液晶面板、阵列基板及其具有平衡畴面积的像素结构的制作方法

本发明涉及液晶显示的技术领域，具体是涉及一种液晶面板、阵列基板及其具有平衡畴面积的像素结构。

背景技术：

TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示)面板的一个重要的评价指标是面板的穿透率，尤其对于大尺寸高分辨率的面板，高的穿透率可以提高对比度、降低背光的功耗。影响穿透率的一个重要因素是面板像素的开口率，提高开口率可以从设计的角度提高穿透率。

开口率指有效的透光区域与全部面积的比例，一般指除去每一个次像素的配线部、晶体管部(通常采用黑色矩阵隐藏)后的光线通过部分的面积和每一个次像素整体的面积之间的比例。开口率越高，光线通过的效率越高。当光线经由背光板发射出来时，并不是所有的光线都能穿过面板，比如连接LCD源极驱动芯片及栅极驱动芯片用的信号线，以及薄膜晶体管(TFT)本身，还有储存电压用的储存电容等。这些地方除了不完全透光外，也由于经过这些地方的光线不受电压控制，而无法显示正确的灰阶，所以都需利用黑色矩阵加以遮蔽，以免干扰其它透光区域。

现有技术中的像素结构中，为增大开口率，可利用像素ITO与gate形成Cst(晶振)on gate的结构实现像素的存储电容，或者直接将Cst除去。图1是现有技术中Cst on gate的一种常规设计结构的示意图。

从图1中可以看到，像素结构中的(畴)Domain 1中因为TFT(薄膜晶体管)11的存在的，占用了该区左上角的开口率(S1)，Domain 3的Via hole(通路孔)31在右下角也同样占用了开口率(S2)，由于S1大于S2，因此两区占用的开口率大小并不相等，因此导致Domain 1和Domain 3的开口率的不同。

退一步来讲，Domain 1和Domain 3两区被占用的开口率大小不相等(S1大于S2)，即使是调整中间的十字型的畴分界线10的位置，仍然无法使该像素结构的4个Domain的面积相等，当4个Domain面积相差较大时，会有大视角色偏的问题。其中，图中标号1、2、3、4分别为像素结构的4个畴(Domain)。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种液晶面板、阵列基板及其具有平衡畴面积的像素结构，以解决现有技术中由于同一像素单元内畴的开口率不同而导致的液晶面板存在大视角色偏的技术问题。

为解决上述问题，本发明实施例一方面提供了一种具有平衡畴面积的像素结构，所述像素结构包括偶数个畴，其薄膜晶体管的不透光部分设置在相邻的两个畴之内，以使相邻畴的开口率相等。

根据本发明一优选实施例，所述薄膜晶体管的不透光部分分为两部分不相等的面积，其中，面积较小的薄膜晶体管不透光部分面积与其所在畴内其他不透光面积之和与面积较大的薄膜晶体管不透光部分面积相等。

根据本发明一优选实施例，所述面积较小的薄膜晶体管不透光部分所在畴内的其他不透光面积为通路孔的面积。

根据本发明一优选实施例，所述像素结构包括四个畴，调整位于像素结构中部十字型的畴分界线的位置，使像素结构四个畴的开口率相等。

根据本发明一优选实施例，所述像素结构为一个子像素单元。

为解决上述技术问题，本发明实施例另一方面还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括具有平衡畴面积的像素结构，所述像素结构包括偶数个畴，其薄膜晶体管的不透光部分设置在相邻的两个畴之内，以使相邻畴的开口率相等。

根据本发明一优选实施例，所述薄膜晶体管的不透光部分分为两部分不相等的面积，其中，面积较小的薄膜晶体管不透光部分面积与其所在畴内其他不透光面积之和与面积较大的薄膜晶体管不透光部分面积相等。

根据本发明一优选实施例，所述面积较小的薄膜晶体管不透光部分所在畴内的其他不透光面积为通路孔的面积。

根据本发明一优选实施例，所述像素结构包括四个畴，调整位于像素结构中部十字型的畴分界线的位置，使像素结构四个畴的开口率相等。

进一步地，本发明实施例又提供一种液晶面板，所述液晶面板包括上述实施例中任一项所述的阵列基板。

相对于现有技术，本发明提供的液晶面板、阵列基板及其具有平衡畴面积的像素结构，通过改变TFT像素结构中薄膜晶体管的不透光部分的设置位置以及调整位于像素结构中部十字型的畴分界线的位置，来平衡薄膜晶体管的不透光部分和通路孔等的遮光面积，使得像素结构的不同畴之间的开口率相等，进而解决了因像素结构畴的开口率不同的导致的液晶面板存在大视角色偏的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中Cst on gate的一种常规设计结构的示意图；

图2是本发明具有平衡畴面积的像素结构一优选实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本发明，但不对本发明的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本发明的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图2，图2是本发明具有平衡畴面积的像素结构一优选实施例的结构示意图。需要说明的是，本实施例中像素结构为一个子像素单元，且图示中给出的是包括4个畴的像素结构，当然，本实施例中的结构还可以用于双畴以及多畴的像素结构中，在本领域技术人员的理解范围内，此处不再一一列举。

垂直配向(Vertical Alignment，VA)技术以其高的对比度和宽的视野角，常用于大尺寸TFT-LCD液晶显示器领域。本实施例中的像素结构基于阵列基板结构形成，主要包括数据线(Data line)501、栅极线501，薄膜晶体管503以及像素电极504等，数据线501通常位于两个像素电极504的中间，薄膜晶体管503分别连接数据线501、栅极线502及像素电极504，用于完整构成阵列基板结构的衬底、绝缘层等结构在此不再赘述及图示。

为了实现宽的视野角，像素电极504内有不同取向的条状结构，称为条状分支(slit)5041，条状分支5041的每一个取向区称为一个畴(domain)，本实施例中的像素电极504包括了Domain 100、Domain 200、Domain 300以及Domain 400四个畴。每个畴大体上呈矩形。相邻畴的条状分支5041的取向不同，所对应液晶的倒向就会不同，在畴交界的区域液晶倒向就会出现混乱，亮度出现异常，暗态发亮。为避免这种现象，通常不同畴交界的区域设计有如图2所示中间的条形区，称为主干(trunk)区5042，即十字型的畴分界线。以避免交界处出现液晶倒向混乱。

主干区5042在显示时为不透光的暗态，本实施例中像素电极504包括相互垂直的两个主干区5042，分别平行于数据线501和栅极线502，主干区5042的数量及位置与畴的数量相关。

本实施例中的薄膜晶体管的不透光部分(原S1)分为两部分面积(S3和S4)，这两部分面积设置在相邻的两个畴之内，目的是使相邻畴的开口率相等。

优选地，两部分面积(S3和S4)大小不相等，本实施例中设为S4大于S3，面积较小的薄膜晶体管不透光部分面积S3与其所在畴(Domain300)内其他不透光面积S2之和与面积较大的薄膜晶体管不透光部分S4的面积相等。

其中，面积较小的薄膜晶体管不透光部分S3所在畴(Domain 300)内的其他不透光面积S2可以为通路孔301(Via hole)或者其他不透光的面积。

进一步地，由于本实施例中的像素结构包括四个畴，当相邻畴(Domain 100和Domain 300)之间开口率相同后，还可以通过调整位于像素结构中部十字型的畴分界线5042的位置，使像素结构四个畴(Domain 100、Domain 200、Domain 300以及Domain 400)的开口率均相等。

相对于现有技术，本发明提供的像素结构，通过改变TFT像素结构中薄膜晶体管的不透光部分的设置位置以及调整位于像素结构中部十字型的畴分界线的位置，来平衡薄膜晶体管的不透光部分和通路孔等的遮光面积，使得像素结构的不同畴之间的开口率相等，进而解决了因像素结构畴的开口率不同的导致的液晶面板存在大视角色偏的技术问题。

另外，本发明实施例还提供一种阵列基板，该阵列基板包括具有平衡畴面积的像素结构。请参阅图2，图2是本发明具有平衡畴面积的像素结构一优选实施例的结构示意图。需要说明的是，本实施例中像素结构为一个子像素单元，且图示中给出的是包括4个畴的像素结构，当然，本实施例中的结构还可以用于双畴以及多畴的像素结构中，在本领域技术人员的理解范围内，此处不再一一列举。

垂直配向(Vertical Alignment，VA)技术以其高的对比度和宽的视野角，常用于大尺寸TFT-LCD液晶显示器领域。本实施例中的像素结构基于阵列基板结构形成，主要包括数据线(Data line)501、栅极线501，薄膜晶体管503以及像素电极504等，数据线501通常位于两个像素电极504的中间，薄膜晶体管503分别连接数据线501、栅极线502及像素电极504，用于完整构成阵列基板结构的衬底、绝缘层等结构在此不再赘述及图示。

为了实现宽的视野角，像素电极504内有不同取向的条状结构，称为条状分支(slit)5041，条状分支5041的每一个取向区称为一个畴(domain)，本实施例中的像素电极504包括了Domain 100、Domain 200、Domain 300以及Domain 400四个畴。每个畴大体上呈矩形。相邻畴的条状分支5041的取向不同，所对应液晶的倒向就会不同，在畴交界的区域液晶倒向就会出现混乱，亮度出现异常，暗态发亮。为避免这种现象，通常不同畴交界的区域设计有如图2所示中间的条形区，称为主干(trunk)区5042，即十字型的畴分界线。以避免交界处出现液晶倒向混乱。

主干区5042在显示时为不透光的暗态，本实施例中像素电极504包括相互垂直的两个主干区5042，分别平行于数据线501和栅极线502，主干区5042的数量及位置与畴的数量相关。

本实施例中的薄膜晶体管的不透光部分(原S1)分为两部分面积(S3和S4)，这两部分面积设置在相邻的两个畴之内，目的是使相邻畴的开口率相等。

优选地，两部分面积(S3和S4)大小不相等，本实施例中设为S4大于S3，面积较小的薄膜晶体管不透光部分面积S3与其所在畴(Domain300)内其他不透光面积S2之和与面积较大的薄膜晶体管不透光部分S4的面积相等。

其中，面积较小的薄膜晶体管不透光部分S3所在畴(Domain 300)内的其他不透光面积S2可以为通路孔(Via hole)或者其他不透光的面积。

进一步地，由于本实施例中的像素结构包括四个畴，当相邻畴(Domain 100和Domain 300)之间开口率相同后，还可以通过调整位于像素结构中部十字型的畴分界线5042的位置，使像素结构四个畴(Domain 100、Domain 200、Domain 300以及Domain 400)的开口率均相等。

相对于现有技术，本发明提供的阵列基板，通过改变TFT像素结构中薄膜晶体管的不透光部分的设置位置以及调整位于像素结构中部十字型的畴分界线的位置，来平衡薄膜晶体管的不透光部分和通路孔等的遮光面积，使得像素结构的不同畴之间的开口率相等，进而解决了因像素结构畴的开口率不同的导致的液晶面板存在大视角色偏的技术问题。

进一步，本发明实施例还提供一种液晶面板，该液晶面板包括上述实施例中的阵列基板，关于阵列基板的具体结构请参阅上述实施例的相关描述，而液晶面板其他部分的结构特征在本领域技术人员的理解范围内，此处不再赘述。

以上所述仅为本发明的部分实施例，并非因此限制本发明的保护范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效装置或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。