，振幅越小。与上述M1的情况相同，可以认为其原因是：K1值越大，镜像共振频率fm越远离芯片共振频率fc，因此抑制对应于芯片振动的镜像振动的产生(共振)。图10是相对于K1的芯片共振的相位旋转角θchip的绝对值的变化的示意图。如图9的(B)和图10所示，K1越大芯片共振的相位旋转角θchip的绝对值越小。本实施方式中，作为上述结构(2)的一个例子增大保持部522的厚度尺寸，在由静电致动器56的静电引力产生的可弹性变形的范围内，增大保持部522的刚性。由此，能够增大弹性系数K1。另外，也可以使用更高刚性的材料作为可动基板522来增大保持部522的刚性，从而增大K1。在这里，如图10所示，通过将K1设定在4E+4(N/m)以上，能够使芯片共振的相位旋转角θchip的绝对值在90°以下。另外，通过将K1设定在2E+5(N/m)以上，能够使芯片共振的相位旋转角θchip的绝对值在30°以下。(M2的解析结果)图11的(A)和(B)是对波长可变干涉滤波器5(但是，除去可动部521以及可动反射膜55之外)的质量M2进行与图7的(A)和(B)相同的参数解析的结果的示意图。如图11的(A)所示，示出M2越大，芯片共振频率越小，振幅越小的倾向。可以认为其原因是：M2越大越抑制芯片振动的发生。另外，如图11的(A)所示，M2越大，芯片共振频率fc越向低频率侧位移，位移量比镜像共振频率fm大。即，M2越大，芯片共振频率fc越远离镜像共振频率，因此能够抑制对应于芯片振动的镜像振动的产生。图12是相对于M2的芯片共振的相位旋转角θchip的变化的示意图。如图11的(B)和图12所示，M2越大芯片共振的相位旋转角θchip越小。本实施方式中作为上述结构(3)的一个例子，例示出增大固定基板51的厚度尺寸的情况。另外，在滤波器俯视图中，例示出增大固定基板51和可动基板52的面积的情况。由此，能够增大M2。在这里，如图12所示，通过将M2设定在2E-4(kg)以上，能够使芯片共振的相位旋转角θchip在90°以下。另外，通过将M2设定在5E-4(kg)以上，能够使芯片共振的相位旋转角θchip在30°以下。另外，也可以在滤波器俯视图中，维持可动部521的尺寸，通过增大固定基板51以及可动基板52的尺寸，例如，滤波器俯视图中的边C3—C4和边C1′－C2′的距离尺寸，从而增大M2。这样的结构中，能够增加芯片振动的振动部分的长度，即，顶点C4到顶点C2′的距离，能够减小芯片共振频率。由此，能够可靠地抑制对应于芯片振动的镜像振动的产生。(K2的解析结果)图13的(A)和(B)是对固定材料64和波长可变干涉滤波器5的整体的弹性系数K2进行与图7的(A)和(B)相同的参数解析的结果的示意图。如图13的(A)所示，K2越小，芯片共振频率fc越小，振幅越小。可以认为其原因是：K2越小，弹性变形产生的振动的衰减越大，芯片振动越被抑制。另外，如图13的(A)所示，K2越小，芯片共振频率fc和镜像共振频率fm之间的间隔越大，从而抑制对应于芯片振动的镜像振动的产生。图14是相对于K2的芯片共振的相位旋转角θchip的变化的示意图。如图13的(B)和图14所示，K2越小则芯片共振的相位旋转角θchip越小。本实施方式中，作为上述结构(4)，能够例示出使用具有对应于波长可变干涉滤波器5的振动发生弹性变形的程度的弹性模量的固定材料64的结构。即，固定材料64具有受到来自以该固定材料64的固定位置为中心转动的波长可变干涉滤波器5的应力，能够弹性变形的弹性模量(例如，100MPa以下)。这样，通过固定材料64发生弹性变形，能够减小芯片共振频率fc和振幅，能够减小芯片共振的相位旋转角θchip。在这里，如图14所示，通过将K2上的在1E+5(N/m)以下，能够使芯片共振的相位旋转角θchip在90°以下。另外，通过将K2设定在4E+4(N/m)以下，能够使芯片共振的相位旋转角θchip在30°以下。[实施方式的作用效果]本实施方式的光谱测定装置1的光学模块10中，将作为芯片振动的一阶共振频率的芯片共振频率fc设定在作为可动部521的一阶共振频率的镜像共振频率fm的一半以下。由此，即使在由于干扰信号等激起芯片振动的情况下，也能够抑制由于该芯片振动激起可动部521的镜像振动(共振)，能够抑制反射膜间的间隙G1的尺寸的变化。因此，能够抑制由于上述间隙尺寸的变动引起的波长可变干涉滤波器5的分辨率的降低。另外，通过将芯片共振频率fc设定在镜像共振频率fm的1/10以下，能够更可靠地抑制激起镜像振动，能够抑制分辨率的降低。本实施方式中，将固定材料64的弹性模量设定为由于与芯片振动引起的干涉滤波器的转动对应的应力而产生弹性变形的规定的值(第一阈值)以下。这里，第一阈值是对应于芯片振动的固定材料64可以弹性变形的弹性模量的上限值。这样的结构中，波长可变干涉滤波器5整体的弹性系数K2的值变小。由此，能够降低芯片共振频率fc，并且，能够通过固定材料64的弹性变形抑制芯片振动。因此，能够抑制由芯片振动激起镜像振动。本实施方式中，减小相对于除去可动部521之外的波长可变干涉滤波器5的质量M2的可动部521的质量M1，通过将可动部521的质量M1与上述质量M2的比设定为，芯片共振频率fc是镜像共振频率fm的一半的第二阈值以下，能够增大芯片共振频率fc和镜像共振频率fm之间的差，能够抑制由芯片振动激起镜像振动。另外，本实施方式中，通过减小可动部521的质量M1，能够增大芯片共振频率fc和镜像共振频率fm之间的差，能够抑制由芯片振动激起镜像振动。另外，能够将M1充分减小到使芯片共振的相位旋转角θchip在最大允许值以下的足够程度。另外，本实施方式中，通过增大除去可动部521之外的波长可变干涉滤波器5的质量M2，能够增大芯片共振频率fc和镜像共振频率fm之间的差，能够抑制由芯片振动激起镜像振动。本实施方式中，通过将保持部522的刚性形成为比各基板51、52的刚性小，比固定材料64的刚性大，能够增大芯片共振频率fc和镜像共振频率fm之间的差。更具体地，本实施方式中，作为固定材料64的刚性的弹性系数Kbond是比作为保持部522的刚性的弹性系数Kdiaphragm的X/4倍的值还小的值。这样的结构中，如上所述，能够使芯片共振频率fc在镜像共振频率fm的一半以下，能够抑制由芯片振动激起镜像振动。例如，即使由于干扰信号等产生芯片振动，通过固定材料64对应于芯片振动发生弹性变形，能够抑制激起镜像振动。另外，能够抑制芯片振动和镜像振动的共振。另外，通过增大保持部522的刚性，能够使保持部522的弹性系数K1增大，能够增大镜像共振频率fm。本实施方式的光学模块10具有上述的光学滤波器装置6。因此，能够抑制光学滤波器装置6的波长可变干涉滤波器5的分辨率的降低，能够在维持分辨率的状态下使光从光学滤波器装置6射出。因此，光学模块10中，通过检测器11能够高分辨率地检测出所需波长的光的光量。另外，本实施方式的光谱测定装置1，同样地，能够基于从光学滤波器装置6输出的高分辨率的光，进行高精度的处理。本实施方式中，波长可变干涉滤波器5与间隙检测部151、反馈控制部152一起构成闭合环路系统15L。在这里，由于波长可变干涉滤波器5的芯片共振频率fc设定在镜像共振频率fm的一半以下，因此能够使闭合环路系统15L中的，作为波长可变干涉滤波器5的相位变换量的最大值的芯片共振的相位旋转角θchip比90°小。由此，闭合环路系统15L中的波长可变干涉滤波器5和反馈控制部152的相位延迟比180°小，能够抑制振荡。[其他的实施方式]另外，本发明并不限于前述的实施方式，在能够达成本发明目的的范围内的变形、改良等都包含在本发明内。例如，上述实施方式中，例示出通过固定材料64固定波长可变干涉滤波器5的固定基板51的侧面51A的结构，但本发明并不限定于此。即，在固定基板51和可动基板52中的至少一方，沿着基板厚度方向的侧面附近，即，在波长可变干涉滤波器5的单侧的至少一个位置处，通过固定材料64固定即可。[光学滤波器装置的第一变形例]图15是示出第一变形例的光学滤波器装置的简要结构的俯视图。如图15所示，第一变形例的光学滤波器装置6A中，在固定基板51的侧面51A的两个位置设置有固定材料64A。这样的结构，例如，与在固定基板51和可动基板52的角部的一个位置处固定波长可变干涉滤波器5的情况相比，能够抑制固定基板51和可动基板52以该固定位置为中心旋转(扭转)。另外，能够减小固定材料64A的固定面积，能够降低固定材料64A作用于固定基板51和可动基板52的应力。另外，可以固定固定基板51的侧面51A的多个位置，也可以固定可动基板52的侧面的多个位置。另外，也可以同时固定固定基板51的侧面和可动基板52的侧面。[光学滤波器装置的第二变形例]图16是示出第二变形例的光学滤波器装置的简要结构的俯视图，图17是示出上述第二变形例的简要结构的剖面图。如图16和17所示，第二变形例的光学滤波器装置6B中，在沿着可动基板52的边C3—C4的2个位置设置有固定材料64B。该固定材料64B如图17所示，设置在可动基板52的与底座内侧面621A相对的面52A(底座相对面52A)上。这样的结构中，由于将设置有电极垫57的边C3—C4侧固定，即使在由于干扰信号等激起芯片振动的情况下，也能够抑制边C3—C4侧的振幅量增大，能够降低芯片振动产生的对接线的负荷。[光学滤波器装置的第三变形例]图18是示出第三变形例的光学滤波器装置的简要结构的俯视图，图19是示出上述第三变形例的简要结构的剖面图。如图18和19所示，第三变形例的光学滤波器装置6C中，沿着可动基板52的边C1—C2的2个位置设置有固定材料64C。该固定材料64C如图19所示，设置在可动基板52的底座相对面52A上。[光学滤波器装置的第四变形例]图20是示出第四变形例的光学滤波器装置的简要结构的俯视图，图21是示出上述第四变形例的简要结构的剖面图。如图20和21所示，第四变形例的光学滤波器装置6D中，沿着固定基板51的边C1′—C2′的2个位置设置有固定材料64D。该固定材料64C如图21所示，设置在固定基板51的与底座内侧面621A相对的底座相对面51B上。第四变形例如图21所示，底座部内侧面621A的设置固定材料64D的部分设有向固定基板51侧突出的突出部，突出部和固定基板51之间设置固定材料64D。另外，也可以不设置该突出部，在底座内侧面621A和固定基板51的基板相对面51B之间设置固定材料64D。[光学滤波器装置的第五变形例]图22是示出第五变形例的光学滤波器装置的简要结构的剖面图。上述实施方式中，波长可变干涉滤波器5的可动基板51在可动部521和基板外周部523，构成为厚度尺寸大致均匀，但是本发明并不仅限与此。即，如图22所示，第五变形例的光学滤波器装置6E中，可动部521的厚度尺寸H1形成为比保持部522的厚度尺寸H2大，比基板外周部523的厚度尺寸H3小(基板外周部523的厚度尺寸H3＞可动部521的厚度尺寸H1＞保持部522的厚度尺寸H2)。这样，通过使基板外周部523的厚度尺寸H3比可动部521的厚度尺寸H1大，能够减小可动部521的质量，并且，增大可动基板52的质量，能够使可动部521的质量与除去可动部521之外的波长可变干涉滤波器5的质量的比变小。由此，能够增大芯片共振频率fc和镜像共振频率fm之间的差，能够抑制芯片振动和镜像振动的共振。[其他的变形例]上述实施方式中，通过同时采用质量M1在规定位置以下的构成(可动部521的轻量化)、弹性系数K1在规定值以上的构成(保持部522的高刚性化)、质量M2在规定值以上的构成(增大芯片质量)、以及弹性系数K2在规定值以下的构成(固定材料64的低弹性化)，更可靠地抑制芯片振动和镜像振动的共振，但是本发明并不仅限于同时采用这些的构成。即，也可以是至少采用上述各构成中的至少1个的构成。另外，由于对应于采用的构成，能够适当地设定各参数的上限值或下限值，使得镜像振动的影响在允许范围以内。上述实施方式例示出，闭合环路系统15L中，反馈控制部152的相位补偿量设定为－90°的构成，本发明并不仅限于此，相位补偿量也可以设定为－90°以外的值。在这样的情况下，减小芯片共振的相位旋转角θchip时，为了使反馈控制部152的相位补偿量和波长可变干涉滤波器5的相位变化的和不达到－180°(即，使电压控制部15的相位旋转角θchip不超过360°)，能够对应于反馈控制部152的相位补偿量设定芯片共振的相位旋转角θchip。上述实施方式中，也可以使减弱芯片振动的阻尼元件配置为与固定基板51或可动基板52接触的状态。作为该阻尼元件，能够使用油脂和润滑油等高粘度液体或弹性体等。由此，能够抑制芯片振动，能够更可靠地抑制由芯片振动激起镜像振动(共振)。上述实施方式中，作为间隙变更部，例示出具有通过向固定电极561和可动电极562施加电压，通过静电引力变更反射膜间的间隙G1的静电致动器的构成，但并不仅限于此。例如，间隙变更部也可以使用感应致动器。在这种情况下，能够例示出取代固定电极561而配置第一感应线圈，取代可动电机562而配置第二感应线圈或永磁体的构成。并且，间隙变更部也可以使用压电致动器。在这种情况下，能够例示出在保持部522层叠配置下部电极层、压电膜、以及上部电极层，作为输入值使施加在下部电极层和上部电极层之间的电压可变，从而使压电膜伸缩而使保持部522挠曲的构成。上述实施方式中，使用各反射膜54、55作为电容检测量的电极，但并不仅限于此。例如，也可以与各反射膜54、55分开，在固定基板51和可动基板52上设置彼此相对的电容检测用电极。另外，作为本发明的电子设备，上述实施方式中例示出光谱测定装置，但除此以外，还可以根据各种领域应用本发明的光学模块以及电子设备。例如，本发明的电子设备也可以应用于测定颜色的测色装置。图23是具有波长可变干涉滤波器的测色装置400的一个例子的示意图。该测色装置400，如图23所示，具有：向检测对象A射出光的光源装置410、测色传感器420(光学模块)、以及控制测色装置400的整体动作的控制装置430(处理部)。并且，该测色装置400是如下的装置：从光源装置410射出的光被检测对象A反射，被反射的检测对象光由测色传感器420接收，基于从测色传感器420输出的检测信号，对检测对象光的色度即检测对象A的颜色进行分析、测定。光源装置410具有光源411和多个透镜412(图23中仅记载了1个)，向检测对象A射出例如基准光(例如白色光)。另外，多个透镜412中可以包括准直透镜，在这样的情况下，光源装置410将从光源411射出的基准光经准直透镜变为平行光，并从未图示的投射透镜向检测对象A射出。另外，本实施方式中，例示出具有光源装置410的测色装置400，但是在例如检测对象A是液晶面板等发光部件的情况下，也可以采用未设置光源装置410的构成。测色传感器420，如图23所示，具有：容纳波长可变干涉滤波器5的光学滤波器装置6、接收透过波长可变干涉滤波器5的光的检测器11和改变透过波长可变干涉滤波器5的光的波长的电压控制部15。另外，测色传感器420在与波长可变干涉滤波器5相对的位置上具有将被检测对象A反射的反射光(检测对象光)在内部进行导光的未图示的入射光学透镜。然后，该测色传感器420通过波长可变干涉滤波器5对从自入射光学透镜入射的检测对象光中的规定波长的光进行分光，并由检测器11接收分光后的光。控制装置430控制测色装置400的整体动作。作为该控制装置430，能够使用例如通用个人电脑和便携信息终端，除此以外，还能够使用其他测色专用计算机等。而且，如图23所示，控制装置430构成为具备光源控制部431、测色传感器控制部432及测色处理部433等。光源控制部431与光源装置410连接，例如基于使用者的设定输入，向光源装置410输出规定的控制信号，并使其射出规定的亮度的白色光。测色传感器控制部432与测色传感器420连接，例如基于使用者的设定输入，设定通过测色传感器420接收的光的波长，并将旨在检测该波长的光的受光量的控制信号输出至测色传感器420。由此，测色传感器420的电压控制部15基于控制信号，向静电致动器56施加电压，驱动波长可变干涉滤波器5。测色处理部433根据由检测器11检测的受光量，分析检测对象A的色度。另外，作为本发明的电子设备的其他示例，能够例举用于检测特定物质的存在的基于光的系统。作为这种系统，例如能够例示出使用本发明的波长可变干涉滤波器的、采用分光测量方式高灵敏度地检测特定气体的车载用气体泄漏检测器和呼吸检查用的光声稀有气体检测器等气体检测装置。以下，根据附图说明这种气体检测装置的一例。图24是具有波长可变干涉滤波器的气体检测装置一个例子的示意图。图25是示出图24的气体检测装置的控制系统的结构的方框图。如图24所示，该气体检测装置100构成为具备：具备传感器芯片110、流道120以及主体部130，其中该流道120具备吸引口120A、吸引流道120B、排出流道120C、以及排出口120D。主体部130由具有可拆卸流道120的开口的传感器部盖131、排出单元133、壳体134、检测装置(光学模块)、处理检测到的信号并控制检测部控制部138(处理部)、供给电力的供电部139等构成，其中，该检测装置包括光学部135、滤波器136、光学滤波器装置6及受光元件137(检测部)等。另外，光学部135由射出光的光源135A，分束器135B，以及透镜135C、135D、135E构成，其中，该分束器135B将从光源135A射入的光反射至传感器芯片110侧，并使从传感器芯片侧射入的光透过至受光元件137侧。另外，如图25所示，操作面板140、显示部141、用于与外部的接口的连接部142以及供电部139设置于气体检测装置100的表面。供电部139为二次电池的情况下，也可以具备用于充电的连接部143。并且，如图25所示，气体检测装置100的控制部138具备：由CPU等构成的信号处理部144、用于控制光源135A的光源驱动器电路145、用于控制波长可变干涉滤波器5的电压控制部15、接收来自受光元件137的信号的受光电路147、号传感器芯片检测电路149、以及控制排出单元133的排出驱动器电路150等，其中，该传感器芯片检测电路149读取传感器芯片110的编码，并接收来自用于检测有无传感器芯片110的传感器芯片检测器148的信号。接下来，对于上述的气体检测装置100的动作，下面进行说明。在主体部130的上部的传感器部盖131的内部设置有传感器芯片检测器148，通过该传感器芯片检测器148检测有无传感器芯片110。信号处理部144当检测到来自传感器芯片检测器148的检测信号时，判断为处于安装有传感器芯片110的状态，并向显示部141发出使其显示旨在可以进行检测动作的显示信号。然后，例如由使用者操作操作面板140，如果从操作面板140向信号处理部144输出旨在开始检测处理的指示信号，则首先信号处理部144向光源驱动器电路145输出光源动作的信号以使光源135A动作。当光源135A被驱动时，从光源135A射出单一波长且直线偏光稳定的激光。另外，光源135A中内置有温度传感器和光量传感器，其信息向信号处理部144输出。然后，信号处理部144根据从光源135A输入的温度和光量，判断为光源135A正在稳定地动作时，则控制排出驱动器电路150使排出单元133动作。由此，包含应检测的目标物质(气体分子)的气体试料被从吸引口120A向吸引流道120B、传感器芯片110内、排出流道120C、排出口120D引导。此外，于吸引口120A处设置有除尘过滤器120A1，可以除去比较大的粉尘和一部分水蒸气等。另外，传感器芯片110是组装有多个金属纳米构造体，利用局部表面等离子体共振的传感器。在这种传感器芯片110中，通过激光在金属纳米构造体间形成增强电场，当气体分子进入该增强电场内时，产生包含分子振动的信息的拉曼散射光及瑞利散射光。这些拉曼散射光和瑞利散射光通过光学部135射入滤波器136，瑞利散射光通过滤波器136而被分离，而拉曼散射光射入长可变干涉滤波器5。然后，信号处理部144向电压控制部146输出控制信号。由此，电压控制部15向静电致动器56施加反馈电压，使得对应于作为检测对象的气体分子的拉曼散射光透过波长可变干涉滤波器5。之后，由受光元件137接收分光后的光，对应于受光量的受光信号经由受光电路147输出至信号处理部144。这种情况下，能够从波长可变干涉滤波器5精度良好地取出目标的拉曼散射光。信号处理部144将如上所述得到的对应于作为检测对象的气体分子的拉曼散射光的光谱数据和存储于ROM的数据进行比较，判定是否为目标气体分子，从而进行物质的特定。另外，信号处理部144使该结果信息显示在显示部141上，或从连接部142向外部输出。此外，在上述图24及图25中，例示了通过波长可变干涉滤波器5将拉曼散射光分光、并根据分光后的拉曼散射光进行气体检测的气体检测装置100，但作为气体检测装置，也可以用作通过检测气体固有的吸光度而对气体种类进行特定的气体检测装置。这种情况下，使用使气体流入传感器内部，并检测入射光中被气体吸收的光的气体传感器作为本发明的光学模块。并且，将通过这种气体传感器对流入传感器内的气体进行分析、判别的气体检测装置作为本发明的电子设备。通过这种结构，也能够使用波长可变干涉滤波器检测气体的成分。另外，作为用于检测特定物质的存在的系统，不限于如上所述的气体的检测，还可以例示出基于近红外线分光的糖类的非侵入性测定装置，以及食物、生物体、矿物等信息的非侵入性测定装置等物质成分分析装置。以下，作为上述物质成分分析装置的一例，说明食物分析装置。图26是作为利用波长可变干涉滤波器5的电子设备的一个例子的食物分析装置的简要结构的示意图。如图26所示，该食物分析装置200具备检测器210(光学模块)、控制部220和显示部230。检测器210具备：射出光的光源211、导入来自测定对象物的光的摄像透镜212、将由摄像透镜212导入的光进行分光的收纳波长可变干涉滤波器5的光学滤波器装置6、以及检测分光后的光的摄像部213(检测部)。另外，控制部220具备：进行光源211的点亮/熄灭控制、点亮时的亮度控制的光源控制部221，控制波长可变干涉滤波器5的电压控制部222，控制摄像部213并取得由摄像部213拍摄到的分光图像的检测控制部223，信号处理部224(分析部)，以及存储部225。当该食物分析装置200驱动系统时，则通过光源控制部221控制光源211，从光源211向测定对象物照射光。接着，被测定对象物反射的光通过摄像透镜212射入波长可变干涉滤波器5。由此，能够从波长可变干涉滤波器5精度良好地取出目标波长的光。然后，被取出的光通过例如由CCD照相机等构成的摄像部213进行拍摄。另外，拍摄到的光作为光谱图像存储于存储部225。另外，信号处理部224控制电压控制部15改变施加于波长可变干涉滤波器5的电压值，取得针对各波长的光谱图像。接着，信号处理部224对存储于存储部225的各图像中的各像素数据进行运算处理，求出各像素的光谱。另外，存储部225中存储有例如关于光谱的食物成分的相关信息，信号处理部224根据存储部225所存储的食物的相关信息分析求得的光谱数据，并求出检测对象中包含的食物成分及其含量。另外，根据得到的食物成分及含量，还能够算出食物卡路里和鲜度等。进而，通过分析图像内的光谱分布，还能够进行检测对象的食物中鲜度正在下降的部分的提取等，并且还能够进行食物内含有的异物等的检测。然后，信号处理部224进行如下处理：将如上所述得到的检测对象的食物的成分和含量、卡路里和鲜度等信息显示于显示部230。另外，在图26中例示出食物分析装置200的示例，但通过大致相同的结构也可以用作如上所述的其他信息的非侵入性测定装置。例如，可以用作血液等体液成分的测定、分析等分析生物体成分的生物体分析装置。作为这种生物体分析装置，例如作为测定血液等体液成分的装置，如果作为检测乙醇的装置，则能够用作检测驾驶员的饮酒状态的防止酒驾装置。另外，也可以用作具备这种生物体分析装置的电子内视镜系统。并且，还可以用作进行矿物成分分析的矿物分析装置。并且，作为本发明的波长可变干涉滤波器、光学模块、电子设备，能够应用于以下装置。例如，通过使各波长的光的强度随时间变化，可以利用各波长的光传输数据，这种情况下，通过设置于光学模块的波长可变干涉滤波器对特定波长的光进行分光，再由受光部接收光，从而能够提取出由特定波长的光传输的数据，并且还可以通过具备这种数据提取用光学模块的电子设备处理各波长的光的数据，从而进行光通信。另外，作为电子设备，也可以应用于通过本发明的波长可变干涉滤波器对光进行分光，从而拍摄光谱图像的光谱相机、光谱分析仪等。作为这种光谱相机的一例，可以例举内置有波长可变干涉滤波器的红外线照相机。图27是表示光谱相机的简要结构的示意图。如图27所示，光谱相机300具备相机主体310、摄像透镜单元320、以及摄像部330。相机主体310是由使用者把持、操作的部分。摄像透镜单元320设置于相机主体310，将射入的图像光导向摄像部330。另外，如图27所示，该摄像透镜单元320构成为具备物镜321、成像透镜322及设置于这些透镜之间的容纳波长可变干涉滤波器5的光学滤波器装置6。摄像部330由受光元件构成，对由摄像透镜单元320导入的图像光进行拍摄。在这种光谱相机300中，通过波长可变干涉滤波器5使成为拍摄对象的波长的光透过，从而能够拍摄所需波长的光的光谱图像。并且，也可以将本发明的光学滤波器装置作为带通滤波器使用，例如，可以用作通过波长可变干涉滤波器，仅对从发光元件射出的规定波长区域的光中、以规定的波长为中心的狭窄波段的光进行分光并使其透过的光学式激光装置。另外，也可以将本发明的光学滤波器装置作为生物体认证装置使用，例如，可以应用于利用近红外区域或可视区域的光的、血管或指纹、视网膜、虹膜等的认证装置。并且，可以将光学模块及电子设备作为浓度检测装置使用。这种情况下，通过波长可变干涉滤波器对从物质射出的红外能量(红外光)进行分光并进行分析，从而测定样品中的被检体浓度。如上所述，本发明的光学滤波器装置、光学模块及电子设备能够应用于对入射光中规定的光进行分光的任何装置。除此之外，实施本发明时的具体构造，在能够达成本发明目的的范围内能够适当地变更为其他构造等。另外，对于上述实施方式，也可以将各实施例的适当进行组合。