阵列基板、显示面板及显示装置的制作方法

本实用新型实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术：

随着显示技术的发展，显示产品的显示效果不断地得到改善，从而使液晶显示产品的应用越来越广泛。

显示产品的功耗与显示驱动频率成正比，为降低产品的功耗需要降低显示驱动频率。然而，目前显示产品的漏电流较大，降低驱动频率后，容易导致显示驱动周期内像素的电压保持率降低，影响显示效果。

技术实现要素：

本实用新型实施例的目的在于提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，以提高显示驱动周期内像素的电压保持率。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：

基板；

形成在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元；

所述像素单元包括相互绝缘的像素电极和公共电极；所述公共电极包括至少一个子公共电极；所述像素电极包括至少两个异层设置的子像素电极,其中一个所述子公共电极所在膜层设置在两个所述子像素电极所在膜层之间，所述至少两个子像素电极电连接。

第二方面，本实用新型实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：

基板；

形成在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元；

所述像素单元包括相互绝缘的像素电极和公共电极；所述像素电极包括至少一个子像素电极；所述公共电极包括至少两个异层设置的子公共电极，其中一个所述子像素电极所在膜层设置在两个所述子公共电极所在膜层之间，所述至少两个子公共电极电连接。

第三方面，本实用新型实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括本实用新型任意实施例所述的阵列基板。

第四方面，本实用新型实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括本实用新型任意实施例所述的显示面板。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，所述阵列基板的像素单元包括至少一个子公共电极和至少两个异层设置的子像素电极，其中一个所述子公共电极所在膜层设置在两个所述子像素电极所在膜层之间，或者包括至少一个子像素电极和至少两个异层设置的子公共电极，其中一个所述子像素电极所在膜层设置在两个所述子公共电极所在膜层之间，增大了像素电极与公共电极的相对面积，增大了单个像素单元的存储电容，从而增大了像素单元的电压保持率。

附图说明

图1a是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图1b是图1a中阵列基板沿剖面线A-A的剖面图；

图2a是本实用新型实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图2b是图2a中阵列基板沿剖面线B-B的剖面图；

图3a是本实用新型实施例提供的第三种阵列基板的结构示意图；

图3b是图3a中阵列基板沿剖面线C-C的剖面图；

图4是本实用新型实施例提供的又一种阵列基板的剖面图；

图5是本实用新型实施例提供的再一种阵列基板的剖面图；

图6是本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图7是本实用新型实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

显示产品的功耗与显示驱动频率成正比，目前的显示产品普遍存在的问题是漏电流较大，降低驱动频率后，容易导致像素的电压保持率降低，影响显示效果。设Q为单个像素的初始电荷，U为单个像素的初始电压，C为单个像素的存储电容，Q’为t时间后单个像素的电荷，U’为t时间后的单个像素的保持电压，则U＝Q/C，U’＝Q’/C，电荷变化量Q-Q’＝It，I为像素的漏电流，t时间后单个像素的电压变化量△U＝U-U’＝It/C，电压保持率y＝U’/U＝1-△U/U，其中，t为显示驱动周期中像素的电压保持时间。由上述分析可知：若降低显示驱动频率，则电压保持时间t增大，电压变化量增加，电压保持率降低。因此，可通过降低电压变化量来提高电压保持率，而漏电流I基本稳定，因此可以通过增大单个像素的存储电容C来降低电压变化量，从而提高电压保持率。

基于上述构思，本实用新型提出了一种阵列基板。图1a是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图1b是图1a中阵列基板沿剖面线A-A的剖面图。参考图1a和图1b，本实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板10，形成在基板10上的多条扫描线110和多条数据线120，多条扫描线110和多条数据线120绝缘交叉限定多个像素单元130。

像素单元130包括相互绝缘的像素电极12和公共电极11。公共电极11至少一个子公共电极，像素电极12包括至少两个异层设置的子像素电极，其中一个子公共电极所在膜层设置在两个子像素电极所在膜层之间，至少两个子像素电极电连接。

其中，阵列基板还包括薄膜晶体管13，通过在扫描线110上施加扫描信号，使与同一条扫描线110连接的薄膜晶体管13导通，数据线120上施加的数据电压通过导通的薄膜晶体管13对像素电极12进行充电，从而在像素电极12与公共电极11之间形成电场，进而驱动液晶旋转，实现每一个像素的图像显示；同时，像素电极12与公共电极11的相对的部分形成存储电容。

本实施例通过设置至少一个子公共电极和至少两个子像素电极，增大了像素电极12与公共电极11的相对面积，提高了单个像素单元130的存储电容，从而提高了显示驱动周期内像素单元130的电压保持率，使得阵列基板可以采用更低的显示驱动频率，降低功耗。需要说明的是，图1a和图1b中仅示例性的示出了一个公共电极11和两个像素电极12，并非对本发明的限制。

具体的，参考图1a和图1b，像素单元130包括第一子公共电极11a、第一子像素电极12a和第二子像素电极12b。第一子像素电极12a所在膜层和第二子像素电极12b所在膜层在垂直于基板10的方向上设置于第一子公共电极11a所在膜层的两侧。

其中，第一子像素电极12a和第二子像素电极12b的形状可以相同也可以不同。可选的，第一子像素电极12a和第二子像素电极12b形状相同且相对第一子公共电极11a所在膜层对称设置。第一子像素电极12a和第二子像素电极12b形状相同，无需增加新的掩膜版，只需采用同一张掩膜版在形成第一子公共电极11a前后分别制作第一子像素电极12a和第二子像素电极12b，节省了一张掩膜版成本，并且使得单个像素单元130的存储电容相对于现有技术只采用一个像素电极12增大一倍，提高了电压保持率，使得阵列基板可以采用更低的显示驱动频率，降低了功耗。以LTPS5.3英尺高清显示产品为例，存储电容增加一倍后，采用15Hz的显示驱动频率，像素的电压保持率可达到94.79％，满足显示要求，并且降低了显示面板的功耗。

进一步的，参考图1a和图1b，第一子像素电极12a和第二子像素电极12b具有条形狭缝，第一子像素电极12a和第二子像素电极12b与第一子公共电极11a之间可以形成均匀的电场，从而更好的驱动液晶偏转，提升图像显示效果。

图2a是本实用新型实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图2b是图2a中阵列基板沿剖面线B-B的剖面图。参考图2a和图2b，第一子像素电极12a设置于第一子公共电极11a远离基板10的一侧，第一子像素电极12a具有条形狭缝，第二子像素电极12b为面状像素电极。

具体的，由于第二子像素电极12b为面状像素电极，进一步增大了与第一子公共电极11a的相对面积，从而进一步增大了像素单元130的存储电容，进一步增大了电压保持率，使得阵列基板可以采用更低的驱动频率，进一步降低了显示面板的功耗。以LTPS5.3英尺高清显示产品为例，第二子像素电极12b采用面状像素电极，存储电容可增加四倍，采用5Hz的显示驱动频率，像素的电压保持率可达到92.16％，采用8Hz的显示驱动频率，电压保持率可达到95.1％，满足显示要求，并且进一步降低了显示面板的功耗。另外，第一子像素电极12a具有条形狭缝，可以与第一子公共电极11a形成均匀的电场，更好的驱动液晶偏转，提升图像显示效果。

参考图2b，像素单元130可以包括：第一薄膜晶体管131，至少两个子像素电极12a和12b通过第一过孔210电连接，并通过第一过孔210与第一薄膜晶体管131的漏极131a电连接。

具体的，第一薄膜晶体管131的源极131b可以与数据线120连接，栅极131c可以与扫描线110连接。工作过程中，扫描线110向第一薄膜晶体管131的栅极131c输入扫描信号，使第一薄膜晶体管131的漏极131a和源极131b导通，数据线120的数据信号输入到像素电极12。

可选的，像素单元130还可以包括：第二薄膜晶体管132，数据线120与第二薄膜晶体管132的源极132b电连接，扫描线110与第一薄膜晶体管131和第二薄膜晶体管132的栅极131c和132c电连接，第二薄膜晶体管132的漏极132a与第一薄膜晶体管131的源极131b电连接。

其中，工作过程中扫描线110向第一薄膜晶体管131的栅极131c和第二薄膜晶体管132的栅极132c输入扫描信号，第一薄膜晶体管131的漏极131a和源极131b以及第二薄膜晶体管132的漏极132a和源极132b导通，数据线120上的数据信号传输到像素电极12，对像素电极12进行充电，充电完成后，第一薄膜晶体管131和第二薄膜晶体管132关闭。薄膜晶体管在关闭后，像素电极12仍会通过薄膜晶体管放电，即薄膜晶体管上仍有漏电流，通过采用两个薄膜晶体管，可以降低漏电流，进一步提高像素单元130的电压保持率。另外，参考图2，所述阵列基板还可以包括遮光层133，用于遮挡薄膜晶体管的内部沟道，防止产生光电流，影响薄膜晶体管的特性。可选的，第一薄膜晶体管133和第二薄膜晶体管134为低温多晶硅薄膜晶体管。

图3a是本实用新型实施例提供的第三种阵列基板的结构示意图，图3b是图3a中阵列基板沿剖面线C-C的剖面图。参考图3a和图3b，所述阵列基板包括：基板10，形成在基板10上的多条扫描线110和多条数据线120，多条扫描线110和多条数据线120绝缘交叉限定多个像素单元130。

像素单元130包括相互绝缘的像素电极12和公共电极11。像素电极12包括至少一个子像素电极，公共电极11包括至少两个异层设置的子公共电极，其中一个子像素电极所在膜层设置在两个子公共电极所在膜层之间，至少两个子公共电极电连接。

其中，至少两个公共电极可以通过在阵列基板的不透光区设置过孔实现电连接，也可以分别设置公共电极引线。

本实施例通过设置至少一个子像素电极和至少两个子公共电极，增大了像素电极12与公共电极11的相对面积，提高了单个像素单元130的存储电容，从而提高了像素单元130的电压保持率，使得阵列基板可以采用更低的显示驱动频率，降低功耗。

具体的，像素单元130包括第三子像素电极12c、第二子公共电极11b和第三子公共电极11c，第二子公共电极11b所在膜层和第三子公共电极11c所在膜层在垂直于基板10的方向上设置于第三子像素电极12c所在膜层的两侧。

其中，第二子公共电极11b和第三子公共电极11c的形状可以相同也可以不同。可选的，第二子公共电极11b和第三子公共电极11c形状相同且相对第三子像素电极12c所在膜层对称设置。第二子公共电极11b和第三子公共电极11c形状相同，无需增加新的掩膜版，只需采用同一张掩膜版在形成第三子像素电极12c前后分别制作第二子公共电极11b和第三子公共电极11c，节省了一张掩膜版的成本，并且使得单个像素单元130的存储电容相对于现有技术只采用一个公共电极11增大一倍，提高了电压保持率，使得阵列基板可以采用更低的显示驱动频率，降低功耗。需要说明的是，图3a和图3b中仅示例性的示出了两个公共电极11和一个像素电极12的情况，并非对本发明的限制。

可选的，第二子公共电极11b和第三子公共电极11c具有条形狭缝。第二子公共电极11b和第三子公共电极11c与第三子像素电极12c之间可以形成均匀的电场，从而更好的驱动液晶偏转，提升图像显示效果。

图4是本实用新型实施例提供的又一种阵列基板的剖面图，参考图4，第二子公共电极11b设置于第三子像素电极12c远离基板10的一侧，第二子公共电极11b具有条形狭缝，第三子公共电极11c为面状像素电极。

具体的，由于第三子公共电极11c为面状像素电极，进一步增大了与第三子像素电极12c的相对面积，进一步增大了像素单元130的存储电容。并且第二子公共电极11b具有条形狭缝，可以与第三子像素电极12c形成均匀的电场，更好的驱动液晶偏转，提升图像显示效果。

具体的，参考图4，像素单元130还可以包括第三薄膜晶体管134，第三子像素电极12c通过第二过孔220与第三薄膜晶体管134的漏极134a电连接。

具体的，第三薄膜晶体管134的源极134b可以与数据线120连接，栅极134c可以与扫描线110连接。工作过程中，扫描线110向第三薄膜晶体管134的栅极134c输入扫描信号，使第三薄膜晶体管134的漏极134a和源极134b导通，数据线120的数据信号输入到第三子像素电极12c。

可选的，像素单元130还可以第四薄膜晶体管135，数据线120与第四薄膜晶体管135的源极135b电连接。扫描线110与第三薄膜晶体管134和第四薄膜晶体管135的栅极134c和135c电连接，第四薄膜晶体管135的漏极135a与第三薄膜晶体管134的源极134b电连接。

工作过程中扫描线110向第三薄膜晶体管134的栅极134c和第四薄膜晶体管135的栅极135c输入扫描信号，第三薄膜晶体管134的漏极134a和源极134b以及第四薄膜晶体管135的漏极135a和源极135b导通，数据线120上的数据信号传输到第三子像素电极12c，对第三子像素电极12c进行充电，充电完成后，第三薄膜晶体管134和第四薄膜晶体管135关闭。薄膜晶体管在关闭后，第三子像素电极12c仍会通过薄膜晶体管放电，即薄膜晶体管上仍有漏电流，通过采用两个薄膜晶体管，可以降低漏电流，进一步提高像素单元130的电压保持率。可选的，第三薄膜晶体管134和第四薄膜晶体管135为低温多晶硅薄膜晶体管。

需要说明的是，上述实施例中仅示出了两个子像素电极和一个子公共电极，或具有两个子公共电极和一个子像素电极的情况，并非对本实用新型的限定，在其他实施方式中，还可以具有多个子像素电极或多个子公共电极。图5是本实用新型实施例提供的再一种阵列基板的剖面图，参考图5，像素单元130包括第二子公共电极11b、第三子公共电极11c、第三子像素电极12c和第四子像素电极12d，进一步增大了像素电极12与公共电极11的相对面积，提高了显示驱动周期内的电压保持率。

本实施例还提供了一种显示面板，图6是本实用新型实施例提供的一种显示面板的示意图，参考图6，所述显示面板包括本实用新型上述任意实施例所述的阵列基板100。具体的，显示面板还包括与阵列基板100相对设置的彩膜基板200，以及位于阵列基板100和彩膜基板200之间的液晶层300。

本实施例还提供了一种显示装置，图7是本实用新型实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参考图7，所述显示装置包括本实用新型任意实施例提供的显示面板400。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。