一种基于光学晶体折射率分布电光调制原理的李萨如装置的制作方法

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一种基于光学晶体折射率分布电光调制原理的李萨如装置的制作方法

本发明涉及的是一种基于光学晶体折射率分布电光调制原理的李萨如装置



背景技术:

李萨如图形是指在互相垂直方向上的两个频率成简单整数比的简谐振动所合成的规则的、稳定的闭合曲线族。李萨如图形在传感器动态特性检测、频率测量、工程信号检测等有广泛的应用。目前产生李萨如图形的装置有:一、机械李萨如演示仪:该装置的实验原理是采用人工或者电动机驱动而形成的机械振动来合成李萨如图形,这种方法的缺点在于产生机械振动频率调控误差大、损耗大、需要电机等仪器占用空间大。二、电信号合成李萨如演示仪:该装置的实验原理是通过电信号发生器生成两路电信号通过数字模拟转换器在示波器中产生李萨如图形,该装置仅适用于电信号的李萨如图形模拟。三、激光李萨如演示仪:该方法的实验原理是利用激光光杆原理通过反射镜来实现李萨如图形,但搭载折叠光路同样占用较大空间,光路折叠,重复性差,频率低,而且反射镜的调节粗糙耗时,二次使用非常不便。本发明是一种基于光学晶体折射率分布电光调制原理的新型李萨如装置,该装置的实验原理是:采用一种具有强二次电光效应的KTN晶体(钽铌酸钾晶体,化学式为KTa1-xNbxO3)作为空间光束电光调制介质。当光束入射晶体时,光束轨迹由晶体折射率分布决定(参见文献:强激光与粒子束,2012年,24(2):261-266),因此可通过外加调制电场改变晶体折射率分布来达到改变光束轨迹的目的。当施加正余弦电场时,晶体折射率分布的梯度在电场方向随之做简谐变化,垂直电场方向入射的光束轨迹受到简谐调制。本发明在晶体上施加方向互相垂直的两个调制电场,克服了光束调制单向性的缺点,入射光束轨迹将在两个相互垂直的方向上分别受到简谐调制,从而得到了光束轨迹的简谐运动合成,进而生成李萨如图形。此装置具有单光束操作、无需折叠光路、无机械振动、空间损耗低、频率动态调制范围大、可进行高精度操控、器件集成度高且稳定性好等优点。本

技术实现要素:
在公开数据库中未见报道。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有单光束操作、无需折叠光路、无机械振动、空间损耗低、频率动态调制范围大、可进行高精度操控、器件集成度高且稳定性好、多方向调制光束的基于光学晶体折射率分布电光调制原理的李萨如装置。

本发明的目的是这样实现的:

基于光学晶体折射率分布电光调制原理的李萨如装置,由激光器、光束准直器、电光调制单元、CCD图像传感器构成。所述的KTN晶体加工成长方体结构,采用镀膜工艺制备金属平板电极,两对平板电极置于晶体侧面产生相互垂直的电场,如附图2和附图3所示。每对平板电极分别连接一个外加调制电压源,每个电压源分别进行正余弦调制。入射光束经KTN晶体调制后,出射光束轨迹由CCD图像传感器接收。

本发明的有益效果在于:

此装置具有单光束操作、无需折叠光路、无机械振动、空间损耗低、频率动态调制范围大、可进行高精度操控、器件集成度高且稳定性好、多方向调制光束的等优点。

附图说明

图1是实施例1、实施例2的光路图;

图2是实施例1中电光调制单元结构放大图;

图3是实施例2中电光调制单元结构放大图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步说明:

本发明涉及的是一种基于光学晶体折射率分布电光调制原理的新型李萨如装置。基于光学晶体折射率分布电光调制原理的新型李萨如装置,由激光器、光束准直器、电光调制单元、CCD图像传感器构成。所述电光调制单元由KTN晶体、两对平板电极、调制电压源构成。KTN晶体加工成长方体结构,采用镀膜工艺制备金属平板电极,两对平板电极置于晶体侧面产生相互垂直的电场。每对平板电极分别连接一个外加调制电压源,每个调制电压源分别进行正余弦调制。入射光束经KTN晶体调制后,出射光束轨迹由CCD图像传感器接收。此装置克服了光束调制单向性的缺点,具有单光束操作、无需折叠光路、无机械振动、空间损耗低、频率动态调制范围大、可进行高精度操控、器件集成度高且稳定性好、多方向调制光束等优点。

实施例1:基于光学晶体折射率分布电光调制原理的新型李萨如装置,由激光器、光束准直器、电光调制单元、CCD图像传感器构成。所述的KTN晶体加工成长方体结构,采用镀膜工艺制备金属平板电极,两对平板电极置于晶体侧面,如附图2所示。每对平板电极分别连接一个外加调制电压源,每个电压源分别进行正余弦调制。入射光束经KTN晶体调制后,出射光束轨迹由CCD图像传感器接收。

所述电光调制单元由KTN晶体3-1,两对平板电极3-2、3-3,调制电压源3-4、3-5构成。

所述两对平板电极3-2、3-3分别置于KTN晶体3-1前后两段,并分别与调制电压源3-4、3-5连接,如附图1,所产生的调制电场相互垂直,且各自分布于晶体3-1的前后两段。

结合附图1和附图2,光束经过准直器2正入射到KTN晶体3-1,在晶体上施加方向互相垂直的两个调制电场,入射光束轨迹将在两个相互垂直的方向上先后受到简谐调制,得到光束轨迹的简谐运动合成,进而生成李萨如图形。

实施例2:基于光学晶体折射率分布电光调制原理的新型李萨如装置,由激光器、光束准直器、电光调制单元、CCD图像传感器构成。所述的KTN晶体加工成长方体结构,采用镀膜工艺制备金属平板电极,两对平板电极置于晶体侧面,如附图3所示。每对平板电极分别连接一个外加调制电压源,每个电压源分别进行正余弦调制。入射光束经KTN晶体调制后,出射光束轨迹由CCD图像传感器接收。

所述电光调制单元由KTN晶体3-1,两对平板电极3-2、3-3,调制电压源3-4、3-5构成。

所述两对平板电极3-2、3-3分别置于KTN晶体3-1侧面,并分别与调制电压源3-4、3-5连接,如附图2,所产生的调制电场相互垂直,且共同分布于晶体3-1中。

结合附图1和附图3,光束经过准直器2正入射到KTN晶体3-1,在晶体上施加方向互相垂直的两个调制电场,入射光束轨迹将在两个相互垂直的方向上同时受到简谐调制,得到光束轨迹的简谐运动合成,进而生成李萨如图形。

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