1.一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法，其特征在于，所述方法包括：
将晶圆保护模块放置于基台的表面上；
根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量；
判断所述偏移量是否大于预设阈值；
若大于所述预设阈值，则根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置，以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量的步骤包括：
对所述晶圆保护模块和所述基台进行图像采集；
通过对采集的图像进行处理得到所述晶圆保护模块上的至少一个位置点与所述基准标记的实际相对位置，并将所述实际相对位置与所述位置点与所述基准标记的理论相对位置进行比较，进而获得所述偏移量。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
根据所述基准标记的位置和所述理论位置计算所述晶圆保护模块处于所述理论位置时，所述位置点与所述基准标记之间的所述理论相对位置。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述晶圆保护模块为保护环，所述位置点包括位于所述保护环的内边缘或外边缘或有特征图形表面上的第一位置点和第二位置点，且所述第一位置点和所述第二位置点与所述保护环中心的连线之间的夹角大于或等于90度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置的步骤包括：
将所述晶圆保护模块从所述基台上取下；
相对于所述晶圆保护模块对所述基台进行位置调整。
6.一种光刻机，其特征在于，所述光刻机包括：
基台，用于放置晶圆保护模块且设置有基准标记；
检测设备，用于根据所述基准标记检测并计算所述晶圆保护模块在所述基台上的实际位置与理论位置的偏移量，并判断所述偏移量是否大于预设阈值；
调整设备，用于在所述偏移量大于所述预设阈值时根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置，以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。
7.根据权利要求6所述的光刻机，其特征在于，所述检测设备包括：
图像采集设备，用于对所述晶圆保护模块和所述基台进行图像采集；
图像处理设备，用于通过对采集的图像进行处理得到所述晶圆保护模块上的至少一个位置点与所述基准标记的实际相对位置，并将所述实际相对位置与所述位置点与所述基准标记的理论相对位置进行比较，进而获得所述偏移量。
8.根据权利要求7所述的光刻机，其特征在于，所述图像处理设备进一步根据所述基准标记的位置和所述理论位置计算所述晶圆保护模块处于所述理论位置时，所述位置点与所述基准标记之间的所述理论相对位置。
9.根据权利要求7所述的光刻机，其特征在于，所述晶圆保护模块为保护环，所述位置点包括位于所述保护环的内边缘或外边缘或有特征图形表面上的第一位置点和第二位置点，且所述第一位置点和所述第二位置点与所述保护环中心的连线之间的夹角大于或等于90度。
10.根据权利要求6所述的光刻机，其特征在于，所述调整设备包括：
机械手，用于将所述晶圆保护模块从所述基台上取下；
传动机构，用于相对于所述晶圆保护模块对所述基台进行位置调整。