1.一种用于EUV光刻的变形镜，包括：
基底；
设置在所述基底上的第一电极层；
设置在所述第一电极层上的形变层，所述形变层包括PLZT膜；
设置在所述形变层上的第二电极层；
设置在所述第二电极层上的平滑层；
设置在所述平滑层上的EUV多层膜结构。
2.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的变形镜，其特征在于，所述基底上安装有冷却装置。
3.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的变形镜，其特征在于，所述平滑层包括Si和/或Ni；所述平滑层的厚度为1μm-10μm。
4.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的变形镜，其特征在于，所述EUV多层膜包括Mo/Si多层膜。
5.根据权利要求4所述的用于EUV光刻的变形镜，其特征在于，所述Mo/Si多层膜包括40-60个周期的Mo/Si膜，每个Mo/Si膜的周期厚度为6.9nm-7.1nm。
6.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的变形镜，其特征在于，所述EUV多层膜结构还包括保护层和/或防扩散层，所述保护层选自Ru、TiO2、RuO2中的一种或多种，所述防扩散层选自B4C和/或BN中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的变形镜，其特征在于，所述第一电极层和第二电极层分别包括金属和/或金属化合物，所述第一电极层和第二电极层的厚度分别为100nm-10μm。
8.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的变形镜，其特征在于，所述PLZT膜的极化方向垂直于EUV多层膜结构。
9.一种如权利要求1-8任一项的用于EUV光刻的变形镜的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、在光学元件基底上沉积第一电极层；S2、在第一电极层上沉积形变层，所述形变层包括PLZT膜；S3、在形变层上沉积第二电极层；S4、在第二电极层上沉积平滑层；S5、在平滑层上沉积EUV多层膜结构。