1.一种高红外反射电致变色玻璃，其特征在于：包括第一玻璃基板(1)和第二玻璃基板(2)，所述第一玻璃基板(1)和第二玻璃基板(2)间设有电解质层(3)，所述第一玻璃基板(1)包括第一基板(11)和依次设于所述第一基板(11)和电解质层(3)间的第一ITO层(12)和WO3层(13)。
2.根据权利要求1所述的一种高红外反射电致变色玻璃，其特征在于：第二玻璃基板(2)包括第二基板(21)和依次设于所述第二基板(21)和电解质层(3)间的第二ITO层(22)、AZO层(23)、Ag层(24)和NiO层(25)。
3.根据权利要求1所述的一种高红外反射电致变色玻璃，其特征在于：所述第一ITO层(12)膜厚120～135nm，方阻<15欧。
4.根据权利要求1所述的一种高红外反射电致变色玻璃，其特征在于：所述WO3层(13)膜厚500～600nm。
5.根据权利要求1所述的一种高红外反射电致变色玻璃，其特征在于：所述电解质层(3)电导率>10-6μs/cm。
6.根据权利要求2所述的一种高红外反射电致变色玻璃，其特征在于：所述NiO层(25)膜厚50～100nm。
7.根据权利要求2所述的一种高红外反射电致变色玻璃，其特征在于：所述Ag层(24)膜厚8～12nm。
8.根据权利要求2所述的一种高红外反射电致变色玻璃，其特征在于：所述AZO层(23)膜厚300～400nm。
9.根据权利要求2所述的一种高红外反射电致变色玻璃，其特征在于：所述第一基板(11)和第二基板(12)均为厚度4～8mm的浮法玻璃。
10.一种制备高红外反射电致变色玻璃的方法，其特征在于包括以下步骤：
1)、磁控溅射第一ITO层(12)，用交流电源、Ar气作为保护气体，磁控溅射氧化铟锡靶In2O3：SnO2＝90：10(wt％)，用Ar气流量800SCCM；
2)、磁控溅射WO3层(13)，用交流电源、Ar气、O2气作为保护气体，磁控溅射钨靶，氩氧流量比为400～425SCCM:600～630SCCM；
3)、制备电解质层(3)，将PVB、锂盐、助剂按重量比60～70：10～20：10～30挤出流延制成；
4)、磁控溅射NiO层(25)，用交流电源、Ar气、O2气作为保护气体，磁控溅射钨镍靶W：Ni＝8：92(wt％)，氩氧流量比为380～400SCCM:600～625SCCM；
5)、磁控溅射Ag层(24)，直流电源溅射，用Ar气作为保护气体，气体流量500～550SCCM；
6)、制备AZO层(23)，铝掺杂的氧化锌层；
7)、磁控溅射第二ITO层(22)，用交流电源、Ar气作为保护气体，磁控溅射氧化铟锡靶In2O3：SnO2＝90：10(wt％)，用Ar气流量800SCCM；
8)、合片，由第一基板(11)、第一ITO层(12)和WO3层(13)组成第一玻璃基板(1)，由第二基板(21)、第二ITO层(22)、AZO层(23)、Ag层(24)、NiO层(25)组成第二玻璃基板(2)，第一玻璃基板(1)、电解质层(3)与第二玻璃基板(2)通过高压釜进行合片，制备得高红外反射电致变色玻璃。