浸没式光刻设备和器件制造方法与流程

本申请要求2014年7月25日提交的欧洲专利申请14178480.1和2015年3月31日提交的欧洲专利申请15161938.4的优先权，并且这些申请通过整体引用被并入本文。

技术领域

本发明涉及光刻设备和器件制造方法。

背景技术：

光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常是到衬底的目标部分上)的机器。可以例如在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。在这样的情况中，备选地被称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于生成待形成在IC的各个层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括裸片的一部分、一个或若干裸片)上。图案的转移典型地是凭借到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上的成像来进行。一般地，单个衬底将包含相继地被图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过使整个图案一次曝光到目标部分上来辐照各目标部分；和所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案而同时同步地平行于或反向平行于该方向扫描衬底来辐照各目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上而使图案从图案形成装置转移至衬底。

在浸没式光刻设备中，通过流体处理系统或设备来处理浸没流体。在一个实施例中，流体处理系统或设备可以供应浸没流体，并因此包括流体供应系统或设备或者由其构成。在一个实施例中，流体处理系统或设备可以至少部分地限制浸没流体。在一个实施例中，流体处理系统或设备可以向浸没流体提供屏障，并由此包括诸如流体限制结构等的屏障构件或者由其构成。在一个实施例中，流体处理系统或设备可以创建或使用气体的流动，例如以帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气体的流动可以形成用以限制浸没流体的密封，所以流体处理系统或设备可以被称作密封构件；这样的密封构件可以是流体限制结构。在一个实施例中，浸没液体被用作浸没流体。在该情况中流体处理系统或设备可以是液体处理系统或设备。在以下描述中，对相对于流体限定的特征的引用可以理解为包括相对于液体限定的特征。

在一些浸没式光刻设备中，在液体限制结构与投影系统的最终元件(有时被称作WELLE透镜)之间有间隙。浸没液体的自由弯液面可能会位于间隙中。典型地，气体流过设备以用于热调节。气流中的一些可能会跨越液体限制结构流到间隙内。气流可能会不利地引起浸没液体蒸发，由此将热负荷施加在液体限制结构和投影系统上。热负荷可能会引起投影系统上的热(例如，冷)斑。取决于弯液面的位置，热斑可能会引起光学像差和/或可能会造成叠加/聚焦不规则。另外，浸没液体中的一些可能会通过穿过间隙而从液体限制结构逸出。

在曝光期间，衬底台相对于液体限制结构(和投影系统)被移动。移动可以引起液体限制结构内的浸没液体使间隙向上(例如在衬底的行进的方向上)移动。当衬底通过扫描或步进运动被移动时，衬底的移动的方向改变。因为间隙中的浸没液体随着衬底的移动而移动，所以移动引起间隙中的浸没液体的液位改变。浸没液体的移动可以被称作晃动。如果移动足够大，则浸没液体上的压力可能会足以引起液体溢出到液体限制结构的顶表面上。当压力降低时，液体流回到间隙内、也许随其带有不希望的污染颗粒存在于液体限制结构的顶表面上。液体还可能会留在液体限制结构的顶表面上和投影系统的表面上。剩余的液体可以随后蒸发到周围的气体中并且因此将热负荷施加在相应表面上。

相对于浸没液体是疏液性的材料可以在间隙的区域中设置在投影系统的外表面上。在晃动期间，疏液性材料可以帮助防止浸没液体沿着间隙向上或向外移动太远。疏液性材料可以减少当液体液位后退时留在投影系统上的液体的量。疏液性材料可以使弯液面成形为以便减少从投影系统的热传递。疏液性材料可以作为涂层或作为张贴物来施加。

本发明的目的是提供用于以有效的方式在投影系统的外表面上提供材料的设备和方法。

技术实现要素：

根据一方面，提供了一种浸没式光刻设备，包括：投影系统，被配置成将经图案化的辐射束通过浸没液体投影到衬底的目标部分上，投影系统的外表面包括具有非平面形状的第一表面；以及元件，被附接至第一表面并且被定位成使得元件的至少一部分在使用中接触浸没液体，其中：元件包括处于预成型状态且符合第一表面的非平面形状的连续整体材料的闭合环。

根据一方面，提供了一种器件制造方法，包括：使用投影系统将经图案化的辐射束通过浸没液体投影到衬底的目标部分上，其中：投影系统的外表面包括具有非平面形状的第一表面；以及将元件附接至第一表面，元件被定位成使得元件的至少一部分在使用中接触浸没液体，其中：元件包括处于预成型状态且符合第一表面的非平面形状的连续整体材料的闭合环。

附图说明

现在将参照随附示意图通过仅示例的方式来描述本发明的实施例，在图中相应的参考符号指示出相应的部件，并且其中：

图1描绘了根据本发明的实施例的光刻设备；

图2描绘了用于在光刻设备中使用的液体供应系统；

图3是描绘了根据一个实施例的进一步的液体供应系统的侧向截面图；

图4描绘了具有粘附至投影系统的第一表面的元件的光刻设备；

图5是图4的元件的示意性立体图；

图6是图5的元件的示意性侧向截面图；

图7是图6的元件的一部分的示意性侧向截面图；

图8是图5至图7的元件的示意性俯视图；

图9描绘了具有粘附至投影系统的第一和第二表面的元件的光刻设备；

图10是图9的元件的示意性立体图；

图11是图10的元件的示意性侧向截面图；

图12是图10和图11的元件的示意性俯视图；

图13是包括疏液性材料层和支撑层的元件的一部分的示意性侧向截面图；

图14是现有技术的张贴物的俯视图；

图15是形成为三维形状的现有技术的张贴物的立体图。

具体实施方式

图1示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的光刻设备。该设备包括：照射系统(照射器)IL，被配置成调节辐射束B(例如，UV辐射或任何其他合适的辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA并且被连接至第一定位装置PM，第一定位装置PM被配置成根据某些参数将图案形成装置MA精确地定位。该设备还包括衬底台(例如，晶片台)WT或“衬底支撑件”，被构造成保持衬底(例如，涂有抗蚀剂的晶片)W并且被连接至第二定位器PW，第二定位器PW被配置成根据某些参数将衬底W精确地定位。设备进一步包括投影系统(例如，折射型投影透镜系统)PS，被配置成将通过图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个裸片)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件，或者它们的任何组合，用于引导、成形或控制辐射。

支撑结构支撑(即承载)图案形成装置的重量。它以取决于图案形成装置的定向、光刻设备的设计和诸如例如图案形成装置是否被保持在真空环境中等的其他条件的方式保持图案形成装置。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是例如可根据需要固定或可动的框架或台。支撑结构可以确保图案形成装置例如相对于投影系统处于期望的位置。本文中的术语“掩模版”或“掩模”的任何使用都可以视为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

本文所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地解释为是指可以用于在辐射束的截面中赋予辐射束以图案，以便在衬底的目标部分中创建出图案的任何装置。应该注意的是，赋予辐射束的图案可以不是确切地对应于衬底的目标部分中的期望图案，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征的话。一般地，赋予辐射束的图案将对应于诸如集成电路等的正在目标部分中创建的器件中的特定的功能层。

图案形成装置可以是透射型或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模是光刻中公知的，并且包括诸如二元、交替相移和衰减相移等的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，其中的每一个小反射镜可以被单独地倾斜以便在不同方向上对入射的辐射束进行反射。倾斜的反射镜在由反射镜阵列反射的辐射束中赋予图案。

本文所使用的术语“投影系统”应该被广义地解释为涵盖任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统，或它们的任何组合，视正使用的曝光辐射或者诸如浸没液体的使用或真空的使用等的其他因素的情况而定。本文中的术语“投影透镜”的任何使用可以视为与更上位的术语“投影系统”同义。

如这里所描绘的，设备是透射类型的(例如，采用透射型掩模)。备选地，设备可以是反射类型的(例如，采用如上面所提及的类型的可编程反射镜阵列，或者采用反射型掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双平台)或多个衬底台或“衬底支撑件”(和/或两个或多个掩模台或“掩模支撑件”)的类型的。在这样的“多平台”机器中，可以并行地使用附加的台或支撑件，或者可以在一个或多个其他台或支撑件正用于曝光的时候在一个或多个台或支撑件上执行预备步骤。

光刻设备也可以是如下类型的：其中，衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。浸没液体也可以被施加至光刻设备中的其他空间，例如在掩模与投影系统之间。浸没技术可以用于增加投影系统的数值孔径。如本文所使用的术语“浸没”不意味着诸如衬底等的结构必须被浸渍在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统与衬底之间。

参见图1，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。源和光刻设备可以是单独的实体，例如当源是受激准分子激光器时。在这样的情况中，源不视为形成光刻设备的一部分，并且在包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器的光束传递系统BD的帮助下将辐射束从源SO传送到照射器IL。在其他情况中，源可以是光刻设备的整体部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL连同如果需要的话的光束传递系统BD可以被称作辐射系统。

照射器IL可以包括被配置成调整辐射束的角强度分布的调整器AD。一般地，可以调整照射器的光瞳面中的强度分布的至少外径向范围和/或内径向范围(常分别被称作σ外和σ内)。另外，照射器IL可以包括诸如积分器IN和聚光器CO等的各种其他部件。照射器可以用于调节辐射束，以在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。与源SO类似，照射器IL可以视为或不视为光刻设备的一部分。例如，照射器IL可以是光刻设备的整体部分或者可以是与光刻设备单独的实体。在后一情况中，光刻设备可以被配置成允许照射器IL被安装于其上。可选地，照射器IL是可拆卸的并且可以被单独地提供(例如，由光刻设备制造商或另一供应商)。

辐射束B入射在被保持在支撑结构MT(例如，掩模台)上的图案形成装置MA(例如，掩模)上，并且通过图案形成装置MA被图案化。在横穿掩模后，辐射束B通过投影系统PS，该投影系统使光束聚焦到衬底W的目标部分C上。在第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉仪装置、线性编码器或电容传感器)的帮助下，可以使衬底台WT精确地移动，例如以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径上。类似地，第一定位装置PM和另一位置传感器(其在图1中未明确描绘)可以用于将掩模相对于辐射束B的路径精确地定位，例如在从掩模库进行的机械检索之后，或在扫描期间。一般地，掩模台的移动可以在形成第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)的帮助下实现。类似地，衬底台WT或“衬底支撑件”的移动可以利用形成第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现。在步进器(与扫描器相对)的情况中，掩模台可以仅连接至短行程致动器，或者可以是固定的。掩模和衬底W可以利用掩模对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2来对齐。虽然如图示出的衬底对齐标记占据了专用目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中(这些被称为划线对齐标记)。类似地，在超过一个的裸片设置于掩模上的状况中，掩模对齐标记可以位于裸片之间。

用于在投影系统PS的最终元件与衬底之间提供液体的布置可以分为三个总体类别。这些是浴型布置、所谓的局部浸没系统和全湿浸没系统。在浴型布置中基本上衬底W的整体和可选地衬底台WT的一部分被浸没在液体浴中。

已提出的布置是为液体供应系统提供液体限制结构，液体限制结构沿着投影系统的最终元件与衬底、衬底台或两者之间的空间的边界的至少一部分延伸。这样的布置被图示在图2中。图2中图示且在下面描述的布置可以应用于上面所描述且在图1中图示出的光刻设备。

图2示意性地描绘了具有液体限制结构IH的局部液体供应系统或流体处理系统，液体限制结构IH沿着投影系统PS的最终元件与衬底台WT或衬底W之间的空间11的边界的至少一部分延伸。(请注意，在以下文本中对衬底W的表面的引用也另外地或以备选方案是指衬底台WT的表面，除非另有明确说明。)在一个实施例中，密封形成在液体限制结构IH与衬底W的表面之间，并且其可以是诸如气体密封16(具有气体密封的这样的系统被公开在欧洲专利申请公开号EP-A-1,420,298中)或液体密封等的无接触密封。

液体限制结构IH至少部分地将液体包含在投影系统PS的最终元件与衬底W之间的空间11中。空间11至少部分地由被定位在投影系统PS的最终元件的下方且围绕该最终元件的液体限制结构IH形成。液体通过开口13被带入在投影系统PS的下方且在液体限制结构IH内的空间11中。液体可以通过开口13被去除。液体是否通过开口13被带入空间11内或从空间11去除可以取决于衬底W和衬底台WT的移动的方向。

液体可以通过在使用期间形成在液体限制结构IH的底部与衬底W的表面之间的气体密封16被包含在空间11中。气体密封16中的气体在压力下经由气体入口15被提供至液体限制结构IH与衬底W之间的间隙。气体经由与出口14相关联的通道被提取。气体入口15上的过压、出口14上的真空水平以及间隙的几何形状被布置成使得存在有向内限制液体的高速气流。气体在液体限制结构IH与衬底W之间的液体上的力将液体包含在空间11中。这样的系统被公开在美国专利申请公开号US 2004-0207824中，该申请特此通过引用被全部并入。在一个实施例中，液体限制结构IH不具有气体密封。

在局部区液体供应系统中，衬底W被移动到投影系统PS和液体供应系统的下方。当例如要对衬底W的边缘成像时，或者当要对衬底台上(或测量台上)的传感器成像或要使衬底台WT移动以使得虚设衬底或所谓的闭合板可以被定位在液体供应系统的下方以使例如衬底交换能够发生时，衬底W(或其他对象)的边缘将在空间11的下方通过。液体可以泄漏到衬底W与衬底台WT之间的间隙内。该液体可能被迫处于液体静力学或液体动力学压力或者气刀或其他气流创建装置的力下。

图3是描绘了根据一个实施例的进一步的液体供应系统或流体处理系统的侧向截面图。图3中图示出且在下面描述的布置可以应用于上面所描述且在图1中图示出的光刻设备。液体供应系统设置有液体限制结构IH，其沿着投影系统PS的最终元件与衬底台WT或衬底W之间的空间的边界的至少一部分延伸。(请注意，在以下文本中对衬底W的表面的引用也另外地或以备选方案是指衬底台WT的表面，除非另有明确说明。)

液体限制结构IH至少部分地将液体包含在投影系统PS的最终元件与衬底W之间的空间11中。空间11至少部分地由被定位在投影系统PS的最终元件的下方且围绕该最终元件的液体限制结构IH形成。在一个实施例中，液体限制结构IH包括主体构件53和多孔构件83。多孔构件83是板状的并且具有多个孔(即，开口或孔隙)。在一个实施例中，多孔构件83是在网中形成许多小孔84的网板。这样的系统被公开在美国专利申请公开号US 2010/0045949A1中，该申请特此通过引用被全部并入。

主体构件53包括能够将液体供应至空间11的供应端口72，和能够从空间11回收液体的回收端口73。供应端口72经由通路74被连接至液体供应设备75。液体供应设备75能够将液体供应至供应端口72。从液体供应设备75馈送的液体通过相应的通路74被供应至供应端口72中的每一个。供应端口72在主体构件53的面对光路的规定位置处被布置在光路的附近。回收端口73能够从空间11回收液体。回收端口73经由通路79被连接至液体回收设备80。液体回收设备80包括真空系统并且能够通过经由回收端口73抽吸液体来回收液体。液体回收设备80通过通路79回收经由回收端口73回收的液体LQ。多孔构件83被布置在回收端口73中。

在一个实施例中，为了在投影系统PS(在一侧)与液体限制结构IH并(在另一侧)与衬底W之间形成具有液体的空间11，液体被从供应端口72供应至空间11并且液体限制结构IH中的回收室81中的压力被调整至负压力，以便经由多孔构件83的孔84(即，回收端口73)回收液体。执行利用供应端口72的液体供应操作和利用多孔构件83的液体回收操作在投影系统PS(在一侧)与液体限制结构IH并(在另一侧)与衬底W之间形成具有液体的空间11。

如在描述的介绍部分中所提到的，将疏液性材料施加至使用中接触浸没液体的投影系统PS是已知的。示例被公开在US2012274912A1的图8中。涂层具有有限的寿命并且在一段时间之后将需要重新施加。将疏液性材料作为涂层重新施加典型地要求专业设备并且可能因此对于光刻设备的用户来说不方便。施加涂层可能是耗时的，意味着要求显著的停机时间来重新施加涂层。将疏液性材料作为张贴物重新施加可能更方便。可能需要较少或者不需要专业设备。然而，施加张贴物仍会要求显著的停机时间。张贴物的耐久性可能有限且不可预测。液体可以在张贴物的暴露于液体的边缘处或在暴露于液体的不同张贴物(在使用多个张贴物的情况下)之间的界面处逐渐地渗透到张贴物下面的区域内。该液体渗透通过使张贴物至投影系统的粘附中断而破坏张贴物的整体性。在需要用张贴物覆盖复杂的非平面(三维)表面的情况下可以使用多个张贴物。提供初始呈平坦形式的张贴物是传统的。接着可以使张贴物弯曲和/或接合到一起以便形成所要求的非平面形状。某些非平面形状可以用单个张贴物来覆盖。对于形成绕着轴线的连续环的某些类型的非平面形状来说，张贴物可能自身不能形成连续环而同时仍与表面符合。这样的表面的示例是截头圆锥形表面。在这样的情况中，张贴物需要以断开的环提供，其中当张贴物处于其初始平坦状态时环的断开的端部彼此分离。这样的张贴物124的示例被示意性地示出在图14中。当张贴物124被弯折成非平面形状并被粘附至表面时，张贴物环的断开的端部128被放到一起(箭头126)以便彼此抵靠。图15是在图14的张贴物124已被弯折成非平面形状之后的张贴物的示意性描绘。张贴物124的两个断开的端部128之间的邻接线130构成可以容易由液体渗透的界面。被液体渗透可以使张贴物124至投影系统PS的粘附中断并降低张贴物124的寿命。

现在将描述至少部分地解决以上问题的光刻设备的实施例。在这些实施例中光刻设备可以如上面参照图1所描述地配置。光刻设备包括流体限制结构。流体限制结构可以形成如上面所描述的且图示在图2或图3中的流体供应系统或液体供应系统的一部分。

图4描绘了根据一个实施例的光刻设备。光刻设备包括投影系统PS。投影系统PS被配置成将经图案化的辐射束B通过浸没液体投影到衬底W的目标部分C上。提供了液体限制结构IH，其围绕且至少部分限定了用于限制浸没液体的空间11。浸没液体被限制在投影系统PS的外表面与衬底W之间。投影系统PS的外表面包括第一表面102。在一个实施例中，第一表面102相对于投影系统PS的投影轴线PA在出口表面104的径向外侧。出口表面104是经图案化的辐射束B沿着投影轴线PA离开投影系统PS所通过的表面。在一个实施例中，第一表面102围绕投影轴线PA(即，形成绕着投影轴线PA的闭合环)。

第一表面102具有非平面(三维)形状。在一个实施例中，非平面形状是使得非平面形状不能通过如下想象元件的弯折来形成的：该想象元件1)初始是平面的并且以闭合环形成；和2)在弯折期间，不允许在想象元件的任何区域中经受到在垂直于想象元件的厚度的任何方向上的跨越想象元件的整体厚度的延伸，或者不允许在想象元件的任何区域中经受到在垂直于想象元件的厚度的任何方向上的跨越想象元件的整体厚度的压缩。具有切入其中的孔的一张纸(例如，一张环状纸)是可以满足以上要求(1)和(2)的元件的示例。应领会的是，在不撕裂纸的情况下不可能将一张环状纸弯折成例如截头圆锥形形式。

在一个实施例中想象元件还被约束为在弯折期间在元件中的所有点处维持零高斯曲率。高斯曲率是微分几何中公知的概念。表面上的点的高斯曲率是点的主曲率的乘积。在所有点处具有零高斯曲率的元件是在任何点处不可能被沿着两个不同的轴线弯曲的元件。主曲率中的一个因此总是零。纸是被约束为在弯折期间在元件中的所有点处维持零高斯曲率的元件的公知的示例。

在图4中示出的实施例中，第一表面102具有截头圆锥形形式并且相对于投影轴线PA以大约45°倾斜。截头圆锥是不可能通过如下想象元件的弯折来形成的形状的示例：该想象元件1)初始是平面的并且以闭合环形成；和2)在弯折期间，不允许在想象元件的任何区域中经受到在垂直于想象元件的厚度的任何方向上的跨越想象元件的整体厚度的延伸，或者不允许在想象元件的任何区域中经受到在垂直于想象元件的厚度的任何方向上的跨越想象元件的整体厚度的压缩。在其他实施例中第一表面102可以采取其他形状，例如以其他角度倾斜的截头圆锥形形状或者包括截头圆锥的一部分连同一个或多个其他形状的形状。

在一个实施例中，光刻设备进一步包括被附接至第一表面102的元件106。元件106被定位成使得元件106的至少一部分在使用中(例如，当投影系统PS将经图案化的辐射束B投影到衬底W上和/或衬底W被相对于投影系统PS移动的时候)接触浸没液体。接触可以是连续的或间歇的。在图5至图7中进一步详细地描绘了从光刻设备的其余部分上拆卸下来的图4的元件106。

在一个实施例中，元件106包括连续整体材料的闭合环108。元件106以预成型状态(例如，不是作为涂层)被提供。元件106进一步以符合(例如，具有与之相同的形状)第一表面102的非平面形状的状态被提供。在一个实施例中元件106被配置成使得元件106即使没有被附接至第一表面102也会保持第一表面102的非平面形状。在一个实施例中，闭合环108围绕投影轴线PA。投影轴线PA因此在这样的实施例中穿过闭合环108。用于闭合环108的示例路径通过图6和图8中标为108的点划线描绘出。在一个实施例中，连续整体材料包括疏液性材料112。疏液性材料112相对于浸没液体是疏液性的(即，提供了趋向于排斥浸没液体的表面)。因此，在浸没液体是水的情况中，疏液性材料112将是疏水性的(或者至少具有疏水性表面)。在一个实施例中，疏液性材料112是使得浸没液体将与疏液性材料112产生大于90°但小于180°、例如100°、110°、120°等等直到180°的接触角度的。

在一个实施例中，元件106借助于粘合剂110被粘附至第一表面102。粘合剂110可以视为或者可以不视为元件106的一部分。粘合剂110具有与连续整体(例如，疏液性)材料112的组成不同的组成。粘合剂110可以在将元件106连接至投影系统PS前被提供在元件106上。这是例如在图7的布置中的情况。备选地或另外地，粘合剂110可以在将元件106连接至投影元件PS之前被施加至投影系统PS。

在一个实施例中，元件106在连接至第一表面102前以对应于第一表面102的非平面形状的非平面形状被提供。在一个实施例中，元件106被配置成使得可以在连接过程期间以元件106的少量或没有变形(例如，在垂直于元件106的厚度的方向上的延伸或压缩)的状态执行将原件106连接至第一表面102。

元件106可以被称作张贴物。张贴物在正常情况下以平坦形式被提供。以平坦形式提供的张贴物可以被成形以便覆盖非平面表面(即，不是平坦的表面)。然而，不是所有非平面表面都可以用初始平坦的张贴物最佳地覆盖。如上面参照图14和图15所描述的，例如，使用平坦张贴物来覆盖某些类型的非平面表面将导致沿着张贴物的不同部分之间的一个或多个邻接线创建界面。对于具有截头圆锥形形状的第一表面102的示例，请见在图14中的张贴物124的断开的端部128之间的在图15中的邻接线130。由浸没液体向界面(多个)内的渗透可以使粘附中断并破坏张贴物124的整体性。以符合第一表面102的非平面且闭合形式提供预成型元件106可以减少与元件106的边缘一起存在的界面的数量。例如，对应于图15中的邻接线130的界面不再需要存在。由此可以降低浸没液体可以进入到已被粘附至第一表面102之后的元件106下面的区域内的限度。可以降低元件106的至第一表面102的粘附劣化的速度。可以增加元件106的寿命和可靠性。可以减少与更换元件106相关联的停机时间。可以增加光刻设备的可靠性。

在一个实施例中，元件106的连续整体材料包括与粘合剂110直接接触的疏液性材料112。图5至图8的实施例是该类型的示例。该类型的实施例可以在构造上特别简单，并且可以高效地使用空间(例如，相对薄)。

在一个实施例中，元件106能够以单件与第一表面102断开连接。断开连接可以以使得闭合环108保持闭合的方式实现。疏液性元件106因此可以容易且方便地从第一表面102上拆卸下来。可选地，疏液性元件106被配置成使得拆卸之后在第一表面106上没有留下残留物(例如，留下的粘合剂110)。由此，便于疏液性元件106的更换。在一个实施例中，元件106可通过手动地将元件106从第一表面102上剥离而与第一表面102断开连接。该布置可能对于用户特别方便。可以不要求特殊设备用于使元件106断开连接。

在一个实施例中，连续整体材料包括疏水性的PTFE，或者诸如Kapton^TM等的疏水性聚酰亚胺膜。用于Kapton^TM的化学名称是聚(4,4'-氧二亚苯基-均苯四甲酰亚胺)。

在一个实施例中，元件106包括由例如呈层状结构的支撑层122支撑的疏液性材料的层(其可以被称作疏液性材料层212)。这样的结构的示例被示意性地图示在图13中。图13是被连接至投影系统PS的第一表面102的元件106的一部分的示意性侧向截面图。支撑层122可以具有与疏液性材料层212相比较高的刚性。在一个实施例中，支撑层122可以与粘合剂110直接接触(除了与粘合剂110直接接触的疏液性材料层212的疏液性材料之外或者代替该疏液性材料)。提供除了疏液性材料层212之外的支撑层122增加了可用于疏液性材料层212的材料的范围。例如，待以其自身与粘合剂110组合使用的不具有充分的结构整体性或刚性的层仍然可以用作包括支撑层122的实施例中的疏液性材料层。

在具有与支撑层122组合的疏液性材料层212的实施例中，疏液性材料层212可以包括形成在支撑层122上的疏液性涂层。在一个实施例中，疏液性涂层的厚度基本上小于支撑层122的厚度。大范围的材料可以使用涂覆方法来施加。材料可以以与使用其他技术形成的层相比较低的量来使用，特别是在层自身不必提供任何刚性(因为它们由支撑层122支撑)的情况下。

在进一步的实施例中，如图9至图12中所描绘的，投影系统PS的外表面进一步包括第二表面114。第二表面114(相对于投影轴线PA)在第一表面102的径向外侧。第二表面114相对于第一表面102倾斜。该实施例中的元件106包括形成连续整体材料的闭合环108(如例如图11和图12中所示)的第一整体形成部分103。在一个实施例中，闭合环108围绕投影轴线PA。在一个实施例中，第一整体形成部分103被附接(例如，粘附)至第一表面102。

在该实施例中，元件106包括第二整体形成部分115。第二整体形成部分115形成连续整体材料的闭合环120(请见点划线120)。在一个实施例中，闭合环120围绕投影轴线PA。第二整体形成部分115被附接(例如，粘附)至第二表面114。

在一个实施例中，第一整体形成部分103沿着连续线132被整体地接合至第二整体形成部分115。在一个实施例中，连续线132围绕投影轴线PA。在一个实施例中第二表面114在沿着连续线132的所有点处相对于第一表面102倾斜。

第一整体形成部分103和第二整体形成部分115的组合提供了第一表面102和第二表面114的连续覆盖率。连续覆盖率使界面最小化。因此降低了液体的渗透的可能性。因此增加了元件106的粘附的可靠性和寿命。

在一个实施例中，第二表面114垂直于投影轴线PA。在一个实施例中，第二表面114是平面的。在一个实施例中，元件106包括与粘合剂110直接接触的整体单件的疏液性材料。

在一个实施例中，元件106可以以单件并且以使得第一整体形成部分103的闭合环108和第二整体形成部分115的闭合环120保持闭合的方式与第一表面102和第二表面114断开连接。元件106因此可以容易且方便地从第一表面102和第二表面114上拆卸下来。可选地，元件106被配置成使得拆卸之后在第一表面102或第二表面114上没有留下残留物(例如，留下的粘合剂110)。由此便于元件106的更换。

在一个实施例中，元件106可通过手动地将元件106从第一表面102和第二表面114上剥离而与第一表面102和第二表面114断开连接。该布置可以对于用户特别方便。可以不要求特殊设备用于使元件106断开连接。

在图9至图12的所示实施例中，第一表面102是截头圆锥形并且第二表面114是平坦的环状环。在其他实施例中，第一表面102和第二表面114中的任一个或两者可以采取不同的形式。

可以提供使用上面所讨论的实施例中的任何一个或者其他实施例的器件制造方法。器件制造方法可以包括使用液体限制结构IH将浸没液体限制在投影系统PS的外表面与衬底W之间。方法可以进一步包括使用投影系统PS将经图案化的辐射束B通过浸没液体投影到衬底W的目标部分C上。在一个实施例中，投影系统PS的外表面包括第一表面102。在一个实施例中，第一表面102在出口表面104的径向外侧。出口表面104是经图案化的辐射束B沿着投影系统PS的投影轴线PA离开投影系统PS所通过的表面。在一个实施例中，第一表面102围绕投影轴线PA。第一表面102具有非平面形状。提供了元件106。元件106形成连续整体材料的闭合环108。元件106以预成型状态(例如，不是作为涂层)被提供。元件106进一步以符合(例如，具有与之相同的形状)第一表面102的非平面形状的状态被提供。在一个实施例中，元件106被配置成使得元件106即使没有被附接至第一表面102也会保持第一表面102的非平面形状。在一个实施例中，闭合环108围绕投影轴线PA。在一个实施例中，连续整体材料包括疏液性材料112。疏液性材料112相对于浸没液体是疏液性的。在一个实施例中，元件106借助于粘合剂110被粘附至第一表面102。粘合剂110具有与疏液性材料112的组成不同的组成。

虽然可能在本文中对光刻设备的在IC的制造中的使用进行了特定参考，但应该理解的是，本文所描述的光刻设备可以具有其他应用，诸如集成光学系统的制造、用于磁畴存储器、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头的引导和检测图案等等。本领域技术人员将领会的是，在这样的备选应用的上下文中，本文中的术语“晶片”或“裸片”的任何使用可以被视为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文所提及的衬底可以在曝光之前或之后在例如轨道(典型地将抗蚀剂层施加至衬底并使经过曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在适用时，本文中的公开可以应用于这样的和其他衬底处理工具。此外，衬底可以被处理超过一次，例如以便创建多层IC，使得本文所使用的术语衬底也可以是指已经包含多个经过处理的层的衬底。

本文所使用的术语“辐射”和“光束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，具有或大约365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)。

术语“透镜”在上下文允许的情况下可以是指包括折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型光学部件在内的各种类型的光学部件中的任何一个或组合。

虽然上面已描述了本发明的特定实施例，但应该领会的是本发明可以以除所描述的以外的其他方式实践。上面的描述旨在说明性的，不是限制性的。因此，对于本领域技术人员来说显而易见的是可以在不脱离下面所陈述的权利要求的精神和范围的情况下对如所描述的方法进行修改。